JPH0223589B2 - - Google Patents
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- JPH0223589B2 JPH0223589B2 JP60164779A JP16477985A JPH0223589B2 JP H0223589 B2 JPH0223589 B2 JP H0223589B2 JP 60164779 A JP60164779 A JP 60164779A JP 16477985 A JP16477985 A JP 16477985A JP H0223589 B2 JPH0223589 B2 JP H0223589B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F3/00—Brightening metals by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Description
＜産業上の利用分野＞
本発明は、コンピユータやワードプロセツサ等
に使用されるメモリーハードデイスクを研磨する
組成物に関する。 ＜従来の技術とその課題＞ メモリーハードデイスクは、アルミニウム基板
の表面を研磨し、アルミニウム基板の平滑にした
表面に記憶用の磁気媒体層を形成している。 また、アルミニウム基板の表面に、化学ニツケ
ルめつきとも言われる無電解ニツケルめつき、又
は、アルマイトの層を形成して下地処理を施し、
アルミニウム基板の下地処理面を研磨し、アルミ
ニウム基板の平滑にした下地処理面に記憶用の磁
気媒体層を形成したメモリーハードデイスクが発
明された。 そして、上記のいずれのメモリーハードデイス
クにおいても、アルミニウム基板の磁気媒体層形
成面の研磨には、水に酸化アルミニウムの研磨剤
を懸濁した一般用研磨スラリーが用いられた。 ところが、一般用研磨スラリーは、メモリーハ
ードデイスクの磁気媒体層形成面の研磨には適し
ていない。即ち、研磨量が少なくて研磨能率が低
く、また、オレンジピール、スクラツチ、ピツト
や突起のような表面欠陥が発生して研磨品質が低
い。 メモリーハードデイスクは、研磨品質が低くて
凹凸のある磁気媒体層形成面に磁気媒体層を形成
した場合、磁気媒体層が磁気媒体層形成面の凹凸
に応じて凹凸になるので、書き込みに誤りが発生
したり、また、磁気ヘツドを損傷させたりするこ
とになる。 最近、メモリーハードデイスクの無電解ニツケ
ルめつき面を研磨する方法が発明された。 この研磨方法は、特開昭60−108489号公報に開
示されているように、メモリーハードデイスクの
無電解ニツケルめつき面と研磨パツドの表面を摺
動し、メモリーハードデイスクと研磨パツドの間
に、第１段階として、次亜塩素酸ナトリウムのよ
うな酸化剤を含む酸化アルミニウム粉末又は二酸
化セリウム粉末の水性スラリーを供給して、メモ
リーハードデイスクの無電解ニツケルめつき面を
粗研磨する。次に、第２段階として、摺動中のメ
モリーハードデイスクと研磨パツドの間に、上記
の水性スラリーと、コロイド状の酸化アルミニウ
ム又は二酸化セリウムの水性スラリーとを供給
し、メモリーハードデイスクの無電解ニツケルめ
つき面を仕上研磨する。 ところが、この２段階研磨方法は、２段階で研
磨するので、多くの手間が掛かる上、研磨量が多
くなく、研磨能率が高いとは言い難い。 また、メモリーハードデイスクのアルミニウム
基板を研磨する組成物が発明された。 この研磨用組成物は、特開昭61−291674号公報
に開示されているように、スルフアミン酸又は燐
酸を添加してPHを1.5〜3.0の範囲に調製した研磨
用粉末の水性スラリーである。 ところが、この酸性の研磨スラリーを用いて、
メモリーハードデイスクのアルミニウム基板を研
磨すると、オレンジピールのような表面欠陥が発
生し、研磨品質が高いとは言い難い。 本発明の目的は、上記のような従来の課題を解
決することである。 ＜課題を解決するための手段＞ 本発明は、水と、酸化アルミニウムの研磨剤、
及び、研磨促進剤からなり、メモリーハードデイ
スクの無電解ニツケルめつき、アルマイト又はア
ルミニウムの面を研磨する組成物であつて、 上記の研磨促進剤が、上記の面の研磨を促進す
る、硝酸ニツケル又は硝酸アルミニウムの１種、
若しくは、硝酸ニツケル又は硫酸ニツケルと硝酸
アルミニウムの２種の研磨促進剤であるメモリー
ハードデイスクの研磨用組成物である。 ＜作 用＞ 本発明の研磨用組成物を用いてメモリーハード
デイスクの無電解ニツケルめつき、アルマイト又
はアルミニウムの被研磨面を研磨すると、いわゆ
るメカノケミカル研磨が行われ、研磨促進剤と水
が被研磨面を化学的に溶解し、同時に、研磨剤と
水が被研磨面を機械的に研磨して、被研磨面が機
械的かつ化学的に研磨される。 機械的化学的研磨の際、本発明の研磨用組成物
においては、上記の被研磨面に対する機械的作用
力と化学的作用力が適合しており、被研磨面に対
する両作用力の適合によつて、メモリーハードデ
イスクの磁気媒体層形成面として研磨品質の高い
研磨面が得られる。 ＜実施例＞ 次に、本発明の実施例について説明する。 本例のメモリーハードデイスクの研磨用組成物
は、純水にα型酸化アルミニウム（α−Al2O3）
の研磨剤を懸濁し、これに次に列挙する研磨促進
剤を添加したスラリーである。 研磨促進剤 (1) 硝酸ニツケル（Ni（NO3）2・6H2O） (2) 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O） (3) 硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O）と硝酸アル
ミニウム（Al（NO3）3・9H2O） (4) 硝酸ニツケル（Ni（NO3）2・6H2O）と硝酸
アルミニウム（（Al（NO3）3・9H2O） このスラリー中の研磨促進剤の重量割合は１〜
20％である。 また、研磨剤の重量割合は２〜30％であり、研
磨剤の平均粒子径は0.7〜4.0μmであり、研磨剤の
最大粒子径は20μm以下である。 また、研磨剤のα型酸化アルミニウムは、粒状
のベーマイト（Al2O3・H2O，AlO（OH））を
1100〜1200℃で２〜３時間仮焼し、その後、粉砕
して整粒したものである。 本例の研磨用組成物を用いてメモリーハードデ
イスクを研磨する場合は、従来の一般用研磨スラ
リーを用いる場合と同様であり、研磨用組成物を
メモリーハードデイスクの研磨する面とその面を
摺動する研磨パツトの表面の間に供給する。 次に、本発明の効果を確認する比較実験につい
て説明する。 本発明の研磨用組成物には、純水にα型酸化ア
ルミニウム（α−Al2O3）の研磨剤を懸濁し、こ
れに次に示す研磨促進剤を次に示す重量割合添加
したスラリーを用いる。 研磨促進剤とその重量割合 (1) 硝酸ニツケル（Ni（NO3）2・6H2O） 10％ (2) 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）
10％ （3.1） 硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O） ４％と 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）６％
の合計 10％ （3.2） 硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O） ２％と 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）３％
の合計 ５％ （4.1） 硝酸ニツケル（Ni（NO3）2・6H2O）
４％と 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）６％
の合計 10％ （4.2） 硝酸ニツケル（Ni（NO3）2・6H2O）
２％と 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）３％
の合計 ５％ 従来の一般用研磨スラリーには、本発明の研磨
用組成物において研磨促進剤を添加していないス
ラリーを用いる。 本発明と従来の上記の研磨スラリーにおいて、
研磨剤の重量割合は20％であり、研磨剤の平均粒
子径は1.3μmであり、研磨剤の最大粒子径は
20μm以下である。 また、研磨剤のα型酸化アルミニウムは、粒状
のベーマイト（Al2O3・H2O，AlO（OH））を
1150℃で３時間仮焼し、その後、粉枠して整粒し
たものである。 ａ 無電解ニツケル・りんめつき メモリーハードデイスクには、アルミニウムの
130mm外径の円輪板状基板の両面に、それぞれ、
30μm厚さの無電解ニツケル・りん（Ni−Ｐ）め
つき層を形成したものを用いる。めつき層の化学
組成は、ニツケルが90〜92％であり、りんが８〜
10％である。 このデイスクは、両面同時研磨機に装填し、デ
イスクの両面のめつき層にそれぞれスウエードク
ロスの研磨パツトを当接し、デイスクと両研磨パ
ツトを相対的に摺動して、10分間研磨する。研磨
の間、デイスクと両研磨パツトの間に本発明の研
磨スラリー又は従来の研磨スラリーを0.1／
minの割合で供給する。なお、研磨圧は50ｇ／cm2
である。 研磨の後、デイスク両面のめつき層の研磨表面
を検査して表面欠陥の有無を調べる。次に、デイ
スクの厚さを計測し、研磨による両面のめつき層
の厚さ減少量を算出して、研磨量を求める。 この実験結果は、第１表に示す通りである。
に使用されるメモリーハードデイスクを研磨する
組成物に関する。 ＜従来の技術とその課題＞ メモリーハードデイスクは、アルミニウム基板
の表面を研磨し、アルミニウム基板の平滑にした
表面に記憶用の磁気媒体層を形成している。 また、アルミニウム基板の表面に、化学ニツケ
ルめつきとも言われる無電解ニツケルめつき、又
は、アルマイトの層を形成して下地処理を施し、
アルミニウム基板の下地処理面を研磨し、アルミ
ニウム基板の平滑にした下地処理面に記憶用の磁
気媒体層を形成したメモリーハードデイスクが発
明された。 そして、上記のいずれのメモリーハードデイス
クにおいても、アルミニウム基板の磁気媒体層形
成面の研磨には、水に酸化アルミニウムの研磨剤
を懸濁した一般用研磨スラリーが用いられた。 ところが、一般用研磨スラリーは、メモリーハ
ードデイスクの磁気媒体層形成面の研磨には適し
ていない。即ち、研磨量が少なくて研磨能率が低
く、また、オレンジピール、スクラツチ、ピツト
や突起のような表面欠陥が発生して研磨品質が低
い。 メモリーハードデイスクは、研磨品質が低くて
凹凸のある磁気媒体層形成面に磁気媒体層を形成
した場合、磁気媒体層が磁気媒体層形成面の凹凸
に応じて凹凸になるので、書き込みに誤りが発生
したり、また、磁気ヘツドを損傷させたりするこ
とになる。 最近、メモリーハードデイスクの無電解ニツケ
ルめつき面を研磨する方法が発明された。 この研磨方法は、特開昭60−108489号公報に開
示されているように、メモリーハードデイスクの
無電解ニツケルめつき面と研磨パツドの表面を摺
動し、メモリーハードデイスクと研磨パツドの間
に、第１段階として、次亜塩素酸ナトリウムのよ
うな酸化剤を含む酸化アルミニウム粉末又は二酸
化セリウム粉末の水性スラリーを供給して、メモ
リーハードデイスクの無電解ニツケルめつき面を
粗研磨する。次に、第２段階として、摺動中のメ
モリーハードデイスクと研磨パツドの間に、上記
の水性スラリーと、コロイド状の酸化アルミニウ
ム又は二酸化セリウムの水性スラリーとを供給
し、メモリーハードデイスクの無電解ニツケルめ
つき面を仕上研磨する。 ところが、この２段階研磨方法は、２段階で研
磨するので、多くの手間が掛かる上、研磨量が多
くなく、研磨能率が高いとは言い難い。 また、メモリーハードデイスクのアルミニウム
基板を研磨する組成物が発明された。 この研磨用組成物は、特開昭61−291674号公報
に開示されているように、スルフアミン酸又は燐
酸を添加してPHを1.5〜3.0の範囲に調製した研磨
用粉末の水性スラリーである。 ところが、この酸性の研磨スラリーを用いて、
メモリーハードデイスクのアルミニウム基板を研
磨すると、オレンジピールのような表面欠陥が発
生し、研磨品質が高いとは言い難い。 本発明の目的は、上記のような従来の課題を解
決することである。 ＜課題を解決するための手段＞ 本発明は、水と、酸化アルミニウムの研磨剤、
及び、研磨促進剤からなり、メモリーハードデイ
スクの無電解ニツケルめつき、アルマイト又はア
ルミニウムの面を研磨する組成物であつて、 上記の研磨促進剤が、上記の面の研磨を促進す
る、硝酸ニツケル又は硝酸アルミニウムの１種、
若しくは、硝酸ニツケル又は硫酸ニツケルと硝酸
アルミニウムの２種の研磨促進剤であるメモリー
ハードデイスクの研磨用組成物である。 ＜作 用＞ 本発明の研磨用組成物を用いてメモリーハード
デイスクの無電解ニツケルめつき、アルマイト又
はアルミニウムの被研磨面を研磨すると、いわゆ
るメカノケミカル研磨が行われ、研磨促進剤と水
が被研磨面を化学的に溶解し、同時に、研磨剤と
水が被研磨面を機械的に研磨して、被研磨面が機
械的かつ化学的に研磨される。 機械的化学的研磨の際、本発明の研磨用組成物
においては、上記の被研磨面に対する機械的作用
力と化学的作用力が適合しており、被研磨面に対
する両作用力の適合によつて、メモリーハードデ
イスクの磁気媒体層形成面として研磨品質の高い
研磨面が得られる。 ＜実施例＞ 次に、本発明の実施例について説明する。 本例のメモリーハードデイスクの研磨用組成物
は、純水にα型酸化アルミニウム（α−Al2O3）
の研磨剤を懸濁し、これに次に列挙する研磨促進
剤を添加したスラリーである。 研磨促進剤 (1) 硝酸ニツケル（Ni（NO3）2・6H2O） (2) 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O） (3) 硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O）と硝酸アル
ミニウム（Al（NO3）3・9H2O） (4) 硝酸ニツケル（Ni（NO3）2・6H2O）と硝酸
アルミニウム（（Al（NO3）3・9H2O） このスラリー中の研磨促進剤の重量割合は１〜
20％である。 また、研磨剤の重量割合は２〜30％であり、研
磨剤の平均粒子径は0.7〜4.0μmであり、研磨剤の
最大粒子径は20μm以下である。 また、研磨剤のα型酸化アルミニウムは、粒状
のベーマイト（Al2O3・H2O，AlO（OH））を
1100〜1200℃で２〜３時間仮焼し、その後、粉砕
して整粒したものである。 本例の研磨用組成物を用いてメモリーハードデ
イスクを研磨する場合は、従来の一般用研磨スラ
リーを用いる場合と同様であり、研磨用組成物を
メモリーハードデイスクの研磨する面とその面を
摺動する研磨パツトの表面の間に供給する。 次に、本発明の効果を確認する比較実験につい
て説明する。 本発明の研磨用組成物には、純水にα型酸化ア
ルミニウム（α−Al2O3）の研磨剤を懸濁し、こ
れに次に示す研磨促進剤を次に示す重量割合添加
したスラリーを用いる。 研磨促進剤とその重量割合 (1) 硝酸ニツケル（Ni（NO3）2・6H2O） 10％ (2) 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）
10％ （3.1） 硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O） ４％と 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）６％
の合計 10％ （3.2） 硫酸ニツケル（NiSO4・6H2O） ２％と 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）３％
の合計 ５％ （4.1） 硝酸ニツケル（Ni（NO3）2・6H2O）
４％と 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）６％
の合計 10％ （4.2） 硝酸ニツケル（Ni（NO3）2・6H2O）
２％と 硝酸アルミニウム（Al（NO3）3・9H2O）３％
の合計 ５％ 従来の一般用研磨スラリーには、本発明の研磨
用組成物において研磨促進剤を添加していないス
ラリーを用いる。 本発明と従来の上記の研磨スラリーにおいて、
研磨剤の重量割合は20％であり、研磨剤の平均粒
子径は1.3μmであり、研磨剤の最大粒子径は
20μm以下である。 また、研磨剤のα型酸化アルミニウムは、粒状
のベーマイト（Al2O3・H2O，AlO（OH））を
1150℃で３時間仮焼し、その後、粉枠して整粒し
たものである。 ａ 無電解ニツケル・りんめつき メモリーハードデイスクには、アルミニウムの
130mm外径の円輪板状基板の両面に、それぞれ、
30μm厚さの無電解ニツケル・りん（Ni−Ｐ）め
つき層を形成したものを用いる。めつき層の化学
組成は、ニツケルが90〜92％であり、りんが８〜
10％である。 このデイスクは、両面同時研磨機に装填し、デ
イスクの両面のめつき層にそれぞれスウエードク
ロスの研磨パツトを当接し、デイスクと両研磨パ
ツトを相対的に摺動して、10分間研磨する。研磨
の間、デイスクと両研磨パツトの間に本発明の研
磨スラリー又は従来の研磨スラリーを0.1／
minの割合で供給する。なお、研磨圧は50ｇ／cm2
である。 研磨の後、デイスク両面のめつき層の研磨表面
を検査して表面欠陥の有無を調べる。次に、デイ
スクの厚さを計測し、研磨による両面のめつき層
の厚さ減少量を算出して、研磨量を求める。 この実験結果は、第１表に示す通りである。
【表】
この第１表から明らかなように、本発明の研磨
スラリーは、従来のそれに比し、無電解ニツケ
ル・りんめつき層の研磨量が多くて研磨能率が高
く、また、表面欠陥が認められず、研磨表面の品
質が高い。 また、従来の２段階研磨方法によつて、上記の
場合と同様なメモリーハードデイスクの無電解ニ
ツケル・りんめつき層を研磨する。 第１段階の粗研削に用いる粗研削スラリーは、
純水に、上記の場合と同様に、α型酸化アルミニ
ウムの研磨剤を懸濁し、これに次亜塩素酸ナトリ
ウムを添加したスラリーである。この粗研削スラ
リー中の次亜塩素酸ナトリウムの重量割合は、
0.12％である。 第２段階の仕上研削で上記の粗研削スラリーに
混合する追加スラリーは、純水にコロイド状酸化
アルミニウムとしてアルミナコーテイツドシリカ
ゾルを懸濁したスラリーである。この追加スラリ
ー中のアルミナコーテイツドシリカゾルは、重量
割合が10％であり、平均粒子径が20mμである。 メモリーハードデイスクは、上記の場合と同様
に、研磨機に装填し、メモリーハードデイスクの
めつき面と研磨パツドの表面を摺動し、メモリー
ハードデイスクと研磨パツドの間に、第１段階と
して上記の粗研削スラリーを供給し、メモリーハ
ードデイスクのめつき面を粗研磨する。 次に、第２段階として上記の粗研削スラリーと
上記の追加スラリーを同流量供給し、メモリーハ
ードデイスクのめつき面を仕上研磨する。 この実験結果は、次の通りである。 粗研削が８分で仕上研削が２分の場合、研磨量
は4.5μm／10minであり、表面欠陥は認められな
い。 粗研削が５分で仕上研削が５分の場合、研磨量
は2.6μm／10minであり、表面欠陥は認められな
い。 この結果と第１表から明らかなように、本発明
の研磨スラリーを用いると、従来の２段階研磨方
法に比し、無電解ニツケル・りんめつき層の研磨
量が多くて研磨能率が高い。 ｂ 無電解ニツケル・ほう素めつき メモリーハードデイスクには、アルミニウムの
130mm外径の円輪板状基板の両面に、それぞれ、
30μm厚さの無電解ニツケル・ほう素（Ni−Ｂ）
めつき層を形成したものを用いる。めつき層の化
学組成は、ニツケルが99.0〜99.5％であり、ほう
素が0.5〜1.0％である。 このデイスクは、上記の無電解ニツケル・りん
めつき層の研磨実験におけるのと同様に研磨す
る。 この実験結果は、第２表に示す通りである。
スラリーは、従来のそれに比し、無電解ニツケ
ル・りんめつき層の研磨量が多くて研磨能率が高
く、また、表面欠陥が認められず、研磨表面の品
質が高い。 また、従来の２段階研磨方法によつて、上記の
場合と同様なメモリーハードデイスクの無電解ニ
ツケル・りんめつき層を研磨する。 第１段階の粗研削に用いる粗研削スラリーは、
純水に、上記の場合と同様に、α型酸化アルミニ
ウムの研磨剤を懸濁し、これに次亜塩素酸ナトリ
ウムを添加したスラリーである。この粗研削スラ
リー中の次亜塩素酸ナトリウムの重量割合は、
0.12％である。 第２段階の仕上研削で上記の粗研削スラリーに
混合する追加スラリーは、純水にコロイド状酸化
アルミニウムとしてアルミナコーテイツドシリカ
ゾルを懸濁したスラリーである。この追加スラリ
ー中のアルミナコーテイツドシリカゾルは、重量
割合が10％であり、平均粒子径が20mμである。 メモリーハードデイスクは、上記の場合と同様
に、研磨機に装填し、メモリーハードデイスクの
めつき面と研磨パツドの表面を摺動し、メモリー
ハードデイスクと研磨パツドの間に、第１段階と
して上記の粗研削スラリーを供給し、メモリーハ
ードデイスクのめつき面を粗研磨する。 次に、第２段階として上記の粗研削スラリーと
上記の追加スラリーを同流量供給し、メモリーハ
ードデイスクのめつき面を仕上研磨する。 この実験結果は、次の通りである。 粗研削が８分で仕上研削が２分の場合、研磨量
は4.5μm／10minであり、表面欠陥は認められな
い。 粗研削が５分で仕上研削が５分の場合、研磨量
は2.6μm／10minであり、表面欠陥は認められな
い。 この結果と第１表から明らかなように、本発明
の研磨スラリーを用いると、従来の２段階研磨方
法に比し、無電解ニツケル・りんめつき層の研磨
量が多くて研磨能率が高い。 ｂ 無電解ニツケル・ほう素めつき メモリーハードデイスクには、アルミニウムの
130mm外径の円輪板状基板の両面に、それぞれ、
30μm厚さの無電解ニツケル・ほう素（Ni−Ｂ）
めつき層を形成したものを用いる。めつき層の化
学組成は、ニツケルが99.0〜99.5％であり、ほう
素が0.5〜1.0％である。 このデイスクは、上記の無電解ニツケル・りん
めつき層の研磨実験におけるのと同様に研磨す
る。 この実験結果は、第２表に示す通りである。
【表】
この第２表から明らかなように、本発明の研磨
スラリーは、従来のそれに比し、無電解ニツケ
ル・ほう素めつき層の研磨量が多くて研磨能率が
高く、また、表面欠陥が認められず、研磨表面の
品質が高い。 ｃ アルマイト メモリーハードデイスクには、無電解ニツケル
めつき層に代えて硫酸アルマイト層を形成したも
のを用いる。 このデイスクは、無電解ニツケルめつき層の研
磨実験におけるのと同様に研磨する。その結果
は、第３表に示す通りである。
スラリーは、従来のそれに比し、無電解ニツケ
ル・ほう素めつき層の研磨量が多くて研磨能率が
高く、また、表面欠陥が認められず、研磨表面の
品質が高い。 ｃ アルマイト メモリーハードデイスクには、無電解ニツケル
めつき層に代えて硫酸アルマイト層を形成したも
のを用いる。 このデイスクは、無電解ニツケルめつき層の研
磨実験におけるのと同様に研磨する。その結果
は、第３表に示す通りである。
【表】
この第３表から明らかなように、本発明の研磨
スラリーは、従来のそれに比し、アルマイト層の
研磨能率が高く、また、研磨表面の品質が高い。 ｄ アルミニウム メモリーハードデイスクには、無電解ニツケル
めつき層やアルマイト層を形成していないアルミ
ニウムの基板そのものを用いる。 このデイスクは、同様に研磨し、その結果は、
第４表に示す通りである。
スラリーは、従来のそれに比し、アルマイト層の
研磨能率が高く、また、研磨表面の品質が高い。 ｄ アルミニウム メモリーハードデイスクには、無電解ニツケル
めつき層やアルマイト層を形成していないアルミ
ニウムの基板そのものを用いる。 このデイスクは、同様に研磨し、その結果は、
第４表に示す通りである。
【表】
この第４表から明らかなように、本発明の研磨
スラリーは、従来のそれに比し、アルミニウムの
研磨能率が高く、また、研磨表面の品質が高い。 また、従来の酸性の研磨スラリーを用いて、上
記の場合と同様に、メモリーハードデイスクのア
ルミニウム基板を研磨する。 従来の酸性の研磨スラリーは、純水に、上記の
場合と同様に、α型酸化アルミニウムの研磨剤を
懸濁し、これにスルフアミン酸を添加してPHを
2.3にしたスラリーである。この酸性の研磨スラ
リー中のスルフアミン酸の重量割合は、0.1％で
ある。 この実験結果は、研磨量が6.4μm／10minであ
り、表面欠陥としてオレンジピールが認められ
た。 この結果と第４表から明らかなように、本発明
の研磨スラリーは、従来の酸性の研磨スラリーに
比し、アルミニウムの研磨表面の品質が高い。 ＜発明の効果＞ 本発明の研磨用組成物は、メモリーハードデイ
スクの無電解ニツケルめつき、アルマイト又はア
ルミニウムの面を、従来の一般用研磨スラリーに
比し、高能率かつ高品質に研磨することができ
る。 また、本発明の研磨用組成物は、メモリーハー
ドデイスクの無電解ニツケルめつきの面を、従来
の２段階研磨方法に比し、高能率に研磨すること
ができる。 また、本発明の研磨用組成物は、メモリーハー
ドデイスクのアルミニウムの面を、従来の酸性の
研磨スラリーに比し、高品質に研磨することがで
きる。 本発明の研磨用組成物を用いて研磨したメモリ
ーハードデイスクの無電解ニツケルめつき、アル
マイト又はアルミニウムの面は、研磨品質が高い
ので、その面に磁気媒体層を形成した場合、磁気
媒体層は、書き込みの誤りや磁気ヘツドの損傷の
原因となる凹凸が発生しない。
スラリーは、従来のそれに比し、アルミニウムの
研磨能率が高く、また、研磨表面の品質が高い。 また、従来の酸性の研磨スラリーを用いて、上
記の場合と同様に、メモリーハードデイスクのア
ルミニウム基板を研磨する。 従来の酸性の研磨スラリーは、純水に、上記の
場合と同様に、α型酸化アルミニウムの研磨剤を
懸濁し、これにスルフアミン酸を添加してPHを
2.3にしたスラリーである。この酸性の研磨スラ
リー中のスルフアミン酸の重量割合は、0.1％で
ある。 この実験結果は、研磨量が6.4μm／10minであ
り、表面欠陥としてオレンジピールが認められ
た。 この結果と第４表から明らかなように、本発明
の研磨スラリーは、従来の酸性の研磨スラリーに
比し、アルミニウムの研磨表面の品質が高い。 ＜発明の効果＞ 本発明の研磨用組成物は、メモリーハードデイ
スクの無電解ニツケルめつき、アルマイト又はア
ルミニウムの面を、従来の一般用研磨スラリーに
比し、高能率かつ高品質に研磨することができ
る。 また、本発明の研磨用組成物は、メモリーハー
ドデイスクの無電解ニツケルめつきの面を、従来
の２段階研磨方法に比し、高能率に研磨すること
ができる。 また、本発明の研磨用組成物は、メモリーハー
ドデイスクのアルミニウムの面を、従来の酸性の
研磨スラリーに比し、高品質に研磨することがで
きる。 本発明の研磨用組成物を用いて研磨したメモリ
ーハードデイスクの無電解ニツケルめつき、アル
マイト又はアルミニウムの面は、研磨品質が高い
ので、その面に磁気媒体層を形成した場合、磁気
媒体層は、書き込みの誤りや磁気ヘツドの損傷の
原因となる凹凸が発生しない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 水と、酸化アルミニウムの研磨剤、及び、研
磨促進剤からなり、メモリーハードデイスクの無
電解ニツケルめつき、アルマイト又はアルミニウ
ムの面を研磨する組成物であつて、 上記の研磨促進剤が、上記の面の研磨を促進す
る、硝酸ニツケル又は硝酸アルミニウムの１種、
若しくは、硝酸ニツケル又は硫酸ニツケルと硝酸
アルミニウムの２種の研磨促進剤であるメモリー
ハードデイスクの研磨用組成物。 ２ 研磨促進剤の重量割合が１〜20％である特許
請求の範囲第１項記載のメモリーハードデイスク
の研磨用組成物。 ３ 研磨剤の重量割合が２〜30％であり、研磨剤
の平均粒子径が0.7〜4.0μmであり、研磨剤の最大
粒子径が20μm以下である特許請求の範囲第１項
又は第２項記載のメモリーハードデイスクの研磨
用組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164779A JPS6225187A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | メモリ−ハ−ドデイスクの研磨用組成物 |
| US06/865,984 US4705566A (en) | 1985-07-25 | 1986-05-21 | Polishing composition for memory hard disc |
| KR1019860004355A KR940002566B1 (ko) | 1985-07-25 | 1986-06-02 | 메모리 하드 디스크의 연마용 조성물 |
| EP86305105A EP0210001A1 (en) | 1985-07-25 | 1986-07-01 | Process for polishing non-electrolysis nickel plate, alumite or aluminium surface of a memory hard disc |
| US07/081,675 US4769046A (en) | 1985-07-25 | 1987-08-05 | Process for polishing surface of memory hard disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164779A JPS6225187A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | メモリ−ハ−ドデイスクの研磨用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225187A JPS6225187A (ja) | 1987-02-03 |
| JPH0223589B2 true JPH0223589B2 (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=15799781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60164779A Granted JPS6225187A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | メモリ−ハ−ドデイスクの研磨用組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4705566A (ja) |
| EP (1) | EP0210001A1 (ja) |
| JP (1) | JPS6225187A (ja) |
| KR (1) | KR940002566B1 (ja) |
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| US6801396B1 (en) | 1994-01-21 | 2004-10-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.B. | Substrate independent superpolishing process and slurry |
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- 1985-07-25 JP JP60164779A patent/JPS6225187A/ja active Granted
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1986
- 1986-05-21 US US06/865,984 patent/US4705566A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-02 KR KR1019860004355A patent/KR940002566B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1986-07-01 EP EP86305105A patent/EP0210001A1/en not_active Ceased
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |