JPH02236406A - マスクパターン検査方法 - Google Patents
マスクパターン検査方法Info
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- JPH02236406A JPH02236406A JP1058152A JP5815289A JPH02236406A JP H02236406 A JPH02236406 A JP H02236406A JP 1058152 A JP1058152 A JP 1058152A JP 5815289 A JP5815289 A JP 5815289A JP H02236406 A JPH02236406 A JP H02236406A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要］
マスクパターン検査方法、特に半導体素子の機能内容等
に応じて、二以ｔの設計ルールにより作成されるマスク
パターンの検査方法に関し、該マスクパターンの疑｛以
欠陥の判別処理を無くして、マスクパターンの検査時間
の短縮と、検査装置の処理効率の向上とを図ることを目
的とし、二以上のマスクパターン領域を有し、かつ各マ
スクパターン領域の設計パターン基準がそれぞれ異なる
マスクパターンの検査であって、前記各々のマスクパタ
ーン領域を検査対象領域と定め、前記各マスクパターン
領域の設計パターン基準に対応する欠陥検出基準を前記
検査対象領域毎に設定し、前記欠陥検出基準に基づいて
、検査対象領域毎にマスクパターンの欠陥検出をするこ
とを含み構成する， 〔産業上の利用分野］ 本発明は、マスクパターン検査方法に関するものであり
、更に詳しく言えば半導体素子の機能内容等に応じて、
二以上の設計ルールにより作成されるマスクパターンの
検査方法に関するものである。
に応じて、二以ｔの設計ルールにより作成されるマスク
パターンの検査方法に関し、該マスクパターンの疑｛以
欠陥の判別処理を無くして、マスクパターンの検査時間
の短縮と、検査装置の処理効率の向上とを図ることを目
的とし、二以上のマスクパターン領域を有し、かつ各マ
スクパターン領域の設計パターン基準がそれぞれ異なる
マスクパターンの検査であって、前記各々のマスクパタ
ーン領域を検査対象領域と定め、前記各マスクパターン
領域の設計パターン基準に対応する欠陥検出基準を前記
検査対象領域毎に設定し、前記欠陥検出基準に基づいて
、検査対象領域毎にマスクパターンの欠陥検出をするこ
とを含み構成する， 〔産業上の利用分野］ 本発明は、マスクパターン検査方法に関するものであり
、更に詳しく言えば半導体素子の機能内容等に応じて、
二以上の設計ルールにより作成されるマスクパターンの
検査方法に関するものである。
近年、半導体集計回路装置の超微細化、高機能化に伴っ
て、１つのマスクパターンには、二以上の設計パターン
基準により作成されるマスクパターン領域を多く含んで
いる。
て、１つのマスクパターンには、二以上の設計パターン
基準により作成されるマスクパターン領域を多く含んで
いる。
ところで、異なる設計パターン基準で作成されるマスク
パターンの欠陥検出については、その欠陥検出基準を変
えてマスクパターンの全面を何度も繰り返し検査するこ
とにより行われる。従って、マスクパターン領域に適合
しない欠陥検出基準でマスクパターン領域を検査した結
果、欠陥と判断される疑似欠陥の判別処理をしなくては
ならず、これによる検査時間等が多くを要し、検査装置
のスルーブットが低下するという問題がある。
パターンの欠陥検出については、その欠陥検出基準を変
えてマスクパターンの全面を何度も繰り返し検査するこ
とにより行われる。従って、マスクパターン領域に適合
しない欠陥検出基準でマスクパターン領域を検査した結
果、欠陥と判断される疑似欠陥の判別処理をしなくては
ならず、これによる検査時間等が多くを要し、検査装置
のスルーブットが低下するという問題がある。
そこで、短時間に効率良く、マスクパターンの検査をす
ることができる検査方法の要望がある。
ることができる検査方法の要望がある。
〔従来の技術］
第８図（ａ）， （ｂ）は、従来例のマスクパターン
検査方法に係る説明図である。
検査方法に係る説明図である。
同図（ａ）は、半導体築積回路装置のマスクパターンに
係る図を示している。
係る図を示している。
図において、マスクパターン１は、例えば設計パターン
基ｔｔＲ１〜Ｒ３がそれぞれ異なるマスクパターン領域
Ａ１〜Ａ３から成る。
基ｔｔＲ１〜Ｒ３がそれぞれ異なるマスクパターン領域
Ａ１〜Ａ３から成る。
マスクパターン領域Ａ１は、例えば半導体集積回路装置
の外周辺部に設けられるバット電極等の形成ｚＭ域であ
り、欠陥検出基準がε】である。同様に、マスクパター
ン領域Ａ２は選択ゲートトランジスタ形成領域等であり
、欠陥検出基準がｃ２である。また、マスクパターン領
域Ａ３は、メモリ素子形成領域等であり、欠陥検出基準
がε３である．この際の欠陥検出基準については、ε１
〉ａ２＞６３があるものとする。
の外周辺部に設けられるバット電極等の形成ｚＭ域であ
り、欠陥検出基準がε】である。同様に、マスクパター
ン領域Ａ２は選択ゲートトランジスタ形成領域等であり
