JPH02233511A - ダイヤモンドの製造方法 - Google Patents
ダイヤモンドの製造方法Info
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- JPH02233511A JPH02233511A JP1053886A JP5388689A JPH02233511A JP H02233511 A JPH02233511 A JP H02233511A JP 1053886 A JP1053886 A JP 1053886A JP 5388689 A JP5388689 A JP 5388689A JP H02233511 A JPH02233511 A JP H02233511A
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- Japan
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- metal catalyst
- manufacturing
- pressure
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/065—Composition of the material produced
- B01J2203/0655—Diamond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0675—Structural or physico-chemical features of the materials processed
- B01J2203/068—Crystal growth
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はダイヤモンドの製造方法に関し、一層詳細には
、所定の混合比からなる金属触媒下において炭化ホウ素
等のダイヤモンドに結晶構造の類似する物質を核として
カーボンブラックに所定の圧力および温度を付与するこ
とで廉価にダイヤモンドを製造することの出来る方法に
関する。
、所定の混合比からなる金属触媒下において炭化ホウ素
等のダイヤモンドに結晶構造の類似する物質を核として
カーボンブラックに所定の圧力および温度を付与するこ
とで廉価にダイヤモンドを製造することの出来る方法に
関する。
［発明の背景］
ダイヤモンドは最も硬い物質として知られており、その
性質を利用してダイヤモンド砥石、ダイヤモンド工具等
が産業界において多用されるに至っている。また、この
ダイヤモンドは繊維状に成長させることでダイヤモンド
ウィスカを作成し、これを用いて物質の表面強化を図る
ように構成したものも出現している。
性質を利用してダイヤモンド砥石、ダイヤモンド工具等
が産業界において多用されるに至っている。また、この
ダイヤモンドは繊維状に成長させることでダイヤモンド
ウィスカを作成し、これを用いて物質の表面強化を図る
ように構成したものも出現している。
このようなダイヤモンドの製造方法としては２つの代表
的な方法がある。第１の製造方法は特殊な高圧チャンバ
の中に黒鉛を封入し、これを５００００気圧の圧力で１
２００℃以上に加熱することでダイヤモンドを製造する
ものである。なお、この製造方法に類似するものとして
爆薬を用いて高い圧力を瞬時に発生させるものや放電に
よって高圧、高温度を得るようにしたものがある。
的な方法がある。第１の製造方法は特殊な高圧チャンバ
の中に黒鉛を封入し、これを５００００気圧の圧力で１
２００℃以上に加熱することでダイヤモンドを製造する
ものである。なお、この製造方法に類似するものとして
爆薬を用いて高い圧力を瞬時に発生させるものや放電に
よって高圧、高温度を得るようにしたものがある。
また、第２の製造方法として大気圧あるいはそれ以下の
圧力状態においてメタン等の有機ガスを分解して高温の
補集板に吹きかけることによりダイヤモンドの結晶を成
長させる気相成長法（ＣＶＤ法）がある。この場合、前
記補集板の表面にはダイヤモンドの薄膜が形成される。
圧力状態においてメタン等の有機ガスを分解して高温の
補集板に吹きかけることによりダイヤモンドの結晶を成
長させる気相成長法（ＣＶＤ法）がある。この場合、前
記補集板の表面にはダイヤモンドの薄膜が形成される。
ところで、前述した第１の製造方法ではダイヤモンドを
製造するために５００００気圧という高圧力を実現する
必要がある。この場合、前記高圧に十分耐え得る装置が
必要である。また、このような装置では高圧を実現する
ためにチャンバの容積が限られ、従って、一度に製造す
ることの出来るダイヤモンドの量も制限されてしまう不
都合がある。
製造するために５００００気圧という高圧力を実現する
必要がある。この場合、前記高圧に十分耐え得る装置が
必要である。また、このような装置では高圧を実現する
ためにチャンバの容積が限られ、従って、一度に製造す
ることの出来るダイヤモンドの量も制限されてしまう不
都合がある。
一方、前述した第２の製造方法では高圧状態を維持する
ことが不要であり、従って、装置は比較的廉価なもので
構成することが出来る。また、この製造方法では物質の
表面に対して自由な形状からなるダイヤモンドの薄膜を
形成することが出来るためその応用範囲も極めて広い。
ことが不要であり、従って、装置は比較的廉価なもので
構成することが出来る。また、この製造方法では物質の
表面に対して自由な形状からなるダイヤモンドの薄膜を
形成することが出来るためその応用範囲も極めて広い。
然しなから、この場合、ダイヤモンドの薄膜の成長速度
が非常に遅く、生産性が極めて悪いという欠点が指摘さ
れている。
が非常に遅く、生産性が極めて悪いという欠点が指摘さ
れている。
［発明の目的］
本発明は前記の不都合を克服するためになされたもので
あって、所定の混合比からなる金属触媒下において炭化
ホウ素等のダイヤモンドに結晶構造の類似する物質を核
としてカーボンブラックを加圧、加熱することにより極
めて低い圧力で、しかも短時間でダイヤモンドを製造す
ることが出来、また、これによって製造装置自体を廉価
なものとすることの出来るダイヤモンドの製造方法を提
供することを目的とする。
あって、所定の混合比からなる金属触媒下において炭化
ホウ素等のダイヤモンドに結晶構造の類似する物質を核
としてカーボンブラックを加圧、加熱することにより極
めて低い圧力で、しかも短時間でダイヤモンドを製造す
ることが出来、また、これによって製造装置自体を廉価
なものとすることの出来るダイヤモンドの製造方法を提
供することを目的とする。
［目的を達成するための手段］
前記の目的を達成するために、本発明はダイヤモンドに
結晶構造の類似する炭化ホウ素等を核とし、カーボンブ
ラック等のカーボン種に対して所定の混合比からなる金
属触媒を混練あるいは含有させ、所定の圧力および１５
００乃至２０００℃の温度を所定雰囲気下において所定
時間維持することでダイヤモンドを製造することを特徴
とする。
結晶構造の類似する炭化ホウ素等を核とし、カーボンブ
ラック等のカーボン種に対して所定の混合比からなる金
属触媒を混練あるいは含有させ、所定の圧力および１５
００乃至２０００℃の温度を所定雰囲気下において所定
時間維持することでダイヤモンドを製造することを特徴
とする。
［実施例］
次に、本発明に係るダイヤモンドの製造方法について好
適な一実施例を挙げ、添付の表を参照しながら以下詳細
に説明する。
適な一実施例を挙げ、添付の表を参照しながら以下詳細
に説明する。
実施例１
この実施例では、原材料であるカーボンブラックに対し
て、鉄Ｆｅ ７％、ニッケルＮｉ７０％、クロムＣｒ
２％、コバルトＣｏ ６％、マンガンＭｎ１３％および
バリウムＢａ ２％の重量比からなる金属触媒をポリビ
ニルアルコール等の有機系のバインダで混練したものを
核としての炭化ホウ素８４Ｃ に被包させ、窒素Ｎ２５
０％およびアルゴンＡｒ５０％の雰囲気中において圧力
を約２０００気圧、温度１５００乃至２０００℃で３０
分間維持した。この結果、粒径が０．５乃至０．８μｍ
のダイヤモンドが原材料であるカーボンブラックの約１
０乃至２０％の割合で製造された。
て、鉄Ｆｅ ７％、ニッケルＮｉ７０％、クロムＣｒ
２％、コバルトＣｏ ６％、マンガンＭｎ１３％および
バリウムＢａ ２％の重量比からなる金属触媒をポリビ
ニルアルコール等の有機系のバインダで混練したものを
核としての炭化ホウ素８４Ｃ に被包させ、窒素Ｎ２５
０％およびアルゴンＡｒ５０％の雰囲気中において圧力
を約２０００気圧、温度１５００乃至２０００℃で３０
分間維持した。この結果、粒径が０．５乃至０．８μｍ
のダイヤモンドが原材料であるカーボンブラックの約１
０乃至２０％の割合で製造された。
実施例２
この実施例では、原材料であるカーボンブラックに対し
て、鉄Ｆｅ５％、ニッケルＮｉ６５％、クロムＣｒ ２
％、コバルトＣｏ ５％、マンガンＭｎ １０％、バリ
ウムＢａ ２％、ナトリウムＮａ１０％およびチタンＴ
ｉ １％の重量比からなる金属触媒を実施例１の場合と
同様のバインダを用いて混練し、これを炭化ホウ素Ｂ．
Ｃ に被包させ、次いで、窒素Ｎ２５０％およびアルゴ
ンＡｒ５０％の雰囲気中において圧力を約２０００気圧
、温度１５００乃至２０００℃で３０分間維持した。こ
の結果、粒径が０．５乃至０．８μｍのダイヤモンドが
原材料であるカーボンブラックの約３０％製造された。
て、鉄Ｆｅ５％、ニッケルＮｉ６５％、クロムＣｒ ２
％、コバルトＣｏ ５％、マンガンＭｎ １０％、バリ
ウムＢａ ２％、ナトリウムＮａ１０％およびチタンＴ
ｉ １％の重量比からなる金属触媒を実施例１の場合と
同様のバインダを用いて混練し、これを炭化ホウ素Ｂ．
Ｃ に被包させ、次いで、窒素Ｎ２５０％およびアルゴ
ンＡｒ５０％の雰囲気中において圧力を約２０００気圧
、温度１５００乃至２０００℃で３０分間維持した。こ
の結果、粒径が０．５乃至０．８μｍのダイヤモンドが
原材料であるカーボンブラックの約３０％製造された。
実施例３
この実施例では、原材料であるカーボンブラックに対し
て、鉄Ｆｅ ５％、ニッケルＮｉ６３％、クロムＣｒ
１％、コバルトＣｏ ５％、マンガンＭｎ ８％、バリ
ウムＢａ １％、ナトリウムＮａ１０％、チタンＴｉ
３％、バナジウムＶ２％およびビスマスＢｉ ２％の重
量比からなる金属触媒を実施例１の場合と同様のバイン
ダを用いて混練し、これを炭化ホウ素８４Ｃ に被包さ
せ、次いで、窒素Ｎ２５０％およびアルゴンＡｒ５０％
の雰囲気中において圧力を約２０００気圧、温度１５０
０乃至２０００℃で３０分間維持した。この結果、直径
が０．５乃至０．８μｍで長さが２０ｍｍ程度のダイヤ
モンドウィスカが原材料であるカーボンブラックの約７
０％製造された。
て、鉄Ｆｅ ５％、ニッケルＮｉ６３％、クロムＣｒ
１％、コバルトＣｏ ５％、マンガンＭｎ ８％、バリ
ウムＢａ １％、ナトリウムＮａ１０％、チタンＴｉ
３％、バナジウムＶ２％およびビスマスＢｉ ２％の重
量比からなる金属触媒を実施例１の場合と同様のバイン
ダを用いて混練し、これを炭化ホウ素８４Ｃ に被包さ
せ、次いで、窒素Ｎ２５０％およびアルゴンＡｒ５０％
の雰囲気中において圧力を約２０００気圧、温度１５０
０乃至２０００℃で３０分間維持した。この結果、直径
が０．５乃至０．８μｍで長さが２０ｍｍ程度のダイヤ
モンドウィスカが原材料であるカーボンブラックの約７
０％製造された。
実施例４
この実施例では、原材料であるカーボンブラックに対し
て、鉄Ｆｅ ５％、ニッケルＮｉ６３％、クロムＣｒ
１％、コバルト００５％、マンガンＭｎ８％、バリウム
Ｂａ １％、ナトリウムＮａ１０％、チタンＴｉ ３
％、バナジウム■ １．５％、ビスマスＢｉ１．５％、
およびアンチモンＳｂＯ．５％の重量比からなる金属触
媒にホウ酸０．５％と実施例１の場合と同様のバインダ
を混練したものを炭化ホウ素Ｂ．Ｃに被包し、これを窒
素Ｎ２５０％およびアルゴンＡｒ５０％の雰囲気中にお
いて圧力を約２０００気圧、温度１５００乃至温度２０
００℃で３０分間維持した。この結果、直径が０，５乃
至０．８μｍ、長さ２０ｍｍ程度のダイヤモンドウィス
カが原材料であるカーボンブラックの約８０％製造され
た。
て、鉄Ｆｅ ５％、ニッケルＮｉ６３％、クロムＣｒ
１％、コバルト００５％、マンガンＭｎ８％、バリウム
Ｂａ １％、ナトリウムＮａ１０％、チタンＴｉ ３
％、バナジウム■ １．５％、ビスマスＢｉ１．５％、
およびアンチモンＳｂＯ．５％の重量比からなる金属触
媒にホウ酸０．５％と実施例１の場合と同様のバインダ
を混練したものを炭化ホウ素Ｂ．Ｃに被包し、これを窒
素Ｎ２５０％およびアルゴンＡｒ５０％の雰囲気中にお
いて圧力を約２０００気圧、温度１５００乃至温度２０
００℃で３０分間維持した。この結果、直径が０，５乃
至０．８μｍ、長さ２０ｍｍ程度のダイヤモンドウィス
カが原材料であるカーボンブラックの約８０％製造され
た。
以上の実施例１乃至４に示すように、ダイヤモンドある
いはダイヤモンドウィスカを製造する際、２０００気圧
程度の低圧力で製造することが出来るため、その製造に
用いる装置としては耐久性をさほど要求されず廉価なも
のを適用することが出来る。また、気相成長法（ＣＤＶ
法）に比較して製造時間が短く、これによって生産性も
向上する。さらに、実施例３および４においては２０ｍ
ｍ程度の長尺で８０００乃至１００００ｋｇ ｆ ／ｍ
ｍ２程度の高い引張強さを有するダイヤモンドウィスカ
が得られる。このダイヤモンドウィスカはＦ ＲＭ （
Ｆｉｂｅｒ ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ ｍｅｔａｌ）やＦ
ＲＰ （Ｆｉｂｅｒ ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ ｐｌａｓ
ｔｉｃｓ）等に混入させ強化＃ａ維として提供すること
が出来る。
いはダイヤモンドウィスカを製造する際、２０００気圧
程度の低圧力で製造することが出来るため、その製造に
用いる装置としては耐久性をさほど要求されず廉価なも
のを適用することが出来る。また、気相成長法（ＣＤＶ
法）に比較して製造時間が短く、これによって生産性も
向上する。さらに、実施例３および４においては２０ｍ
ｍ程度の長尺で８０００乃至１００００ｋｇ ｆ ／ｍ
ｍ２程度の高い引張強さを有するダイヤモンドウィスカ
が得られる。このダイヤモンドウィスカはＦ ＲＭ （
Ｆｉｂｅｒ ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ ｍｅｔａｌ）やＦ
ＲＰ （Ｆｉｂｅｒ ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ ｐｌａｓ
ｔｉｃｓ）等に混入させ強化＃ａ維として提供すること
が出来る。
ここで、上述した実施例では、核として炭化ホウ素Ｂ．
Ｃを用いた場合について説明したが、結晶構造がダイヤ
モンドに類似したものであれば種々のものを核として使
用することが可能である。例えば、核としてはダイヤモ
ンドライクカーボン（カルベン）、シリコンＳ１、炭化
ケイ素ＳｉＣ等を用いることが出来る。
Ｃを用いた場合について説明したが、結晶構造がダイヤ
モンドに類似したものであれば種々のものを核として使
用することが可能である。例えば、核としてはダイヤモ
ンドライクカーボン（カルベン）、シリコンＳ１、炭化
ケイ素ＳｉＣ等を用いることが出来る。
また、ダイヤモンドは１００乃至３００気圧の範囲内に
おいても合成可能である。この場合、本実施例に係るダ
イヤモンドの製造方法では金属触媒の存在および雰囲気
が重要な要素となっており、適当なカーボン種が存在す
ると３００気圧で核に対して２０ｍｍ程度のダイヤモン
ドウィスカが生成される。すなわち、加熱されることで
一旦蒸発したカーボンは雰囲気の圧力をコントロ一ルし
つつ原子の状態まで分解され、あるエネルギの集中する
場所（上述した実施例では核の存在する場所）に！！縮
する。ここで、前記雰囲気の原子あるいは分子濃度が高
い場合にはアモルファスの混在した黒鉛状態あるいはア
モルファス状態の物質が生成される。一方、金属触媒は
前記雰囲気中のカーボン濃度を一定に保持し、カーボン
の一部を固溶あるいは析出させる作用をなす。また、金
属触媒は加熱下の合金を形成していく遷移状態において
、その界面反応によりダイヤモンド合成に要する見掛け
のエネルギの低下をもたらす。従って、前記金属触媒に
よってカーボン濃度を調整することにより、例えば、カ
ーボンが原子のレベルまで分解し、凝縮する際に単結合
のダイヤモンドウィスカが得られる。また、カーボンを
金属触媒に対して析出させれば粒状ダイヤモンドが得ら
れる。なお、雰囲気の圧力を２０００気圧とすれば、安
定した状態でダイヤモンドを生成することが出来るが、
雰囲気をプラズマ状態とすれば１００気圧でのダイヤモ
ンドの生成も可能である。
おいても合成可能である。この場合、本実施例に係るダ
イヤモンドの製造方法では金属触媒の存在および雰囲気
が重要な要素となっており、適当なカーボン種が存在す
ると３００気圧で核に対して２０ｍｍ程度のダイヤモン
ドウィスカが生成される。すなわち、加熱されることで
一旦蒸発したカーボンは雰囲気の圧力をコントロ一ルし
つつ原子の状態まで分解され、あるエネルギの集中する
場所（上述した実施例では核の存在する場所）に！！縮
する。ここで、前記雰囲気の原子あるいは分子濃度が高
い場合にはアモルファスの混在した黒鉛状態あるいはア
モルファス状態の物質が生成される。一方、金属触媒は
前記雰囲気中のカーボン濃度を一定に保持し、カーボン
の一部を固溶あるいは析出させる作用をなす。また、金
属触媒は加熱下の合金を形成していく遷移状態において
、その界面反応によりダイヤモンド合成に要する見掛け
のエネルギの低下をもたらす。従って、前記金属触媒に
よってカーボン濃度を調整することにより、例えば、カ
ーボンが原子のレベルまで分解し、凝縮する際に単結合
のダイヤモンドウィスカが得られる。また、カーボンを
金属触媒に対して析出させれば粒状ダイヤモンドが得ら
れる。なお、雰囲気の圧力を２０００気圧とすれば、安
定した状態でダイヤモンドを生成することが出来るが、
雰囲気をプラズマ状態とすれば１００気圧でのダイヤモ
ンドの生成も可能である。
さらに、上述した実施例における雰囲気の成分を、例え
ば、水素Ｈ２を９０％以上、あるいはアルゴンＡｒと水
素Ｈ２との混合ガス、さらにはアルゴンＡｒと窒素Ｎ２
と水素Ｈ２との混合ガスとすれば、一層効率的にダイヤ
モンドを生成することが可能である。この場合、水素Ｈ
２は二重結合の黒鉛構造物として堆積するカーボンを系
外に出す作用をなし、これによって生成されたダイヤモ
ンドの純度は一層向上することになる。
ば、水素Ｈ２を９０％以上、あるいはアルゴンＡｒと水
素Ｈ２との混合ガス、さらにはアルゴンＡｒと窒素Ｎ２
と水素Ｈ２との混合ガスとすれば、一層効率的にダイヤ
モンドを生成することが可能である。この場合、水素Ｈ
２は二重結合の黒鉛構造物として堆積するカーボンを系
外に出す作用をなし、これによって生成されたダイヤモ
ンドの純度は一層向上することになる。
また、上述した実施例２乃至４において金属触媒として
用いているナトリウムＮａは、単体の場合に発火する虞
があるため、ホウ砂Ｂ （Ｎ ａ）．等のナ｝ Ｕウム
化合物として提供している。また、核としての炭化ホウ
素Ｂ．Ｃ はダイヤモンドと同様の分子構造を有してお
り、ダイヤモンドの粒子そのものを用いることも可能で
ある。
用いているナトリウムＮａは、単体の場合に発火する虞
があるため、ホウ砂Ｂ （Ｎ ａ）．等のナ｝ Ｕウム
化合物として提供している。また、核としての炭化ホウ
素Ｂ．Ｃ はダイヤモンドと同様の分子構造を有してお
り、ダイヤモンドの粒子そのものを用いることも可能で
ある。
なお、参考例として、第１表中にカーボンブラックに対
して鉄Ｆｅ，ニッケルＮｉ１クロムＣ「、コバル｝Ｃｏ
およびマンガンＭｎからなる金属触媒あるいは前記金属
触媒にさらにバリウムＢａを混練させたものをカーボン
ブラックに被包し、これを加圧、加熱した例を示す。こ
れらの参考例の場合、いずれもダイヤモンドを製造する
ことが出来なかった。
して鉄Ｆｅ，ニッケルＮｉ１クロムＣ「、コバル｝Ｃｏ
およびマンガンＭｎからなる金属触媒あるいは前記金属
触媒にさらにバリウムＢａを混練させたものをカーボン
ブラックに被包し、これを加圧、加熱した例を示す。こ
れらの参考例の場合、いずれもダイヤモンドを製造する
ことが出来なかった。
［発明の効果コ
以上のように、本発明によれば、所定の混合比からなる
金属触媒下においてダイヤモンドに結晶構造の類似する
炭化ホウ素等を核としてカーボンブラックに所定の圧力
および１５００乃至２０００℃の温度を所定の雲囲気下
において付与することでダイヤモンドの製造を行ってい
る。この場合、低圧力でダイヤモンドを製造することが
出来るため、製造装置の小型低廉化が招来されると共に
、相当量のダイヤモンドを短時間で製造することが可能
となる。また、前述した製造条件に所定の金属触媒を付
加することで長尺なダイヤモンドウィスカを短時間に製
造することが出来る。
金属触媒下においてダイヤモンドに結晶構造の類似する
炭化ホウ素等を核としてカーボンブラックに所定の圧力
および１５００乃至２０００℃の温度を所定の雲囲気下
において付与することでダイヤモンドの製造を行ってい
る。この場合、低圧力でダイヤモンドを製造することが
出来るため、製造装置の小型低廉化が招来されると共に
、相当量のダイヤモンドを短時間で製造することが可能
となる。また、前述した製造条件に所定の金属触媒を付
加することで長尺なダイヤモンドウィスカを短時間に製
造することが出来る。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改良並びに設
計の変更が可能なことは勿論である。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改良並びに設
計の変更が可能なことは勿論である。
Claims (13)
- （１）ダイヤモンドに結晶構造の類似する炭化ホウ素等
を核とし、カーボンブラック等のカーボン種に対して所
定の混合比からなる金属触媒を混練あるいは含有させ、
所定の圧力および１５００乃至２０００℃の温度を所定
雰囲気下において所定時間維持することでダイヤモンド
を製造することを特徴とするダイヤモンドの製造方法。 - （２）請求項１記載の方法において、核はダイヤモンド
ライクカーボン（カルベン）であることを特徴とするダ
イヤモンドの製造方法。 - （３）請求項１記載の方法において、核はシリコンＳｉ
であることを特徴とするダイヤモンドの製造方法。 - （４）請求項１記載の方法において、核は炭化ケイ素Ｓ
ｉＣであることを特徴とするダイヤモンドの製造方法。 - （５）請求項１記載の方法において、金属触媒は鉄Ｆｅ
、ニッケルＮｉ、クロムＣｒ、コバルトＣｏ、マンガン
ＭｎおよびバリウムＢａを混練あるいは含有してなるこ
とを特徴とするダイヤモンドの製造方法。 - （６）請求項１記載の方法において、金属触媒は鉄Ｆｅ
、ニッケルＮｉ、クロムＣｒ、コバルトＣｏ、マンガン
Ｍｎ、バリウムＢａ、ナトリウムＮａおよびチタンＴｉ
を混練あるいは含有してなることを特徴とするダイヤモ
ンドの製造方法。 - （７）請求項１記載の方法において、金属触媒は鉄Ｆｅ
、ニッケルＮｉ、クロムＣｒ、コバルトＣｏ、マンガン
Ｍｎ、バリウムＢａ、ナトリウムＮａ、チタンＴｉ、バ
ナジウムＶおよびビスマスＢｉを混練あるいは含有して
なることを特徴とするダイヤモンドの製造方法。 - （８）請求項１記載の方法において、金属触媒は鉄Ｆｅ
、ニッケルＮｉ、クロムＣｒ、コバルトＣｏ、マンガン
Ｍｎ、バリウムＢａ、ナトリウムＮａ、チタンＴｉ、バ
ナジウムＶ、ビスマスＢｉ、アンチモンＳｂおよびホウ
酸を混練あるいは含有してなることを特徴とするダイヤ
モンドの製造方法。 - （９）請求項６乃至８のいずれかに記載の方法において
、ナトリウムＮａはホウ砂Ｂ（Ｎａ）＿４として供給す
ることを特徴とするダイヤモンドの製造方法。 - （１０）請求項１記載の方法において、圧力は約２００
０気圧とすることを特徴とするダイヤモンドの製造方法
。 - （１１）請求項１記載の方法において、圧力は１００乃
至３００気圧とすることを特徴とするダイヤモンドの製
造方法。 - （１２）請求項１記載の方法において、雰囲気はアルゴ
ンＡｒと窒素Ｎ＿２との混合ガス、あるいはアルゴンＡ
ｒと窒素Ｎ＿２と水素Ｈ＿２との混合ガスとすることを
特徴とするダイヤモンドの製造方法。 - （１３）請求項１１記載の方法において、雰囲気中の水
素Ｈ＿２の含有率は９０％以上であることを特徴とする
ダイヤモンドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053886A JPH02233511A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | ダイヤモンドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053886A JPH02233511A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | ダイヤモンドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02233511A true JPH02233511A (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12955218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1053886A Pending JPH02233511A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | ダイヤモンドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02233511A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6129900A (en) * | 1991-02-15 | 2000-10-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for the synthesis of diamond |
| JP2006240937A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 炭素材料、及びその製造方法 |
| CN100396371C (zh) * | 2007-01-16 | 2008-06-25 | 山东大学 | 一种渗碳体型金刚石催化剂及其制备方法 |
| CN100400149C (zh) * | 2007-01-16 | 2008-07-09 | 山东建筑大学 | 一种合成高强度金刚石用粉末冶金触媒 |
| CN104148076A (zh) * | 2014-07-25 | 2014-11-19 | 玉溪大红山矿业有限公司 | 一种金刚石合成用触媒及其制造方法 |
-
1989
- 1989-03-08 JP JP1053886A patent/JPH02233511A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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