JPH02237463A - スイッチング電源における故障検出保護回路 - Google Patents
スイッチング電源における故障検出保護回路Info
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- JPH02237463A JPH02237463A JP1148213A JP14821389A JPH02237463A JP H02237463 A JPH02237463 A JP H02237463A JP 1148213 A JP1148213 A JP 1148213A JP 14821389 A JP14821389 A JP 14821389A JP H02237463 A JPH02237463 A JP H02237463A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/63—Generation or supply of power specially adapted for television receivers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
- H02H7/10—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers
- H02H7/12—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers
- H02H7/122—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers for inverters, i.e. DC/AC converters
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は,例えばテレビジョン装置などの電源におけ
る故障保護回路、特に,電力MOSトランジスタにおけ
る過電流状態を防止する故障保護回路に関するものてあ
る。
る故障保護回路、特に,電力MOSトランジスタにおけ
る過電流状態を防止する故障保護回路に関するものてあ
る。
(発明の背景)
例えばテレビジョン装置の電源で用いられる直流一直流
変換器、即ち、チョッパは、所定の周波数で動作する、
第1の主電流導通電極か変成器の1次巻線の第1の端子
に接続されているスイッチング・パワー・トランジスタ
を利用しているものがある。上記の変成器の第2の端子
は、バッテリ、あるいは、交流線路電圧を整流する整流
器から得太られるような入力直流電圧に結合されている
。上記のトランジスタがスイッチオフされると、電圧か
変成器の2次巻線に誘起され、この2次巻線の誘起電圧
か整流されて、負荷回路を付勢する出力直流電圧を生成
する。負荷回路としては、例えば、テレビジョン受像機
の偏向回路かある. このパワー・トランジスタを、これを破壊する可能性の
ある過電流状態から保護することか望まれる。この過電
流状態は、例えば、変成器の2次S*aにおける過負荷
状態などによって生じる.従来のテレビジョン回路では
、電流レベルサンプリング抵抗をパワー・トランジスタ
の主電流導通電極に直列に接続している。これらの主電
流導通電極間を流れる電流を表わす電圧がサンプリング
抵抗の両端子間に発生する。この電圧に応答する比較器
が、過電流状態が生じた時に出力信号を発生する。過電
流状態は、パワー・トランジスタの電流か安全動作レベ
ルと考えられている所定の闇値レベルを超える時に生じ
る.比較塁の出力はパワー・トランジスタの駆動回路に
供給されてパワー・トランジスタをターンオフさせる。
変換器、即ち、チョッパは、所定の周波数で動作する、
第1の主電流導通電極か変成器の1次巻線の第1の端子
に接続されているスイッチング・パワー・トランジスタ
を利用しているものがある。上記の変成器の第2の端子
は、バッテリ、あるいは、交流線路電圧を整流する整流
器から得太られるような入力直流電圧に結合されている
。上記のトランジスタがスイッチオフされると、電圧か
変成器の2次巻線に誘起され、この2次巻線の誘起電圧
か整流されて、負荷回路を付勢する出力直流電圧を生成
する。負荷回路としては、例えば、テレビジョン受像機
の偏向回路かある. このパワー・トランジスタを、これを破壊する可能性の
ある過電流状態から保護することか望まれる。この過電
流状態は、例えば、変成器の2次S*aにおける過負荷
状態などによって生じる.従来のテレビジョン回路では
、電流レベルサンプリング抵抗をパワー・トランジスタ
の主電流導通電極に直列に接続している。これらの主電
流導通電極間を流れる電流を表わす電圧がサンプリング
抵抗の両端子間に発生する。この電圧に応答する比較器
が、過電流状態が生じた時に出力信号を発生する。過電
流状態は、パワー・トランジスタの電流か安全動作レベ
ルと考えられている所定の闇値レベルを超える時に生じ
る.比較塁の出力はパワー・トランジスタの駆動回路に
供給されてパワー・トランジスタをターンオフさせる。
これによって、過電流状態が検出された時にパワー・ト
ランジスタがこれ以上導通することを防止する。
ランジスタがこれ以上導通することを防止する。
大電流システムでは、上述したようなサンプリング抵抗
は相当な電力を消費してしまう。従って、変換器の効率
が低下してしまう。従って、このようなサンプリング抵
抗をパワー・トランジスタと直列に挿入することな〈バ
ワ・トランジスタの電流を検出できれば望ましい。
は相当な電力を消費してしまう。従って、変換器の効率
が低下してしまう。従って、このようなサンプリング抵
抗をパワー・トランジスタと直列に挿入することな〈バ
ワ・トランジスタの電流を検出できれば望ましい。
(発明のI!E要)
この発明の1つの特徴を実施した回路ては、パワー・ト
ランジスタは、例えば、MOSFET型である.このト
ランジスタのソース電極はアースされており、ドレン電
極は前述した変成塁の1次巻線に結合されている。ドレ
ン電極とアース間に発生する電圧は. MOSFETの
導通時にこのMOSFETを流れる電流に比例している
。従って、この電圧はMOSFETの導通期間中にこの
MOSFETに流れる電流のレベルを示す。この電圧は
、この発明の1つの1息様において、過電流保護信号を
発生するために用いることができる。
ランジスタは、例えば、MOSFET型である.このト
ランジスタのソース電極はアースされており、ドレン電
極は前述した変成塁の1次巻線に結合されている。ドレ
ン電極とアース間に発生する電圧は. MOSFETの
導通時にこのMOSFETを流れる電流に比例している
。従って、この電圧はMOSFETの導通期間中にこの
MOSFETに流れる電流のレベルを示す。この電圧は
、この発明の1つの1息様において、過電流保護信号を
発生するために用いることができる。
一方、6108FETか非導通の詩は、ドレン電極とア
ースとの間の電圧はかなり高くなっており、MOS−F
ETの導通時に流れる電流を表わしていない。この電圧
が過電流保護信号に影響を及ぼさないようにすることが
望ましい。
ースとの間の電圧はかなり高くなっており、MOS−F
ETの導通時に流れる電流を表わしていない。この電圧
が過電流保護信号に影響を及ぼさないようにすることが
望ましい。
この発明の一態様によれば、例えばドレン電極に発生す
る電圧が、この発明の1つの特徴である第1の信号の第
1の部分を生成するために用いられる。ドレン電極の電
圧はIIIOsFET rオン抵抗」の両端間に発生す
る電圧ということかできる.MOSFETが導通してい
る時は、上記第1の信号の第1の部分のレベルはトレン
電極の電圧に比例して変化し、トランジスタを流れる電
流を表わす。
る電圧が、この発明の1つの特徴である第1の信号の第
1の部分を生成するために用いられる。ドレン電極の電
圧はIIIOsFET rオン抵抗」の両端間に発生す
る電圧ということかできる.MOSFETが導通してい
る時は、上記第1の信号の第1の部分のレベルはトレン
電極の電圧に比例して変化し、トランジスタを流れる電
流を表わす。
MOSFETか非導通の時は、第1の信号の第2の部分
か一定レベル、例えば、Ovに設定、即ち、クランブさ
れる。このように,第1の信号の振幅はトランジスタの
電流を表わすか、トランジスタの非導通時のドレン電極
の電圧による影響を受けない。
か一定レベル、例えば、Ovに設定、即ち、クランブさ
れる。このように,第1の信号の振幅はトランジスタの
電流を表わすか、トランジスタの非導通時のドレン電極
の電圧による影響を受けない。
第1の信号は比較器を含むような電流検出構成に供給さ
れる.第1の信号の大きさか、過電流状態を示す予め定
められたレベルを超すと、電流検出構成がMOSFET
のゲート電極に供給される制御信号を発生して、&lO
SFETをターンオフする。このようにして, MOS
FETは,これを破壊させる可濠性のある過電流状態か
ら保護される。この発明の一実施例では、第2のトラン
ジスタを用いて, MOSFETパワー・スイッチか非
導通になった時に、第1の信号をO■レベルにクランフ
゜する。
れる.第1の信号の大きさか、過電流状態を示す予め定
められたレベルを超すと、電流検出構成がMOSFET
のゲート電極に供給される制御信号を発生して、&lO
SFETをターンオフする。このようにして, MOS
FETは,これを破壊させる可濠性のある過電流状態か
ら保護される。この発明の一実施例では、第2のトラン
ジスタを用いて, MOSFETパワー・スイッチか非
導通になった時に、第1の信号をO■レベルにクランフ
゜する。
この発明の−7g様を実施した、スイッチング電源にお
ける故障検出保護装tは、入力供給電圧の電圧源と、第
1と第2の主電流導通電極と制御電極を有する第1のス
イッチング・パワー・トランジスタを含んている。この
装置はさらに、所定の周波数を有し,第1のスイッチン
グ・パワー・トランジスタの制g4電極に供給される第
1の制御信号の信号源を含んでいる.通常動作時は、こ
の第1の制御信号か、上記所定周波数に従って決まるス
イッチング周波数で第1のスイッチングトランジスタか
動作するようにする。装置の利用回路には、入力供給電
圧源と第1の主電流導通電極とに供給されて利用回路中
に出力供給電圧を発生するインピーダンスが含まれてい
る。このインピーダンスは、第1のスイッチング・パワ
ー・トランジスタに流れる切換えられた主電流に対する
電流路を形成する.第1のスイッチング・パワー・トラ
ンジスタが導通している時、このトランジスタの第1と
第2の主電流導通電極の間に上記所定の周波数に応じて
決まる周波数で第1の電流感知信号が生成される。この
第1の電流感知信号は第1のスイッチング・パワー・ト
ランジスタの導通時の主電流のレベルを表わす。第1の
スイッチング・パワー・トランジスタが導通状態にある
時,第1の制御信号と第1の電流感知信号に従って,主
電流のレベルを表わす第2の電流感知信号の第1の部分
か出力端子に生成される。この出力端子は、第1のスイ
ッチング・パワー・トランジスタが非導通状慝にある時
に,このトランジスタから切離されて、このトランジス
タの非導通時にその第1の主電流導通電極に生じる電圧
が第2の電流感知信号の振幅の実質的な部分を占めるこ
とがないようにする。第2の電流感知信号の第1の部分
の大きさか通常の動作範囲外になって電源か故障状態に
なったことを示すと、第2の制御信号が生成される.こ
の第2の制御信号は、第1のスイッチング・パワー・ト
ランジスタがそれ以上導通しないようにするために、こ
のトランジスタの制御電極に供給される。
ける故障検出保護装tは、入力供給電圧の電圧源と、第
1と第2の主電流導通電極と制御電極を有する第1のス
イッチング・パワー・トランジスタを含んている。この
装置はさらに、所定の周波数を有し,第1のスイッチン
グ・パワー・トランジスタの制g4電極に供給される第
1の制御信号の信号源を含んでいる.通常動作時は、こ
の第1の制御信号か、上記所定周波数に従って決まるス
イッチング周波数で第1のスイッチングトランジスタか
動作するようにする。装置の利用回路には、入力供給電
圧源と第1の主電流導通電極とに供給されて利用回路中
に出力供給電圧を発生するインピーダンスが含まれてい
る。このインピーダンスは、第1のスイッチング・パワ
ー・トランジスタに流れる切換えられた主電流に対する
電流路を形成する.第1のスイッチング・パワー・トラ
ンジスタが導通している時、このトランジスタの第1と
第2の主電流導通電極の間に上記所定の周波数に応じて
決まる周波数で第1の電流感知信号が生成される。この
第1の電流感知信号は第1のスイッチング・パワー・ト
ランジスタの導通時の主電流のレベルを表わす。第1の
スイッチング・パワー・トランジスタが導通状態にある
時,第1の制御信号と第1の電流感知信号に従って,主
電流のレベルを表わす第2の電流感知信号の第1の部分
か出力端子に生成される。この出力端子は、第1のスイ
ッチング・パワー・トランジスタが非導通状慝にある時
に,このトランジスタから切離されて、このトランジス
タの非導通時にその第1の主電流導通電極に生じる電圧
が第2の電流感知信号の振幅の実質的な部分を占めるこ
とがないようにする。第2の電流感知信号の第1の部分
の大きさか通常の動作範囲外になって電源か故障状態に
なったことを示すと、第2の制御信号が生成される.こ
の第2の制御信号は、第1のスイッチング・パワー・ト
ランジスタがそれ以上導通しないようにするために、こ
のトランジスタの制御電極に供給される。
(実施例の説明)
第1図はこの発明の一態様を実施した過電流保護構成1
00aを含むテレビジョン装置の直流一直流変換器,即
も,チョッパ構成l00を示す。第2図a〜dは第1図
の構r:!t100の動作説明用の波形を示す。第1図
と第2図とにおいて、同じ番号及び符号は同し素子ある
いは機億を示す。
00aを含むテレビジョン装置の直流一直流変換器,即
も,チョッパ構成l00を示す。第2図a〜dは第1図
の構r:!t100の動作説明用の波形を示す。第1図
と第2図とにおいて、同じ番号及び符号は同し素子ある
いは機億を示す。
第1図の構成100は、通常動作時に、第2図aに示す
ような所定周波数の矩形波v6を発生する発振・駆動段
50を含んでいる。通常動作中、第1図の信号vaはそ
の周波数によって決まるスイッチング周波数でlIIO
sFETQ+を交互にスイッチオン・オフする.チョッ
パ変成器T,の1時巻線T1,は、その第1の端子がト
ランジスタQ,のドレン電極に,また第2の端子が直流
入力電圧十Bに結合されている.トランジスタQ,のス
イウチング動作により、変成3T.の2次巻線Tlbに
電圧が誘起される.この電圧はダイオードD,とキャパ
シタCIからなる整流器構成60によって整流される。
ような所定周波数の矩形波v6を発生する発振・駆動段
50を含んでいる。通常動作中、第1図の信号vaはそ
の周波数によって決まるスイッチング周波数でlIIO
sFETQ+を交互にスイッチオン・オフする.チョッ
パ変成器T,の1時巻線T1,は、その第1の端子がト
ランジスタQ,のドレン電極に,また第2の端子が直流
入力電圧十Bに結合されている.トランジスタQ,のス
イウチング動作により、変成3T.の2次巻線Tlbに
電圧が誘起される.この電圧はダイオードD,とキャパ
シタCIからなる整流器構成60によって整流される。
整流器構成60は負荷、例えば抵抗R,の両端間に直流
出力電圧vlILを生じさせる.抵抗RLは電圧V,I
Lによって付勢される、第1図には図示されていない、
テレビジョン装置の回路によって形成される負荷を代表
するものである。
出力電圧vlILを生じさせる.抵抗RLは電圧V,I
Lによって付勢される、第1図には図示されていない、
テレビジョン装置の回路によって形成される負荷を代表
するものである。
トランジスタQ.の導通り結果、第2図bに示すような
ランプ電流ijが巻線T,1に流れる。第2図b−dに
おいて、破線は実線で示す第2の例における場合よりも
大きな電流i+か流れる第1の例に対応する。
ランプ電流ijが巻線T,1に流れる。第2図b−dに
おいて、破線は実線で示す第2の例における場合よりも
大きな電流i+か流れる第1の例に対応する。
例えば第2図Cの期間t,〜t2では、第1図の電流i
,はトランジスタQ,のトレンに、この電流1+に比例
するL向にランプする電圧V。1を生じさせる.電圧V
Q1は電流i1の大きさに、トランジスタQ,か完全に
ターンオンされた時のこのトランジスタQ,のオン抵抗
,即ち、順方向抵抗の値rosを乗じたものに等しい。
,はトランジスタQ,のトレンに、この電流1+に比例
するL向にランプする電圧V。1を生じさせる.電圧V
Q1は電流i1の大きさに、トランジスタQ,か完全に
ターンオンされた時のこのトランジスタQ,のオン抵抗
,即ち、順方向抵抗の値rosを乗じたものに等しい。
トランジスタQ,が非導通の時、例えば第2図Cにおけ
る期間t2〜t,1では,変成器t1の変成器作用の結
果、第1図の電圧vQIは電圧B+よりもさらに正にな
る.例えば期間tI〜t2では、第2図Cの電圧VQI
は第1図の電流i,の大きさを示す。第2図Cの期間t
2〜t1′では、′t圧VQIは、第1図のトランジス
タQ,を流れる電流i+をそのまま表わさない部分を含
んでいる。
る期間t2〜t,1では,変成器t1の変成器作用の結
果、第1図の電圧vQIは電圧B+よりもさらに正にな
る.例えば期間tI〜t2では、第2図Cの電圧VQI
は第1図の電流i,の大きさを示す。第2図Cの期間t
2〜t1′では、′t圧VQIは、第1図のトランジス
タQ,を流れる電流i+をそのまま表わさない部分を含
んでいる。
この発明の一態様によれば,トランジスタQ1が導通し
ている時、電流i,に比例する電流感知信号vQ2が電
圧Vg1から生成される。この電流感知信号■Q2はト
ランジスタQ.か非導通の時、例えばOとなる。従って
、信号VQ2はトランジスタQ,の「オフ」時の電圧v
0,により影響を受けることはない。従って、信号VQ
2の振幅、例えばそのピーク・ピーク振幅はトランジス
タQ.の「オン」時に生じる電流i Iに比例する。信
号VQ2のこのような特徴は、この信号がトランジスタ
Q.が非導通の時に、電圧VQIにより影響を受けない
ことにより、信号vQ2のその後の処理か簡単になると
いる利点をもたらす。この信号Vg2の処理には、例え
ば、雑音低減のために信号vQ2を低減一波すること、
あるいは、第1図の電流11の平均値またはピーク値を
表わす信号を形成するために?号vQ■を平均すること
が含まれる。
ている時、電流i,に比例する電流感知信号vQ2が電
圧Vg1から生成される。この電流感知信号■Q2はト
ランジスタQ.か非導通の時、例えばOとなる。従って
、信号VQ2はトランジスタQ,の「オフ」時の電圧v
0,により影響を受けることはない。従って、信号VQ
2の振幅、例えばそのピーク・ピーク振幅はトランジス
タQ.の「オン」時に生じる電流i Iに比例する。信
号VQ2のこのような特徴は、この信号がトランジスタ
Q.が非導通の時に、電圧VQIにより影響を受けない
ことにより、信号vQ2のその後の処理か簡単になると
いる利点をもたらす。この信号Vg2の処理には、例え
ば、雑音低減のために信号vQ2を低減一波すること、
あるいは、第1図の電流11の平均値またはピーク値を
表わす信号を形成するために?号vQ■を平均すること
が含まれる。
信号■Q2を生成するために、トランジスタQtのトレ
ン電極が抵抗R.を通して、分路スイッチとして動作す
るJPET (接合形電界効果トランジスタ)Q2のド
レン電極Q.に結゛合されている。トランジスタQ2の
ゲート電極は信号v6に結合されている。トランジスタ
Q1とQ2は相補的に動作する.即ち、一方か導通して
いる時に他方は非導通であり、一方か非導通になると他
方が導通する。
ン電極が抵抗R.を通して、分路スイッチとして動作す
るJPET (接合形電界効果トランジスタ)Q2のド
レン電極Q.に結゛合されている。トランジスタQ2の
ゲート電極は信号v6に結合されている。トランジスタ
Q1とQ2は相補的に動作する.即ち、一方か導通して
いる時に他方は非導通であり、一方か非導通になると他
方が導通する。
この発明の一態様を実施した、電極Q taに現われる
第2図dに示すような信号Vg2は期間t.〜t2では
第2図Cの電圧VQ1と等しい.しかし、例えば、トラ
ンジスタQ.か非導通の期間t2〜t,lでは、電圧V
QIは第1図の電流itをそのまま表わしていない.期
間t2〜t,1では、第2図dの信号v02は第1図に
示す導通しているJPET トランジスタQ2のrオン
」抵抗によってほぼOvにクランプされる.従って、ト
ランジスタQ1が導通している時の信号VQ2における
電圧VQIの部分は,トランジスタQ,か非導通の時に
くらべてかなり大きなものとなる。従って,信号Vg2
かクランブされていない場合にくらべ、電流11の変化
により、比例して、より大きな変化が信号v.a2のピ
ーク振幅または平均値に現われる。これにより、電流i
,の変動に対する感動かより良好な過電流検出構成が得
られる。抵抗R1とトランジスタQ2は、主としてトラ
ンジスタQ,の非導通時に減衰動作をし、また、トラン
ジスタQ1の導通時には、例えば減衰されていない電圧
VQlを供給して信号V。2を形成する非常に高い、ま
たは無限大の減衰係数を持つ可制御減衰器を形成する。
第2図dに示すような信号Vg2は期間t.〜t2では
第2図Cの電圧VQ1と等しい.しかし、例えば、トラ
ンジスタQ.か非導通の期間t2〜t,lでは、電圧V
QIは第1図の電流itをそのまま表わしていない.期
間t2〜t,1では、第2図dの信号v02は第1図に