、欠陥検出基準がｃ２である。また、マスクパターン領
域Ａ３は、メモリ素子形成領域等であり、欠陥検出基準
がε３である．この際の欠陥検出基準については、ε１
〉ａ２＞６３があるものとする。
同図（ｂ）は、マスクパターン検査方法に係るフローチ
ャートを示している。
ャートを示している。
図において、まずステップＰＩでマスクパタ−ン領域Ａ
Ｉ−Ａ３に無関係に、欠陥検出基準ε１に基づいて、マ
スクパターン１の全面を検査する，この際、マスクパタ
ーン領域Ａ１の真の欠陥が検出されると共に、マスクパ
ターン領域Ａ２，Ａ３が疑似欠陥として欠陥検出される
。
Ｉ−Ａ３に無関係に、欠陥検出基準ε１に基づいて、マ
スクパターン１の全面を検査する，この際、マスクパタ
ーン領域Ａ１の真の欠陥が検出されると共に、マスクパ
ターン領域Ａ２，Ａ３が疑似欠陥として欠陥検出される
。
次いで、ステップＰ２で、同様に欠陥検出基準ε２に基
づいて、マスクパターン１の全面を検査する。この際、
マスクパターン領域Ａ２の真の欠陥が検出されると共に
、マスクパターン領域Ａ３が疑似欠陥として欠陥検出さ
れる。
づいて、マスクパターン１の全面を検査する。この際、
マスクパターン領域Ａ２の真の欠陥が検出されると共に
、マスクパターン領域Ａ３が疑似欠陥として欠陥検出さ
れる。
さらに、ステップＰ３で欠陥検出基準ε３に基づいて、
マスクパターンの全面を検査する。
マスクパターンの全面を検査する。
その後、ステノブＰ４で疑僚欠陥の選沢判別をする。こ
の際、マスクパターン領域Ａ１については、マスクパタ
ーン領域Ａ２，Ａ．３の疑似欠陥を取り除き、同様にマ
スクパターン領域Ａ２については、マスクパターン領域
Ａ３の疑似欠陥を取り除き、各マスクパターン領域Ａ１
〜Ａ３より真の欠陥が見出されている。
の際、マスクパターン領域Ａ１については、マスクパタ
ーン領域Ａ２，Ａ．３の疑似欠陥を取り除き、同様にマ
スクパターン領域Ａ２については、マスクパターン領域
Ａ３の疑似欠陥を取り除き、各マスクパターン領域Ａ１
〜Ａ３より真の欠陥が見出されている。
ｒ発明が解決しようとする課題〕
従って、１つのマスクパターン１について、欠陥検出基
準ε１、ε２，ε３が変わる毎に、マスクパターンの全
面検査を操り返している。
準ε１、ε２，ε３が変わる毎に、マスクパターンの全
面検査を操り返している。
このため、半導体集積回路装置の高集積化．高密度化の
為に、設計パターン基準Ｒ１．Ｒ２．Ｒ３・・・や欠陥
検出基準εｌ１ ε２，ε３・・が増加すると、マスク
パターンの全面を検査する回数も増加する。また、検査
回数の増加は、検査時間と疑似欠陥の判別処理とを多く
する。
為に、設計パターン基準Ｒ１．Ｒ２．Ｒ３・・・や欠陥
検出基準εｌ１ ε２，ε３・・が増加すると、マスク
パターンの全面を検査する回数も増加する。また、検査
回数の増加は、検査時間と疑似欠陥の判別処理とを多く
する。
これにより、１つのマスクパターンの検査時間が長くな
り、検査装置のスループントが低下し、効率良い検査を
行うことができないという問題がある。
り、検査装置のスループントが低下し、効率良い検査を
行うことができないという問題がある。
本発明は、かかる従来例の問題点に檻み創作されたもの
であり、マスクパターンの疑似欠陥の判別処理を無くし
て、マスクパターンの検査時間の短縮と、検査装置の処
理効率の向上とを図ることを可能とするマスクパターン
検査方法の提供を目的とする。
であり、マスクパターンの疑似欠陥の判別処理を無くし
て、マスクパターンの検査時間の短縮と、検査装置の処
理効率の向上とを図ることを可能とするマスクパターン
検査方法の提供を目的とする。
第１図（ａ）， （ｂ）は、本発明のマスクパターン
検査方法に係る原理図を示している。
検査方法に係る原理図を示している。
その方法は、二以上のマスクパターン領域Ａ１〜Ａｎを
有し、かつ各マスクパターンｊＪ域Ａ１〜Ａｎの設計パ
ターン基準Ｒ１〜Ｒｎがそれぞれ異なるマスクパターン
１ｌの検査であって、前記各々のマスクパターン領域Ａ
ｌ〜Ａｎを検査対象ｈ■域Ｂｌ−Ｂｎと定め、前記各マ
スクパターン領域Ａｌ〜Ａｎの設計パターン基準Ｒ１〜
Ｒｎに対応する欠陥検出基準ε１〜εｎを前記検査対象
領域８１〜Ｂｎ毎に設定し、前記欠陥検出基準ε１〜ε
ｎに基づいて、検査対象領域８１〜Ｂｎ毎にマスクパタ
ーン１１の欠陥検出をすることを特徴とし、上記目的を
達成する。
有し、かつ各マスクパターンｊＪ域Ａ１〜Ａｎの設計パ
ターン基準Ｒ１〜Ｒｎがそれぞれ異なるマスクパターン
１ｌの検査であって、前記各々のマスクパターン領域Ａ
ｌ〜Ａｎを検査対象ｈ■域Ｂｌ−Ｂｎと定め、前記各マ
スクパターン領域Ａｌ〜Ａｎの設計パターン基準Ｒ１〜
Ｒｎに対応する欠陥検出基準ε１〜εｎを前記検査対象
領域８１〜Ｂｎ毎に設定し、前記欠陥検出基準ε１〜ε
ｎに基づいて、検査対象領域８１〜Ｂｎ毎にマスクパタ
ーン１１の欠陥検出をすることを特徴とし、上記目的を
達成する。
本発明によれば、検査対象領域８１〜Ｂｎ毎に設定され
た欠陥検出基準ε１〜εｎに基づいて、かつ検査対象領
域８１〜Ｂｎ毎にマスクパターンの欠陥検出が行われる
。
た欠陥検出基準ε１〜εｎに基づいて、かつ検査対象領
域８１〜Ｂｎ毎にマスクパターンの欠陥検出が行われる
。
このため、欠陥検出基準εｉに対応する検査対象領域Ｂ
ｉ以外の検査対象類域Ｂｎについては、欠陥検出基準ｅ
ｔに基づいた欠陥検出が行われない。従って、欠陥検出
基串εｉと検査対象領域Ｂｎとが対応しない検査対象領
域でのマスクパターンの検査について、従来のような無
駄な検査時間を省略することが可能となる。
ｉ以外の検査対象類域Ｂｎについては、欠陥検出基準ｅ
ｔに基づいた欠陥検出が行われない。従って、欠陥検出
基串εｉと検査対象領域Ｂｎとが対応しない検査対象領
域でのマスクパターンの検査について、従来のような無
駄な検査時間を省略することが可能となる。
これにより、従来のような欠陥検出基γＶの差異を原因
とする疑似欠陥の判断処理を無くすことが可能となる． 〔実施例〕 次に図を参照しながら本発明の実施例について説明をす
る。
とする疑似欠陥の判断処理を無くすことが可能となる． 〔実施例〕 次に図を参照しながら本発明の実施例について説明をす
る。
第２〜７図は、本発明の実施例に係るマスクパターン検
査方法を説明する図であり、第２図は、本発明の各実施
例に係るマスクパターン検査装置の構成図を示している
。
査方法を説明する図であり、第２図は、本発明の各実施
例に係るマスクパターン検査装置の構成図を示している
。
図において、１ｌば半導体集１！回路等のマスクパター
ンであり、第３図に示すように、設計パターン基準Ｒｌ
−Ｒ３が各マスクパターン領域Ａ１〜Ａ３毎に異なって
いるものである，１２は、画像取得手段であり、マスク
パターン１１の画像を取得する光電子擾像装置等である
。１３は画像記憶手段であり、マスクバクーン１ｌの画
像を二値化処理した画像データを記憶するものである。
ンであり、第３図に示すように、設計パターン基準Ｒｌ
−Ｒ３が各マスクパターン領域Ａ１〜Ａ３毎に異なって
いるものである，１２は、画像取得手段であり、マスク
パターン１１の画像を取得する光電子擾像装置等である
。１３は画像記憶手段であり、マスクバクーン１ｌの画
像を二値化処理した画像データを記憶するものである。
１４は、欠陥検出判断手段であり、欠陥検出基準データ
と取得した画像データとを比較／判断し、欠陥を見出す
ものである。
と取得した画像データとを比較／判断し、欠陥を見出す
ものである。
ｌ５は検査データ設定手段であり、マスクパターン１１
の各マスクパターン領域Ａ１〜Ａ３を検査対象領域Ｂ１
〜Ｂ３と定めたり、各マスクパターン領域Ａ１〜ｌ＼３
の設計パターン基準Ｒｌ〜Ｒ３に対応する欠陥検出基準
ε１〜ε３を、その検査対象領域８１〜Ｂ３毎に設定し
たりするものである。
の各マスクパターン領域Ａ１〜Ａ３を検査対象領域Ｂ１
〜Ｂ３と定めたり、各マスクパターン領域Ａ１〜ｌ＼３
の設計パターン基準Ｒｌ〜Ｒ３に対応する欠陥検出基準
ε１〜ε３を、その検査対象領域８１〜Ｂ３毎に設定し
たりするものである。
１６は、検査データ記憶手段であり、各マスクパターン
領域をそれぞれ分割する座標データや、各設計パターン
基準Ｒｌ〜Ｒ３に対応する欠陥検出基準ε１〜ε３のデ
ータを記憶するものである。
領域をそれぞれ分割する座標データや、各設計パターン
基準Ｒｌ〜Ｒ３に対応する欠陥検出基準ε１〜ε３のデ
ータを記憶するものである。
１７は、ステージ制御手段であり、検査データ設定手段
１５からの座標データに基づいて、マスクパターンｌ１
を戴置したステージを駆動するものである。
１５からの座標データに基づいて、マスクパターンｌ１
を戴置したステージを駆動するものである。
これ等により、例えば実際に製造されたマスクパターン
１１から直接、欠陥を検出する装置を構成する。なお、
実際にマスクパターン１１を製造する前の段階、すなわ
ち設計データの段階で、欠陥を検出する装置等について
、第７図を参照しながら後述する。
１１から直接、欠陥を検出する装置を構成する。なお、
実際にマスクパターン１１を製造する前の段階、すなわ
ち設計データの段階で、欠陥を検出する装置等について
、第７図を参照しながら後述する。
第３図は、本発明の各実施例のマスクパターンに係る説
明図である。
明図である。
図において、マスクパターン１１は、例えば設計パター
ン基Ｙｐ．Ｒｌ〜Ｒ３がそれぞれ異なるマスクパターン
？ＩＴｉ域Ａ．ｌ−Ａ３から成り、欠陥検出基準ε工〜
ε３がマスクパターン領域Ａｔ−Ａ３毎に異なるもので
ある。
ン基Ｙｐ．Ｒｌ〜Ｒ３がそれぞれ異なるマスクパターン
？ＩＴｉ域Ａ．ｌ−Ａ３から成り、欠陥検出基準ε工〜
ε３がマスクパターン領域Ａｔ−Ａ３毎に異なるもので
ある。
例えば、マスクパターン１ｌにおいて、マスクパターン
領域Ａ１は、座標ａ （ｘｉ．ｙｌ），ｂ（ｘ３，ｙｌ
）．ｄ （ｘ３．ｙ３）及びｃ（ｘｉｙ３）により取り
囲まれる領域以外の領域である．また、マスクパターン
領域Ａ２は、同様に庄標ａ（ｘｉ．ｙｌ）．ｂ （ｘ３
．ｙｌ）．ｆ （ｘ３，ｙ２），ｅ （ｘ２，ｙ２）．
ｇ （ｘ２．ｙ３），及びｃ （ｘｉ，ｙ３）により取
り囲まれる領域である。さらに、マスクパターン領域Ａ
３は、座４Ｍｅ （ｘ２，ｙ２），ｒ （ｘ３，ｙ２
），ｄ（ｘ ３， ３’ ３）及びｇ （ｘ２，ｙ３
）により取り囲まれる領域である。
領域Ａ１は、座標ａ （ｘｉ．ｙｌ），ｂ（ｘ３，ｙｌ
