JPH02235334A - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents
集積回路装置の製造方法Info
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- JPH02235334A JPH02235334A JP5710289A JP5710289A JPH02235334A JP H02235334 A JPH02235334 A JP H02235334A JP 5710289 A JP5710289 A JP 5710289A JP 5710289 A JP5710289 A JP 5710289A JP H02235334 A JPH02235334 A JP H02235334A
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- photoresist
- polyimide resin
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- polyimide
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路装置の製造方法に関し、特にフォト
レジストをマスクとして、ポリイミド樹脂を酸素を主成
分とするプラズマでエッチングする方法に関する。
レジストをマスクとして、ポリイミド樹脂を酸素を主成
分とするプラズマでエッチングする方法に関する。
従来、ポリイミド樹脂を酸素を主成分とするプラズマで
エッチングする方法は、フォト・レジストの膜厚をポリ
イミド樹脂の膜厚の１．５倍以上としてエッチングする
技術、あるいは、メタルをマスクとして、エッチングす
る技術とがある。
エッチングする方法は、フォト・レジストの膜厚をポリ
イミド樹脂の膜厚の１．５倍以上としてエッチングする
技術、あるいは、メタルをマスクとして、エッチングす
る技術とがある。
上述した従来技術において、フォトレジストをエッチン
グのマスクとする場合は、酸素を主成分とするプラズマ
に対して、フォトレジストとポリイミド樹脂との選択比
がとれない為、フォトレジストをポリイミド樹脂の１．
５倍以上の膜厚にする必要があり、微細化に適さないと
いう欠点がある。
グのマスクとする場合は、酸素を主成分とするプラズマ
に対して、フォトレジストとポリイミド樹脂との選択比
がとれない為、フォトレジストをポリイミド樹脂の１．
５倍以上の膜厚にする必要があり、微細化に適さないと
いう欠点がある。
一方、メタルをエッチングのマスクとする場合は、マス
クメタルの形成、パターニング及びその除去工程が追加
される為、工程が長くなるという欠点がある． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の基本構成は、ポリイミド樹脂上にスピン塗布し
たフォトレジストを通常のフォトリソグラフィ技術によ
り、所定のレジストパターンに形成する工程、アルキル
シラン雰囲気中で，Ｓｉ基板全面に紫外線を照射し、レ
ジスト表面なシリル化し、耐酸素プラズマ性を向上さｈ
る工程、シリル化したレジストをマスクとして、酸素を
主成分とするプラズマで、ポリイミド樹脂をエッチング
する工程、薬品によりフォトレジストを化学的に剥離す
る工程から成っている。
クメタルの形成、パターニング及びその除去工程が追加
される為、工程が長くなるという欠点がある． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の基本構成は、ポリイミド樹脂上にスピン塗布し
たフォトレジストを通常のフォトリソグラフィ技術によ
り、所定のレジストパターンに形成する工程、アルキル
シラン雰囲気中で，Ｓｉ基板全面に紫外線を照射し、レ
ジスト表面なシリル化し、耐酸素プラズマ性を向上さｈ
る工程、シリル化したレジストをマスクとして、酸素を
主成分とするプラズマで、ポリイミド樹脂をエッチング
する工程、薬品によりフォトレジストを化学的に剥離す
る工程から成っている。
このように、本発明では、適性な膜厚のフォトレジスト
をポリイミドエッチングのマスクとするので、微細化に
適し、更に、メタルを用いないので、工程の追加が最小
限ですむ。
をポリイミドエッチングのマスクとするので、微細化に
適し、更に、メタルを用いないので、工程の追加が最小
限ですむ。
本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
第１図は、ポリイミド樹脂を多層配線の層間絶縁膜とし
て用いた場合に、本発明を適用した実施例である。Ｓｉ
基板の主表面に熱酸化膜から成る絶縁膜を介し、Ａｆｆ
−１％Ｓｉから成る第１層目の配線金属を、厚さ約１．
０μｍスパッタにより堆積し、通常のフォトリソグラフ
ィ技術により、所定のパターンに形成する。（第１図−
ａ）ポリイミド前駆体をスピン塗布した後、３００〜４
００℃，３０〜６０分窒素雰囲気にて熱処理を行い、脱
水閉環反応によりポリイミド樹脂を１，Ｏ〜２．０μｍ
の膜厚で形成する。フォトレジストを、膜厚１．０〜１
．５μｍスピン塗布し、通常のフォトリソグラフィ技術
により、所定のレジストパターンを形成する。
て用いた場合に、本発明を適用した実施例である。Ｓｉ
基板の主表面に熱酸化膜から成る絶縁膜を介し、Ａｆｆ
−１％Ｓｉから成る第１層目の配線金属を、厚さ約１．
０μｍスパッタにより堆積し、通常のフォトリソグラフ
ィ技術により、所定のパターンに形成する。（第１図−
ａ）ポリイミド前駆体をスピン塗布した後、３００〜４
００℃，３０〜６０分窒素雰囲気にて熱処理を行い、脱
水閉環反応によりポリイミド樹脂を１，Ｏ〜２．０μｍ
の膜厚で形成する。フォトレジストを、膜厚１．０〜１
．５μｍスピン塗布し、通常のフォトリソグラフィ技術
により、所定のレジストパターンを形成する。
上記、Ｓｉ基板を揮発性の７ルキルシラン雰囲気中で、
２５４ｎｍ，１８４ｎｍのスペクトルを含む紫外線を５
〜ＩＯ分照射する。
２５４ｎｍ，１８４ｎｍのスペクトルを含む紫外線を５
〜ＩＯ分照射する。
光化学反応により、フォトレジスト表面がシリル化し、
耐酸素プラズマ性が向上する。（第１図−ｂ） 平行平板型のりアクティブ イオン エッチャー（Ｒ
Ｉ Ｅ）により，酸素ガスを分解し、エッチングを行う
．この時、ポリイミド樹脂は、酸素プラズマによりエッ
チングされるが、フォトレジスト表面は、シリル化され
ている為、酸素プラズマによるエッチングレートは、シ
リル化を行っていないフォトレジストのｌ／１ ０〜１
／５ｏになりフォトレジストをマスクにポリイミドのエ
ッチングが可能になる．（第１図−Ｃ）フェノール系の
薬品により、フォトレジストを剥離した後、スパッタに
よりＡＩｌ−１％Ｓｉから成る第２層目の配線金属を約
ｌ．Ｏμｍ堆積し、通常のフォトリソグラフィ技術によ
り、所定のパターンに形成し、多層配線を実現する．（
第１図−ｄ） 本発明の他の実施例について、第２図を参照して説明す
る．本実施例はポリイミド樹脂なバ，シベーションとし
て用いた場合に本発明を適用した実施例である． 第２図−ａ迄は、実施例１０図１−ａと同様であるので
説明を省略する。ポリイミド前駆体を、スピン塗布した
後、３００〜４００℃，３０〜６０分窒素雰囲気にて熱
処理を行い、脱水閉環反応により、ポリイミド樹脂を、
２．０〜４．０μｍの膜厚で形成する。その他の部分は
、第１図一ｂの説明と同様であるので省略する。（第２
図−ｂ）第２図一〇の説明は、図１−ｃの説明と同様で
あるので省略する。フェノール系の薬品により、フォト
レジストを剥離して、ポリイミドバッシベーションを実
現する．（第２図−ｄ）〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、ポリイミド樹脂上に形
成したフォトレジストパターンの表面を、アルキルシラ
ン雰囲気中で紫外線を照射することにより、光化学反応
でシリル化を行い、フォトレジストの耐酸素プラズマ性
を向上させる技術であり、この技術により、適性な膜厚
のフォトレジストで、ポリイミド樹脂のバターニングが
可能になり、微細化し易いという効果がある。また、エ
ッチングのマスクとしてメタルを用いないので、工程を
簡略出来るという効果がある。
耐酸素プラズマ性が向上する。（第１図−ｂ） 平行平板型のりアクティブ イオン エッチャー（Ｒ
Ｉ Ｅ）により，酸素ガスを分解し、エッチングを行う
．この時、ポリイミド樹脂は、酸素プラズマによりエッ
チングされるが、フォトレジスト表面は、シリル化され
ている為、酸素プラズマによるエッチングレートは、シ
リル化を行っていないフォトレジストのｌ／１ ０〜１
／５ｏになりフォトレジストをマスクにポリイミドのエ
ッチングが可能になる．（第１図−Ｃ）フェノール系の
薬品により、フォトレジストを剥離した後、スパッタに
よりＡＩｌ−１％Ｓｉから成る第２層目の配線金属を約
ｌ．Ｏμｍ堆積し、通常のフォトリソグラフィ技術によ
り、所定のパターンに形成し、多層配線を実現する．（
第１図−ｄ） 本発明の他の実施例について、第２図を参照して説明す
る．本実施例はポリイミド樹脂なバ，シベーションとし
て用いた場合に本発明を適用した実施例である． 第２図−ａ迄は、実施例１０図１−ａと同様であるので
