JPH02235284A

JPH02235284A - 書込み／読出しゲートの駆動方法

Info

Publication number: JPH02235284A
Application number: JP1055314A
Authority: JP
Inventors: Kenji Mizuno; 健二水野
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1989-03-07
Filing date: 1989-03-07
Publication date: 1990-09-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明はブロッホラインメモリに用いられる、書込みｌ
読出しゲートの駆動方法に関するものである。

（従来の技術）磁気バブルメモリ素子に代わる超高密度固体磁気記憶素
子として、膜面に垂直な方向を磁化容易方向とする強磁
性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するストライプ磁
区の境界を形成するブロツホ磁壁の中に、安定に存在す
る垂直ブロッホライン２個からなるブロッホライン対（
以下、ＶＢＬ対と称する）を記憶単位として用いるブロ
ッホラインメモリ素子が発明された（特願昭５７−１８
２３４６）。

ブロッホラインメモリ素子においては、マイナーループ
を構成する安定化されたストライブドメイン周辺のブロ
ッホ磁壁に沿って情報をＶＢＬ対の形で書き込み、また
ＶＢＬ対という微小領域で表わされる情報単位を読み出
す手段、およびマイナーループ上でＶＢＬ対をビット毎
に転送保持する手段が不可欠である。

ストライプドメインには、ＶＢＬ対のパルスバイアス磁
界駆動の容易さからリング状のストライプドメインが用
いられる。このリング状ストライプドメインの外周磁壁
に情報担体であるＶＢＬ対を書き込む。情報の書き込み
、読み出し用ゲートには第３図のような構造のものが用
いられている。第３図において、１１はメジャーライン
、１２はマイナーループを構成するリング状ストライプ
ドメイン、１３はリング状ストライプドメイン周辺のブ
ロッホ磁壁、１はストライプドメイン先端のブロッホラ
イン、２１はストレッチ導体バタン、２２は面内磁界導
体バタン、２３はチョップ導体バタンである。第４図（
ａ），　（ｂ），　（ｃ）は第３図の書込み、読み出し
ゲートに印加される従来の電流パルス波形である。第５
図（ａ），　（ｂ），（Ｃ），（ｄ）は書込み動作の説
明図である。第３図と第４図および第５図を用いて、従
来の書込みｌ続出しゲートの駆動方法を説明する。

第３図に示すように、リング状ストライブドメインは初
期状態として２本のＶＢＬを両側のコーナーにもってお
り、これらを安定化するため均一な面内磁界を左向きに
印加している。この先端部のＶＢＬＬをＶＢＬ対書込み
時に側壁に移動させるため、第５図（ａ）のように面内
磁界導体バタン２２に第４図の電流パルス３２を加え、
ストライプドメイン先端部のみに長手方向に右向きの局
所面内磁界Ｈｉｐを与えた状態で、ストレッチ導体２１
にストレッチバルス３１を加え、その磁界によりストラ
イプドメイン先端部を書込み部を導く。先端部にあった
ＶＢＬＬはジャイロ力とＨｉｐにより、上側の側壁上導
体パタン２２の左端に保持される。Ｈｉｐのため、伸ば
されたストライプドメインの磁壁の内、磁壁磁化がＨｉ
ｐと逆向きの側壁では、磁壁構造は第５図（ｂ）のよう
に水平ブロッホライン（以下、ＨＢＬと略す）６が発生
している。この状態に対し、チョップ導体２３にＨＢＬ
バンチスルーおよびドメイン切断用チョップバルス３３
を加えると、第５図（Ｃ）のようにまずＨＢＬが膜上面
からバンチスルーし、次に第５図（ｄ）に示すように先
端部が切断され、新しくできたストライプドメイン先端
部に負のＶＢＬ対２、３が書き込まれる。

第６図（ａ），　（ｂ），　（ｃ）は読み出し動作の説
明図である。第６図（ａ）に示すように、読み出される
べき情報がある場合（情報１）は、リング状ストライプ
ドメインのコーナーには３個のＶＢＬＬ、２、３がある
。まず、面内磁界導体パタン２２に電流パルス３２を加
え、ストライブドメイン先端部に長手方向に右向きの局
所面内磁界Ｈｉｐを与えた状態で、ストレッチ導体２１
にストレッチバルス３１を加え、その磁界によりストラ
イプドメイン先端部を読み出し部に導く。この時、第６
図（ｂ）に示すように先端部にあった３個のＶＢＬのう
ちＨｉｐと同方向の２のみ移動し、他のＶＢＬ　１、３
は側壁上導体パタン２２の左端に保持される。伸ばされ
たストライプドメインの磁化の向きは同一方向である。

この状態に対し、チョップ導体２３にチョップバルス３
３を加えると、第６図（Ｃ）に示すように先端部が切断
され、新しくできたストライプドメイン先端部とバブル
に負のＶＢＬ４、５が発生する。すなわち、ＶＢＬ対が
バブルの形で読み出され、しかも読み出し動作は非破壊
である。

第６図（ａ）の状態で、読み出されるべきＶＢＬ２、３
がない場合（情報０）は、第６図（ｂ）で伸ばされたス
トライブドメイン側壁の磁化は互いに逆向きであり、チ
ョソブパルス３３では切断できず、バブルとして読み出
せない。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、，ストライブドメイン先端部を切断する
際、チョップパルスの条件によっては余分なＶＢＬが注
入されて、正常なゲート動作を妨げる要因となっている
。

本発明の目的はこの問題点を解決した書込みｌ読出しゲ
ートの駆動方法を提供することにある。

（課題を解決するための手段）本発明の要旨とするところは、導体に加える電流パルス
でストライプドメインを切断して垂直ブロッホライン対
の書込み、読み出しおよび消去を行う書込みｌ読出しゲ
ートの駆動方法において、前記電流パルスの立上り、立
下り時間を２５ｎｓ以上、１５０ｎｓ以下にすることで
ある。

チョップパルスの立上り、立下り時間を適切に選ぶこと
により、余分なＶＢＬの注入が抑えられる。

（実施例）以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例を示すパルス波形図である。

本発明を第１図および第６図を用いて説明すれば、面内
磁界導体パタン２２に電流バルス３２を加え、ストライ
プドメイン先端部に長手方向に右向きの局所面内磁界Ｈ
ｉｐを与えた状態で、ストレッチ導体２１にストレッチ
パルス３１を加え、その磁界によりストライプドメイン
先端部を読み出し部に導く。この時、第６図（ｂ）に示
すように先端部にあった３個のＶＢＬのうちＨｉｐと同
方向の２のみ移動し、他のＶＢＬＬ、３は側壁上導体バ
タン２２の左端に保持される。伸ばされたストライプド
メインの磁化の向きは同一方向である。この状態に対し
、チョップ導体２３に立上り、立下り時間が２５ｎｓ以
上、、１５０ｎｓ以下のチョップパルス３３を加えると
、第６図（Ｃ）に示すように先端部が切断され、情報１
に対応するＶＢＬ対がバブルの形が読み出される。

第６図（ａ）の状態で、読み出されるべきＶＢＬ２、３
がない場合は、第６図（ｂ）で伸ばされたストライプド
メイン側壁の磁化は互いに逆向きであり、ドメインのチ
ョップにはより大きな電流を必要としチョップバルス３
３では切断できず、バブルとして読み出せない。すなわ
ち、情報Ｏに対応する。

第２図は前記実施例の効果を示す図であり、５ｐｍバブ
ル材料を用いたデバイスの読出し時の情報１と情報Ｏと
の弁別マージンである。図において、縦軸はチョップパ
ルスの電流値、横軸はチョップパルス立上り、立下り時
間である。２．５ｌｌｍ幅の導体を７ｐｍ周期で、３本
平行に配置した面内磁界導体バタンに、それぞれ５ｍＡ
の電流を流して局所面内磁界を発生させ、２．５μｍ幅
、４．５ｐｍギャップのヘアピン状のチョップ導体に、
パルス幅１８０ｎｓ，　２５ｎｓから１５０ｎｓの立上
り、立下り時間のチョップパルスで、情報１は情報Ｏよ
りも小さい電流値でチョップされ、正常な読出し動作が
行われた。立上り、立下り時間が２５ｎｓより短い、あ
るいは１５０ｎｓより長い場合は、情報１と情報０に対
するチョップ電流の大きさが逆転しており、正常な読出
し動作は行われなかった。書込み動作についても同様で
あった。

（発明の効果）このように本発明は、チョップパルスによりストライプ
メインを切断する際、余分なＨＢＬの発生、パンチスル
ーを抑制する効果があり、これにより大きな動作マージ
ンが得られる。

なお、本実施例では立上り時間と立下り時間が等しい対
称パルスを用いたが、立上りと立下りが等しくない非対
称パルスを用いても同様の効果が得られることは明らか
である。

さらに、本実施例ではリング状ストライブドメインを用
いたが、単純なストライプドメインを用いた場合でも同
様の効果か得られることも明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すパルス波形図、第２図
はゲートの読出し弁別マージン特性の測定結果を示す図
、第３図は書込み４売出しゲートの一例を示すバタン図
、第４図（ａ）〜（Ｃ）は書込みｌ読出しゲートの従来
の駆動方法を示すパルス波形図、第５図（ａ）〜（ｄ）
は書込み動作を説明するバタン図、そして第６図（ａ）
〜（Ｃ）は読み出し動作を説明するバタン図である。図において、１，　２，　３，　４．　５・・・垂直プ
ロソホライン、６・・・水平ブロッホライン、１１・・
・メジャーライン、１２・・・ストライプドメイン、１
３・・・磁壁、２１・・・ストレッチ導体バタン、２２
・・・面内磁界導体バタン、２３・・・チョップ導体バ
タン、３１・・・ストレッチパルス、３２・・・面内磁
界パルス、３３・・・チョップパルスである。

Claims

【特許請求の範囲】

導体に加える電流パルスでストライプドメインを切断し
て垂直ブロッホライン対の書込み、読み出しおよび消去
を行うブロッホラインメモリの書込み／読出しゲートの
駆動方法において、前記電流パルスの立上り、立下り時
間が２５ｎｓ以上、１５０ｎｓ以下であることを特徴と
する書込み／読出しゲートの駆動方法。