）．ｄ （ｘ３．ｙ３）及びｃ（ｘｉｙ３）により取り
囲まれる領域以外の領域である．また、マスクパターン
領域Ａ２は、同様に庄標ａ（ｘｉ．ｙｌ）．ｂ （ｘ３
．ｙｌ）．ｆ （ｘ３，ｙ２），ｅ （ｘ２，ｙ２）．
ｇ （ｘ２．ｙ３），及びｃ （ｘｉ，ｙ３）により取
り囲まれる領域である。さらに、マスクパターン領域Ａ
３は、座４Ｍｅ （ｘ２，ｙ２），ｒ （ｘ３，ｙ２
），ｄ（ｘ ３， ３’ ３）及びｇ （ｘ２，ｙ３
）により取り囲まれる領域である。
第４図は、本発明の第１の実施例のマスクパターン検査
方法に係るフローチャートである。
方法に係るフローチャートである。
ここで、マスクパターン領域Ａ１について、例えば設計
パターン基準Ｒ１のデータを６〔μｍ〕、欠陥検出基準
と１のデータを５〔μｍ〕とし、同様にマスクパターン
領域Ａ２について、設計パターン基準Ｒ２のデータを３
〔μｍ］、欠陥検出基準ε２のデータを２．５〔μｍ〕
とし、マスクパターン領域Ａ３について、設計パターン
基準Ｒ３のデータを１〔μｍ〕、欠陥検出基準ε３のデ
ータをｌ〔μｍ］と仮定する。
パターン基準Ｒ１のデータを６〔μｍ〕、欠陥検出基準
と１のデータを５〔μｍ〕とし、同様にマスクパターン
領域Ａ２について、設計パターン基準Ｒ２のデータを３
〔μｍ］、欠陥検出基準ε２のデータを２．５〔μｍ〕
とし、マスクパターン領域Ａ３について、設計パターン
基準Ｒ３のデータを１〔μｍ〕、欠陥検出基準ε３のデ
ータをｌ〔μｍ］と仮定する。
図において、まずステノブＰｉで、検査記憶手段ｌ６に
、マスクパターン１ｌの座標データ，設計パターン基準
データ及び欠陥検出基準データを格納する。この際に、
マスクパターン領域Ａ１〜Ａ３を分割する座標データａ
（ｘｉ． ｙｌ）， ｂ（ｘ３．ｙｌ），ｃ （
ｘｉ．ｙ３）．ｄ （ｘ３，ｙ３）． ｅ （ｘ２．
ｙ２）， ｒ （ｘ３． ｙ２）及びｇ （ｘ２．ｙ３
）と、設計パターン基準Ｒ１〜Ｒ３のデータ６．３．１
（μｍ）と、欠陥検出基準８１〜ε３のデータ５．
２．５． １ （μｍ〕とが格納される。
、マスクパターン１ｌの座標データ，設計パターン基準
データ及び欠陥検出基準データを格納する。この際に、
マスクパターン領域Ａ１〜Ａ３を分割する座標データａ
（ｘｉ． ｙｌ）， ｂ（ｘ３．ｙｌ），ｃ （
ｘｉ．ｙ３）．ｄ （ｘ３，ｙ３）． ｅ （ｘ２．
ｙ２）， ｒ （ｘ３． ｙ２）及びｇ （ｘ２．ｙ３
）と、設計パターン基準Ｒ１〜Ｒ３のデータ６．３．１
（μｍ）と、欠陥検出基準８１〜ε３のデータ５．
２．５． １ （μｍ〕とが格納される。
次いで、ステップＰ２で各々のマスクパターン領域Ａ１
〜Ａ３を検査対象領域８１〜Ｂ３と定める。このときに
、第５図（ａ）に示すように、検査対象領域Ｂ１は、座
標ａ （ｘｉ． ｙｌ）． ｂ（ｘ３．ｙ １），
ｄ （Ｘ３，ｙ３）及びｃ（ｘｉ，ｙ３）により取り囲
まれる領域以外の領域であり、これが欠陥検出基準ｔ１
の検査対象となる。また、検査対象領域Ｂ２は、同様に
座標ａ （ＸＩ，ｙｌ）ｂ （ｘ３． ｙｌ），
ｒ （ｘ３， ｙ２）． ｇ （ｘ２．ｙ３
）及びｃ （ｘｉ．ｙ３）により取り囲まれる領域であ
り、これが欠陥検出基準ε２の検査対象となる。さらに
、検査対象領域Ｂ３は、座標ｅ（ｘ２．ｙ２）．ｒ （
ｘ３，ｙ２），ｄ （ｘ３，ｙ３）及びｇ （ｘ２，ｙ
３）により取り囲まれる領域であり、これが欠陥検出基
準ε３の検査対象となる。
〜Ａ３を検査対象領域８１〜Ｂ３と定める。このときに
、第５図（ａ）に示すように、検査対象領域Ｂ１は、座
標ａ （ｘｉ． ｙｌ）． ｂ（ｘ３．ｙ １），
ｄ （Ｘ３，ｙ３）及びｃ（ｘｉ，ｙ３）により取り囲
まれる領域以外の領域であり、これが欠陥検出基準ｔ１
の検査対象となる。また、検査対象領域Ｂ２は、同様に
座標ａ （ＸＩ，ｙｌ）ｂ （ｘ３． ｙｌ），
ｒ （ｘ３， ｙ２）． ｇ （ｘ２．ｙ３
）及びｃ （ｘｉ．ｙ３）により取り囲まれる領域であ
り、これが欠陥検出基準ε２の検査対象となる。さらに
、検査対象領域Ｂ３は、座標ｅ（ｘ２．ｙ２）．ｒ （
ｘ３，ｙ２），ｄ （ｘ３，ｙ３）及びｇ （ｘ２，ｙ
３）により取り囲まれる領域であり、これが欠陥検出基
準ε３の検査対象となる。
次に、ステンブＰ３で各マスクパターン領域Ａｔ−Ａ３
の設計パターン基準Ｒ１〜Ｒ３に対応する欠陥検出基準
ε１〜ε３を検査対象領域８１〜Ｂ３毎に設定する．こ
の際に、検査データ設定千段１５は、例えば検査対象領
域Ｂ１を指定する場合、ステージ制御手段１７に対して
、座標データａ （ｘｌ，ｙｌ），ｂ （ｘ３，ｙｌ
），ｄ（ｘ３， ｙ３）及びｃ（ｘｉ、ｙ３）を送出
し、欠陥検出基準εｌのデータ５（μｍ〕を欠陥検出判
断手段１４に送出するゆ さらに、ステップＰ４で検査対象領域Ｂ１について、欠
陥検出基準と１で欠陥の検出をする。この際に、画像取
得千段１２は、マスクパターン領域ＡＩ以外の領域につ
いては検査を行わずに、マスクパターン領域Ａ１につい
てのみの画像を取得し、画像記憶千段ｌ３を介して、欠
陥検出判断千段１４により欠陥検出基準ε１のデータ５
〔μｍ〕に基づいて、欠陥検出が行われる．例えば、第
５図（ｂ）に示すように、マスクバクーン領域Ａ１に誤
って、パターン間隅が４〔μｍ〕や２（μｍ）に接近し
ているパターンがあれば、これを欠陥Ｅ１１．Ｅ１２と
して、見出すことができる。
の設計パターン基準Ｒ１〜Ｒ３に対応する欠陥検出基準
ε１〜ε３を検査対象領域８１〜Ｂ３毎に設定する．こ
の際に、検査データ設定千段１５は、例えば検査対象領
域Ｂ１を指定する場合、ステージ制御手段１７に対して
、座標データａ （ｘｌ，ｙｌ），ｂ （ｘ３，ｙｌ
），ｄ（ｘ３， ｙ３）及びｃ（ｘｉ、ｙ３）を送出
し、欠陥検出基準εｌのデータ５（μｍ〕を欠陥検出判
断手段１４に送出するゆ さらに、ステップＰ４で検査対象領域Ｂ１について、欠
陥検出基準と１で欠陥の検出をする。この際に、画像取
得千段１２は、マスクパターン領域ＡＩ以外の領域につ
いては検査を行わずに、マスクパターン領域Ａ１につい
てのみの画像を取得し、画像記憶千段ｌ３を介して、欠
陥検出判断千段１４により欠陥検出基準ε１のデータ５
〔μｍ〕に基づいて、欠陥検出が行われる．例えば、第
５図（ｂ）に示すように、マスクバクーン領域Ａ１に誤
って、パターン間隅が４〔μｍ〕や２（μｍ）に接近し
ているパターンがあれば、これを欠陥Ｅ１１．Ｅ１２と
して、見出すことができる。
次いで、ステップＰ５で検査対象領域Ｂ２について、欠
陥検出基準Ｃ２で欠陥の検出をする。この際には、画像
取得千段ｌ２は、マスクパターン領域Ａ２以外の領域に
ついては、検査を行わずに、マスクパターン領域Ａ２に
ついてのみの画像を取得し、ステップＰ４の処理内容と
同樟に、欠陥検出判断手段１４により欠陥検出基準ε２
のデータ２．５〔μｍ〕に基づいて、欠陥検出が行われ
る．例えば、マスクパターン領域Ａ２に誤って、パター
ン間隔が２〔μｍ］に接近しているパターンがあれば、
これを欠陥Ｅ２として見出すことができる． その後、ステップＰ６で検査対象領域Ｂ３について、欠
陥検出基準ε３で欠陥の検出をする。この際も、画像取
得手段ｌ２は、マスクパターン領域Ａ３以外の領域につ
いては、検査を行わずにマスクパターン領域Ａ３につい
てのみ画像を取得し、ステップＰ４の処理内容と同様に
、欠陥検出判断手段１４により、欠陥検出基準ε３のデ
ータ１〔μｍ）に基づいて、欠陥検出が行われる。例え
ば、マスクパターン領域Ａ３に、誤ってパターン間隔が
０．９〔μｍ］に接近しているパターンがあれば、これ
を第５図（ｂ）のような欠陥Ｅ３として見出すことがで
きる。
陥検出基準Ｃ２で欠陥の検出をする。この際には、画像
取得千段ｌ２は、マスクパターン領域Ａ２以外の領域に
ついては、検査を行わずに、マスクパターン領域Ａ２に
ついてのみの画像を取得し、ステップＰ４の処理内容と
同樟に、欠陥検出判断手段１４により欠陥検出基準ε２
のデータ２．５〔μｍ〕に基づいて、欠陥検出が行われ
る．例えば、マスクパターン領域Ａ２に誤って、パター
ン間隔が２〔μｍ］に接近しているパターンがあれば、
これを欠陥Ｅ２として見出すことができる． その後、ステップＰ６で検査対象領域Ｂ３について、欠
陥検出基準ε３で欠陥の検出をする。この際も、画像取
得手段ｌ２は、マスクパターン領域Ａ３以外の領域につ
いては、検査を行わずにマスクパターン領域Ａ３につい
てのみ画像を取得し、ステップＰ４の処理内容と同様に
、欠陥検出判断手段１４により、欠陥検出基準ε３のデ
ータ１〔μｍ）に基づいて、欠陥検出が行われる。例え
ば、マスクパターン領域Ａ３に、誤ってパターン間隔が
０．９〔μｍ］に接近しているパターンがあれば、これ
を第５図（ｂ）のような欠陥Ｅ３として見出すことがで
きる。
第５図（ａ）， （ｂ）は、第１の実施例のフローチ
ャートを補足する図であり、同図（ａ）は、マスクパタ
ーンｌ１の検査対象領域８１〜Ｂ３と、欠陥検出基準ε
１〜ε３との関係図を示している。
ャートを補足する図であり、同図（ａ）は、マスクパタ
ーンｌ１の検査対象領域８１〜Ｂ３と、欠陥検出基準ε
１〜ε３との関係図を示している。
また、同図（ｂ）は、マスクパターン１１の欠陥検査結
果を説明する図である。
果を説明する図である。
図において、矢印に示したＥｌｌ Ｅｌ２Ｅ２及びＥ
３は欠陥であり、設計ミス．設計不良等により、欠陥検
出基準εｌ〜ε３を下回るパターン間隔となった部分で
ある。
３は欠陥であり、設計ミス．設計不良等により、欠陥検
出基準εｌ〜ε３を下回るパターン間隔となった部分で
ある。
第６図は、第２の実施例のマスクパターン検査方法に係
る説明図である。
る説明図である。
図において、第１の実施例と異なるのは、第２の実施例
では、画像取得手段１２を、例えば紙面の上部から下部
にステージ制御手段１７を介して全面走査する場合、マ
スクパターン領域Ａ１〜Ａ３が変わる毎に欠陥検出基準
と１〜ε３も変えて、欠陥検出を行うものである． ここで、マスクパターン領域Ａ１〜Ａ３を分割する座標
３−ｇや欠陥検出基準ε１〜ε３が第１の実施例と同じ
ものとすれば、まず検査対象領域Ｂ１の取得画像データ
に対しては、欠陥検出基準ε１のデータ５（μｍ）に基
づいて、欠陥検出が行われる． 次いで、マスクパターン１１を戴置したステージが移動
されて、画像取得手段１２がマスクバターン領域Ｂ２に
入ると、その取得画像データに対しては、欠陥検出基準
ε２のデータ２．５〔μｍ〕に基づいて、欠陥検出が行
われる。この際の検査対象領域Ｂｌから８２の変更は、
検査データ設定手段１５により、予め設定されたマスク
