JPS61248296A - 磁気記憶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は不揮発性の超高密度固体磁気記憶素子に関する
。

（従来技術とその問題点） 高密度固体磁気記憶素子を目積して、磁気バブル素子の
開発が各所で盛んに行われている。しかし、現在使用さ
れているガーネット材料では、到達可能な最小バブル径
は０．３μｍといわれている。

したがって、０．３μｍ径以下のバブルを保持するバブ
ル材料はガーネット材料以外に求めなければならない。

これは容易ではなく、ここがバブル高密度化の限界であ
るとさえ考えられている。

このようなバブル保持層の特性に基く高密度化限界を大
幅に改善し、かつ、情報読出し時間は従来の素子と同程
度に保つことができる超高密度磁気記憶素子として膜面
垂直方向を磁化容易方向とする強磁性体（フェリ磁性体
を含む）膜に形成されるストライプドメインの境界を形
成するブロッホ磁壁の中に静的ξこ安定に存在する垂直
ブロッホライン２個からなるブロッホライン対（以下、
ＶＢＬ対と称する。）を記憶単位として用いる素子が発
明された（特願昭５７−１８２３４６）。

本素子においてもつとも重要な部分の一つは情報書込み
部および読出し部（以下マイナーループと称す。）であ
る。本磁気記憶素子は情報読出し手段と情報書込み手段
と情報蓄積手段を備えてなり、かつ、該ＶＢＩ、対をブ
ロッホ磁壁内で転送する手段を有している。

このような磁気記憶素子においては情報をＶＢＬ対の形
でストライプドメイン磁壁内に書込み、また、該ＶＢＬ
対という微小領域で表わされる情報単位を読出す手段が
不可欠である。ＶＢＬ対安定保持法については、特願昭
５８−０６５８２６に述べられたように、マイナールー
プを構成するストライプドメイン周辺のブロッホ磁壁に
沿って、膜面内の磁気異方性の向きを局所的に変化させ
る。そうすれば、ストライプドメイン磁壁に沿りて、Ｖ
ＢＬ対が安定に存在する位置とそうでない位置を作りつ
けられる。

もう一つの条件であるＶＢＬ対の１ビツトずつの選択転
送に関しては原理的にはＶＢＬ対に対して磁壁に沿って
駆動する力を与える手段が必要である。

現実的にはＶＢＬ対存在領域に磁壁面に沿う進行波状の
局所面内磁界を与える方法およびストライプドメイン磁
壁にパルスバイアス磁界を加えて、磁壁を動的に移動し
、それに伴なってＶＢＬ対の位置に生じる反作用の一つ
であるジャイロ力を利用することが考えられているが、
前者は現在のところ導体パターンを用いることによって
のみ達成されることから素子の高密度化を狙った場合問
題がある。他方、後者の場合、外部から加えるパルスバ
イアス磁界によって与えられる磁壁駆動力が非常に重要
である。この磁壁駆動力をチップ上各部で一定化するた
めにはストライプドメインをどのようにして安定化させ
るか、つまりストライプドメイン磁壁部のポテンシャル
ウェル形状を適正化することが重要になる。この方法に
ついての技術を図面を用いて詳細に説明する。第７図は
マイナーループ部のストライプドメイン保持層の主要部
の構成図である。第７図（、）に示す基板２の上にスト
ライプドメイン保持層をつける。その表面をストライプ
ドメインをリング状に保持したい部分だけ選択的に溝掘
りして溝３をつける。この幅は、ストライプドメインの
自然幅Ｗ０（無磁界状態での幅）より大きく、かつ２Ｗ
０以下程度とする。この理由は溝境界の膜厚段差部の役
割を考えればわかる。

溝内周側壁１はその内側の凸部が存在するため、リング
状ストライプドメイン４の内側磁壁を当該壁１に引きつ
ける役目をし、溝外周側壁２はリング状ストライプドメ
イン４を初期設定するとき、内側磁壁が溝内周側壁１か
らあまり離れた状態にならないようにするためのガイド
の役目をしている。さらに、溝内周側壁ｌを境界とする
凸部の幅はＷ０以上にしておく必要がある。こうしてお
かないと、ストライプドメイン４を溝の中にリング状に
保持したとき、溝内周側壁１に囲まれた凸部を挾む両側
の直線状ドメイン間の反発相互作用が強くなり、リング
状ストライプドメイン４の内側磁壁が溝内周側壁ｌ直下
にしっかり固定されなくなる。以上の条件を充するよう
に溝３をつけると、ストライプドメインは第７図（ｂ）
のように溝掘り境界である１を内側径とするリング状に
固定される。

在する磁壁）部のポテンシャルウェルの磁壁面法線方向
のプロファイルは主にストライプドメイン幅から決まる
反磁界効果によりて定まり、溝掘り部境界の微細なでき
上りむらに影響されなくなる。

このような磁壁に外部印加パルスバイアス磁界を加えた
場合の磁壁駆動は磁壁５の全体に亘って均−となる。従
って、この磁壁の中にＶＢＬ対の有無の形で記憶した情
報をパルスバイアス磁界印加によってＶＢＬ対に生じる
ジャイロ力を利用して移動させる際に、その移動量をパ
ルスバイアス磁界形状によって制御することが容易にな
る。

第８図はストライプドメインをリング状に形成していく
過程と、この素子で必要条件とされているストライプド
メイン磁壁内にＶＢＬ対で記憶された情報を読出しの際
バブルメインに変換し、あるいは書込みの際メイジャラ
イン７にバブルの有無の形で表わしたデータをストライ
プドメイン磁壁内にＶＢＬ対の形で記憶する機能を果す
ためのゲート部を含む溝掘りパターン形状の一例につい
て具体的動作過程を示す。溝掘り部の尖端３２に導体パ
ターン３０から成るバブル発生器を置く。予め、有効チ
ップ面全体にバイアス磁界１６と同じ向きの磁界を加え
て全体を１６の向きに飽和させておく。その後、適当な
バイアス磁界Ｈｚを加えておく。

その後、このバブル発生器に図示した形状のパルス電流
ＩＱを与えると、３２にバブルを発生し、そのバブルが
溝掘り部８の方に行かず、溝３，３′に伸びるストライ
プドメインになり、その尖端がそれぞれ溝掘り部３５　
、３５’に入ったＵ字型になる。

このようなストライプドメインに対して導体パターン３
３に矢印の向きにパルス電流Ｉｃを与えて。

２つの導体パターンの間の領域でストライプドメインの
内、３５の中に伸びた部分と３５′の中に伸びた部分と
を接合する。接合されたストライプドメインはバイアス
磁界Ｈｚと磁壁の表面エネルギーを最小にしようとする
磁壁表面張力の作用で収縮して最終的には第６図に示す
ような溝の境界１を内側の縁とするリング状ストライプ
ドメインになる。このリング状ストライプドメイン４（
第６図）の外周磁壁５に情報担体であるＶＢＬ対を書込
む。

溝８，８′はブロッホラインメモリに必要なバブルの有
無で情報を表わしたメイジャライン７，７′とＶＢＬ対
の有無の形で情報を記憶しているリング状ストライプド
メイン部とを結ぶゲート用のものである・しかし以上の
方法で、ＶＢＬ対の有無の形で情報を記憶するストライ
プドメイン磁壁で形成した情報記憶部を形成したとき、
情報の書込み、読出しをいかにするかが問題となった。

（発明の目的） 本発明の目的はこのような従来の問題点を除去したマイ
ナーループであるストライプドメイン磁壁土にＶＢＬ対
の有無の形で情報を記憶する際に、ＶＢＬ対を書込む手
段およびＶＢＬ対の有無を読出す手段およびＶＢＬ対を
消去するを有している超高密度記憶素子を提供すること
にある。

（発明の構成） すなわち本発明は情報読出し手段、情報書込み手段およ
び情報蓄積手段を有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化
容易方向とする強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存
在するストライプドメインの境界のブロッホ磁壁中につ
くった相隣る２つの垂直ブロッホラインからなる垂直ブ
ロッホライン対を記憶情報単位として用い、該垂直ブロ
ッホライン対をブロッホ磁壁内で転送する手段を有し、
前記強磁性体膜内の前記ストライプドメインとしてリン
グ状ストライプドメインを用いた磁気記憶素子において
、リング状ストライプドメイン先端部の外周磁壁の一部
をメイジャーライン部に向かつて引き伸ばして安定化さ
せる手段と、前記リング状ストライプドメインの先端部
と一部が重なるように形成される複数の導体パターン及
びメイジャーライン部と前記リング状ストライプドメイ
ン先端部との間であってリング状ストライプドメイン磁
壁の伸長可能領域と交差するように形成される複数の導
体パターン及び前記引伸ばされたリング状ストライプド
メインの一部に沿りてその両側に形成される一対の導体
パターンとからなる導体パターン群とを備えたことを特
徴とする磁気記憶素子である。

（構成の詳細な説明） 本発明は上述の構成をとることにより、情報の記憶およ
び記憶情報の書換え、記憶した情報の読出しを安定して
行えることを示した。以下、本発明の構成例の詳細な説
明をする。

第１図は本発明における情報の消去および書込み部の主
要部の構成を示している。この部分は第８図に示すＶＢ
Ｌ対の有無の列により、情報を記憶しておくリング状ス
トライプドメインの尖端部の溝掘り部８につくりつける
。７はバブルの有無の列で情報を表わすメイジャライン
である０溝掘り部８の出口にはメイジャラインのバブル
安定位置をつくりつけている。第１図に詔いてストライ
プドメイン４は膜表面を溝掘りした領域３の中に溝の内
側壁ｌｌこ接するように配置する。ＶＢＩ、対の有無に
よって表わす情報はストライプドメイン外周磁壁５上に
記憶する。５上の白丸印はピット位置を、６はビットの
間のポテンシャル障壁を表わしている。外部バイアス磁
界の向きは１６に示すように、紙面垂直方向、手前向き
にとる。なお、ＶＢＬ対の駆動はストライプドメイン磁
壁に１６と同じ向きのパルスバイアス磁界を加えて行な
うとする。したがって、以下ではＶＢＬ対は反時計方向
に移動する。いま、リング状ストライプドメインの外周
のピット位置の中で尖端部の３つを１７゜１８．１９と
する。マイナーループ用リング状ストライプドメインの
外周磁壁のピット位置１８には予め、ＯのＶＢＬＩ本を
入れておく。このＶＢＩ、がピット位置１８に安定化さ
れるように第１図にＨｉｐで示した面内磁界を矢印の向
きに加えておく。９゜１０．１１，１２，１２’、１３
−１４−１５は情報の消去、書込み用の導体パターン群
であり、１５は他の導体パターンと電気的に絶縁された
配置になっている。１１，１３．１４は直下のストライ
プドメイン保持層Ｊ（Ｈｉ　ｐと逆向きの局所面内磁界
を発生するもの、９はビット位ｔ１８と１７．１９の分
離をよくするため、消去、書込み動作中、ストライプド
メイン保持層にＨｉｐと同じ向きの面内磁界を与える。

なお、９の下はピッ）ｔｌ壁になるようにしである。１
０は溝８の中に引伸したストライプドメイン尖端が７に
伸び出すのを防ぐ向きのバイアス磁界を与えることと、
ＶＢＬ対を書込む役目をし、導体パターン、１１は引伸
したストライプドメイン尖端にＶＢＬをトラップする役
目ももつ。１４はＶＢＬをその右側ｌこトラップする役
目もしている。１２　、１２’は引伸したストライプド
メインの中途を切断するための導体パターンである。

まず、消去動作について第３図を用いて瞳側に説明する
。いま、簡単のため、情報担体であるＶＢＬ対は第３図
（ａ）に示すようにビット位置１７．１８１こあるとす
る。これを１ビツト転送すると第３図（ｂ）のようにな
る。この状態に対して９＃１１，１３１４に前記役割を
果すように所定向きの電流を与えると、尖端部の３本の
ＶＢＬは第３図（ｃ）のように分離される。その状態に
対して、１５に第３図（ｄ）に示す向きの電流を与える
と、リング状ストライプドメインの尖端は溝８の中に引
伸ばされる。同時に１０に前記の電流を与えて溝８の中
でのストライプドメインの伸びを調整すると、（４）の
状態が得られる。その後１０，１１，９，１５以外の電
流を切ると、第３図（、）に示すように、リング状スト
ライプドメインの尖端部にトラップされていたＶＢＬＺ
本がＨｉｐの作用で１１の右端まで移動してくる。この
後１２．１２’に反平行電流を与えて、それらの中間の
領域で、第３図（ｆ）に示すようにストライプドメイン
を切断する。それｌこ引続いて、１０゜１１の電流を切
ると、第３図（ｇ）に示すように切断されたバブルは切
断されたストライプドメイン尖端との反発相互作用のた
め、メイジャライン７へ移される。そしてストライプド
メイン尖端も伸びる。ここで、またび１０に電流を与え
つつ、バブルをメイジャラインに沿ってバブル消去器へ
転送する。そうすると、ストライプドメイン磁壁中の消
去したいＶＢＬ対はバブルとともに消去される。

第３図（ｈ）はこの状態を示している。つまり、古い情
報用ＶＢＬ対が消去されている。なお、第３図（ｆ）。

（ｇ）の過程で切断されたストライプドメイン尖端が８
内で右方に縮まないのはリング状ストライプドメイン尖
端との間に磁壁の曲率が逆になっている部分が存在して
いるからである。以上はＶＢＬ対の消去動作である。次
に第３図（ｈ）の状態にメイジャラインの相対するピッ
ト位置にバブルがないカするかに対応してＶＢＬ対を書
込む手順をそれぞれ第４図に示す。第４図（ｂ）の７の
領域に上から下に走るメイジャラインにバブルの有無の
列で表わした情報１頁分を入れる。第４図は溝８の出口
のピット位置にバブルがない場合を示している。引伸し
たストライプドメイン尖端は第４図の（ａ）に示すよう
に１０の電流によって決まる位置に安定化されている。

次に９．１１，１３．１４に前記の電流を与えると同時
に、１０にいま与えている電流と同じ向きのパルス電流
を与えると、ＶＢＬは第４図の（ｂ）に示す位置までく
る。この状態で１０．１４゜１５以外の導体電流を切る
。引続いてまたび１０にいま、与えている電流と同じ向
きに、前より強いパルスｔｉを与えて■、ＯのＶＢＬ対
を書込む。

書込まれた状態を第４図の（ｃ）に示す。この■、０Ｖ
ＢＬ（７）内で、（：）（Ｄ　ＶＢＬ　！ｔ　Ｈｉ　ｐ
　）作用で第４図の（ｄ）に示す１４の左端に安定化さ
れる。この状態で１２　、１２’に反平行電流を与え、
それらの中間領域で、第４図の（ｅ）に示すようにスト
ライプドメインを切断する。そうすると、尖端を切りと
られたストライプドメイン尖端に新たにＣ）ＶＢＬが入
る。

そして１０．１４の電流を切ると、第４図（ａ）の（ｆ
）に示すように、バブルはメイジャライン７に押出され
る。その後バブルはメイジャラインに沿りてバブル消去
器へ転送され、同時に１５にはいままでの逆向きのパル
ス電流を与えて引伸したストライプドメインをリング状
ストライプドメイン尖端に押込み、第４図の（ｇ）に示
す状態にする。この状態になったとき、９に与えていた
電流も切る。第４図（ａ）〜ｔｇｌに示す以上の動作に
よりてメイジャラインの相対するビット位置にバブルが
ない場合。

ＶＢＬ対がリング状ストライプドメイン尖端部のビット
位置１８に書込まれる。次にメイジャラインの相対する
ビット位置にバブルがある場合、ＶＢＬ対が書込まれな
いことを第４図（ｈ）以下を使って説明する。第４図の
（ｈ）は第３図（ｈ）の状態で相対するメイジャーライ
ンに情報担体であるバブルが釆た状態を示している。ス
トライプドメイン尖端がバブルとの相互作用で溝８の中
を石方に移動し、ＶＢＬ対書込み導体パターン１０から
遠避けられている。

この状態に対して９，１１，１３，１４に前記の電流を
与えると同時に１０にいま与えている電流図（ａ）〜（
ｇ）に示すと同様の電流列を与えても引伸したストライ
プドメイン尖端にはＶＢＬ対は書込まれない。したがっ
て、１２　、　ｌ　２’に反平行電流を与えてそれらの
中間領域でストライプドメインを切断しようとしても、
その部分のストライプドメイン磁壁の磁化が上側の磁壁
と下側の磁壁とで互いに逆向きになっていて１％願昭６
７−１８２３４６号に示す機構により、切断されない。

最終的には第４図の（、）に示す状態となり、メイジャ
ーラインの相対するビット位置にバブルがある場合、　
ＶＢＩ。

対がリング状ストライプドメイン尖端部のビット位置１
８に書込まれない。次にＶＢＬ対の有無の列でリング状
ストライプドメインの外周磁壁に記憶されている情報を
バブルの有無に変換して読出す読出し部の主要部の構成
を第２図に示す。この部分は第６図に示すＶＢＬ対の有
無の列により、情報を記憶しておくリング状ストライプ
ドメインの尖端部の溝掘り部８′につくりつける。１は
バブルの有無の列で情報を表わすメイジャーラインであ
る。

８′の出口にはメイジャーラインのバブル安定位置がつ
くりつけである。第２図においてストライプドメイン４
は膜表面を溝掘りした領域３の中に溝の内側壁１に接す
るように配置する。ＶＢＬ対の有無によって表わす情報
はストライプドメイン外周磁壁５上に記憶する。５上の
白丸印はビット位置を、６はビットの間のポテンシャル
ｆ！［を表わしている。外部バイアス磁界の向きは１Ｇ
に示すように、紙面垂直方向１手前向きにとる。なお、
ＶＢＬ対の駆動はストライプドメイン磁壁に１６と同じ
向きのパルスバイアス磁界を加えて行なうとする。

したがって、以下ではＶＢＬ対は反時計方向に移動する
。いま、リング状ストライプドメインの外周のビット位
置の中で尖端部の３つを２７．２８．２９とする。マイ
ナーループ用リング状ストライプドメインの外周磁壁の
ビット位置２８には予め、ＯのＶＢＬを１本人れておく
。このＶＢＬがビット位置２８に安定化されるように第
２図にＨｉｐで示した面内磁界を矢印の向きに加えてお
く。２０，２１゜２２．２３，２３’、２４，２５，２
６は情報の読出し用の導体パターン群であり、２６は他
の導体パターンと電気的ｌご絶縁された配置になってい
る。

２２．２４．２５は直下のストライプドメイン保持層に
Ｈｉｐと逆向きの局所面内磁界を発生するもの、２０は
ビット位置２８と２７．２９の分離をよくするため、読
出し動作中、ストライプドメイン保持層にＨｉｐと同じ
向きの面内磁界を与える。

なお、２０力下はビット障壁になるように細工しである
。２１は溝８′の中に引伸したストライプドメイン尖端
が７′に伸び出すのを防ぐ向きのバイアス磁界を与える
ことを役目としている。２５はＶＢＬをその左側にトラ
ップする役目をしている。２３゜２３′は引伸したスト
ライプドメインの中途を切断するための導体パターンで
ある。読出し動作を第５図を用いて、それぞれ尖端に情
報担体であるＶＢＬ対がない場合、メイジャーラインに
バブルがでてこないこと、ＶＢＬ対がある場合バブルが
でてくる経過を順を追って説明する。

以下の読出し動作はその前の１ビツト転送のところから
説明する。嬉５図（ａ）〜（ｈ）の場合、まず。

１ビツト転送すると、第５図の＜８）が（ｂ）の状態に
なり、尖端には清報担体であるＶＢＬ対はない。この第
５図の（ｂ）の状態で、導体パターン２０，２２゜２４
．２５に前記の役割を果すように所定向きの電流を与え
ると、尖端部のＶＢＬは第５図の（（１）に示すように
、２５の左側に保持される。この状態で２６に第５図の
（ｄ）に示す同きに電流を与えると、リング状ストライ
プドメインの尖端は溝８′の中に引伸ばされる。同時に
２１に前記の電流を与えて￥＃８′の中でのストライプ
ドメインの伸びを調整すると、斡）の状態が得られる。

その後、２１，２５゜゛２０，２６以外の電流を切り、
この後２３　、２３’に反平行電流を与えてそれらの中
間の領域でストライプドメインを切断しようとする。し
かし、その部分のストライプドメイン磁壁の磁化が上側
の磁壁と、下側の磁壁とで互いに逆向きになってぃ第５
図の（ｇ）に示すように、２６に矢印で示す向きにパル
ス電流を与え、引伸ばしたストライプドメインをマイナ
ーループであるリング状ストライプｔ’ｔインに押込む
。そして、２１，２５．２σの電流をすべて切る。最終
的には第５図の（ｈ）に示すように、情報担体であるＶ
ＢＬ対が２８にないｄはメイう一ライン７′の相対する
ビット位置にはバブルはでてこない。

第５図（ｉ）〜（ｐ）は尖端に読出したい情報担体であ
るＶＢＬ対がある場合の読出し部動作を説明している。

予め１ビツト転送して尖端部のビット位１１２８′に隣
りのビット位［２７からＶＢＩ、対が転送されてきた第
５図の（ｊ）の状態に対して２０，２１，２２゜２４．
２５に前記の所定の電流を与えると、第５図の（１）に
示すビット位置２８の３本のＶＢＬ対は２５を挾んで、
第５図（ｂ）の（ｋ）に示すように３本に分離される。

その後２６に第５図の（１）に矢印で示す向きに電流を
与えると、リング状ストライプドメインの尖端は溝８′
の中に（１）ｆこ示すように引伸ばされて、２１の電流
によって調整された位置に安定化される。この状態に対
して、２３，２３’に反平行電流を与えて、それらの中
間の領域でストライプドメインを第５図の−に示すよう
に切断する。

その後、２１の電流１を切ると、切断されたバブルは第
５図の−に示すように、切断されたストライプドメイン
尖端との反発相互作用により、メイジャーラインへ送り
出される。その後、第５図の（、）に示す矢印の向きに
２６にパルス電流を与えて引伸したストライプドメイン
をマイナーループであるリング状ストライプドメイン尖
端に押込むと第５図の（、）に示すようになる。最終的
には２５の電流も切って第５図の（ｐ）になり、読出し
動作を終える。メイジャーラインの相対するビット位置
にバブルがでてくると同時にマイナールーズの相対する
ビット２８に情報担体であるＶＢＬ対が：復製されてい
て、この絖出し部では情報は非破壊でＶＢＬ対の有無が
バブルの有無に変換されている。

第６ｉ図にはリング状ストライプドメイン外周磁壁を利
用したマイナーループとその中の第１図。

第２図のビット位置の相対関係を示している。第１図、
第２図のＶＢＬ対消去、薔込み、読出し動作手順かられ
かるように両者の導体パターンは本質的に同じとみなせ
る。したがりて、上記３つの動作をすべてリング状スト
ライプドメインのどちらか一方の尖端部例えば第６図の
７，８の側で行なうことができるのはいうまでもない。

また第１示される数より少ない場合又は多い場合もある
うるが少なくとも２本以上は必要である。第２図中の２
１．２２，２３．２３’、２４についても同様である。

また第１図の９．１４．第２図の２０゜２５についても
２本より多い場合が可能である。

（発明の効果） 本発明により、リング状ストライプドメイン外周磁壁を
情報記憶部とするブロッホラインメモリの情報書込み法
、情報消去法および情報続出し法が確立され、従来のス
トライプドメインをそのまま利用していたものにくらべ
て動作が非常ｌこ安定化された。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はそれぞれ本発明の情報書込み部、消去
部および情報読出し部を示している。第第１図、第２図
とリング状ストライプドメインとの相対位置関係の一例
である。第７図はリング状ストライプドメイン形成法を
示す図、第８図はリング状ストライプドメインの発生器
と結合器を示す図。図において、１はストライプドメイ
ン保持層を選択溝掘りした部分の溝内側壁、２は溝外側
壁、３はリング状ストライプドメイン保持用溝掘り部、
４はリング状ストライプドメイン、５はリング状ストラ
イプドメインの外周磁壁、６はビット位置とビット位置
の中間Ｉこ設定したビット障壁。 ７．７′はメイジャーライン部、８はリング状ストライ
プドメインとメイジャーライン部７とを接続する溝掘り
部、９，１０，１１，１２，１２’。 １３．１４，１５は導体パターン、１６はバイアス磁界
向き、１７，１８，１９はＶＢＬ対に対するビット位置
、図中５上の他の白丸印もビット位置を示している。２
０　、２１　、２２　、２３　、２３’、２４２５．２
６は導体パターン、２７．２８．２９を含む５上の白丸
印はＶＢＬ対に対するビット位置を示している。３０は
導体パターン、３１は３０に与えるパルス電流、３２は
バブル発生部、３３はストライプドメイン切断用導体パ
ターン３４は３３に流すパルス電流向き、３５，３ダは
ストライプドメイン尖端部ガイド用溝掘り部を示してい
る。 第３図 第４図 第　４　図 第　５　図 第５図 ″　　　　　　　　　　　　　　　　　−１）　　　　
　　　　　　　　　　　　　＜−が　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　ζ−−一”＜　　　　　　
　　　　　　　　　　ＥＮ−−一 第　７　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 情報読出し手段、情報書込み手段および情報蓄積手段を
   有し、かつ、膜面に垂直な方向を磁化容易方向とする強
   磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するストライプ
   ドメインの境界のブロッホ磁壁中につくった相隣る２つ
   の垂直ブロッホラインからなる垂直ブロッホライン対を
   記憶情報単位として用い、該垂直ブロッホライン対をブ
   ロッホ磁壁内で転送する手段を有し、前記強磁性体膜内
   の前記ストライプドメインとしてリング状ストライプド
   メインを用いた磁気記憶素子において、リング状ストラ
   イプドメイン先端部の外周磁壁の一部をメイジャーライ
   ン部に向かって引き伸ばして安定化させる手段と。 前記リング状ストライプドメインの先端部と一部が重な
   るように形成される複数の導体パターン及びメイジャー
   ライン部と前記リング状ストライプドメイン先端部との
   間であってリング状ストライプドメイン磁壁の伸長可能
   領域と交差するように形成される複数の導体パターン及
   び前記引伸ばされたリング状ストライプドメインの一部
   に沿ってその両側に形成される一対の導体パターンとか
   らなる導体パターン群とを備えたことを特徴とする磁気
   記憶素子。