JPH02233512A - ダイヤモンド結合塊体の製造法 - Google Patents
ダイヤモンド結合塊体の製造法Info
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- JPH02233512A JPH02233512A JP1053441A JP5344189A JPH02233512A JP H02233512 A JPH02233512 A JP H02233512A JP 1053441 A JP1053441 A JP 1053441A JP 5344189 A JP5344189 A JP 5344189A JP H02233512 A JPH02233512 A JP H02233512A
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 18
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 101100327840 Arabidopsis thaliana CHLI1 gene Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/26—Preparation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイヤモンド粉末粒子をダイヤモンドで結合
したダイヤモンド結合塊体の製造法に関する。
したダイヤモンド結合塊体の製造法に関する。
ダイヤモンドはそれ自体、自己焼結性がないため、ダイ
ヤモンド粉末粒子を結合して塊体とするには、メタル或
いはセラミックスなどのパインダ−を使用して焼結して
いる。この代表的なものとしては、ＣＯを使用して焼結
したものが市販されている（商品名，コンパックス）。
ヤモンド粉末粒子を結合して塊体とするには、メタル或
いはセラミックスなどのパインダ−を使用して焼結して
いる。この代表的なものとしては、ＣＯを使用して焼結
したものが市販されている（商品名，コンパックス）。
しかし上記焼結体には、本質的にダイヤモンドに比して
硬度の劣る金属などが含まれるため、ダイヤモンドの特
性と異なるものとなり、ダイヤモンドの特性が充分に発
揮されない問題がある。
硬度の劣る金属などが含まれるため、ダイヤモンドの特
性と異なるものとなり、ダイヤモンドの特性が充分に発
揮されない問題がある。
そのため、先に本発明者等は、ダイヤモツドの粉末粒子
をＣＶＤダイヤモンドで結合したダイヤモンド焼結体の
製造法を提案した（特願昭５９２４１９０４号、同６０
−３８７）。
をＣＶＤダイヤモンドで結合したダイヤモンド焼結体の
製造法を提案した（特願昭５９２４１９０４号、同６０
−３８７）。
しかし、上記方法においては、ＣＶＤダイヤモンドの析
出が、ベースとなるダイヤモンド粉末粒子の表面に優先
的に進む傾向が強く、粒子内部に析出させることが困難
なため、ベースとなるダイヤモンド粒子を１層〜２層程
度基体に敷き、これにＣＶＤダイヤモンドを析出させて
焼結体とし、この焼結体の上にまたダイヤモンド粉末粒
子を１〜２層おきＣＶＤダイヤモンドを析出させる。こ
れを繰返して所望の厚みとするため、操作が繁雑となり
極めて手数のかかる方法であった。
出が、ベースとなるダイヤモンド粉末粒子の表面に優先
的に進む傾向が強く、粒子内部に析出させることが困難
なため、ベースとなるダイヤモンド粒子を１層〜２層程
度基体に敷き、これにＣＶＤダイヤモンドを析出させて
焼結体とし、この焼結体の上にまたダイヤモンド粉末粒
子を１〜２層おきＣＶＤダイヤモンドを析出させる。こ
れを繰返して所望の厚みとするため、操作が繁雑となり
極めて手数のかかる方法であった。
上記ＣＶＤダイヤモンドがダイヤモンド粉末粒子間で析
出しないのは、気相法で励起されたメチルラジカル等の
炭素源の寿命が短いため粒子間に入っていけないものと
思料する。
出しないのは、気相法で励起されたメチルラジカル等の
炭素源の寿命が短いため粒子間に入っていけないものと
思料する。
本発明者等は、ダイヤモンド粉末粒子の表面のみでなく
粒子間においてもＣＶＤダイヤモンドを析出させる方法
を鋭意研究した結果、ＣＶＤダイヤモンドの原料となる
ガスをパルス的に供給することが有効なことを知見した
。
粒子間においてもＣＶＤダイヤモンドを析出させる方法
を鋭意研究した結果、ＣＶＤダイヤモンドの原料となる
ガスをパルス的に供給することが有効なことを知見した
。
本発明は上記の知見に基づいてなされたもので、基体上
に載置されるダイヤモンド粉末粒子の厚さがある程度厚
くとも、ＣＶＤダイヤモンドが表面のみならず、粒子間
の小孔にも析出し、ダイヤモンド結合塊体が効率よ《得
られるダイヤモンド結合塊体の製造法を提供することを
目的とする。
に載置されるダイヤモンド粉末粒子の厚さがある程度厚
くとも、ＣＶＤダイヤモンドが表面のみならず、粒子間
の小孔にも析出し、ダイヤモンド結合塊体が効率よ《得
られるダイヤモンド結合塊体の製造法を提供することを
目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明の製造法にわいては
、加熱されたダイヤモンド粉末粒子に励起されたダイヤ
モンド生成用原料ガスをパルス的に供給し、該粉末粒子
間にＣＶＤダイヤモンドを析出させ粒子同志を結合させ
る。
、加熱されたダイヤモンド粉末粒子に励起されたダイヤ
モンド生成用原料ガスをパルス的に供給し、該粉末粒子
間にＣＶＤダイヤモンドを析出させ粒子同志を結合させ
る。
第１図は、本発明の方法を実施する装置の一例を示すも
ので、図中符号ｌは反応容器である。反応容器ｌ内には
、ヒータ２によって加熱される基体３が設けられている
。上記基体は、例えばアルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ
素等のセラミック焼結体、或いはシリコン、モリブデン
、タンタル等の金属によってつくられている。
ので、図中符号ｌは反応容器である。反応容器ｌ内には
、ヒータ２によって加熱される基体３が設けられている
。上記基体は、例えばアルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ
素等のセラミック焼結体、或いはシリコン、モリブデン
、タンタル等の金属によってつくられている。
上記基体３の上方の反応容器１には、ゲート弁４を介し
てガス貯室５が取付けられ、このガス貯室５には、それ
ぞれバルブ６，６″および流量調ｒ＠３ｔ７．７゜ヲ介
シテ、ＣＨ．と水素、或イハメタノールと水素等の原料
ガスのライン８および水素のライン９が接続されている
。
てガス貯室５が取付けられ、このガス貯室５には、それ
ぞれバルブ６，６″および流量調ｒ＠３ｔ７．７゜ヲ介
シテ、ＣＨ．と水素、或イハメタノールと水素等の原料
ガスのライン８および水素のライン９が接続されている
。
また、上記反応容器１の側部にはゲート弁１０を介して
減圧室ｌ１が接続され、この減圧室１１には、これを減
圧する、油拡散ボンブ１２、油回転ボンブｌ３が、直列
に取付けられている。
減圧室ｌ１が接続され、この減圧室１１には、これを減
圧する、油拡散ボンブ１２、油回転ボンブｌ３が、直列
に取付けられている。
また、上記ガス貯室５の出口と基体３の間には反応容器
１に導入される原料ガスを励起する励起手段ｌ４が設け
られている。励起は、マイクｇ波発生器、熱フラメント
、高周波コイルのいずれかによって行われる。
１に導入される原料ガスを励起する励起手段ｌ４が設け
られている。励起は、マイクｇ波発生器、熱フラメント
、高周波コイルのいずれかによって行われる。
上記装置を用いてダイヤモンド焼結塊体を製造するには
、先づ基体３の上にダイヤモンド粉末粒子１５を載置す
る。次いで減圧室１１を減圧するとともに、ガス貯室５
に原料ガスを原科ガスライン８により充填する。またヒ
ータ２によって基体を８００〜８５０℃に加熱し、励起
手段ｌ４を作動させる。
、先づ基体３の上にダイヤモンド粉末粒子１５を載置す
る。次いで減圧室１１を減圧するとともに、ガス貯室５
に原料ガスを原科ガスライン８により充填する。またヒ
ータ２によって基体を８００〜８５０℃に加熱し、励起
手段ｌ４を作動させる。
この様な状態とした後、ゲート弁１０を数秒開いて反応
容器１内を脱気する。脱気終了後、ゲート弁１０を閉じ
、ゲート弁４を開いてガス貯室５中の原料ガスを導入し
た後、ゲート弁４を閉じる。
容器１内を脱気する。脱気終了後、ゲート弁１０を閉じ
、ゲート弁４を開いてガス貯室５中の原料ガスを導入し
た後、ゲート弁４を閉じる。
導入された原料ガスは励起され、ダイヤモンド粉末粒子
の表面、細孔に到達しＣＶＤダイヤモンドが析出される
。上記ゲート弁ＩＯ或いは、４が閉じた後、減圧室１ｌ
は、所定の減圧状態に、ガス貯室５には原料ガスがライ
ン８より導入され、所定の状態に保持されており、上記
反応容器１は、減圧、原料ガス導入、ＣＶＤダイヤモン
ドの析出が反復行われ、ダイヤモンド粉末粒子１５は、
徐々にＣＶＤダイヤモンドによって連結一体化され、ダ
イヤモンド結合塊体が形成される。
の表面、細孔に到達しＣＶＤダイヤモンドが析出される
。上記ゲート弁ＩＯ或いは、４が閉じた後、減圧室１ｌ
は、所定の減圧状態に、ガス貯室５には原料ガスがライ
ン８より導入され、所定の状態に保持されており、上記
反応容器１は、減圧、原料ガス導入、ＣＶＤダイヤモン
ドの析出が反復行われ、ダイヤモンド粉末粒子１５は、
徐々にＣＶＤダイヤモンドによって連結一体化され、ダ
イヤモンド結合塊体が形成される。
上記説明においては、原料ガスをパルス的に供給するこ
ととしたが、ＣＶＤダイヤモンドが析出する際に黒鉛等
の非ダイヤモンド炭素も共に析出するため、原゛料ガス
をパルス的に供給するパルスとパルスの間に、水素ライ
ン９よりガス貯室５に水素を供給し、水素のみのパルス
を加えると、上記析出する黒鉛等の非タイヤモンド性炭
素が除去され、形成されるダイヤモンド結合塊体の質が
向上する。
ととしたが、ＣＶＤダイヤモンドが析出する際に黒鉛等
の非ダイヤモンド炭素も共に析出するため、原゛料ガス
をパルス的に供給するパルスとパルスの間に、水素ライ
ン９よりガス貯室５に水素を供給し、水素のみのパルス
を加えると、上記析出する黒鉛等の非タイヤモンド性炭
素が除去され、形成されるダイヤモンド結合塊体の質が
向上する。
本発明に使用されるダイヤモンド粉末粒子としては、粒
径０．５〜１０ｕｚ、基体３上に載置される厚さはｌ〜
ｌ（｝ＩＩが適当である。粒子が０． ５μ肩未満で
は、細孔が小さく励起された原料ガスが入りにくく、１
０μＲを越えると充填する空間が大きく、ＣＶＤダイヤ
モンドの充填が不充分となる。
径０．５〜１０ｕｚ、基体３上に載置される厚さはｌ〜
ｌ（｝ＩＩが適当である。粒子が０． ５μ肩未満で
は、細孔が小さく励起された原料ガスが入りにくく、１
０μＲを越えると充填する空間が大きく、ＣＶＤダイヤ
モンドの充填が不充分となる。
上記焼結するダイヤモンドとしては、粉末粒子の他に直
径０．５〜２μｌ、長さ３〜２０μ魔程度の繊維状ダイ
ヤモンドも使用出来る。この場合、同じパルス数のＣＶ
Ｄダイヤモンド析出を行ったダイヤモンド結合塊体に比
し、密度はやや低くなるが実用上支障がないので、本発
明で使用されるダイヤモンド粉末粒子には、繊維状ダイ
ヤモンドも含まれるものとする。
径０．５〜２μｌ、長さ３〜２０μ魔程度の繊維状ダイ
ヤモンドも使用出来る。この場合、同じパルス数のＣＶ
Ｄダイヤモンド析出を行ったダイヤモンド結合塊体に比
し、密度はやや低くなるが実用上支障がないので、本発
明で使用されるダイヤモンド粉末粒子には、繊維状ダイ
ヤモンドも含まれるものとする。
また、原料ガスとしては、通常ＣＨ．， ＣｆｆｉＨｌ
ｌ＋ＣＨ，ＯＨ，Ｃ，Ｈ．ＯＨ．，ＣＨ，ＣＯＣＨ，を
０５〜２％含む水素との混合ガスが用いられるが、さら
にこれにＯ ｔ， Ｈ ｔｏ ， Ｃ Ｏ ＊等を３％
以下混合して用いることもある。この原料ガスをパルス
的に反応容器に供給するがゲート弁４を開いて原料ガス
を導入する時間は１〜３秒、ゲート弁４を閉じ、次にゲ
ート弁１０を開くまでの反応時間は１〜２秒位である。
ｌ＋ＣＨ，ＯＨ，Ｃ，Ｈ．ＯＨ．，ＣＨ，ＣＯＣＨ，を
０５〜２％含む水素との混合ガスが用いられるが、さら
にこれにＯ ｔ， Ｈ ｔｏ ， Ｃ Ｏ ＊等を３％
以下混合して用いることもある。この原料ガスをパルス
的に反応容器に供給するがゲート弁４を開いて原料ガス
を導入する時間は１〜３秒、ゲート弁４を閉じ、次にゲ
ート弁１０を開くまでの反応時間は１〜２秒位である。
上記ゲート弁４を開いている時間はガス貯室４と反応容
Ｂ１が同じ圧となればよく、少な過ぎると原料ガスが不
足となり、多すぎると、基材粉末表面部での析出割合が
多くなる。
Ｂ１が同じ圧となればよく、少な過ぎると原料ガスが不
足となり、多すぎると、基材粉末表面部での析出割合が
多くなる。
また、反応容器ｌ内の圧が、原料ガスのＣＶＤに遇した
圧となるように、減圧室１ｌの保持圧（ゲート弁１０が
開く直前の圧）が調整されるが、原料ガスの種類によっ
て適した圧力が異なるので、減圧室１ｌの保持圧及びポ
ンプの能力を加減して反応容器ｌ内の圧が最適圧となる
ようにする。
圧となるように、減圧室１ｌの保持圧（ゲート弁１０が
開く直前の圧）が調整されるが、原料ガスの種類によっ
て適した圧力が異なるので、減圧室１ｌの保持圧及びポ
ンプの能力を加減して反応容器ｌ内の圧が最適圧となる
ようにする。
本発明の製法においては、励起された原料ガスが、ダイ
ヤモンド粉末粒子の層の細孔内にも入って、ＣＶＤダイ
ヤモンドが析出されるので、比重３．３〜３ ． ５
ｙ／ｃｚ３、曲げ剛性８ ０ ｔｏｎ／Ｒｘ”以上の
ダイヤモンド結合塊体が容易に得られる。
ヤモンド粉末粒子の層の細孔内にも入って、ＣＶＤダイ
ヤモンドが析出されるので、比重３．３〜３ ． ５
ｙ／ｃｚ３、曲げ剛性８ ０ ｔｏｎ／Ｒｘ”以上の
ダイヤモンド結合塊体が容易に得られる。
実施例ｌ
ダイヤモンド粉末粒子１５は径０．５〜２μ肩、原料ガ
スはＣＨ４２％の水素との混合ガスを用い、反応容器１
がｌＱ１励起手段１４が熱フィラメントの第１図に示す
装置を用いてダイヤモンド焼結塊体を製造した。
スはＣＨ４２％の水素との混合ガスを用い、反応容器１
がｌＱ１励起手段１４が熱フィラメントの第１図に示す
装置を用いてダイヤモンド焼結塊体を製造した。
基体３上に上記ダイヤモンド粉末粒子ｌ５を厚さｌ ａ
ｍに載置し、減圧室１１を０．０５Ｐａに減圧し、かつ
ガス貯室５に原料ガスを圧力２５ＫＰａになるように充
填した。
ｍに載置し、減圧室１１を０．０５Ｐａに減圧し、かつ
ガス貯室５に原料ガスを圧力２５ＫＰａになるように充
填した。
次いで基体３を８００〜８５０゜Ｃ、熱フィラメントを
２０００〜２５００°Ｃに加熱した。上記条件に保持し
た後、ゲート弁ｌＯを４秒開いて反応容器ｌをｌＫＰａ
以下に脱気し、ゲート弁１０を閉じると同時にゲート弁
４を２秒間開いて原料ガスを反応容器１内に導入し、ゲ
ート弁４を閉じた（．＆ｌ秒間ＣＶＤダイヤモンドを基
体上のダイヤモンド粉末粒子に析出させた。上記１秒が
経過した後上記ゲート弁ｌＯを４秒開いて、すでに減圧
状態となっている減圧室ｌ１により反応容器ｌを脱気し
、ゲート弁１０を閉じると同時にゲート弁４を２秒開い
て、すでに原料ガスが２５ＫＰａの圧に保持されている
ガス貯室５より原料ガスを反応容器ｌに導入する。
２０００〜２５００°Ｃに加熱した。上記条件に保持し
た後、ゲート弁ｌＯを４秒開いて反応容器ｌをｌＫＰａ
以下に脱気し、ゲート弁１０を閉じると同時にゲート弁
４を２秒間開いて原料ガスを反応容器１内に導入し、ゲ
ート弁４を閉じた（．＆ｌ秒間ＣＶＤダイヤモンドを基
体上のダイヤモンド粉末粒子に析出させた。上記１秒が
経過した後上記ゲート弁ｌＯを４秒開いて、すでに減圧
状態となっている減圧室ｌ１により反応容器ｌを脱気し
、ゲート弁１０を閉じると同時にゲート弁４を２秒開い
て、すでに原料ガスが２５ＫＰａの圧に保持されている
ガス貯室５より原料ガスを反応容器ｌに導入する。
この際、原料ガスを２回導入した後、水素のみを１回入
れるサイクルとし、これを５０ＱＯ回、ｌＯ時間にわた
って繰返した。
れるサイクルとし、これを５０ＱＯ回、ｌＯ時間にわた
って繰返した。
その結果、厚さｌ ＊ａ，直径２０ｊｕ＋のダイヤモン
ド結合塊体が得られた。この塊体の密度は３．３５ 〜
３ ． ４ ９／ａ１、曲げ剛性は９ ５ ｔｏｎ／
Ｒｚ２であった。
ド結合塊体が得られた。この塊体の密度は３．３５ 〜
３ ． ４ ９／ａ１、曲げ剛性は９ ５ ｔｏｎ／
Ｒｚ２であった。
実施例２
励起手段として、熱フィラメントの代わりに１３．５６
ＭＨｚ，５００Ｗの高周波を用いた以外は、実施例ｌ゜
と同じにして、ダイヤモンド結合塊゛体をつくった。そ
の結果実施例ｌと同形状の塊体が得られ、その塊体は密
度３． ２〜３． ３９／ｃｊＩ３、曲げ剛性、８
５ ｔｏｎ＃ｖ”であった◇実施例３ 励起手段として、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いた
以外は、実施例ｌと同じにしてダイヤモンド結合塊体を
つくった。その結果、実施例Ｉと同形状の塊体が得られ
、その塊体は密度３ ２〜３ ．３ ｇ７ｃｍ”、曲げ
剛性、８ ７ ｔｏｎ／Ｒ１であった。
ＭＨｚ，５００Ｗの高周波を用いた以外は、実施例ｌ゜
と同じにして、ダイヤモンド結合塊゛体をつくった。そ
の結果実施例ｌと同形状の塊体が得られ、その塊体は密
度３． ２〜３． ３９／ｃｊＩ３、曲げ剛性、８
５ ｔｏｎ＃ｖ”であった◇実施例３ 励起手段として、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いた
以外は、実施例ｌと同じにしてダイヤモンド結合塊体を
つくった。その結果、実施例Ｉと同形状の塊体が得られ
、その塊体は密度３ ２〜３ ．３ ｇ７ｃｍ”、曲げ
剛性、８ ７ ｔｏｎ／Ｒ１であった。
実施例４
水素の導入を行わず、原料ガスのみを供給した以外は、
実施例ｌと同じにしてダイヤモンド結合塊体をつくった
。その結果、塊体の比重は３． １〜３ ． ２
ｙ／ａｘ”、曲げ剛性、８ ５ ｔｏｎ／ｚ麓まであっ
た。
実施例ｌと同じにしてダイヤモンド結合塊体をつくった
。その結果、塊体の比重は３． １〜３ ． ２
ｙ／ａｘ”、曲げ剛性、８ ５ ｔｏｎ／ｚ麓まであっ
た。
以上述べたように、本発明の方法は、反応ガスをパルス
的に供給することにより、ダイヤモンド粉末粒子の細孔
内にもＣＶＤダイヤモンドを析出させることが出来るの
で、基体上に載置する層の厚みを大きくすることが可能
となり、厚みが厚く密度の高いダイヤモンド結合塊体を
容易に製造することが出来る優れた方法である。
的に供給することにより、ダイヤモンド粉末粒子の細孔
内にもＣＶＤダイヤモンドを析出させることが出来るの
で、基体上に載置する層の厚みを大きくすることが可能