パターン領域Ａ１〜Ａ３を分割する座標データａ −
Ｈに基づいて行う．この座標データａ − ｇは、レジ
スタ等にセットされ、ステージ制御千段１７のステージ
移動データ等のカウント値と、レジスタのカウント値と
が一致した時に、例えばステージが一時停止され、画像
取得千段１２のレンズ系の倍率等が、その都度設定変更
される． 検査対象領域Ｂ３に画像取得手段１２が走査された場合
も、同様に検査対象領域Ｂ３で取得した画像取得データ
は、欠陥検出基準ε３のデータ１〔μｍ〕に基づいて、
欠陥検出が行われる。
では、画像取得手段１２を、例えば紙面の上部から下部
にステージ制御手段１７を介して全面走査する場合、マ
スクパターン領域Ａ１〜Ａ３が変わる毎に欠陥検出基準
と１〜ε３も変えて、欠陥検出を行うものである． ここで、マスクパターン領域Ａ１〜Ａ３を分割する座標
３−ｇや欠陥検出基準ε１〜ε３が第１の実施例と同じ
ものとすれば、まず検査対象領域Ｂ１の取得画像データ
に対しては、欠陥検出基準ε１のデータ５（μｍ）に基
づいて、欠陥検出が行われる． 次いで、マスクパターン１１を戴置したステージが移動
されて、画像取得手段１２がマスクバターン領域Ｂ２に
入ると、その取得画像データに対しては、欠陥検出基準
ε２のデータ２．５〔μｍ〕に基づいて、欠陥検出が行
われる。この際の検査対象領域Ｂｌから８２の変更は、
検査データ設定手段１５により、予め設定されたマスク
パターン領域Ａ１〜Ａ３を分割する座標データａ −
Ｈに基づいて行う．この座標データａ − ｇは、レジ
スタ等にセットされ、ステージ制御千段１７のステージ
移動データ等のカウント値と、レジスタのカウント値と
が一致した時に、例えばステージが一時停止され、画像
取得千段１２のレンズ系の倍率等が、その都度設定変更
される． 検査対象領域Ｂ３に画像取得手段１２が走査された場合
も、同様に検査対象領域Ｂ３で取得した画像取得データ
は、欠陥検出基準ε３のデータ１〔μｍ〕に基づいて、
欠陥検出が行われる。
これにより、画像取得手段１２を検査対象全域に１回走
査することにより、第１の実施例に比べて、短時間に第
５図（ｂ）に示すような欠陥Ｅｌ １，Ｅ１２，Ｅ２及
びＥ３を検出することが可能となる。
査することにより、第１の実施例に比べて、短時間に第
５図（ｂ）に示すような欠陥Ｅｌ １，Ｅ１２，Ｅ２及
びＥ３を検出することが可能となる。
第７図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の他の実施例に係るマ
スクパターン検査装置の構成図であり、同図（ａ）は、
基板上のマスクパターン１１ａ．１ｌｂを比較して、欠
陥検出をする場合の装置構成を示している。
スクパターン検査装置の構成図であり、同図（ａ）は、
基板上のマスクパターン１１ａ．１ｌｂを比較して、欠
陥検出をする場合の装置構成を示している。
なお、第２図のマスクパターン装置と同じ名称のものは
、同じ機能を有しているので、説明を省略する。
、同じ機能を有しているので、説明を省略する。
これにより、第１．２の実施例のマスクパターン検査方
法に基づいた欠陥検出をすることができる． 同図（ｂ）は、基板上のマスクパターン１１と、磁気テ
ープ記憶手段２０の設計データとを比較する場合の装置
構成を示している． 磁気テープ記憶手段２０から読み出された設計データは
、データ変換手段２１により、画像表示データに変換さ
れ、画像記憶手段に格納される．これにより、同図（ａ
）と同様に、欠陥検出判断手段１８において、第１．２
の実施例のマスクパターン検査方法に基づいた欠陥検出
をすることができる。
法に基づいた欠陥検出をすることができる． 同図（ｂ）は、基板上のマスクパターン１１と、磁気テ
ープ記憶手段２０の設計データとを比較する場合の装置
構成を示している． 磁気テープ記憶手段２０から読み出された設計データは
、データ変換手段２１により、画像表示データに変換さ
れ、画像記憶手段に格納される．これにより、同図（ａ
）と同様に、欠陥検出判断手段１８において、第１．２
の実施例のマスクパターン検査方法に基づいた欠陥検出
をすることができる。
同図（ｃ）は、磁気テープ記憶手段２０の設計データの
データ変換をして、欠陥検出をする場合の装置構成を示
している。
データ変換をして、欠陥検出をする場合の装置構成を示
している。
これによれば、同図（ａ）， （ｂ）のように、マス
クパターンを作成する前段階において、設計データに含
まれる欠陥を取り除くことができる。
クパターンを作成する前段階において、設計データに含
まれる欠陥を取り除くことができる。
同図（ｄ）は、磁気テープ記憶手段２０ａ，２０ｂの両
設計データのデータ変換をし、画像表示データを比較し
て、欠陥検出をする場合の装置構成を示している。
設計データのデータ変換をし、画像表示データを比較し
て、欠陥検出をする場合の装置構成を示している。
これによれば、短時間に両設計データを比較し、設計デ
ータに含まれる欠陥を見出すことができる。
ータに含まれる欠陥を見出すことができる。
このようにして、第１の実施例にれば、検査対象領域８
１〜Ｂ３毎に設定された欠陥検出基準ε１〜ε３のデー
タ５． ２．５． Ｉ Ｃμｍ］に基づいて、かつ
