JPH0223340B2 - - Google Patents

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JPH0223340B2
JPH0223340B2 JP58103271A JP10327183A JPH0223340B2 JP H0223340 B2 JPH0223340 B2 JP H0223340B2 JP 58103271 A JP58103271 A JP 58103271A JP 10327183 A JP10327183 A JP 10327183A JP H0223340 B2 JPH0223340 B2 JP H0223340B2
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Atsuo Senda
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
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Description

【発明の詳細な説明】
この発明は金属の腐食防止構造に関するもので
ある。 金属、たとえば銅、鉄、銀、アルミニウム、
錫、亜鉛およびこれらの合気は空気、水、溶剤な
どによつて表面が腐食される。 このような腐食を防止するために、たとえばベ
ンゾトリアゾールなどの有機インヒビターを用い
る例、あるいはエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂
などの有機塗料を用いる例などがある。 しかしながら、前者の有機インヒビターを用い
て金属表面に腐食防止構造を持たせた場合、水に
一部溶解したり、酸、アルカリに対して多量に溶
出し、また高温、たとえばベンゾトリアゾールの
場合には80℃で気化し、長期間の腐食防止が不可
能であつた。一方有機塗料を用いた場合、有機塗
料そのものが電気絶縁性であり、接触抵抗も大き
いことから、たとえば金属との電気的接触を図る
ことができないことになる。また有機塗料の膜そ
のものにはピンホールが発生しやすく、このピン
ホールを通して腐食が集中的に進行することにな
る。さらには熱衝撃試験を実施すると、熱膨張収
縮により有機塗料膜と金属との密着性が劣化する
などの問題がある。 具体的な例として、セラミツク誘電体共振器に
は内導体、外導体としてたとえば銅被膜が形成さ
れており、したがつてこの銅被膜について腐食防
止が必要とされている。第１図はセラミツク誘電
体共振器の一例を示した断面図である。図におい
て、１はセラミツク誘電体共振器の本体を示し、
たとえばTiO2系のセラミツク誘電体からなり、
筒形形状のものである。２は本体１の内周面に形
成された内導体、３は本体１の外周面に形成され
た外導体、４は本体１の底面に形成された連結導
体を示し、内導体２と外導体３を連結している。
５は本体１の孔に挿入固定されたバネ状の外部端
子であり、バネ部分で本体１に固定されている。
図示したものは1/4波長同軸共振器を構成してい
る。そして、内導体２、外導体３および連結導体
４はたとえば無電解メツキ法による銅被膜で構成
されている。腐食防止構造を持たせるため、上記
したうちベンゾトリアゾールの被膜を銅被膜の上
に形成した場合、たとえば80℃、相対湿度85％の
条件下で1000時間以上放置すると、Ｑが10％以上
変化するという現象がみられた。また有機塗料を
用いた場合銅被膜と有機塗料、および外部端子５
と有機塗料との間で接着した状態となつており、
この状態で−40℃に30分間保持させたのち＋80℃
に30分間保持させる工程を１サイクルとしてこれ
を100サイクル繰り返したとき本体１と銅被膜の
密着性が劣化し、共振周波数800MHzのもので
100KHz以上の周波数ズレがあつた。しかも本体
１から銅被膜が剥れるという現象もみられた。 このようにセラミツク誘電体共振器の表面に形
成した銅被膜の腐食防止構造として、従来のよう
に有機インヒビターあるいは有機塗膜を形成した
ものでは十分に満足する結果を示すものではなか
つた。もちろんこの他の金属について腐食防止の
点で同様に改良の余地が残されていた。 したがつて、この発明はたとえば銅、鉄、銀、
アルミニウム、錫、亜鉛および同−亜鉛−錫系、
錫−鉛系などこれらの合金について、腐食に対し
て十分に保護できる金属の腐食防止構造を提供す
ることを目的とする。 すなわち、この発明の要旨とするところは、金
属表面の腐食から保護する金属の腐食防止構造で
あつて、金属の表面に有機インヒビターの膜を形
成し、さらにその上にフツ素系不活性コーテイン
グ膜を形成した金属の腐食防止構造である。 この発明が適用される金属としてはたとえば
銅、鉄、銀、アルミニウム、錫、亜鉛など、ある
いは銅−亜鉛−錫系、錫−鉛系などこれらの合金
が対象となる。またこれらの金属としては、金属
そのもの、あるいは無電解メツキ法などの湿気メ
ツキで形成された金属被膜あるいは厚膜金属ペー
ストを焼付けた金属被膜さらには真空蒸着法、ス
パツタリング法、イオンプレーテイング法などの
乾式メツキで形成された金属被膜が対象となる。 また、金属の表面に形成される有機インヒビタ
ーとしては、たとえばベンゾトリアゾール誘導
体、シクロヘキシルアミン、アニリン、ベンジル
アミン、Ｎ・シクロヘキシル−ｎ−ドデシルアミ
ン、ピヘジリン、ジｎ−ブチルアミンなどがあ
る。さらに、有機インヒビターの膜の上に形成す
るフツ素系不活性コーテイング膜としては、たと
えばフツ素化アクリレート系のもの、具体的なも
のとして3M社製のJX−900（商品名）、フロリナ
ートFC−721（商品名）などがある。 ここで、第１層の有機インヒビターの膜、およ
び第２層のフツ素系不活性コーテイング膜の膜厚
は金属の腐食を防止できる厚みがあればよい。し
たがつて、第１層の有機インヒビターの膜は金属
表面に配位した吸着層になつていればよい。また
第２層のフツ素系不活性コーテイングの膜は0.1
〜10μm程度の厚みに選定されていればよい。 この発明による金属の腐食防止構造によれば次
のような効果を奏する。 高温、高湿の条件でも金属の電気伝導度の低
下が起らない。 低温から高温へ周囲温度を変化させる工程を
繰り返えす熱衝撃試験を行つても、たとえばセ
ラミツクスなどの被着物と金属メツキ膜との剥
離が発生しない。 撥水性があり、また耐熱性を有し、耐腐食性
を有する。 たとえば、金属表面にリード線を半田付けし
ても、膜自体がきわめて薄く、また硬化してい
ないため、半田付けの段階で半田付け部分の膜
が除かれることになり、金属をリード線の半田
付けが行え、電気的接触が図れる。 膜自身がきわめて薄く、また硬化していない
ため、圧接触しても、電気的接触が容易に図れ
る。 膜自身がきわめて薄く、また硬化していない
ため、膜自身に歪が発生せず、また金属にも歪
が発生しない。 以下、この発明を実施例にしたがつて詳細に説
明する。 実施例 １ 処理対象品として表面に銅の無電解メツキ被膜
を形成したセラミツク誘電体共振器を準備した。
つまり上記した第１図の構造の共振器を用いる。 次にベンゾトリアゾールのポリアミン誘電体と
してライトパルＣ（共栄社油脂工業製商品名）を、
トリクロルトリフロロエタンとエタノールの共沸
点混合溶液であるフレオンTF（三井フロロケミカ
ル社製商品名）に２％加えて混合溶液を準備し
た。この混合溶液に上記の共振器を浸漬した。浸
漬の他、吹き付け、筆塗などで付与してもよい。 そののち溶液から共振器を引き上げ、室温で風
乾させた。この段階で共振器の銅被膜表面にベン
ゾトリアゾールのポリアミン誘導体からなる膜が
形成されている。もちろんフレオンをアルコール
の共沸点混合溶液は室温で蒸発して残存していな
い。 さらに、フツ素系コーテイング剤としてフロリ
ナートFC−721（スリーＭ社製商品名）と溶剤で
あるトリクロルトリフロロエタンとしてフレオン
−TF（三井フロロケミカル社製商品名）を１：１
（重量比）を混合し、この混合液に有機インヒビ
ターであるベンゾトリアゾールのポリアミン誘導
体を付与した共振器を浸漬した。次いで引き上げ
たのち室温で風乾させた。 このようにして処理を終えたセラミツク誘電体
共振器について、以下のような実験を行つた。 まず、85℃、相対湿度85％の条件に1000時間放
置したのち、接触抵抗値の変化を測定したとこ
ろ、その変化率は＋1.5％であつた。またＱ値の
変化率は−0.5％であつた。 比較データとして、ベンゾトリアゾールで表面
に腐食防止構造を持たせた同一製品について、同
様の実験を行つたところ、接触抵抗値の変化率は
＋29.8％、Ｑ値の変化率は−6.3％であつた。 次に、−40℃に30分間保持させたのち＋80℃に
30分間保持させる工程を１サイクルとしてこれを
100サイクル繰り返して熱衝撃試験を実施したと
ころ、共振周波数（800MHz）の変化はわずか＋
10.5KHzであつた。ちなみに20〜30μmの膜厚の
アクリル樹脂の被膜を形成した同一製品につい
て、同様に実験を行つたところ、共振周波数は＋
525KHz変化した。 また、この発明にかかる腐食防止構造を持たせ
たセラミツク誘電体共振器の銅被膜にリード線を
半田付けしたところ、接続ができるとともに十分
な接着強度が得られた。 なお、接触抵抗値の変化率は第２図に示す状態
で測定した。つまり、測定試料の大きさを、ｌ＝
20mm、R1＝3.5mmφ、R2＝10mmφ、ａ＝ｂ＝ｃ＝
ｄ＝10mmとし、端子５，６に直流電源を接続する
とともに、端子５，６に電流計を接続し、この電
流計から端子５と内導体２との接触抵抗の変化を
読み取つた。また測定結果はいずれも試料数10個
の平均値である。 実施例 ２ 対象となる金属として鉄、銀、アルミニウム、
錫、亜鉛、銅−亜鉛−錫系（真鍮）合金、鉛−錫
系（半田）合金についてそれぞれ実施例１と同様
に処理して表面に腐食防止構造を持たせた。この
例は実施例１と異つて全体が金属からなるものを
試料とした。 各金属について、実施例１と同様に85℃、相対
湿度85％の条件で1000時間放置し、接触抵抗値の
変化率を測定したところ、次表に示すような結果
が得られた。なお、従来例としてベンゾトリアゾ
ールで表面に腐食防止構造を持たせた金属につい
ても同様に実験を行い、そのデータも次表に合わ
せて示した。また測定結果はいずれも試料数10個
の平均値である。
【表】 実施例 ３ この実施例は銅ペーストを焼付けた厚膜金属被
膜に適用した例である。 あらかじめ、銅粉末、ホウケイ酸亜鉛系ガラス
フリツトおよび有機ビヒクルを混合混練した銅ペ
ーストを準備した。次いでこの銅ペーストをアル
ミナ基板の上にスクリーン印刷し、窒素中で800
℃、30分間の条件で焼付け処理を行い、膜厚が20
〜25μm、2mΩ／□の導電パターンを形成した。 そしてこの導電パターンの表面を実施例１と同
様に処理し、表面に腐食防止構造を持たせた。こ
の導電パターンについて、85℃、相対湿度85％の
条件に1000時間放置し、面積抵抗値の変化率を測
定したところ＋0.15％の変化率を示した。 一方、この導電パターンについて、従来例であ
るベンゾトリアゾールで表面に腐食防止構造を持
たせ、同様に面積抵抗値の変化率を測定したとこ
ろ＋25.3％の変化を示した。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の背景を説明するセラミツク
誘電体共振器の断面図、第２図は接触抵抗値の変
化率を測定する状態図である。 １はセラミツク誘電体共振器の本体、２は内導
体、３は外導体、４は連結導体、５は外部端子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 金属表面を腐食から保護する金属の腐食防止
    構造であつて、 金属の表面に有機インヒビターの膜を形成し、
    さらにその上にフツ素系不活性コーテイング膜を
    形成した金属の腐食防止構造。
JP58103271A 1983-06-08 1983-06-08 金属の腐食防止構造 Granted JPS59227448A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58103271A JPS59227448A (ja) 1983-06-08 1983-06-08 金属の腐食防止構造
US06/618,123 US4554209A (en) 1983-06-08 1984-06-07 Corrosion inhibiting coating comprising layer of organic corrosion inhibitor and layer of fluoridized acrylate
FR8408925A FR2547307B1 (fr) 1983-06-08 1984-06-07 Revetement inhibant la corrosion
DE3421462A DE3421462C2 (de) 1983-06-08 1984-06-08 Korrosionsschutz-Beschichtung

Applications Claiming Priority (1)

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JP58103271A JPS59227448A (ja) 1983-06-08 1983-06-08 金属の腐食防止構造

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Also Published As

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US4554209A (en) 1985-11-19
FR2547307B1 (fr) 1988-08-26
DE3421462A1 (de) 1984-12-13
JPS59227448A (ja) 1984-12-20
FR2547307A1 (fr) 1984-12-14
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