示す導通しているJPET トランジスタQ2のrオン
」抵抗によってほぼOvにクランプされる.従って、ト
ランジスタQ1が導通している時の信号VQ2における
電圧VQIの部分は,トランジスタQ,か非導通の時に
くらべてかなり大きなものとなる。従って,信号Vg2
かクランブされていない場合にくらべ、電流11の変化
により、比例して、より大きな変化が信号v.a2のピ
ーク振幅または平均値に現われる。これにより、電流i
,の変動に対する感動かより良好な過電流検出構成が得
られる。抵抗R1とトランジスタQ2は、主としてトラ
ンジスタQ,の非導通時に減衰動作をし、また、トラン
ジスタQ1の導通時には、例えば減衰されていない電圧
VQlを供給して信号V。2を形成する非常に高い、ま
たは無限大の減衰係数を持つ可制御減衰器を形成する。
第2図dの信号■。2はアナログ信号である。アナログ
信号であることにより、信号v02は、電流11がある
範囲内のいかなる値をとっても、それに対応する、無数
の異なる値を含む範囲からのいかなる値も取りうる。そ
れに対して、デジタル信号は有限数の値しかとりえない
。アナログ信号であるために、第1図の信号vQ2は通
常の低域通過フィルタで容易に低域濾波して低域濾波さ
れた電流感知信号(図示せず)を得ることかできる。こ
の信号は電流感知構J&51に供給される.ここで、も
し、電圧vQ,を直接低域濾波したとすると4その振幅
は電流11を表わすものとはならない。なぜなら、トラ
ンジスタQ1か非導通の時の電圧Vl21部分の大きさ
は、必ずしも電流i,に関係してはいないためてある。
信号であることにより、信号v02は、電流11がある
範囲内のいかなる値をとっても、それに対応する、無数
の異なる値を含む範囲からのいかなる値も取りうる。そ
れに対して、デジタル信号は有限数の値しかとりえない
。アナログ信号であるために、第1図の信号vQ2は通
常の低域通過フィルタで容易に低域濾波して低域濾波さ
れた電流感知信号(図示せず)を得ることかできる。こ
の信号は電流感知構J&51に供給される.ここで、も
し、電圧vQ,を直接低域濾波したとすると4その振幅
は電流11を表わすものとはならない。なぜなら、トラ
ンジスタQ1か非導通の時の電圧Vl21部分の大きさ
は、必ずしも電流i,に関係してはいないためてある。
この電圧V9,の部分は、トランジスタQ1の導通時の
電圧Vg,の他の部分よりもはるかに大きく、このこと
により、電流11の情報を取出すプロセスがより困難に
なってしまう。
電圧Vg,の他の部分よりもはるかに大きく、このこと
により、電流11の情報を取出すプロセスがより困難に
なってしまう。
信号■。2は電流感知構成5lの入力端子51aに供給
される。電流感知構成5lは、例えば、前述した低域通
過フィルタを含んでいる。過電流状態は第2図bの電f
Ritか安全動作レベルと考えられる予め定められたレ
ベルを超過した場合などに生じる.このような過電流状
態が発すると、ピーク値信号または平均値信号vQ2は
対応する予め定められた基準電圧レベルより大きくなる
。従って、第1図の電流感知構成St(これは比較器を
含むものとすることかできる)は発振・駆動段50の制
御端子SOaに結合される過電流保護信号IN旧BIT
を発生する.信号INIIIBITは信号V6か例えば
OVに維持されるようにし、これによって、トランジス
タQ1は非導通に維持される.第1図の電流11はOに
なり、トランジスタQ.は前述の過電流状態から保護さ
れる。トランジスタQ2のクランブ動作は、電流i,の
大きさに関する情報を電圧V01から取出して信号IN
IIIBITを生成する方法を簡単にする。
される。電流感知構成5lは、例えば、前述した低域通
過フィルタを含んでいる。過電流状態は第2図bの電f
Ritか安全動作レベルと考えられる予め定められたレ
ベルを超過した場合などに生じる.このような過電流状
態が発すると、ピーク値信号または平均値信号vQ2は
対応する予め定められた基準電圧レベルより大きくなる
。従って、第1図の電流感知構成St(これは比較器を
含むものとすることかできる)は発振・駆動段50の制
御端子SOaに結合される過電流保護信号IN旧BIT
を発生する.信号INIIIBITは信号V6か例えば
OVに維持されるようにし、これによって、トランジス
タQ1は非導通に維持される.第1図の電流11はOに
なり、トランジスタQ.は前述の過電流状態から保護さ
れる。トランジスタQ2のクランブ動作は、電流i,の
大きさに関する情報を電圧V01から取出して信号IN
IIIBITを生成する方法を簡単にする。
第3図はこの発明の別の態様を具備した、第1図の構J
ji,100と類似の電力供給構成1 (l O゜を示
す。
ji,100と類似の電力供給構成1 (l O゜を示
す。
特に、第1図と第3図のそれぞれのMOSFET Q
1とQ + ’における電流の大きさは、それぞれのト
ランジスタの導通時に、対応するドレン及びソース電極
間に現われる電圧から得られる。第1図と第3図におい
て同様の番号と記号は同様の構成要素または機能を示す
. 第1図の信号VQ2と同様な第3図の信号vs゜は電1
1゜の大きさについての情報を含んでいる。第?図a〜
dは第3図の構成100゜の動作説明のための波形を示
す。第3図と第4図で同様の番号と記号は同様の構成要
素と機能を示す. 第3図の構成100′において、トランジスタQ.のス
イッチング動作を制御する信号VG’は抵抗R2゛を介
してダイオードD2゜の陽極に結合される。直列結合さ
れたスイウチとして動作するダイオートD2’はトラン
ジスタQ ,+のドレン電極に結合された陰極を持って
いる。信号VG’はトランジスタQ1゛をターンオンす
ると同時に,ダイ才一トD2゛を通して小さな順バイア
ス電流を供給する。
1とQ + ’における電流の大きさは、それぞれのト
ランジスタの導通時に、対応するドレン及びソース電極
間に現われる電圧から得られる。第1図と第3図におい
て同様の番号と記号は同様の構成要素または機能を示す
. 第1図の信号VQ2と同様な第3図の信号vs゜は電1
1゜の大きさについての情報を含んでいる。第?図a〜
dは第3図の構成100゜の動作説明のための波形を示
す。第3図と第4図で同様の番号と記号は同様の構成要
素と機能を示す. 第3図の構成100′において、トランジスタQ.のス
イッチング動作を制御する信号VG’は抵抗R2゛を介
してダイオードD2゜の陽極に結合される。直列結合さ
れたスイウチとして動作するダイオートD2’はトラン
ジスタQ ,+のドレン電極に結合された陰極を持って
いる。信号VG’はトランジスタQ1゛をターンオンす
ると同時に,ダイ才一トD2゛を通して小さな順バイア
ス電流を供給する。
その結果、信号V5”は″第1t fit t r ’
に比例する。信号V3゜は抵抗R 2 ’とダイオード
D2゜との接続点に結合された端子51a゜に現われる
.第4図dの期間t4〜tbては、信号vs′は電流i
皇゜の大きさに抵抗値r。S゛を乗じたものに電圧vD
■゜のレベルを加えたものに等しい。電圧VD2゜は第
3図のダイオードD2゜の両端間順方向に電圧降下で、
約0.7vに等しい。
に比例する。信号V3゜は抵抗R 2 ’とダイオード
D2゜との接続点に結合された端子51a゜に現われる
.第4図dの期間t4〜tbては、信号vs′は電流i
皇゜の大きさに抵抗値r。S゛を乗じたものに電圧vD
■゜のレベルを加えたものに等しい。電圧VD2゜は第
3図のダイオードD2゜の両端間順方向に電圧降下で、
約0.7vに等しい。
トランジスタQ,゜が非導通の時に生じる信号vG′が
0の時、例えば第4図aにおける期間tb−teにおい
ては、第3図の抵抗R2’の電流は0で、ダイオードD
2゜は逆バイアスされる.非導通時のダイオードD2゜
は入力端子5l1゛を電圧Vg.から切離す。ダイオー
ドD2’が非導通の時は電圧V Ql’は電圧B+より
も高くなる。このようにして,例えば第4図dの期間t
b〜tcでは、信号V5’はほぼOvに維持される。
0の時、例えば第4図aにおける期間tb−teにおい
ては、第3図の抵抗R2’の電流は0で、ダイオードD
2゜は逆バイアスされる.非導通時のダイオードD2゜
は入力端子5l1゛を電圧Vg.から切離す。ダイオー
ドD2’が非導通の時は電圧V Ql’は電圧B+より
も高くなる。このようにして,例えば第4図dの期間t
b〜tcでは、信号V5’はほぼOvに維持される。
第3図の信号v6゜が何らかの故障か原因で小さくなり
すぎると,あるいは,電流i,′か過大になると、電流
感知構成51’の保護信号INHIBIT’か生成され
る.この信号INHIBIT“はトランジスタQ,かタ
ーンオンされないようにする。
すぎると,あるいは,電流i,′か過大になると、電流
感知構成51’の保護信号INHIBIT’か生成され
る.この信号INHIBIT“はトランジスタQ,かタ
ーンオンされないようにする。
いくつかのモード切換型電源においては,′4i流i
%や電圧B+に変動を生じることがあっても、直流出力
電圧の調整の範囲を大きくするために、電流1+’が増
加した時に信号VG’の周波数を上昇させたい場合があ
る。好ましくは、信号VS’を第3図に点線で示すよう
に、発振・駆動段50′の周波数制御端子50b゛に結
合して,例えば、電流11か増大した時に信号va゜の
周波数を増大させ, TL流11゜か減少した時に信号
v6′が減少するようにすることができる。
%や電圧B+に変動を生じることがあっても、直流出力
電圧の調整の範囲を大きくするために、電流1+’が増
加した時に信号VG’の周波数を上昇させたい場合があ
る。好ましくは、信号VS’を第3図に点線で示すよう
に、発振・駆動段50′の周波数制御端子50b゛に結
合して,例えば、電流11か増大した時に信号va゜の
周波数を増大させ, TL流11゜か減少した時に信号
v6′が減少するようにすることができる。
第5図はこの発明の更に別の態様を具備した変換器10
0“を示す.プッシュブル段を含むこの変換器1110
″は12Vのバッテリ入力電圧VBを直流一直流変換し
て24Vの出力電圧V24を発生する。
0“を示す.プッシュブル段を含むこの変換器1110
″は12Vのバッテリ入力電圧VBを直流一直流変換し
て24Vの出力電圧V24を発生する。
第5図の変換器100″は、例えば,日立製作所製の2
50ATB22型10インチ映像管を有するポータブル
・カラーテレビジョン受像41)(図示せず)などに使
用できる。第5図の変換2l100”は、さらに、15
Vの待機用供給電圧VSIIと220vの供給電圧VD
Gのような電圧も供給する.電圧V06は共振消磁回路
(図示せず)を付勢するために用いることかできる。
50ATB22型10インチ映像管を有するポータブル
・カラーテレビジョン受像41)(図示せず)などに使
用できる。第5図の変換2l100”は、さらに、15
Vの待機用供給電圧VSIIと220vの供給電圧VD
Gのような電圧も供給する.電圧V06は共振消磁回路
(図示せず)を付勢するために用いることかできる。
変換器100”において、MOSFETQ loとQ
20のドレン電極はそれぞれチョッパ変成器TIOの1
次巻線T I(111の両端部の端子90と91に結合
されている。
20のドレン電極はそれぞれチョッパ変成器TIOの1
次巻線T I(111の両端部の端子90と91に結合
されている。
端子goと91との間にある巻線T,。4の端子92が
バッテリ電圧vISに結合されている。発振器U.?、
駆動回路U2を介して結合されてWいに逆位相の信号V
2■とVzbを形成する逆位相の信号を発生する。信号
V24とV21,はそれぞれ抵抗R3とR4を介してト
ランジスタQ 10とQ2oのゲート電極に加えられて
、トランジスタQ toとQ toとをプッシュプルて
動作させる, トランジスタQ1oのトレン電流1+11は、第3図の
ダイ才一トD2′によって行われるのと同様の方法でダ
イオードD20によってサンプルされる。その結果、第
5図.の電圧Vsl.か第3図の信号V,と同様にして
形成される。同様に、第5図のトランシスタQ 20の
ドレン電1i120かダイオートD2oによりサンプル
されて電圧V9■。が形成される。
バッテリ電圧vISに結合されている。発振器U.?、
駆動回路U2を介して結合されてWいに逆位相の信号V
2■とVzbを形成する逆位相の信号を発生する。信号
V24とV21,はそれぞれ抵抗R3とR4を介してト
ランジスタQ 10とQ2oのゲート電極に加えられて
、トランジスタQ toとQ toとをプッシュプルて
動作させる, トランジスタQ1oのトレン電流1+11は、第3図の
ダイ才一トD2′によって行われるのと同様の方法でダ
イオードD20によってサンプルされる。その結果、第
5図.の電圧Vsl.か第3図の信号V,と同様にして
形成される。同様に、第5図のトランシスタQ 20の
ドレン電1i120かダイオートD2oによりサンプル
されて電圧V9■。が形成される。
交互に生成される電圧Vs1。とVq20は各抵抗R6
とR7に供給される。その結果、抵抗R6とR7の相互
接続端子Aには信号v3。か形成される。信号vsuv
は抵抗R18及び積分キャパシタC8の両端間に現われ
,比較器U■ゎの反転入力端子に供給される。例えばダ
イオードD20か、トランジスタQ Ioの非導通時に
、このトランジスタQIoの?端間の電圧V9oか信号
vsエに影1を及ぼすことがないようにする. 電流i+oまたはitoのいずれかを予め定められたレ
ベルを超えさせるような故障状態が生じた場合には、信
号vsumか比較!l U 3 Cの非反転入力端fに
おけるダイオードD8の両端間に現われる基準電圧VR
Fを超過する。その結果、比較器U:I(!の出力端子
には信号V。か生じる。この信号V。
とR7に供給される。その結果、抵抗R6とR7の相互
接続端子Aには信号v3。か形成される。信号vsuv
は抵抗R18及び積分キャパシタC8の両端間に現われ
,比較器U■ゎの反転入力端子に供給される。例えばダ
イオードD20か、トランジスタQ Ioの非導通時に
、このトランジスタQIoの?端間の電圧V9oか信号
vsエに影1を及ぼすことがないようにする. 電流i+oまたはitoのいずれかを予め定められたレ
ベルを超えさせるような故障状態が生じた場合には、信
号vsumか比較!l U 3 Cの非反転入力端fに
おけるダイオードD8の両端間に現われる基準電圧VR
Fを超過する。その結果、比較器U:I(!の出力端子
には信号V。か生じる。この信号V。
は、比較器U3Aの反転入力端子に結合された出力端子
を持った比較器U3Bの非反転入力端子に供給される。
を持った比較器U3Bの非反転入力端子に供給される。
このように、信号V。は信号■sエか基準電圧V■より
も大きい時に生じる.信号V。か生成されると、第1の
論理レベル、即ち、高論理レベルの信号INHIBIT
が比較器03Aの出力端子に生成される。第1の論理レ
ベルの信号IN旧8Tは発振器U1の出力信号がOvに
維持されるようにする。その結果、信号v2.とv2b
の各々は0となる.従って、トランジスタQ1。とQ
toにおけるスイッチング動作は停止し、トランジスタ
QIoとQ 20がターンオンされることか防止される
.従っ?、信号Vs.,はOになり、信号V。はその通
常動作レベルに復帰する。
も大きい時に生じる.信号V。か生成されると、第1の
論理レベル、即ち、高論理レベルの信号INHIBIT
が比較器03Aの出力端子に生成される。第1の論理レ
ベルの信号IN旧8Tは発振器U1の出力信号がOvに
維持されるようにする。その結果、信号v2.とv2b
の各々は0となる.従って、トランジスタQ1。とQ
toにおけるスイッチング動作は停止し、トランジスタ
QIoとQ 20がターンオンされることか防止される
.従っ?、信号Vs.,はOになり、信号V。はその通
常動作レベルに復帰する。
比較器U:lF1はタイムアウト・タイマとして働く。
比較器03Nの出力信号V:lBOL+7か一旦変化す
ると,その信号Vff80Uアはすぐにはその通常動作
レベル復帰できないようにされている。信号V:l+5
0uTの通常動作レベルへの復帰の阻止は、信号V。か
その通常動作レベルへ復帰した時点から、例えば150
■秒の遮断時間か経過するまで続く。この150鵬秒の
最小遅延時間は,vk述するように比較D U :l
aの反転入力端子に結合されたキャパシタC5に付随す
る時定数によって決まる。
ると,その信号Vff80Uアはすぐにはその通常動作
レベル復帰できないようにされている。信号V:l+5
0uTの通常動作レベルへの復帰の阻止は、信号V。か
その通常動作レベルへ復帰した時点から、例えば150
■秒の遮断時間か経過するまで続く。この150鵬秒の
最小遅延時間は,vk述するように比較D U :l
aの反転入力端子に結合されたキャパシタC5に付随す
る時定数によって決まる。
変換器ioo”の通常動作中は、信号VSIJMは電圧
V■より小さい。比較器Uffcの出力端子、ビン番号
l3は、オープンコレクタのトランジスタ(図示せず)
に形成される高インピーダンスを代表する。比較器U3
6の出力端子、ピン番号14も高インピーダンスを代表
する。キャパシタC5は分圧器を形成する抵抗R +q
、RI4、RI3及びR,6によって決まる電圧に充電
される。
V■より小さい。比較器Uffcの出力端子、ビン番号
l3は、オープンコレクタのトランジスタ(図示せず)
に形成される高インピーダンスを代表する。比較器U3
6の出力端子、ピン番号14も高インピーダンスを代表
する。キャパシタC5は分圧器を形成する抵抗R +q
、RI4、RI3及びR,6によって決まる電圧に充電
される。
?較器UffAの出力端子のおける信号INHIBIT
が低の時は、この信号により発振器uIがイネーブルさ
れる.過負荷状態が発生すると、信号Vst+Mが電圧
v*rのレベルを超え、比較器U3Cとu1aとをトリ
ガする。これらの比較器の出力は、ほぼ接地電位である
低状態で切換ねり、比較器U3Aの出力信号INIII
BITを高状態レベルへ駆動し、これによって発振器U
1が非作動状態とされる。変換器100”か非作動状態
とされた結果、信号Vst+vは電圧vR,の値より小
さくなり、比較器U3Cの出力端子は高インピーダンス
に切換わる。抵抗RI3により与えられる帰還により、
比較器U3aの出力信号V■aouアは、キャパシタC
5が抵抗1’ttsを通して信号V。の電圧より低い電
圧まて放電刷るまで低状態にとどまる。信号V。比較器
U3aの非反転入力端子に現われる。この結果、比較器
U:I11の出力端子は高インピーダンスに切換わり、
キャパシタC5か抵抗Rl!、Rl3及びR14を通し
て充電され始める。比較器U3Aの反転入力端子(ピン
番号6)の電圧がその非反転入力端子(ビン番号7)の
電圧以上にまて増大すると、比較器USAの出力信号I
NlllBITは低状態となり、再び発振器U,をイネ
ーブルする。従って、信号V2aと■2bの発生か再開
される。
が低の時は、この信号により発振器uIがイネーブルさ
れる.過負荷状態が発生すると、信号Vst+Mが電圧
v*rのレベルを超え、比較器U3Cとu1aとをトリ
ガする。これらの比較器の出力は、ほぼ接地電位である
低状態で切換ねり、比較器U3Aの出力信号INIII
BITを高状態レベルへ駆動し、これによって発振器U
1が非作動状態とされる。変換器100”か非作動状態
とされた結果、信号Vst+vは電圧vR,の値より小
さくなり、比較器U3Cの出力端子は高インピーダンス
に切換わる。抵抗RI3により与えられる帰還により、
比較器U3aの出力信号V■aouアは、キャパシタC
5が抵抗1’ttsを通して信号V。の電圧より低い電
圧まて放電刷るまで低状態にとどまる。信号V。比較器
U3aの非反転入力端子に現われる。この結果、比較器
U:I11の出力端子は高インピーダンスに切換わり、
キャパシタC5か抵抗Rl!、Rl3及びR14を通し
て充電され始める。比較器U3Aの反転入力端子(ピン
番号6)の電圧がその非反転入力端子(ビン番号7)の
電圧以上にまて増大すると、比較器USAの出力信号I
NlllBITは低状態となり、再び発振器U,をイネ
ーブルする。従って、信号V2aと■2bの発生か再開
される。
信号V8。によるトリガ作用とトランジスタQ 1Gと
Q zoのスイッチング動作の停止との間の時間は非常
に短く,約tg秒である。トランジスタQ 10とQ
20におけるスイッチング動作の停止の後、前述したよ
うに,スイッチング動作はすぐには再開てきない。スイ
ッチング動作の再開は、前述したように、早くても、t
so lL秒の遮断期間か経過した後である。従って、
トランジスタQ1。とQ 2Gは再びターンオンされる
前に、過電流状態から回復することができる. 第5図の回路において、ダイオードD6の順方向電圧に
よって決まる約0.7vを信号vsu.か超える時にト
リガレベルかある.このレベルは電圧V9Q及びV91
に相当し、これらの電圧の各々は約0.8V”t’ある
.第5図(1’) IOSFETQ 1oとQ20(7
)各々において、トランジスタが完全にターンオンされ
た時の「オン」抵抗は約0.l2Ωである。従って、変
換器100”の遮断は、電流j +oまたは12。が約
6.5A以上になった時に生じる.保護閾値電圧または
電流は抵抗Rl8の値を変えることにより調整できる。
Q zoのスイッチング動作の停止との間の時間は非常
に短く,約tg秒である。トランジスタQ 10とQ
20におけるスイッチング動作の停止の後、前述したよ
うに,スイッチング動作はすぐには再開てきない。スイ
ッチング動作の再開は、前述したように、早くても、t
so lL秒の遮断期間か経過した後である。従って、
トランジスタQ1。とQ 2Gは再びターンオンされる
前に、過電流状態から回復することができる. 第5図の回路において、ダイオードD6の順方向電圧に
よって決まる約0.7vを信号vsu.か超える時にト
リガレベルかある.このレベルは電圧V9Q及びV91
に相当し、これらの電圧の各々は約0.8V”t’ある
.第5図(1’) IOSFETQ 1oとQ20(7
)各々において、トランジスタが完全にターンオンされ
た時の「オン」抵抗は約0.l2Ωである。従って、変
換器100”の遮断は、電流j +oまたは12。が約
6.5A以上になった時に生じる.保護閾値電圧または
電流は抵抗Rl8の値を変えることにより調整できる。
電圧比較器USAはその非反転入力端子を通してツェナ
ダイオートDI6に発生する基準電圧を受取る。ハッテ
リ電圧vQか、例えばIIV以下に低下すると,比較器
U3Aの反転入力端子の信号V:ll10tlTが非反
転入力端子の電圧VRFより小さくなるために、信号I
N}IIBITが生成される。従って,トランジスタQ
+oとQ2。のスイッチング動作か停止する.その結
果、ハツテリのそれ以上の放電か防止される. 電圧V90とV91の正の部分はそれぞれダイオードD
4とD5とを通して電荷蓄積キャパシタC1。
ダイオートDI6に発生する基準電圧を受取る。ハッテ
リ電圧vQか、例えばIIV以下に低下すると,比較器
U3Aの反転入力端子の信号V:ll10tlTが非反
転入力端子の電圧VRFより小さくなるために、信号I
N}IIBITが生成される。従って,トランジスタQ
+oとQ2。のスイッチング動作か停止する.その結
果、ハツテリのそれ以上の放電か防止される. 電圧V90とV91の正の部分はそれぞれダイオードD
4とD5とを通して電荷蓄積キャパシタC1。
に結合されている.これにより、キャパシタCIOは約
24Vに充電される.変成器Tl0の2次巻線Tloa
の両端間に生成される電圧は、キャパシタCI2、ダイ
オードDo.ダイオードD,及びキャパシタCl3によ
り構成された電圧ダブラ66により整流され、2倍にさ
れる。電圧ダブラ66は共振消磁回路(図示せず)て供
給電圧として使用されるような電圧vDGを生成する。
24Vに充電される.変成器Tl0の2次巻線Tloa
の両端間に生成される電圧は、キャパシタCI2、ダイ
オードDo.ダイオードD,及びキャパシタCl3によ
り構成された電圧ダブラ66により整流され、2倍にさ
れる。電圧ダブラ66は共振消磁回路(図示せず)て供
給電圧として使用されるような電圧vDGを生成する。
電圧V。6はMOSFETQ:+。のゲートにも供給さ
れて,このトランジスタをターンオンする。キャパシタ
CIOかこのklOsFETQ3oを通して端子77に
結合されており、スイッチング動作が正常な時,端子7
7に電圧V24を生じさせる.例えば過電流状態の結果
スイッチング動作が停止すると、トランシスタQ 30
は直ちに非導通になる。トランジスタQ3。
れて,このトランジスタをターンオンする。キャパシタ
CIOかこのklOsFETQ3oを通して端子77に
結合されており、スイッチング動作が正常な時,端子7
7に電圧V24を生じさせる.例えば過電流状態の結果
スイッチング動作が停止すると、トランシスタQ 30
は直ちに非導通になる。トランジスタQ3。
が非導通になると、このトランジスタは端子77を蓄積
キャパシタCIGから切離す。このようにして、トラン
ジスタQ3oは負荷への電力を直ちに切離す.
キャパシタCIGから切離す。このようにして、トラン
ジスタQ3oは負荷への電力を直ちに切離す.
第1図は、この発明の一態様を実施した過電流保護回路
の第1の実施例を示す回路図、第2図は、第1図の回路
の動作の説明に供する波形図、第3図は、この発明の別
の態様を実施した過電流保護回路の第2の実施例を示す
回路図、第4図は、第3図の回路の動作の説明に供する
波形図、第5図は、プッシュブル出力段で用いられるこ
の発明の更に別の態様を実施した過電流保護回路の第3
の実施例を示す回路図である。 B+・・・・入力供給電圧、Q,・・・・第1のスイ・
ンチング・パワー・トランジスタ、50・・・・第1の
制御信号の信号源、TlM・・・・利用回路のインピー
ダンス、Q2・・・・第1の制御信号に応答する第1の
手段、5l・・・・第2び制御信号を発生する第2の手
段。 特許出願人 アールシーエー ライセンシングコーポレ
ーション 代 理 人 清 水 哲 ほか2
名?]冫 オ2 ↑1↑2↑1ら −387一 手続有i正書(自発) 平成1年7月13日 特願平1−148213号 発明の名称 スイッチング電源における故障検出保護回路補正をする
者 事件との関係 特許出願人 名称 アールシーエー ライセンシング コーポレー
ション5 補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄. 6 補正の内容 特許請求の範囲を別紙の通りに訂正する。 添付書類 特許請求の範囲 以上
の第1の実施例を示す回路図、第2図は、第1図の回路
の動作の説明に供する波形図、第3図は、この発明の別
の態様を実施した過電流保護回路の第2の実施例を示す
回路図、第4図は、第3図の回路の動作の説明に供する
波形図、第5図は、プッシュブル出力段で用いられるこ
の発明の更に別の態様を実施した過電流保護回路の第3
の実施例を示す回路図である。 B+・・・・入力供給電圧、Q,・・・・第1のスイ・
ンチング・パワー・トランジスタ、50・・・・第1の
制御信号の信号源、TlM・・・・利用回路のインピー
ダンス、Q2・・・・第1の制御信号に応答する第1の
手段、5l・・・・第2び制御信号を発生する第2の手
段。 特許出願人 アールシーエー ライセンシングコーポレ
ーション 代 理 人 清 水 哲 ほか2
名?]冫 オ2 ↑1↑2↑1ら −387一 手続有i正書(自発) 平成1年7月13日 特願平1−148213号 発明の名称 スイッチング電源における故障検出保護回路補正をする
者 事件との関係 特許出願人 名称 アールシーエー ライセンシング コーポレー
ション5 補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の欄. 6 補正の内容 特許請求の範囲を別紙の通りに訂正する。 添付書類 特許請求の範囲 以上
Claims (3)
- (1)入力供給電圧の電圧源と、 第1と第2の主電流導通電極と制御電極とを持った第1
のスイッチング・パワー・トランジスタと、 所定の周波数を有し、上記第1のスイッチング・パワー
・トランジスタの上記制御電極に結合されて通常動作中
上記第1のスイッチング・トランジスタを上記所定周波
数に従って決まるスイッチング周波数で動作させる第1
の制御信号の信号源と、 上記入力供給電圧と上記第1の主電流導通電極とに結合
された出力供給電圧を生成するインピーダンスを含む利
用回路であって、上記インピーダンスは、上記第1のス
イッチング・パワー・トランジスタを流れて、上記所定
周波数に従って決まる周波数の第1の電流感知信号を生
じさせる切換られる主電流に対する電流路を形成し、上
記第1の電流感知信号は上記第1のスイッチング・パワ
ー・トランジスタが導通している時この第1のスイッチ
ング・パワー・トランジスタの上記第1と第2の主電流
導通電極間に生成され、かつ、上記第1のスイッチング
・パワー・トランジスタが導通している時上記主電流の
レベルを表わすものである、上記利用回路と、 上記第1の制御信号と第1の電流感知信号とに応答し、
上記第1の主電流導通電極に結合された入力端子を有し
、上記第1のスイッチング・パワー・トランジスタの導
通時に上記主電流の上記レベルを表わす第2の電流感知
信号の第1の部分を出力端子に生じさせ、また、上記第
1のスイッチング・パワー・トランジスタが非導通の時
に上記出力端子を上記第1のスイッチング・パワー・ト
ランジスタから切離して、この第1のスイッチング・パ
ワー・トランジスタが非導通の時にこのトランジスタの
上記第1の主電流導通電極に現われる電圧が上記第2の
電流感知信号の振幅の実質的な部分を占めることがない
ようにする第1の手段と、 上記第2の電流感知信号に応答して、上記第2の電流感
知信号の上記第1の部分の大きさが通常動作範囲外とな
ってスイッチング電源に故障状態の発生を示す時、上記
第1のスイッチング・パワー・トランジスタの上記制御
電極に結合されてこのトランジスタがそれ以上導通しな
いようにする第2の制御信号を生成する第2の手段と、 を含む、上記スイッチング電源における故障検出保護装
置。 - (2)入力供給電圧の電圧源と、 第1と第2の主電流導通電極と制御電極とを有する第1
のスイッチング・パワー・トランジスタと、 所定の周波数を有し、この第1のスイッチング・パワー
・トランジスタの上記制御電極に結合されて通常動作中
このトランジスタを上記所定周波数に従って決まるスイ
ッチング周波数で動作させる第1の信号の信号源と、 上記入力供給電圧と上記第1の主電流導通電極とに結合
された出力供給電圧を生成するインピーダンスを含む利
用回路であって、上記インピーダンスは、上記第1のス
イッチング・パワー・トランジスタを流れて、上記第1
の信号の周波数に対応する周波数の第2の信号を生成す
る切換えられる主電流に対する電流路を形成し、上記第
2の信号は上記第1のスイッチング・パワー・トランジ
スタの上記第1と第2の主電流導通電極との間に生成さ
れ、かつ、上記切換主電流のレベルを表わすものである
、上記利用回路と、 上記第1のスイッチング・パワー・トランジスタの上記
第1の主電流導通電極に結合された第1の端子を有する
第2のインピーダンスと、 上記第1の信号に結合された制御電極と上記第2のイン
ピーダンスの第2の端子に結合された主電流導通電極と
を有する第2のスイッチング・トランジスタであって、
上記第1のスイッチング・パワー・トランジスタが導通
している時、この第2のスイッチング・トランジスタの
上記主電流導通電極に、上記切換主電流の振幅を表わす
第3の信号を生成し、また、上記第1のスイッチング・
パワー・トランジスタが非導通の時、上記第3の信号が
上記第1のスイッチング・パワー・トランジスタの導通
時の値よりも実質的に小さくなるようにする上記第2の
スイッチング・トランジスタと、 上記第3の信号に応答して、上記第1のスイッチング・
パワー・トランジスタの上記制御電極に結合されて、上
記第3の信号が予め定められた大きさを超えると上記第
1のスイッチング・パワー・トランジスタを流れる上記
切換られる主電流を減少させる制御信号を生成する手段
と、 を含む、電源装置の故障検出保護構成。 - (3)入力供給電圧の電圧源と、 制御電極と、第1のスイッチング電流を導通させる第1
と第2の主電流導通電極とを有する第1のスイッチング
・パワー・トランジスタと、所定の周波数を有し、上記
第1のスイッチング・パワー・トランジスタの上記制御
電極に結合されて、通常動作中、上記第1のスイッチン
グ・パワー・トランジスタを上記所定周波数に従って決
まるスイッチング周波数で動作させる第1の信号の信号
源と、 上記第1のスイッチング・パワー・トランジスタの上記
第1の主電流導通電極に結合された第1の端子を有する
第1の変成器巻線と、 第2のスイッチング・パワー・トランジスタであって、
上記第1の変成器巻線の上記第1のスイッチング・パワ
ー・トランジスタから遠い側の第2の端子に結合されて
いてこの第2のスイッチング・パワー・トランジスタに
第2のスイッチング電流を流す第1の主電流導通電極と
、上記第1と第2のスイッチング・パワー・トランジス
タがプッシュプルで動作するように上記第1の信号に関
係した周波数の信号に応答する制御電極とを有する上記
第2のスイッチング・パワー・トランジスタと、 上記第1と第2のスイッチング・パワー・トランジスタ
の上記第1の主電流導通電極に結合されており、上記第
1の信号の所定の周期の第1と第2の部分において、そ
れぞれ、上記第1と第2のスイッチング・パワー・トラ
ンジスタの内部インピーダンスの値に比例し、また、そ
れぞれ上記第1と第2の部分においてそれを流れる上記
第1と第2のスイッチング電流に比例する第3の信号を
生成する手段と、 上記第3の信号に応答し、上記第1と第2のスイッチン
グ電流のいずれか一方が通常動作範囲外となってスイッ
チング電源に故障状態が発生したことを示す時、上記第
1と第2のスイッチング・パワー・トランジスタの少く
とも一方のものの上記制御電極に結合されて上記故障状
態に対する保護を与える手段と、 を含む、上記スイッチング電源における故障検出保護回
路。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/204,474 US4907116A (en) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | Power supply fault protection circuit |
| US204474 | 1988-06-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237463A true JPH02237463A (ja) | 1990-09-20 |
| JP2819152B2 JP2819152B2 (ja) | 1998-10-30 |
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ID=22758041
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1148213A Expired - Lifetime JP2819152B2 (ja) | 1988-06-09 | 1989-06-08 | スイッチング電源における故障検出保護回路 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0345679B1 (ja) |
| JP (1) | JP2819152B2 (ja) |
| KR (1) | KR0136872B1 (ja) |
| CN (1) | CN1018782B (ja) |
| DE (1) | DE68920363T2 (ja) |
| FI (1) | FI100625B (ja) |
Cited By (1)
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