検査対象領域Ｂｌ−８３毎にマスクパターン１１の欠陥
Ｅｌｆ，Ｅ１２、Ｅ２及びＥ３の検出が行われる。
１〜Ｂ３毎に設定された欠陥検出基準ε１〜ε３のデー
タ５． ２．５． Ｉ Ｃμｍ］に基づいて、かつ
検査対象領域Ｂｌ−８３毎にマスクパターン１１の欠陥
Ｅｌｆ，Ｅ１２、Ｅ２及びＥ３の検出が行われる。
このため、欠陥検出基準εｌのデータ５〔μｍ〕に対応
する検査領域Ｂｌ以外の検査対象領域Ｂ２，Ｂ３につい
ては、欠陥検出基準ε１のデータ５〔μｍ〕に基づいた
欠陥検出が行われない。従って、欠陥検出基準ε１と、
検査対象領域Ｂ１とが対応しない検査対象領域Ｂ２，Ｂ
３でのマスクパターンの検査について、従来のような無
駄な検査時間を省略することが可能となる。
する検査領域Ｂｌ以外の検査対象領域Ｂ２，Ｂ３につい
ては、欠陥検出基準ε１のデータ５〔μｍ〕に基づいた
欠陥検出が行われない。従って、欠陥検出基準ε１と、
検査対象領域Ｂ１とが対応しない検査対象領域Ｂ２，Ｂ
３でのマスクパターンの検査について、従来のような無
駄な検査時間を省略することが可能となる。
これにより、従来のような欠陥検出基準ｃ１〜ε３の差
異を原因とする疑偵欠陥の判断処理を無くすことが可能
となる。
異を原因とする疑偵欠陥の判断処理を無くすことが可能
となる。
以上説明したように、本発明によれば、欠陥検出基準が
対応付けられた検査対象領域毎に、マスクパターンの欠
陥検出等をすることができる。
対応付けられた検査対象領域毎に、マスクパターンの欠
陥検出等をすることができる。
このため、半導体集積回路装置の高集積化，高密度化が
進んで、設計パターン基準や欠陥検出基準が増加しても
、マスクパターン全面を短時間に検査することが可能と
なる。
進んで、設計パターン基準や欠陥検出基準が増加しても
、マスクパターン全面を短時間に検査することが可能と
なる。
これにより、１つのマスクパターンの検査時間を短縮で
きることから、マスクパターン検査装置の処理効率の向
上に寄与するところが大きい。
きることから、マスクパターン検査装置の処理効率の向
上に寄与するところが大きい。
第１図（ａ）． （ｂ）は、本発明のマスクパターン
検査方法に係る原理図、 第２図は、本発明の各実施例に係るマスクパターン検査
装置の構成図、 第３図は、本発明の各実施例のマスクバタ一一ンに係る
説明図、 第４図は、本発明の第１の実施例のマスクパターン検査
方法に係るフローチャート、 第５図（ａ）．（ｂ）は、本発明の第１の実施例のフロ
ーチャートを補足する図、 第６図は、本発明の第２の実施例のマスクパターン検査
方法に係る説明図、 第７図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の他の実施例に係るマ
スクパターン検査装置の構成図、第８図（ａ）， （
ｂ）は、従来例のマスクパターン検査方法に係る説明図
である。 （符号の説明） １ｌ・・・マスクパターン、 Ａ１〜Ａｎ・・・マスクパターン領域、Ｂ１〜Ｂｎ・・
・検査対象領域、 Ｒ１〜Ｒｎ・・・設計パターン基準、 ε１〜εｎ・・・欠陥検出基準。
検査方法に係る原理図、 第２図は、本発明の各実施例に係るマスクパターン検査
装置の構成図、 第３図は、本発明の各実施例のマスクバタ一一ンに係る
説明図、 第４図は、本発明の第１の実施例のマスクパターン検査
方法に係るフローチャート、 第５図（ａ）．（ｂ）は、本発明の第１の実施例のフロ
ーチャートを補足する図、 第６図は、本発明の第２の実施例のマスクパターン検査
方法に係る説明図、 第７図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の他の実施例に係るマ
スクパターン検査装置の構成図、第８図（ａ）， （
ｂ）は、従来例のマスクパターン検査方法に係る説明図
である。 （符号の説明） １ｌ・・・マスクパターン、 Ａ１〜Ａｎ・・・マスクパターン領域、Ｂ１〜Ｂｎ・・
・検査対象領域、 Ｒ１〜Ｒｎ・・・設計パターン基準、 ε１〜εｎ・・・欠陥検出基準。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 二以上のマスクパターン領域（Ａ１〜Ａｎ）を有し、
かつ各マスクパターン領域（Ａ１〜Ａｎ）の設計パター
ン基準（Ｒ１〜Ｒｎ）がそれぞれ異なるマスクパターン
（１１）の検査であって、前記各々のマスクパターン領
域（Ａ１〜Ａｎ）を検査対象領域（Ｂ１〜Ｂｎ）と定め
、 前記各マスクパターン領域（Ａ１〜Ａｎ）の設計パター
ン基準（Ｒ１〜Ｒｎ）に対応する欠陥検出基準（ε１〜
εｎ）を前記検査対象領域（Ｂ１〜Ｂｎ）毎に設定し、 前記欠陥検出基準（ε１〜εｎ）に基づいて、検査対象
領域（Ｂ１〜Ｂｎ）毎にマスクパターン（１１）の欠陥
検出をすることを特徴とするマスクパターン検査方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058152A JPH0820231B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | マスクパターン検査方法 |
| US07/989,459 US5287290A (en) | 1989-03-10 | 1992-12-10 | Method and apparatus for checking a mask pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058152A JPH0820231B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | マスクパターン検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02236406A true JPH02236406A (ja) | 1990-09-19 |
| JPH0820231B2 JPH0820231B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=13076018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1058152A Expired - Fee Related JPH0820231B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | マスクパターン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820231B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002532760A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクルを製造および検査するためのメカニズム |
| JP2007536560A (ja) * | 2003-07-03 | 2007-12-13 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム |
| CN115619744A (zh) * | 2022-10-20 | 2023-01-17 | 友达光电（昆山）有限公司 | 掩模板图层的检测方法、检测装置、检测设备及存储介质 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102836687B1 (ko) * | 2020-05-11 | 2025-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 검사 장치 및 이를 이용한 마스크 검사 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176807A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-08 | Hitachi Ltd | 回路パターン検査装置 |
| JPS61273088A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Hitachi Ltd | 表面パタ−ン検査方法 |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1058152A patent/JPH0820231B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176807A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-08 | Hitachi Ltd | 回路パターン検査装置 |
| JPS61273088A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Hitachi Ltd | 表面パタ−ン検査方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002532760A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクルを製造および検査するためのメカニズム |
| JP2010044414A (ja) * | 1998-12-17 | 2010-02-25 | Kla-Tencor Corp | 回路設計図、検査方法、および処理方法 |
| JP2007536560A (ja) * | 2003-07-03 | 2007-12-13 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム |
| CN115619744A (zh) * | 2022-10-20 | 2023-01-17 | 友达光电（昆山）有限公司 | 掩模板图层的检测方法、检测装置、检测设备及存储介质 |
| CN115619744B (zh) * | 2022-10-20 | 2025-08-08 | 友达光电（昆山）有限公司 | 掩模板图层的检测方法、检测装置、检测设备及存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0820231B2 (ja) | 1996-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |