JPH02230729A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH02230729A JPH02230729A JP5164689A JP5164689A JPH02230729A JP H02230729 A JPH02230729 A JP H02230729A JP 5164689 A JP5164689 A JP 5164689A JP 5164689 A JP5164689 A JP 5164689A JP H02230729 A JPH02230729 A JP H02230729A
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- Japan
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- chamber
- gas
- processing
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- high frequency
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
プラズマ処理を行う半導体製造装置に関し、小型化及び
処理効率の向上を可能とすることを目的とし、 被処理物が載置されるス−アージが配された単一の処理
室と、複数の孔を有する平板により仕切られて上記処理
室の上方に配されたガス発光室と、上記単一の処理室に
連通接続された真空排気装置と、上記ガス発光室に処理
ガスを導入する処理ガス導入口と、上記ガス発光室と接
続して設けてあり、該ガス発光室内の処理ガスを発光さ
せる冫イク口波源と、上記ステージと上記平板との間で
処理ガスをプラズマ化させる高周波源と、上記マイク０
波源と上記高周波源とを順次選択的に駆動させる制御手
段とを備えて構成する。
処理効率の向上を可能とすることを目的とし、 被処理物が載置されるス−アージが配された単一の処理
室と、複数の孔を有する平板により仕切られて上記処理
室の上方に配されたガス発光室と、上記単一の処理室に
連通接続された真空排気装置と、上記ガス発光室に処理
ガスを導入する処理ガス導入口と、上記ガス発光室と接
続して設けてあり、該ガス発光室内の処理ガスを発光さ
せる冫イク口波源と、上記ステージと上記平板との間で
処理ガスをプラズマ化させる高周波源と、上記マイク０
波源と上記高周波源とを順次選択的に駆動させる制御手
段とを備えて構成する。
本発明はプラズマ処理を行う半導体製造装置に関する。
半導体の製造工程の中には、第５図（Ａ）に示すエッチ
ングマスク１によりマスクされたウエハ２上のＳ！０２
膜３に対して、最初に同図（Ｂ）中符号４で示すように
等方性プラズマエッチングを行ない、次に同図（Ｃ）中
符号５で示すように異方性プラズマエッチングを行う場
合がある。
ングマスク１によりマスクされたウエハ２上のＳ！０２
膜３に対して、最初に同図（Ｂ）中符号４で示すように
等方性プラズマエッチングを行ない、次に同図（Ｃ）中
符号５で示すように異方性プラズマエッチングを行う場
合がある。
半導体！ｌＩ造装置は上記のような処理を能率良く行う
ことが可能で且つ小型の構成であることが望ましい。
ことが可能で且つ小型の構成であることが望ましい。
〔従来の技術）
第６図は従来の半導体製造装置１０を示す。
符号１１．１２で示すように処理室が二つ並設してある
。
。
各処理室１１．１２毎に一の処理ガス導入口１３．１４
と−の真空排気装置１５．１６が設けてある。
と−の真空排気装置１５．１６が設けてある。
１７はマイクロ波源であり、処理室１１の上方のガス発
光室１８と接続してある。
光室１８と接続してある。
１９は高周波源であり、処理室１２と接続してある。
第５図（Ａ）に示す被処理物２０は、最初に処理室１１
内でダウンストリーム方式で等方竹プラス？エッチング
され、その後、別の処理室１２内に移されて異方性プラ
ズマエッチングされる。
内でダウンストリーム方式で等方竹プラス？エッチング
され、その後、別の処理室１２内に移されて異方性プラ
ズマエッチングされる。
上記の製造装置１０は、処理室を二つ備えたものであり
、大型化であると共に、高価である。
、大型化であると共に、高価である。
また、被処理物２０を一の処理室１１から別の処理室１
２へ移す工程があり、製造の能率がよくない。
２へ移す工程があり、製造の能率がよくない。
本発明は小型化及び処理効率の向上を可能と覆る半導体
製造装置を提供することを目的とする。
製造装置を提供することを目的とする。
第１図は本発明の半導体製造装置の原理構成図である。
半導体製造装置３０は、
被処理物２（ｌ戟置されるステージ３１が配された単一
の処理室３２と、 複数の孔３３を有する平板３４により仕切られて上記処
理室３２の上方に配されたガス発光室３５と、 上記単一の処理室３２に連通接続された真空排気装置３
６と、 上記ガス発光室３５に処理ガスを導入する処理ガス導入
口３７と、 上記ガス発光室３５と接続して設けてあり、該ガス発光
室３５内の処理ガスを発光させるマイクロ波源３８と、 上記ステージ３１と上記平板３４との間で処理ガスをプ
ラズマ化させる高周波源３９と、上記マイクロ波源３８
と上記高周波源３９とを順次選択的に駆動させる制御手
段４０を備えてなる。
の処理室３２と、 複数の孔３３を有する平板３４により仕切られて上記処
理室３２の上方に配されたガス発光室３５と、 上記単一の処理室３２に連通接続された真空排気装置３
６と、 上記ガス発光室３５に処理ガスを導入する処理ガス導入
口３７と、 上記ガス発光室３５と接続して設けてあり、該ガス発光
室３５内の処理ガスを発光させるマイクロ波源３８と、 上記ステージ３１と上記平板３４との間で処理ガスをプ
ラズマ化させる高周波源３９と、上記マイクロ波源３８
と上記高周波源３９とを順次選択的に駆動させる制御手
段４０を備えてなる。
処理室３２が単一であるため、装置３０は小型に構成さ
れ、安価となる。
れ、安価となる。
単一の処理室３２にマイクロ波源３８及び高周波源３９
が設けてあり、両名の駆動を制御手段４０により制御す
る構成により、前記等方性エッチングと異方竹エッチン
グとが同一処理室３２内で可能となる。
が設けてあり、両名の駆動を制御手段４０により制御す
る構成により、前記等方性エッチングと異方竹エッチン
グとが同一処理室３２内で可能となる。
（実施例）
第２図は本発明の一実施例になる半導体製造装置５０を
示す。図中、第１図に示す構成部分と対応する部分には
同一符号を付ツ、， 高周波源３９はステージ３１とアースとの間に接続して
ある。
示す。図中、第１図に示す構成部分と対応する部分には
同一符号を付ツ、， 高周波源３９はステージ３１とアースとの間に接続して
ある。
マイクロ波源３８は、導波管５１及びマイクロ波透過窓
５２を介してガス発光室３５に接続してある。
５２を介してガス発光室３５に接続してある。
５６は被処理物２０を押し上げるリフトビン、５７はス
アージ３１の温度を調節するステージ温度調節器である
。
アージ３１の温度を調節するステージ温度調節器である
。
５８は真空予備室であり、処理室３２と連通して設けて
ある。５９．６０はゲート弁、６１は真空排気装置、６
２は予備室５８を大気圧とするためのボートである。６
３は被処理物２０を４，ヤリアから処理室３２内へ搬送
するアームである。
ある。５９．６０はゲート弁、６１は真空排気装置、６
２は予備室５８を大気圧とするためのボートである。６
３は被処理物２０を４，ヤリアから処理室３２内へ搬送
するアームである。
６４は被処理物２０のキャリア、６５は背降償構である
。
。
次に上記装置５０の動作について説明する，，まず、搬
送アーム６３により被処理物２０が４ヤリア６４より室
５８内に搬送され、更には処理室３２内に搬送されてス
テージ３１上にＩ！ハされる。
送アーム６３により被処理物２０が４ヤリア６４より室
５８内に搬送され、更には処理室３２内に搬送されてス
テージ３１上にＩ！ハされる。
この状態で、第３図に示すように、ガスＣＦ４が導入口
３７よりガス発光室３５内に導入され、真空排気装置３
６により処理室３２内が真空圧とされる。ガスＣＦ４は
室３５内で分布が調整される。
３７よりガス発光室３５内に導入され、真空排気装置３
６により処理室３２内が真空圧とされる。ガスＣＦ４は
室３５内で分布が調整される。
制御手段４０によりマイクロ波源３８が駆動され、マイ
クロ波が導波管５１，透過窓５２を通って室３５内のガ
スＣＦ４に作用する。
クロ波が導波管５１，透過窓５２を通って室３５内のガ
スＣＦ４に作用する。
これにより、第３図中符号６６で示すように室３５内で
ガスＣＦＪが発光されて活性化される。
ガスＣＦＪが発光されて活性化される。
活性化したガスＣＦａが矢印６７で示すように孔３３を
通して室３５より室３２内に均一にダウンストリームで
吹き出し、被処理物２０に作用し、第５図（Ｂ）に示す
等方性プラズマエッチングが行なわれる。これが第１の
プラズマ処理である。
通して室３５より室３２内に均一にダウンストリームで
吹き出し、被処理物２０に作用し、第５図（Ｂ）に示す
等方性プラズマエッチングが行なわれる。これが第１の
プラズマ処理である。
所定時間経過すると、制御手段４０により、マイクロ波
源３８が動作を停止され、代わって高周波源３９が作動
ざれる。ガスＣＩ−４の導入及び真空排気装置３６の動
作は継続する。
源３８が動作を停止され、代わって高周波源３９が作動
ざれる。ガスＣＩ−４の導入及び真空排気装置３６の動
作は継続する。
これにより、第４図中符号６８で足すように、高周波源
３９により、処理室３２内でガスＣＦ４が平板３４とス
テージ３１との間で活性化ざれる。
３９により、処理室３２内でガスＣＦ４が平板３４とス
テージ３１との間で活性化ざれる。
活性化されたガスが第５図（Ｂ）の被処理物２ＯＡに作
用し、第５図（Ｃ）に示す異方性プラズマエッチングが
行われる。これが第２のプラズマ処理である。
用し、第５図（Ｃ）に示す異方性プラズマエッチングが
行われる。これが第２のプラズマ処理である。
その後、被処理物は、処理室３２の外部に搬出される。
なお、上記の装置５０の適用は上記のプラズマエッチン
グ処理に限定されるものではない。連続して行われる処
理、例えば第１のプラズマ処理がエッチング、第２のプ
ラズマ処理がレジストのアッシングの場合にも適用でき
る。
グ処理に限定されるものではない。連続して行われる処
理、例えば第１のプラズマ処理がエッチング、第２のプ
ラズマ処理がレジストのアッシングの場合にも適用でき
る。
以上説明した様に、本発明によれば、処理室が単一であ
るため、従来に比べて大幅に小型化することが出来、且
つ低価格化を実現出来る。
るため、従来に比べて大幅に小型化することが出来、且
つ低価格化を実現出来る。
また本発明の装置を使用することにより、二つの異なる
プラズマ処理を続けて行うことが出来、処理の効率を向
上させることが出来る。
プラズマ処理を続けて行うことが出来、処理の効率を向
上させることが出来る。
第１図は本発明の原理構成図、
第２図は本発明の半導体製造装置の一実施例を示す図、
第３図は等方性プラズマエッチング（第１のプラズマ処
［）時の状態を示す図、 第４図は異方性プラズマエッチング（第２のプラズマ処
理）時の状態を示す図、 第５因は被処理物のエッチングを説明する図、第６図は
従来例を示す図である。 図において、 ３０は半導体製造装置、 ３１はステージ、 ３２は処理室、 ３３は孔、 ３４は平板、 ３５Ｇまガス発光室、 ３６は真空排気装置、 ３７は処理ガス導入口、 ３８は？イク口波源、 ３９は高周波源、 ４０は制郊手段、 ５１は導波管、 ５２はマイクロ波透過窓、 ６６， ６８は活性化した状態、 ６７は活性化したガスの流れ を示す。
［）時の状態を示す図、 第４図は異方性プラズマエッチング（第２のプラズマ処
理）時の状態を示す図、 第５因は被処理物のエッチングを説明する図、第６図は
従来例を示す図である。 図において、 ３０は半導体製造装置、 ３１はステージ、 ３２は処理室、 ３３は孔、 ３４は平板、 ３５Ｇまガス発光室、 ３６は真空排気装置、 ３７は処理ガス導入口、 ３８は？イク口波源、 ３９は高周波源、 ４０は制郊手段、 ５１は導波管、 ５２はマイクロ波透過窓、 ６６， ６８は活性化した状態、 ６７は活性化したガスの流れ を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理物（２０）が載置されるステージ（３１）が配さ
れた単一の処理室（３２）と、 複数の孔（３３）を有する平板（３４）により仕切られ
て上記処理室の上方に配されたガス発光室（３５）と、 上記単一の処理室（３２）に連通接続された真空排気装
置（３６）と、 上記ガス発光室（３５）に処理ガスを導入する処理ガス
導入口（３７）と、 上記ガス発光室（３５）と接続して設けてあり、該ガス
発光室内の処理ガスを発光させるマイクロ波源（３８）
と、 上記ステージ（３１）と上記平板（３４）との間で処理
ガスをプラズマ化させる高周波源（３９）上記マイクロ
波源（３８）と上記高周波源（３９）とを順次選択的に
駆動させる制御手段（４０）とを備えていることを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164689A JPH02230729A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5164689A JPH02230729A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230729A true JPH02230729A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12892620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5164689A Pending JPH02230729A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230729A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08186095A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Kawasaki Steel Corp | コンタクトホールの形成方法およびエッチング装置 |
| JP2019176184A (ja) * | 2015-05-22 | 2019-10-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US11355319B2 (en) | 2017-12-19 | 2022-06-07 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| US12444582B2 (en) | 2020-04-21 | 2025-10-14 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
| US12451364B2 (en) | 2022-04-26 | 2025-10-21 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method |
| US12581881B2 (en) | 2022-03-07 | 2026-03-17 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050923A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | プラズマ表面処理方法 |
| JPS6289882A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相エツチング方法 |
| JPS6432631A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Toshiba Corp | Etching device |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP5164689A patent/JPH02230729A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| TWI689227B (zh) * | 2015-05-22 | 2020-03-21 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 電漿處理裝置及使用彼之電漿處理方法 |
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