説明を省略する。ポリイミド前駆体を、スピン塗布した
後、３００〜４００℃，３０〜６０分窒素雰囲気にて熱
処理を行い、脱水閉環反応により、ポリイミド樹脂を、
２．０〜４．０μｍの膜厚で形成する。その他の部分は
、第１図一ｂの説明と同様であるので省略する。（第２
図−ｂ）第２図一〇の説明は、図１−ｃの説明と同様で
あるので省略する。フェノール系の薬品により、フォト
レジストを剥離して、ポリイミドバッシベーションを実
現する．（第２図−ｄ）〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、ポリイミド樹脂上に形
成したフォトレジストパターンの表面を、アルキルシラ
ン雰囲気中で紫外線を照射することにより、光化学反応
でシリル化を行い、フォトレジストの耐酸素プラズマ性
を向上させる技術であり、この技術により、適性な膜厚
のフォトレジストで、ポリイミド樹脂のバターニングが
可能になり、微細化し易いという効果がある。また、エ
ッチングのマスクとしてメタルを用いないので、工程を
簡略出来るという効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の工程断面図、第２図は、
本発明の他の実施例の工程断面図である。 ｌ・・・・・・Ｓｉ基板、２・・・・・・熱酸化膜、３
・・・・・・第１層目配線金属、４・・・・・・ポリイ
ミド樹脂、５，５′・・・・・・フォトレジスト、６・
・・・・・第２層目配線金属、７・・・・・・配線金属
（ポンデイングノ｛ツド）、８・・・・・・配線金属。 代理人 弁理士 内 原 晋
本発明の他の実施例の工程断面図である。 ｌ・・・・・・Ｓｉ基板、２・・・・・・熱酸化膜、３
・・・・・・第１層目配線金属、４・・・・・・ポリイ
ミド樹脂、５，５′・・・・・・フォトレジスト、６・
・・・・・第２層目配線金属、７・・・・・・配線金属
（ポンデイングノ｛ツド）、８・・・・・・配線金属。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- Ｓｉ基板の表面に所定パターンの導体金属層を形成する
工程、ポリイミド前駆体を塗布した後、キュアを行い、
イミド化を行う工程、フォトレジストを塗布し、通常の
フォトリソグラフィ技術により、レジストパターンを形
成する工程、アルキルシラン雰囲気中で、Ｓｉ基板全面
に紫外線を照射し、レジスト表面をシリル化する工程、
シリル化したフォトレジストをマスクにポリイミドを酸
素を主成分とするプラズマによりエッチングする工程、
フォトレジストを剥離する工程とを含有することを特徴
とする集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5710289A JPH02235334A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5710289A JPH02235334A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02235334A true JPH02235334A (ja) | 1990-09-18 |
Family
ID=13046145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5710289A Pending JPH02235334A (ja) | 1989-03-08 | 1989-03-08 | 集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02235334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427720B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2004-04-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
-
1989
- 1989-03-08 JP JP5710289A patent/JPH02235334A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427720B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2004-04-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
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