となり、厚みが厚く密度の高いダイヤモンド結合塊体を
容易に製造することが出来る優れた方法である。
第１図は、本発明の製造法を実施する装置の一例を示す
図である。 ■・・・反応容器、２・・・ヒータ、３・・基体、４・
・・ゲート弁、５・・・ガス貯室、６．６’・・・バル
ブ、７，７゛・・・流量調節計、８・・・原料ガスライ
ン、９・・・水素のライン、１０・・・ゲート弁、１ｌ
・・・減圧室、１２・・・油拡散ポンプ、１３・・・油
回転ポンプ、１４・・・励起手段、１５・・・ダイヤモ
ンド粉末粒子。
図である。 ■・・・反応容器、２・・・ヒータ、３・・基体、４・
・・ゲート弁、５・・・ガス貯室、６．６’・・・バル
ブ、７，７゛・・・流量調節計、８・・・原料ガスライ
ン、９・・・水素のライン、１０・・・ゲート弁、１ｌ
・・・減圧室、１２・・・油拡散ポンプ、１３・・・油
回転ポンプ、１４・・・励起手段、１５・・・ダイヤモ
ンド粉末粒子。
Claims (1)
- 加熱されたダイヤモンド粉末に励起されたダイヤモン
ド生成用原料ガスをパルス的に供給し、該粉末粒子間に
ＣＶＤダイヤモンドを析出させ、粒子同志を結合するこ
とを特徴とするダイヤモンド結合塊体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053441A JPH02233512A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | ダイヤモンド結合塊体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1053441A JPH02233512A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | ダイヤモンド結合塊体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02233512A true JPH02233512A (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12942941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1053441A Pending JPH02233512A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | ダイヤモンド結合塊体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02233512A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5648139A (en) * | 1991-01-11 | 1997-07-15 | Sussmann; Ricardo Simon | Wire drawing dies of polycrystalline CVD diamond with boron dopant atoms |
-
1989
- 1989-03-06 JP JP1053441A patent/JPH02233512A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5648139A (en) * | 1991-01-11 | 1997-07-15 | Sussmann; Ricardo Simon | Wire drawing dies of polycrystalline CVD diamond with boron dopant atoms |
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