JPH02235339A - バイポーラトランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路装１等用の高耐圧トランジスタに適す
るバイポーラトランジスタであって、一方の導電形のコ
レクタ領域と、コレクタ頷域内に他方の導電形で作り込
まれたベース領域と、ベース領域内に一方の導電形で作
り込まれたエミッタ領域とを備えるものに関する． 〔従来の技術］ 周知のように、バイボーラトランジスタはバイボーラ形
やＢｉＭＯＳ形の集積回路装置等に広く用いられる基本
的な回路要素であるが、最近ではこれらの出力側にバイ
ボーラトランジスタを組み込んで負荷を駆動させる場合
が多くなって来た．従って、バイポーラトランジスタに
高耐圧や大電流性能が要求される場合が多く、このため
従来から種々の工夫がなされて来た．第４図および第５
図にその代表的な従来構造を示す． 第４図は高耐圧用に適するグラフトー・−ス構造のｎｐ
ｎ　トランジスタを集積回路装置に組み込んだ状態で示
す．集積回路装置用のｐ形基Ｆｉｌの表面の所定範囲に
あらかじめ埋込層２を強いｎ形で拡散して置いた後、エ
ビタキシャルＮ３をｎ形で成長させ、その表面から所定
範囲を囲んで分離層４を強いｐ形で基＃Ｆｉ．ｌに達す
るように深く拡散して基仮ｌからエビタキシャル層３を
島状の領域に接合分離し、この領域をコレクタ領域とし
てバイボーラトランジスタを作り込む。

図のトランジスタは縦形なので、埋込層２からコレクタ
端子Ｃを導出するために、強、いｎ形の低抵抗層５を深
く拡散して埋込層２と接続する．次に、ベース餠埴８を
作り込むべき範囲を囲む環状パターンでｐ形のグラフト
ベース領域６を低不純物濃度で深目に拡散して置き、そ
の内側周縁と重なるようにＰ形のベース領域８をそれよ
りは浅口に拡散し、さらにその内部にエミッタ領域９を
強いｎ形で作り込む．コレクタＣ．ベースＢおよびエミ
ッタＥ用の端子は、簡略化のため図から省かれた金属の
電極膜を酸化膜等の絶縁膜１０に明けた窓部内で対応す
る領域表面に導電接触させることにより導出される． コレクタ端子Ｃとベース端子Ｂとの間に高電圧が掛かっ
たとき、よく知られているようにベース頷域８の底の周
縁の隅部に電界が集中して耐圧が低下しやすいが、この
隅部を囲むように低不純物濃度のグラフトｔｉＪ城６が
深く拡散されてその曲率半径が大きいので、電界集中が
緩和されて耐圧値が向上される． 第４図では電子ｅの流れが細い矢印で示されており、こ
れによる電流はエミッタ領域９の底面のほか図のように
その底の周縁部にかなり集中して流れる．第５図に示す
バイボーラトランジスタの溝造では、このエミッタ領域
８の底の周縁部の電流貢献度を上げために、ベース頚域
８内にエミッタ間域９が複数個作り込まれており、この
構造によって大電流容量のトランジスタを狭いチップ面
積内に作り込むことができる。もちろん、この第５図の
トランジスタのベース頗域８の周縁に第４図のグラフト
領域６を設けることにより、その耐圧値を向上すること
ができる． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述のように、第４図のグラフトベース横道は高耐圧化
を図る上で非常に有効な手段であるが、この手段で耐圧
値を高めるにはそれに応じてチノプ面積を大きくしなけ
ればならない問題があり、とくにｉｏｏｖ以上に耐圧値
を高め、あるいは高耐圧化と大電流容量化を同時に果た
したいときにチップ面積が相当に大きくなる． すなわち、第４図のグラフト領域６は電界集中を緩和で
きる程度に大きな曲率半径で作り込まねば効果がなく、
このためにはその縦力向の拡散深さを必要な耐圧値に応
じて充分大きくする必要があり、これに伴って拡散が横
方向にも広がってしまうからである．また、第４図から
わかるようにベース研域８の底よりもグラフ｝　６１域
６が図の下方に突出し、エミッタ領域９の底の隅部から
の電子ｅの流れがこれによって阻害されると電流容量が
低下するので、グラフト領域６をエミッタ領域９から横
方向に充分離す必要があり、このためチップ面積がさら
に大きくなってしまう．第５図の大電流容量構造のバイ
ボーラトランジスタを高耐圧化する際にも同様な問題が
あることはもちろんである． 本発明はかかる問題を解決して、高耐圧化と．くにｉｏ
ｏｖ以上に耐圧値を上げるに際してチップ面積を従来よ
りも縮小でき、かつ同時に電流容量をできるだけ高める
に通した構造のバイポーラトランジスタを得ることを目
的とする． 〔！１題を解決するための手段〕 この目的は本発明によれば、一方の導電形のコレクタ碩
域と、コレクタ領域内に他方の導電形で作り込まれたベ
ース間域と、ベース領域内に一方の導電形で作り込まれ
たエミッタ領域とを備える縦形構造のバイボーラトラン
ジスタに対し、コレクタｅＭＭとベース領域の表面の少
なくともベース顛域の周縁を含む範囲に絶縁膜を介して
対峙する電極を設け、ｔＦｉにベース頷域とほぼ等しい
電位を賦与することによって達成される． なお、上記構成中の電極は電界効果トランジスタのゲー
トと同様に多結晶シリコンで構成するのが最も好適であ
る．この電極は原理的にはベースＭ域と等電位に接続さ
れるが、適用回路によってエミッタ領域と等電位に接続
する方が望ましい場合がある．この電極下の絶縁膜には
酸化膜が好適で、その厚みは一様であってよいが、コレ
クタ領域上のその一部をベース領域の周縁付近よりも厚
く形成する方がコレクタ領域内の空乏層の広がりを適度
にする上で望ましい場合がある．本発明は、最も簡単に
は単一のベース領域内に単一ないし複数個のエミッタ領
域を作り込む横遺のバイボーラトランジスタに通用でき
るほか、複数個のベース頷域内にそれぞれ単一のエミッ
タ領域を作り込む構造にも通用して、ストライプ状の電
極を隣合わせのベース領域に共通に設けることができる
，後者の場合、ベース領域群を外側から囲むように環状
の電極を設けることができるが、場合によってはこの環
状１極のかわりにグラフト領域を設ける方が宵利になる
． さらに、本発明の実施上は、電界効果トランジスタにお
けるようにそのゲートに対応する電極をマスクとして、
ベース領域およびエミッタ領域をイオン注入法によるい
わゆる自己整合拡散によって作り込むのが最も有利であ
る．この際、電極は前述のようにコレクタ領域およびベ
ース領域の周縁を含む少なくとも一部の表面だけでなく
、べ一ス碩城およびエミッタ領域の周縁を含む一部の範
囲の表面にも絶縁膜を介して対峙するように設けられる
ことになる． 〔作用〕 周知のようにバイボーラトランジスタの耐圧値はふつう
そのオフ状態時にコレクタ頷域とベース領域との間に掛
け得る最大電圧であり、この電圧が掛かったとき両領域
のｐｎ接合面がら空乏層が主にコレクタ闘域内に広がる
が、この空乏層の広がりが充分でないと前述のようにベ
ース領域の底の隅部に電界が集中して耐圧値が低下する
．本発明は上記構成にいう電極によってこの空乏層の広
がりを助長して耐圧値を向上させるもので、第１図を参
照しながらその作用を説明する． 第１図（ａ）において、第４図と同じくｎ形のコレクタ
領域３内にｐ形のベース領域８が．さらにその中にｎ形
のエミッタ領域９がそれぞれ作り込まれている．これら
の碩域の表面はふつうは酸化膜である薄い絶縁膜１０に
より覆われ、コレクタ領域３とベース領域８の表面の両
頭域間のｐｎ接合面であるベース領域８の周縁を含む範
囲上に、この絶縁１１！Ｉ！１０を挟んで多結晶シリコ
ン等からなる本発明による電ｔ！ｉ　７が設けられる． さらに本発明では、この電極７にベース領域とほぼ等し
い電位が与えられる．この電極７の電位による絶縁膜１
０を介する静電誘導により、コレクタ領域３およびベー
ス領城８の表面における空乏層υＬの広がりが影響され
るが、その広がりは電極７と同電位であるベース領域８
側では若干抑制され、これとは逆導電形のコレクタＭＪ
