JPH02234393A - 多色表示型薄膜エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ディスプレイ装置などに使用されるエレクト
ロルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子、さらに詳
し《は、赤および緑の発光が可能な多色表示型の薄膜Ｅ
Ｌ素子に関する。

〔従来の技術〕

従来、赤および緑の２原色とその中間色の発光が可能な
多色表示型の薄膜ＥＬ素子として、ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ発
光層を有する緑色発光ＥＬ素子とＺｎＳ：Ｓｍ，Ｆ発光
層を有する赤色発光ＥＬ素子とを積層して３端子構造と
したもの（ＪＡＰＡＮ　ＤＩＳＰＬＡＹ　’８３　ＤＩ
ＧＥＳＴ）　、フォトリソグラフィーによるパターンニ
ングによってＺｎＳ：Ｔｂ、ＦとＺｎｓ：ｓｍ，Ｆの両
発光体部分が平面的に配置された発光層を有するもの（
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ　ｏｆ　’８７ｓ　ＴＤ　Ｉｎｋ
，Ｓｙｍｐ．）、ＣａＳ：Ｅｕからなる赤色発光ＥＬ素
子とＳｒＳ　：　Ｃｅからなる青緑色発光ＥＬ素子とを
透明電極同士を対向させて重ね合わせたもの（同上文献
）などが提案されていた。

しかしながら、前記一番目の３＃ｉ子構造とした素子で
は、素子全体としての薄膜積層数が多くなることから、
特性的に不安定になりやすく、素子形成も面倒であった
．また、二番目の発光層をリソグラフィーによりパター
ンニングした素子では、発光層の形成に極めて高度な微
細加工技術を必要とし、特に大面積で高精細なディスプ
レイの作製が非常に困難であるという問題があった。そ
の上、上記両素子で使用する赤色発光体であるＺｎＳ　
：Ｓｍ，Ｆは輝度が最大でも１，０００ｃｄ／ｍ程度と
低いため、ＥＬバネルなどの表示装置としては輝度不足
で実用性に乏しかった。

また、三番目の素子でも、現状ではまだ輝度が不充分で
実用段階に達しておらず、かつ両発光層の発光体の母体
材料であるＣａＳおよびＳｒＳは吸湿による劣化が著し
いため、素子の耐久性が悪くなりやすいという欠点があ
った。

そのため、本発明者らは、先に、透光性の表示側電極と
背面側電橿との間に、ＺｎＳ：Ｍｎと２ｎｓ：Ｔｂ，Ｆ
との発色が異なる２層の発光層を絶縁層と共に配置し、
表示側に赤色光透過フィルターと緑色光透過フィルター
とを交互に平面状に配置することにより、赤および緑の
２原色ならびに赤から緑にわたる全ての中間色の発光が
高耀度で得られる多色表示型薄膜ＥＬ素子を開発し、既
に特許出願をしてきた（特願昭６３−６６２９９号）。

上記フィルタ一方式の多色表示型薄膜ＥＬ素子は、その
発光層の形成に使用されているＺｎＳ　：ＭｎとＺｎＳ
：Ｔｂ，Ｆとが共に高輝度を呈し得る発光材料であって
、従来のものに比べて高輝度が得られ、しかもフィルタ
ーを利用して多色表示を行うものであるから、素子作製
上で格別高度な微細加工技術を要さず、単色表示型ＥＬ
素子の作製とほぼ同じ方法で作製し得るという特長を有
している． 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、より高精細でかつ大面積のディスプレイ
パネルを得るためには、現状に満足することなく、でき
るだけ低い電圧でより高い膵度が得られるものが望まし
い。

したがって、本発明は、前記フィルタ一方式の多色表示
型薄膜ＥＬ素子の発光特性を改善し、駆動電圧を高める
ことなく、より高輝度が得られる多色表示型薄膜ＥＬ素
子を提供することを目的とする． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ発光層の両側にＺｎｓ：Ｍ
ｎ発光層を配置することによって、上記目的を達成した
ものである。

上記のように、ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ発光層の両側にＺｎＳ
：Ｍｎ発光層が配置していることによって、発光特性が
改善され、より高輝度が得られる理由について説明する
と、次のとおりである。