ｉ１３側では逆に助長される．一方、ベース頷域８の底
の下側のコレクタ９Ｒ域３内への空乏層ＤＥ．の広がり
は７４極７の存在とはもちろん無関係である． このように、コレクタ領域３内の空乏層ＤＬの広がりが
縦方向には助長されず、その表面部で横方向に助長され
る結果、空乏層ＤＬの形状は図でハッチッグを付して示
したようになり、その底の隅部の曲率半径Ｒがベース頷
域８の底の隅部の曲率半径ｒより図示のようにずっと大
きくなり、これによって電界集中が著しく緩和される．
なお、コレクタ領域３の表面での空乏層ＤＬの広がりは
、絶緑ａｔＯの厚みによって若干異なるが、電極７の幅
でかなり正確に制御することができる． ．これからわかるように、本発明による電極７はベース
領域の底の隅部の電界集中を緩和して耐圧値を向上する
上で従来のグラフトベース頭域と等価な機能を持つが、
図から容易にわかるように、それとは異なりエミッタ領
域９の底の隅部からの電子ｅの流れを阻害することがな
《、従って本発明はグラフトベース構造よりも大電流用
に適する特長を有する． このため、本発明では電極７をエミッタ領域９と重ね合
わせても差し支えがなく、むしろそうすることによって
ｉｉ　Ｊ４　７をマスクとするイオン注入法によってベ
ース領域８とエミッタ領域９とを自己整合的にコレクタ
領域３内に作り込むことができる．これによって製作が
容昂になるとともに、コレクタ却域３とエミンタ領域９
との間のベース領城８の表面の幅を狭くできる利点が得
られる．もちろんこの場合はベース領域８の表面は電極
７で覆われるが、電極７によってベース領域８の表面に
おける空乏層ＯＬの広がりが抑制されることがこの際に
有利に働く． 第１図（ｂ）に示す本発明を通用した構造では、ベース
領域８内にエミッタ領域９を作り込んだ構造が複数個設
けられ、電極７が隣合わせのかかる構造に対して図示の
ように共通に設けられる．２個のベース頷域８の相互間
隔を充分狭い目に選定することにより、チップ面積を極
力縮小するとともに、両ベース領域８からコレクタ頷域
３内に広がる空乏層ＤＬを図示のように互いに融合させ
、曲率半径Ｒを第１図（ａ）の場合よりも大きくして耐
圧値をさらに向上するができる．もちろん、この構造に
おいても電極７をマスクとしてベース頭域８およびエミ
ッタ頷域９を自己整合的に作り込んで上述の利点を生か
すことができる． 〔実施例〕 以下、第２図および第３図を参照しながら本発明の実施
例を具体的に説明する．これらの図中前の第４図および
第５図に対応する部分には同じ符号が付けられている．
第２図は前の第ｌ図（ａ）に対応する実施例を示し、同
図（ａｌにはその断面が同図（ｂ）には上面がそれぞれ
示されている．第２図（ａ）において、集積回路装置用
基仮１はこの例でもｐ形でＩＱＩ！原子／Ｃ一程度の不
純物濃度を持ち、その表面にｎ形の埋込層２はｌＯ″原
子／　ｃｊ以上の高い不純物濃度であらかじめ拡散して
置いた上から、ｎ形のコレクタ領域となる高抵抗性のエ
ビタキシャル層３を例えばｌＱＩ４原子／Ｃ一程度の不
純物濃度で高耐圧用の場合は２０μ麿程度以上の厚みに
成長させる．通例のように、Ｐ形の分創層４はエビタキ
シャル層４の表面から、同図（ｂ）に示すようにバイポ
ーラトランジスタを作り込むべき範囲を取り囲むように
、１０１９原子／　ｃ＋４以上の高い不純物濃度で拡散
される． バイボーラトランジスタはこの分離層４で囲まれたエビ
タキシャル層３をコレクタ領城として作り込まれ、この
ためにまずコレクタ端子Ｃを導出するためのｎ形の低抵
抗層５が１０１原子／Ｃ一以上の高い不純物濃度で同図
（ｂ）のようにこの例ではストライプ状のパターンで拡
散される．この低抵抗層５は、必要に応じてコレクタ頷
域３を囲むパターンのいわゆるウォール層とされる． 電極７の下側になる絶縁ｗＡ１１にはふつう酸化シリコ
ン膜が用いられ、コレクタ領域３の中央部の表面上に例
えばドライ酸化法により所望の耐圧値に応じた．ただし
少なくとも０．ｌ＃ｌの厚みでこれが付けられるが、こ
の例ではこれに先立ってコレクタ領域３の周縁部と分離
層４の表面を連続して覆うようにいわゆるＬＯＧＯＳＩ
Ｉ！である厚い絶縁膜１２がスチーム酸化法等の手段で
例えばｌ　ｐｍ前後の厚みで付けられている． 本発明による電極７は、電界効果トランジスタのゲート
と同様に多結晶シリコンで構成するのが好適で、通例の
ＣＶＤ法で例えば０．５ｎ前後の厚みに成長させたもの
をフォトエッチングすることにより、同図し）にハッチ
ソグを付して示すようにこの例では環状に形成される．
なお、この例での電極７は同図（ａ）からわかるように
薄い絶縁ＩＩ５１１１および厚い絶縁膜１２の上に形成
されている．この薄い絶縁Ｈａｌｌは電極７の下のコレ
クタ領域５の表面に沿って空乏層ＤＬを広げる効果が高
く、厚い絶縁！Ｉ１２ではこの効果が若干小さくなる．
この実施例では、ベース頷域８とエミツタ領域９用の不
純物はいずれも電極７をマスクとするイオン注入法によ
って拡散され、その拡散パターンは、図示のようにベー
ス領域８は方形とされ、エミッタ領域９は中央に窓を有
する方形とされる。

ｐ形のベース領域８は１０　１？原子／ｃｄ程度の不純
物濃度で例えば３μの深さに，Ω形のエミッタ頷域９は
ｌＯ！６原子／　ｃｄ程度の不純物濃度で例えば２μ風
の深さにそれぞれ作り込まれる。この際、通常のように
ｐ形不純物としてボロンを５　０形不純物として燐をそ
れぞれ用いたときは、各不純物をイオン注入のつど個別
に熱拡散させ、燐のかわりに砒素等の拡散速度の遅い不
純物を用いたときは両不純物のイオン注入後に同時熱拡
散させる。

これにより、ベース領域８の周縁の全部とエミッタ頷域
９の外周縁の一部が図のように薄い絶縁膜１１の下側に
潜り込むように拡散され、従ってエミッタ領域９の外周
縁はそれからコレクタ領域３に向かって空乏層ＤＬが広
がりやすいように薄い絶縁Ｗ１１１の下側に置かれるこ
とになる．ベース領域８とエミッタ９Ｋ域９の拡散後、
ふつうは酸化膜である上側絶縁膜ｌ３が全面被着され、
その要所に明けた窓部に電極ＷＡ２ｌ〜２３が図示のよ
うに設けられる．コレクタ端子Ｃ用の電極ｌｌ２１は低
抵抗層５に、エミッタ端子Ｅ用の・電極＠２２はエミッ
タ領域９にそれぞれ導電接触され、ベース端子Ｂ用のｔ
ｉｌｌＩ２３はこの例ではエミッタ頷域９の窓部に当た
るベース頷域８の中央部と電極７とに導電接触され、従
って電極７はベース領域８と同電位に置かれる． 第２図（ａｌにはこの実施例におけるバイポーラトラン
ジスタのオフ状態における空乏層ＤＬの広がりがハッチ
ッグを付し゜Ｃ示されている．この空乏層Ｄしの広がり
は、ベース顛域８内ではその薄い絶縁Ｌｌ！１１の下側
で電極７により抑制されるので全体としてごく少ないが
、エミッタ頭城８の外周縁牟らコレクタ領域３内に向け
ては電極７によって横方向に助長され、薄い絶縁膜１１
を越えて厚い絶縁膜ｌ２の下側にまで延び、前述のよう
に局部的な電界集中を緩和する役目を果たす． ２なお、コレクタ頑域３の表面電位はベース謂域８の周
縁がら空乏層ＯＬの先端に行くに従って高くなるが、空
乏層ＯＬの先端が厚い絶縁１１ｌ１２の下に潜り込むの
で、電極７の耐圧はこの厚い絶１８１２によって保証さ
れる．また、空乏層ＤＬの広がりは厚い絶縁Ｐａ１２の
下ではあまり助長されず、その先端が例えば低抵抗層５
に達していわゆるバンチスルーが発住するのが防止され
る． また、この実施例ではベース顛域８の中に単一のエミッ
タ領域９が作り込まれるとしたが、エミンタ領域を例え
ば同心状に複数個作り込んでその総周縁長を増加させる
ことにより、バイボーラトランジスタの耐圧値を落とす
ことなく電流容量を増加させることが可能である。

第３図は前の第１図（婉に対応する実施例を示すもので
、前と同様に同図（ａ）がその断面を，同図（ｂ）がそ
の上面をそれぞれ示すが、図がいたずらに複雑化するの
を避けるため、第２図における上側絶縁膜１３および１
ｔ極膜がこの第３図では省略されていることを了解され
たい． この実施例では、いずれもストライプ状バターンのベー
ス碩域８とエミッタ領域９とを対にしてコレクタ領域３
内にそれぞれ複数個作り込まれ、ストライプ状パターン
の電極７が隣合うベース領域８とエミッタ領域９との対
に対して共通に設けられる．また、両端の対に対しては
グラフト領城６が設けられる． 第３図（ａ）・において、コレクタ領域３内に低抵抗層
５を拡敗するまでは前の実施例と同じであり、ついでＰ
形のグラフ｝　６１域６がベース碩域８とエミッタ領域
９とを複数対拡散すべき範囲を囲む図示のような環状に
、例えばＩＱＩＳ，１０１！原子／ｄの不純物濃度で必
要な耐圧値に応じて４〜６ｎの深さに拡散される．次に
前の実施例と同様に薄い絶縁１！Ｉｌｌと厚い絶縁ｌＩ
ｌｌ２とで表面を覆った後、主に薄い絶ＩＨ１１上に電
極７をストライプ状パターンで複数個設ける．この際、
同図伽）からわかるように各電極７はその図の上下の両
端部がグラフ｝　８１域６の上になるよう、ないしはそ
れから若干突出するようにパターンニングされる． ベース頷域８用のｐ形不純物およびエミッタ領域９用の
ｎ形不純物は、この例でも電掻７をマスクの一部とする
イオン注入法により導入され、そのつど個別に熱拡散さ
れる。この際、ベース領域８は電極７の部分ではその下
側に作り込まれ、その他の部分ではグラフト領域６と重
なり合うように作り込まれる。エミッタ領域９の方は各
ベース領域８内に、かつ同図ら）からわかるようにその
周縁の一部分ないし大部分が電極７の下側に潜り込むよ
うに作り込まれる． 第３図（ト））に示すように、コレクタ端子Ｃは埋込層
２を介してコレクタ領域３と接続された低抵抗層５から
５エミッタ端子Ｅは複数個のエミッタ領域９およびこの
例では複数個の電極７から，ベース端子Ｂは複数個のベ
ース領域８からそれぞれ取られる．従って、この実施例
では電極７はベース領域とほぼ同電位のエミッタ領域９
と同電位に置かれる．これはベース端子Ｂがトランジス
タの動作中浮動電位になり得る場合に、電極７の電位を
常に安定化させる上で有利である． 同図（ａ）にトランジスタのオフ動作時の空乏層ロＬを
ハッチッグを付して示す．この実施例では、図示のよう
にベース領域８の相互間では空乏層ＯＬが融合し合い、
端のベース領域８がら空乏層ＤＬがグラフト領域６内に
広がるので高耐圧が得られる。

さらに、エミッタ領域９の総周縁長１従ってその底の隅
部の長さ合計が前の例より大きくなるので大電流容董が
得られる． 以上のように構成されたこの実施例によるハイポーラト
ランジスタでは、例えば１００　ｘ　３００μ烏程度の
チップ面積内に士数個のー・−ス領域８とエミッタ関域
９の対を作り込むことにより、２００■程度の高耐圧値
と　１００■Ａ程度の大電流容量をこれに持たせること
ができ、電流増幅率としては１００〜１５０の値が得ら
れる． なお、この実施例のグラフ｝　８Ｍ域６を電極７で置き
換え得る．この場合の電極７は枠状の電極の対辺間にス
トライブ状の電極を複数個懸け渡した形状の単一電極と
なり、その各窓からベース領域８とエミッタ領域９が作
り込まれる． これからもわかるように、本発明は以上説明した実施例
に限らず種々の態様で実施をすることができる．例えば
、電極にはベース領域とほぼ等しい電位を与えればよい
から、これをベース領域およびエミッタ領域のいずれと
接続しても実際上は大差がない．電極は実施例のように
多結晶シリコンで横成するのが、本発明によるバイボー
ラトランジスタをＢｉＭＯＳ回路等内に作り込む際に有
利であるが、これを適宜な金属膜例えば電極膜用のアル
ミ等で構成してもなんら差し支えない。実施例における
電極のパターン，絶縁膜の種類や厚み１各領域の導電形
，ベース領域およびエミッタ頭域のパターンや不純物濃
度や拡散深さ等もあ《まで例示であって、実際に当たっ
てはハイボーラトランジスタに要求される定格や特性に
則して適宜選択すべきものである。また、実施例でも一
部述べたように、本発明に基づく構造をグラフト領域等
の従来技術による構造と適宜組み合わせて、本発明の要
旨内でその効果の一部ないし全部を有効利用することが
できる． 〔発明の効果〕 以上の記載から明らかなように本発明では、方の導電形
のコレクタ領域と、コレクタ領域内に他方の導電形で作
り込まれたベース領域と、ベース領域内に一方のｉｔ形
で作り込まれたエミッタ領域とを備えるバイボーラトラ
ンジスタに対し、コレクタＭ域およびベース領域の表面
の少なくともベース領域の周縁を含む範囲に絶縁膜を介
して対峙するｔ極を設け、電極にベース領域とほぼ等し
い電位を賦与するようにしたので、この電極に与える電
位によって絶縁膜下のエミッタ領域の周縁からコレクタ
領域に向けて空乏層を横方向に広がらせ、これによって
ベース領域の底の隅に生じる電界集中を有効に緩和して
従来より耐圧値を向上できる．また、空乏層の広がりは
エミツタ電流路を阻害することがなく、従来よりも電流
容量を向上できる．さらに、空乏層の広がりを電極に与
えるパターンにより正確に制１１できるので、パターン
寸法上の余裕をとる要がなくなり、チップ面積を従来よ
りも縮小することができる．例えば第２図に示した単一
のベース領域およびエミッタ領域を備える最も簡単な例
でも、１８０■の高耐圧値が得られ、かつ同しチップ面
積でｔ流容量を従来よりも２０％以上向上できる。

また、ベース領域とエミッタ領域との対を複数個設け、
隣合う対に共通に電極を設ける態様によれば、エミッタ
領域の周縁長さを大きくとって電流容量を増大させると
ともに、耐圧値も一層向上させることができる． 例えば、第３図に示したようにベース領域とエミッタ領
域の対を数個設ける場合でも、２００■程度の高耐圧値
を容易に得るとともに、同しチップ面積で電流容量を従
来より５０％程度向上することができる． 本発明はバイボーラトランジスタ全般に適用できるほか
、とくにＢｉＭＯＳ集積回路装置への組み込み用に適用
して非常に有利で、上述の高耐圧化．大電流化および小
形化の効果により人容董負荷の直接駆動を可能にして、
その一層の発展と普及に貢献することができる．

【図面の簡単な説明】

第１図から第３図までが本発明に関し、第１図（ａ）お
よび（ｂｌは本発明によるバイボーラトランジスタの基
本構造の要部を示す断面図、第２図（ａ）および俤）．
第３図（ａ）および（ｂ）は本発明のそれぞれ異なる実
施例を示す断面図および上面図である．第４図以降は従
来技術に関し、第４図は従来の高耐圧バイボーラトラン
ジスタの断面図、第５図は従来の大電流バイポーラトラ
ンジスタの断面図である．図において、 ■＝集積回路装置用半導体基板、２；埋込層、３：コレ
クタ領域ないしエビタキシャル層、４：分離層、５；コ
レクタ端子用低抵抗層、６：グラフト領域、７：Ｍ１極
、８：ベース領域、９：エミノタ領域、ｌＯ：絶縁膜、
ｌ１：薄い絶縁膜、ｌ２：厚い絶縁膜、１３：上側絶縁
膜、２ｌ：コレクタ端子用電極膜、２２：エミッタ端子
用電極膜、２３：ベース端子用電８ｉ膜、Ｂ：ベース端
子、Ｃ：コレクタ端子、ＯＬ二空乏層、Ｅ：エミッタ端
子、ｅ：電子、Ｒ；空乏層の曲率半径、ｒ：ベース領域
の底の隅部の曲率半径、 である． コレクタ領境 フレクタ頌績 第２Ｂ！ａ 第１図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 一方の導電形のコレクタ領域と、コレクタ領域内にその
   表面から他方の導電形で作り込まれたベース領域と、ベ
   ース領域内にその表面から一方の導電形で作り込まれた
   エミッタ領域とを備えるものにおいて、コレクタ領域お
   よびベース領域の表面の少なくともベース領域の周縁を
   含む範囲に絶縁膜を介して対峙する電極を設け、この電
   極にベース領域とほぼ等しい電位を賦与するようにした
   ことを特徴とするバイポーラトランジスタ。