ＺｎＳ：ＭｎとＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆとは発光機構に異なる
点があり、そのために発光層の膜厚方向における発光強
度の分布が異なる（Ｍａｒｒｅｌｏ．ｅｔ　ａ１、Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．５２（５）１９８１）　．ＺｎＳ
：Ｍｎの場合は、発光が主としてホットエレクトロンの
Ｍｎイオンの衝突励起によって起こるため、交流で駆動
する場合、発光強度は陰極側の内部電界の高い発光層／
絶縁層界面で高く、陽極側の界面では低い． これに対して、ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆでは、母体（ＺｎＳ）
からのＴｂイオンへのエネルギーの共鳴伝達が発光に関
与するため、陽極側、陰極側共に発光層／絶縁層界面で
の発光が弱く、上記界面から１００〜２００ｎｍ程度内
部に入り込んだ領域での発光が強くなる。

したがって、これらの発光層を単純に積層すると、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎの発光は、陰極側は強いが陽極゛側では弱くな
り、交流駆動での発光効率が低下する。また、ＺｎＳ　
：　Ｔｂ，Ｆの発光は陽極側、陰極側とも、絶縁層と接
している位置で弱くなるため、この部分で発光効率のロ
スが生じる。

そこで、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層を２層にして、これをＺｎ
Ｓ：Ｔｂ，Ｆ発光層の両側に配置すれば、ＺｎＳ：Ｍｎ
発光層は陽極側、陰極側共に絶縁層との界面付近での強
い発光が取り出される。また、ＺｎＳ：ＴｂＳＦ発光層
は、その両側にＺｎＳ　：Ｍｎ発光層が配置していて、
絶縁層との界面からは内部に入り込んだ位置に存在する
ため強い発光が取り出せる．このように、ＺｎＳ：Ｍｎ
発光層、ＺｎＳ　：Ｔｂ，Ｆ発光層とも、最も効率の良
い状態で発光が取り出されるので、同じｗＡｗ−でも高
輝度を得ることができる．したがって、駆動電圧を高め
ることなく、高輝度が得られるようになる．つぎに、本
発明を図面を参照しつつ説明する。

第１図は本発明の多色表示型薄膜ＥＬ素子の一例を示す
断面図である。

図中、（１）はガラス製の基板であり、この基板（１）
上にアルミニウム薄膜あるいはインジウムースズ複合酸
化物（以下、ＩＴＯという）やフッ素を含む酸化スズな
どの透明導電性材料の薄膜からなる背面側電極（２）が
平行ストライブパターンで形成されている．そして、こ
の背面側電極（２）上に、順次、背面側の絶縁層（３）
、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ａ）、Ｚｎｓ：Ｔｂ，Ｆ発光
層（５）、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ｂ）、表示側の絶縁
Ｎ（６）が積層形成され、さらに表示側の絶縁層（６）
上に前記同様の透明導電性材料の薄膜からなる表示側電
極（７）が前記背面側電極（２）に対して直交する方向
の平行ストライブパターンで形成されている。そして、
別のガラス製基板（９）に、赤色光透過フィルター（８
ｒ）と緑色光透過フィルタ−（８ｇ）とが上記表示側電
極（７）の各ストライプと同じ寸法および間隔で交互に
形成され、これらの赤色光透過フィルター（８ｒ）と緑
色光透過フィルター（８ｇ）を、前記の表示側電極（７
）に重ね合わせることによりＥＬ素子が作製されている
．つまり、このＥＬ素子では、背面側電極（２）と表示
側電極（７）との間に、絶縁層（３）、（６）を介して
発光層（４ａ）、（５）、（４ｂ）が配置され、また、
その表示側には、赤色光透過フィルター（８『）と緑色
光透過フィルター（８ｇ）とが交互に平面状に形成され
ている。なお、第１図はＥＬ素子の要部のみを示してい
て端部を示していないが、このＥＬ素子も、通常の二重
絶縁構造の薄膜ＥＬ素子の場合と同様に、端部では、絶
縁層（６）の延長部分がＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ｂ）、
ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ発光層（５）、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層（
４ａ）および絶縁層（３）の側面を覆い、発光層（４ａ
）、（５）、（４ｂ）が絶縁層（３）、（６）によって
完全に被覆されるように作製されている． このＥＬ素子により多色表示ができる理由について説明
すると、次のとおりである． 上記構成のＥＬ素子では、両電極（２）、（７）間に発
光層（４ａ）、（４ｂ）、（５）の発光開始電圧以上の
交流電圧を印加した際に、両電極（２）、（７）の各交
差部分において発光層（４ａ）、（４ｂ）、（５）が発
光する。この発光は、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ａ）、（
４ｂ）では黄橙色発光で、ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ発光層（５
）では緑色発光であり、それらの発光層（４ａ）、（５
）および（４ｂ）が上下に重なっていることから表示側
表面へはそれらの混色発光として到達するが、赤色光透
過フィルター（８ｒ）の各領域では赤色よりも短波長側
の光がカットされて赤色発光として放出され、緑色光透
過フィルター（８ｇ）の各領域では逆に緑色よりも長波
長側の光がカットされて緑色発光として放出される． したがって、両電極（２）、（７）のパターンをそのス
トライプが一画素上で多数配置するように細か《設定し
、表示側電極（７）を赤色光透過フィルター（８ｒ）で
覆われるストライブ群（以下、赤色電極部という）と緑
色光透過フィルター（８ｇ）で覆われるストライプ群（
以下、緑色電極部という）とに分離してそれぞれ個別に
背面側電極（２）との間で電圧を印加しうる構成とすれ
ば、同一画素を赤緑の２原色および両色間の全ての中間
色の発光で任意に表示することができる。すなわち、赤
色電極部のみの使用によって赤色の原色発光表示、緑色
電極部のみの使用により緑色の原色発光表示がそれぞれ
行えるとともに、両電極部の使用によって両発光色の混
合による中間色発光表示が行える。

なお、中間色発光は、マトリックス表示つまり画素上に
細かいドット状の赤色発光部と緑色発光部とが平面的に
交互に並んでいるために視覚的に両発光の中間色として
認められるもので、両電極部に印加する電圧、パルス幅
、パルス数、周波数などを変化させて両発光の強度を変
えることにより、赤色に近い混色から緑色に近い混色ま
で全ての中間色発光を任意に選択できるとともに、連続
的な色調変化も可能である． 上記ＥＬ素子の発光層（４ａ）、（４ｂ）を構成するＺ
ｎｓ：Ｍｎは、本来の発光色が黄橙色であるが、波長５
００〜７００ｎｍにわたる広い発光スペクトルを存し、
波長６００〜７００ｎｍにかけてかなりの赤色成分を含
んでいる。

上記ＥＬ素子の赤色発光は、このＺｎＳ：Ｍｎ発光層（
４ａ）、（４ｂ）の黄橙色発光を赤色光透過フィルター
（８ｒ）を透過させて赤色よりも短波長側の光をカット
することによって得るため、赤色発光は、上記赤色光透
過フィルター（８ｒ）の透過によってある程度は減衰し
ている。しかし、上記ＺｎＳ　：　Ｍｎは、６，０００
ｃｄ／ｒｒｆという高い発光輝度と３１ｍ／ｗという高
い発光効率を有するので、従来の赤色発光用材料として
一般的なＺｎＳ：Ｓｍ，Ｆによる発光に比較して格段に
高輝度でより赤の原色に近く、カラーＣ　Ｒ　Ｔ　（Ｃ
ａｔｈｏｄｅ　Ｒａｙ　Ｔｕｂｅ）の赤色にほぼ一敗す
るものとなし得る． そして、このＥＬ素子では、前記のように、Ｚｎｓ：Ｔ
ｂ，Ｆ発光層（５）の両側にＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ａ
）、（４ｂ）を配置することにょりＥＬ素子全体として
の発光特性を改善し、本発明者らが先に開発した特願昭
６３−６６２９９号明細書に記載のＥＬ素子より、より
高輝度が得られるようにしている．つまり、ＺｎＳ：Ｍ
ｎ発光層（４ａ）、（４ｂ）を構成す′るＺｎＳ：Ｍｎ
は発光層／絶縁層界面での発光強度が高いので、ＺｎＳ
：Ｔｂ，Ｆ発光層（５）の両側に配置して、ＺｎＳ：Ｍ
ｎ発光層（４ａ）が絶縁層（３）に接触し、かつＺｎＳ
：Ｍｎ発光層（４ｂ）が絶縁層（６）に接触するように
して、ＺｎＳ：Ｍｎによる発光が高輝度で得られるよう
にしている。そして、Ｚｎ’Ｓ：Ｔｂ，Ｆ発光層（５）
はその両側にＺｎＳ　：Ｍｎ発光層（４ａ）、（４ｂ）
を配置することにより、絶縁層（３）、（６）から遠ざ
けて、ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆによる発光が高輝度で得られる
ようにしている．これらＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ａ）、
ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ発光層（５）およびＺｎＳ：Ｍｎ発光
層（４ｂ）の形成は、電子ビーム蒸着や抵抗加熱蒸着な
どの真空蒸着法、高周波スパッタリングなどのスパッタ
リング法、あるいはイオンプレーティング法などの既存
の種々の真空中薄膜形成法によって行うことができる．
特に電子ビーム蒸着法によってＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４
ａ）、ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ発光層（５）およびＺｎＳ：Ｍ
ｎ発光７！　（４ｂ）を連続して積層形成するときは、
それらの界面部分で連続的に結晶成長が生じ、そのため
低い駆動電圧で効率良い発光を得ることができる． 本発明において、これらＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ａ）、
ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ発光層（５）、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層（
４ｂ）の厚さは、通常、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ａ）、
（４ｂ）ではそれぞれ１２０〜３００　ｎｍ程度、Ｚｎ
Ｓ：Ｔｂ，Ｆ発光層（５）では２５０〜６００　ｒｖ程
度である。

発光層以外の構成部材についても説明すると、赤色光透
過フィルター（８ｒ）としては、波長５７０ｎｍ以下の
光をカットするものが好ましいが、−ａには波長５Ｂ０
ｎｍ以下の光をカットして波長６００ｎｍ以上の光を８
０％以上透過させるものであればよい。

また、緑色光透過フィルター（８ｇ）としては、カット
する光の波長の下限が低すぎては輝度が不充分となり、
逆に高すぎては色調が黄緑となるため、この下限が５６
０〜５８０ｎｌｌ１の範囲となるものが好ましいが、一
般には波長５５０ｎ１以下で４５０ｎｍ以上の範囲の光
を８０％以上透過させるものであればよい。

これらフィルター（８ｒ）、（８ｇ）を形成するには、
所要の選択的光吸収能を有する色素とバインダーを含む
塗料を洲製し、これをスクリーン印刷法などの印刷塗布
手段によって表示側電極（７）上にそのパターンに対応
したパターン形状で乾燥後の厚さが０．５〜２０μｍ程
度となるように塗布、乾燥すればよい。また、別のガラ
ス製基板上に表示側電極（７）のパターンに対応したパ
ターン形状でフィルタ（８ｒ）、（８ｇ）を形成し、そ
れを表示側電極（７）上に重ね合わせてもよい。

絶縁層（３）、（６）の構成材料としては、既存の絶縁
材料をいずれも使用でき、例えばＴａｔＯ，、ＡＩ．Ｏ
ｓ　、ＹｚＯｉ、Ｓ　Ｉ　ＯｔＸＳ　ｉ　ｓＮａ、Ｔｔ
Ｏ．、Ｎｂ　！ｏＳＳＢ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏｓ、Ｓ　ｒ　
Ｔ　ｉ　Ｏ　ｓ、Ｐ　ｂ　Ｔ　ｉ　Ｏ　ｃなどが用いら
れる。そして、各絶縁層で異なるものを使用してもよい
。また、それぞれの層を構成材料の異なる２層以上の積
層物としても差し支えない． これら絶縁層（３）、（６）の厚さは、それぞれ２００
〜７００ｎ霧程度、また、両電極（２）、（７）の厚さ
は、それぞれ１００〜３００ｎ一程度テアル．コレら絶
縁Ｎ（３）、（６）の形成手段や電極（２）、（７）の
形成手段としては、電子ビーム蒸着や抵抗加熱蒸着など
の真空蒸着法、高周波スパッタリングなどのスパッタリ
ング法、あるいはイオンプレーティング法などの既存の
種々の真空中薄膜形成法を使用材料種に応じて適宜採用
できる． 本発明のＥＬ素子では、例示したもののように背面側お
よび表示側の両電極（２）、（７）をパターン化する以
外に、両電極の一方のみをパターン化してもよく、また
そのパターンは平行ストライブに限らず種々設定できる
． すなわち、一方の電極を多数の電極部に区割して他方の
電極をこれら電極部に対する共通電極とし、各電極部に
対応する各表示側表面部に前記２種類のフィルターのう
ちのいずれか一方を有し、かつ隣接する上記各表面部の
フィルター同士が相互に異なるものとなるようにするこ
とにより、前記同様の発光色変化による多色表示が可能
である。

また、本発明では、素子全体の発光色を変化させる以外
に、フォトリソグラフィーなどを利用して電極パターン
を精細化すれば、ダイナミック駆動、つまり線順次走査
を用いたドットマトリックス駆動方式によって一画素ご
とに赤緑の２原色およびその中間色の発光色変化を行う
ことができる。

〔実施例〕

つぎに実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明する． 実施例ｌ 第１図に示す構造の多色表示型薄膜ＥＬ素子を次に示す
ようにして作製した。

縦３４１１転横３４１ＩＩｌ１１厚さ１．１１ｌｌｍ＋
のガラス製基板（１）の一面側に厚さ２００ｎｍのＩＴ
Ｏ膜からなる背面側電掻（２）を電子ビーム蒸着法によ
って各ストライブ幅が３００μｍの平行ストライプパタ
ーンとなるように形成した。

つぎに、この背面側電極（２）上に高周波スパッタリン
グ法で厚さ４００ｎｍのＴａｚＯｓＦ１膜からなる背面
側の絶縁層（３）を形成し、その上に電子ビーム蒸着法
によって厚さ１８０ｎｍのＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ａ）
、厚さ３ＱＯｎｍのＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ発光層（５）およ
び厚さ１２０ｎｍのＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ｂ）を連続
的に積層形成した．なお、下側のＺｎＳ：Ｍｎ発光層（
４ａ）の厚さを上側のＺｎＳ：Ｍｎ発光層（４ｂ）より
厚く形成したのは、薄膜の堆積初期にデッドレイヤーと
呼ばれる結晶性の悪い眉が約１００ｎｍ程度存在し、こ
の部分では発光効率が悪いので、少し厚めにして結晶性
の良い層を成長させるためである。つぎに、上記ＺｎＳ
：Ｍｎ発光層（４ｂ）上に高周波スパッタリング法で厚
さ４００ｒ＋ｍのＴ　ａ　．０，薄膜からなる表示側の
絶縁層（６）を形成した。ついで、その上に高周波スパ
ッタリング法で厚さ２００ｎａ＋のＩＴＯ膜からなる表
示側電極（７）を前記背面側電極（２）のストライプパ
ターンに対して直交する方向に同様の平行ストライブパ
ターンで形成した。上記とは別のガラス製基板（９）の
一方の面に、赤色光透過フィルター（８ｒ）と緑色光透
過フィルター（８ｇ）とを約ｌμｍの厚さに交互に上記
表示側電極（７）の各ストライプと同じ寸法および間隔
でストライブ状に形成した。このガラス製基板（９）を
そのフィルタ−（８ｒ）、（８ｇ）が表示側電極（７）
と対向するように重ね合わせて、多色表示型ＥＬ素子を
作製した．このＥＬ素子の両電極（２）、（７）間に１
ｋＨｚパルス駆動で２００■の交流電圧を印加し、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎ発光層（４ａ）、（４ｂ）とＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ
発光Ｎ（５）とを発光させて、ＺｎＳ：ＭｎとＺｎＳ：
Ｔｂ，Ｆの混色発光を生じさせ、それぞれのフィルター
（８ｒ）、（８ｇ）の透過光により、赤と緑の交互の発
光を平面上に得た。

比較例１ 第２図に示すようにＺｎＳ：Ｍｎ発光層０（１）とＺｎ
ｓ：Ｔｂ，Ｆ発光層（ＩＩ）とをそれぞれ３０００ｌＩ
１の厚さに電子ビーム蒸着法で積層形成し、それ以外は
実施例１と同様の構成で多色表示型薄膜ＥＬ素子を作製
した． 第３図に上記実施例１および比較例１のＥ　Ｌ素子のｌ
ｋｌ｛ｚバルス駆動でのフィルターなしのときの輝度一
電圧特性を示す， 第３図に示すように、実施例１は比較例１に比べて輝度
が高く、実施例１の最大輝度は約１　，　５００ｃｄ／
ｎｆであって、比較例１の最大輝度の約１．５倍高い値
を示した。

第４図に上記実施例１および比較例１のＥＬ素子の赤色
光透過フィルター（８ｒ）の透過光の輝度電圧特性を示
す。また、第５図に上記実施例ｌおよび比較例ｌの緑色
光透過フィルター（８ｇ）の透過光の輝度一電圧特性を
示す。

第４図に示すように、実施例１の赤色光透過フィルター
（８ｒ）の透過光は比較例１のそれに比べて輝度が高く
、その最大輝度は、実施例１では５００ｃｄ／ポであっ
たが、比較例１では３２０ｃｄ／　ｎｆにすぎず、実施
例ｌは比較例１の約１．５倍高い値を示した．また、第
５図に示すように、実施例１の緑色光透過フィルター（
８ｇ）の透過光は比較例１のそれに比べて輝度が高く、
その最大輝度は、実施例１では６２０ｃｄ／　ｒｒｒで
あったが、比較例１では４００ｃｄ／　ｒｒｆにすぎず
、実施例１は比較例１の約１．５倍高い値を示した． 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明では、ＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆ発
光層の両側にＺｎＳ：Ｍｎ発光層を配置することにより
、高輝度の多色表示型薄膜ＥＬ素子を提供することがで
きた．したがって、本発明によれば、高精細で大面積の
ディスプレイパネルを作製することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の多色表示型薄膜エレクトロルミネッセ
ンス素子の一例を示す断面図であり、第２図は本発明外
の多色表示型”ｉｌｌ＠エレクトロルミネッセンス素子
の一例を示す断面図である。第３図は実施例１および比
較例１のエレクトロルミネッセンス素子の１ｋＨｚパル
ス駆動でのフィルターなしのときの輝度一電圧特性を示
す図である。第４図は実施例１および比較例１のエレク
トロルミネッセンス素子の１ｋＨｚパルス駆動での赤色
光透過フィルターの透過光の輝度一電圧特性を示す図で
ある．第５図は実施例１および比較例１のエレクトロル
ミネッセンス素子の１ｋＨｚパルス駆動での緑色光透過
フィルターの透過光の輝度一電圧特性を示す図である． （２）・・・背面側電極、　（３）・・・絶縁層、（４
ａ）、（４ｂ）−Ｚ　ｎ　Ｓ　：　Ｍｎ発光層、（５）
＝−Ｚ　ｎ　Ｓ　：　Ｔ　ｂ，　Ｆ発光層、　（６）　
・・・絶縁層、（７）・・・表示側電極、　（８ｒ）・
・・赤色光透過フィルタ（８ｇ）・・・緑色光透過フィ
ルター 第８図 電 圧 （Ｖ） ２・・・背面側電極 ３・・・絶縁層 ４ａ１４ｂ・−ＺｎＳ：Ｍｎ発光層 ５＝−　ＺｎＳ：Ｔｂ．Ｆ発光層 ６・・・絶縁層 ７・・・表示側電極 ８ｒ・・・赤色光透過フィルター ８ｇ・・・緑色光透過フィルター １０−　ＺｎＳ：Ｍｎ発光層 １　１−　ＺｎＳ　：Ｔｂ１Ｆ発光層 図 圧 （Ｖ） （Ｖ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　透光性の表示側電極と背面側電極との間に、絶
   縁層を介して発光層を配置し、表示側に赤色光透過フィ
   ルターと緑色光透過フィルターとを交互に平面状に配置
   して多色表示を行う多色表示型薄膜エレクトロルミネッ
   センス素子において、発光層がＺｎＳ：Ｍｎ発光層とＺ
   ｎＳ：Ｔｂ、Ｆ発光層とからなり、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層
   がＺｎＳ：Ｔｂ、Ｆ発光層の両側に配置していることを
   特徴とする多色表示型薄膜エレクトロルミネッセンス素
   子。