JPH02238602A - 3層構成酸化金属皮膜抵抗器 - Google Patents
3層構成酸化金属皮膜抵抗器Info
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- JPH02238602A JPH02238602A JP1057847A JP5784789A JPH02238602A JP H02238602 A JPH02238602 A JP H02238602A JP 1057847 A JP1057847 A JP 1057847A JP 5784789 A JP5784789 A JP 5784789A JP H02238602 A JPH02238602 A JP H02238602A
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Landscapes
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、絶縁性の基体に酸化錫を主成分とする酸化金
属皮膜を形成した酸化金属皮膜抵抗器に関する。
属皮膜を形成した酸化金属皮膜抵抗器に関する。
[従来の技術コ
従来公知の酸化金属皮膜抵抗器の構成は、例えば、棒状
の磁器基体(例えば直径3m叱長さl 1mm)の表面
に、酸化錫を主成分とする酸化金属皮膜を形成し、この
ように被覆された棒状の磁器基体の両端に、それぞれ金
属性のキャップ端子を嵌着して接続用の端子となし、リ
ード線をつけた後、これらの表面を絶縁性、且つ、耐湿
性の外装保護膜で被覆している。
の磁器基体(例えば直径3m叱長さl 1mm)の表面
に、酸化錫を主成分とする酸化金属皮膜を形成し、この
ように被覆された棒状の磁器基体の両端に、それぞれ金
属性のキャップ端子を嵌着して接続用の端子となし、リ
ード線をつけた後、これらの表面を絶縁性、且つ、耐湿
性の外装保護膜で被覆している。
般的には、酸化金属皮膜として酸化錫を主成分とする酸
化錫皮膜中に、酸化アンチモンを添加した酸化金属皮膜
を形成してつくられた抵抗温度係数の小さい酸化金属皮
膜抵抗器が使用されている。このような酸化金属皮膜抵
抗器の製造は、通常「吹き付け法」と呼ばれる方法に依
って、絶縁性の基体の表面に酸化金属皮膜を形成する方
法で行なわれている。
化錫皮膜中に、酸化アンチモンを添加した酸化金属皮膜
を形成してつくられた抵抗温度係数の小さい酸化金属皮
膜抵抗器が使用されている。このような酸化金属皮膜抵
抗器の製造は、通常「吹き付け法」と呼ばれる方法に依
って、絶縁性の基体の表面に酸化金属皮膜を形成する方
法で行なわれている。
「吹き付け法」と呼ばれる方法に於では先ず、水、塩酸
、アルコール等の混合溶液に、塩化第2錫(Sn Cg
.)と少量の3塩化アンチモン(Sb CΩ,)とを溶
解した原料溶液と、棒状のムライト・コランダム磁器基
体を用意する。
、アルコール等の混合溶液に、塩化第2錫(Sn Cg
.)と少量の3塩化アンチモン(Sb CΩ,)とを溶
解した原料溶液と、棒状のムライト・コランダム磁器基
体を用意する。
次いでこれとは別に、これらの原料溶液と、磁器基体と
を用いて、第3図にその要部を示す看膜装置に依って、
前記基体表面に酸化金属皮膜を形成して、酸化金属皮膜
抵抗器を製造する。
を用いて、第3図にその要部を示す看膜装置に依って、
前記基体表面に酸化金属皮膜を形成して、酸化金属皮膜
抵抗器を製造する。
第3図に示した看膜装置の概要を説明すると、炉8内に
耐熱性の籠9を回転自在に軸支し、籠全体が加熱される
ように、発熱体が炉壁に設けられている。炉外には原料
溶液供給装置10と、空気を圧縮する装置l1とが設け
られている。原料溶液供給装置IOと空気を圧縮する装
置1lとからそれぞれ、籠9に向けてパイプ12. 1
3が導出されている。導出されたパイプの先端にノズル
14を接続し、籠に向けて、原料溶液が噴霧されるよう
に設置されている。
耐熱性の籠9を回転自在に軸支し、籠全体が加熱される
ように、発熱体が炉壁に設けられている。炉外には原料
溶液供給装置10と、空気を圧縮する装置l1とが設け
られている。原料溶液供給装置IOと空気を圧縮する装
置1lとからそれぞれ、籠9に向けてパイプ12. 1
3が導出されている。導出されたパイプの先端にノズル
14を接続し、籠に向けて、原料溶液が噴霧されるよう
に設置されている。
この装置による着膜は、前記原料溶液を原料溶液供給装
置10に入れ、籠9に前記ムライト・コランダム磁器a
を入れて回転させながら、炉内の温度を500℃〜80
0℃に昇温し、その状態で、圧縮空気によって原料溶液
をノズルから噴霧して行なわれる。その後、噴霧を止め
、炉内の加温を止め、基体を取り出す。炉から取り出さ
れた抵抗器は、別の炉に入れられて、200℃〜3圓℃
の温度で数lO分間〜数時間熱処理され、熱的及び電気
的に安定な皮膜にされる。
置10に入れ、籠9に前記ムライト・コランダム磁器a
を入れて回転させながら、炉内の温度を500℃〜80
0℃に昇温し、その状態で、圧縮空気によって原料溶液
をノズルから噴霧して行なわれる。その後、噴霧を止め
、炉内の加温を止め、基体を取り出す。炉から取り出さ
れた抵抗器は、別の炉に入れられて、200℃〜3圓℃
の温度で数lO分間〜数時間熱処理され、熱的及び電気
的に安定な皮膜にされる。
次いで金属性のキャップを前記基体の両端に嵌着し、基
体表面をスパイラル状にカットして所定の抵抗値を得る
。その後、リード線を溶接し、更に保護膜を形成して酸
化金属皮膜抵抗器の製品を得ていた。しかしながら、皮
膜の安定性、信頼性等の問題から、スパイラルカット前
の抵抗値で200Ω程度迄の抵抗値しか得られなかった
。
体表面をスパイラル状にカットして所定の抵抗値を得る
。その後、リード線を溶接し、更に保護膜を形成して酸
化金属皮膜抵抗器の製品を得ていた。しかしながら、皮
膜の安定性、信頼性等の問題から、スパイラルカット前
の抵抗値で200Ω程度迄の抵抗値しか得られなかった
。
これに対し、磁器基体の表面に、酸化錫を主成分とする
酸化金属皮膜を形成し、該被覆磁器基体の両端に接続用
の端子を取り付けた構造の酸化金属皮膜抵抗器の改良品
が開発されている。該改良品は、前記酸化金属皮膜部分
が異質の2Nの積層体から成るものであって磁器基体表
面上に第1の酸化金属皮膜層を形成し、その上に、第1
の層より比抵抗の小さい第2の酸化金属皮膜層を形成す
ることによって得られた酸化金属皮膜抵抗器である。
該改良品は実用上求められる皮膜の安定性、信頼性を満
たしながらスパイラルカット前の抵抗値で数KΩまでの
抵抗値を実現した。
酸化金属皮膜を形成し、該被覆磁器基体の両端に接続用
の端子を取り付けた構造の酸化金属皮膜抵抗器の改良品
が開発されている。該改良品は、前記酸化金属皮膜部分
が異質の2Nの積層体から成るものであって磁器基体表
面上に第1の酸化金属皮膜層を形成し、その上に、第1
の層より比抵抗の小さい第2の酸化金属皮膜層を形成す
ることによって得られた酸化金属皮膜抵抗器である。
該改良品は実用上求められる皮膜の安定性、信頼性を満
たしながらスパイラルカット前の抵抗値で数KΩまでの
抵抗値を実現した。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記改良品の場合、比抵抗の大きい第1
の酸化金属皮膜は従来の抵抗温度係数の小さい、酸化錫
を主成分とし酸化アンチモンを補助成分として添加され
た酸化金属皮膜と比べ、同じ膜厚では結晶粒径が小さく
、また成膜速度を」二げられないと云う課題があった。
の酸化金属皮膜は従来の抵抗温度係数の小さい、酸化錫
を主成分とし酸化アンチモンを補助成分として添加され
た酸化金属皮膜と比べ、同じ膜厚では結晶粒径が小さく
、また成膜速度を」二げられないと云う課題があった。
本発明の目的はこのような課題を解消する事が出来る酸
化金属皮膜抵抗器を提供する事にある。
化金属皮膜抵抗器を提供する事にある。
[課題を解決するための手段]
課題を解決するための手段として本発明者等は、絶縁基
体の表面に、酸化錫を主成分とする異質の2層の積層体
から成る酸化金属皮膜を形成し、該被覆絶縁基体の両端
に接続用の端子を取付けた構造の複合型酸化金属皮膜抵
抗器を更に改良した製品を開発した。該改良品は前記酸
化金属皮膜部分が異質の3層の積層体から成るものであ
って、絶縁基体表面上に第1の酸化金属皮@層を形成し
、その上に第1の層より比抵抗の大きな第2の酸化金属
皮膜層を形成し、さらにその上に第2の層より比抵抗の
小さな第3の酸化金属皮膜層を形成することによって得
られた3層構造の酸化金属皮膜抵抗器である。
体の表面に、酸化錫を主成分とする異質の2層の積層体
から成る酸化金属皮膜を形成し、該被覆絶縁基体の両端
に接続用の端子を取付けた構造の複合型酸化金属皮膜抵
抗器を更に改良した製品を開発した。該改良品は前記酸
化金属皮膜部分が異質の3層の積層体から成るものであ
って、絶縁基体表面上に第1の酸化金属皮@層を形成し
、その上に第1の層より比抵抗の大きな第2の酸化金属
皮膜層を形成し、さらにその上に第2の層より比抵抗の
小さな第3の酸化金属皮膜層を形成することによって得
られた3層構造の酸化金属皮膜抵抗器である。
前記第1の酸化金属皮膜はアンチモンまたはフッ素より
選ばれた少なくとも1種の元素を補助成分として含む主
成分が酸化錫の薄膜とすることができ、その厚さは0.
05〜5μm、好ましくは05〜2lLmとすることが
できる。
選ばれた少なくとも1種の元素を補助成分として含む主
成分が酸化錫の薄膜とすることができ、その厚さは0.
05〜5μm、好ましくは05〜2lLmとすることが
できる。
前記第2の酸化金属皮膜は鉄、インジウム、ニッケル、
リン、亜鉛、カドミウム、およびアンチモンからなる群
より選ばれた少なくとも1種の元素を補助成分として含
む主成分が酸化錫の薄膜とすることができ、その厚さは
0.旧〜2μm、好ましくは0. 05〜1μmとする
ことができる。
リン、亜鉛、カドミウム、およびアンチモンからなる群
より選ばれた少なくとも1種の元素を補助成分として含
む主成分が酸化錫の薄膜とすることができ、その厚さは
0.旧〜2μm、好ましくは0. 05〜1μmとする
ことができる。
前記第3の酸化金属皮膜はアンチモン、ニッケル、クロ
ム、フッ素、リン、ヒ素、鉄、マンガン、バリウム、ビ
スマス、コバルト、亜鉛、銅、ボロン、カドミウム、お
よびバナジウムからなる群より選ばれた少なくとも1種
の元素を補助成分として含む主成分が酸化錫の薄膜とす
ることができ、その厚さは0003〜2μm、好ましく
は0. 005〜lμmとすることができる。
ム、フッ素、リン、ヒ素、鉄、マンガン、バリウム、ビ
スマス、コバルト、亜鉛、銅、ボロン、カドミウム、お
よびバナジウムからなる群より選ばれた少なくとも1種
の元素を補助成分として含む主成分が酸化錫の薄膜とす
ることができ、その厚さは0003〜2μm、好ましく
は0. 005〜lμmとすることができる。
[ 作 用 ]
本発明に従って絶縁基体表面上に形成された第1の酸化
金属皮膜は比較的厚く成膜されているので結晶化が進ん
でおり、結晶径は大きく成長している。その上に設けら
れた第2の酸化金属皮膜としては比抵抗の大きい組成の
膜が成膜されているため抵抗値が大きく、また、上記第
1の酸化金属皮膜の結晶面上に成膜されるので第2の結
晶が第1の結晶面上に重なり合って成長し、薄い酸化金
属皮膜でも微細な結晶粒が析出せず、結晶性が良い膜と
なっている。
金属皮膜は比較的厚く成膜されているので結晶化が進ん
でおり、結晶径は大きく成長している。その上に設けら
れた第2の酸化金属皮膜としては比抵抗の大きい組成の
膜が成膜されているため抵抗値が大きく、また、上記第
1の酸化金属皮膜の結晶面上に成膜されるので第2の結
晶が第1の結晶面上に重なり合って成長し、薄い酸化金
属皮膜でも微細な結晶粒が析出せず、結晶性が良い膜と
なっている。
第3の膜はさらに上記第2の酸化金属皮膜の結晶面上に
、重なり合って成長し、薄い酸化金属皮膜でも微結晶が
析出せず、結晶性が良く、熱的に安定な膜となっている
。
、重なり合って成長し、薄い酸化金属皮膜でも微結晶が
析出せず、結晶性が良く、熱的に安定な膜となっている
。
第1の酸化金属皮膜は結晶化が進んだので、表面に凹凸
が生じており、その上に第2の酸化金属皮膜を成長させ
ると表面の凹凸は保たれ、さらにその上に第3の酸化金
属皮膜を成長させると、抵抗値が増大ずる。
が生じており、その上に第2の酸化金属皮膜を成長させ
ると表面の凹凸は保たれ、さらにその上に第3の酸化金
属皮膜を成長させると、抵抗値が増大ずる。
従って、上記抵抗器の抵抗値を律する比抵抗の小さい第
3の酸化金属皮膜の膜厚を薄くしても、熱的に安定で、
抵抗値が高く抵抗温度係数が小さく、半田耐熱による抵
抗値変化率が小さく、かつ高温放置による抵抗値変化率
の小さい抵抗器を得る事が可能になる。
3の酸化金属皮膜の膜厚を薄くしても、熱的に安定で、
抵抗値が高く抵抗温度係数が小さく、半田耐熱による抵
抗値変化率が小さく、かつ高温放置による抵抗値変化率
の小さい抵抗器を得る事が可能になる。
さらに、第1の酸化金属皮膜は酸化錫を主成分としアン
チモンまたはフッ素を添加した酸化金属皮膜であるため
、結晶粒径が大きくなり、成膜速度は大きくすることが
できる。
チモンまたはフッ素を添加した酸化金属皮膜であるため
、結晶粒径が大きくなり、成膜速度は大きくすることが
できる。
次に本発明の構成を実施例に基づき詳細に説明する。
[実施例l]
アルミナ含有率約70%のムライト・コランダム製磁器
基体(直fM3.0mm長さll.Omm)を1000
0個用意し、アルコール中で10分間、次いで純水中で
15分間超音波洗浄し、乾燥器中で、170℃の温度で
60分間乾燥した. 又これとは別に、 純 水・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・1250g塩 酸・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・200gエチルアルコール・・・・・・
・・・・・・・・・ 70gの混合溶液を用意し、該混
合溶液に、 塩化第2錫(Sn CQ.)を 60%含む水溶液・・・・・・・・・625gおよび 塩化アンチモン(Sb Ci!.3 )・・・ 285
gを溶解して第1の原料溶液を用意した。
基体(直fM3.0mm長さll.Omm)を1000
0個用意し、アルコール中で10分間、次いで純水中で
15分間超音波洗浄し、乾燥器中で、170℃の温度で
60分間乾燥した. 又これとは別に、 純 水・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・1250g塩 酸・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・200gエチルアルコール・・・・・・
・・・・・・・・・ 70gの混合溶液を用意し、該混
合溶液に、 塩化第2錫(Sn CQ.)を 60%含む水溶液・・・・・・・・・625gおよび 塩化アンチモン(Sb Ci!.3 )・・・ 285
gを溶解して第1の原料溶液を用意した。
次いで、
純 水・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・1250gエチルアルコール・・・・・・・・・・
・・・・・ 70gの混合溶液を用意し、該混合溶液に
、 塩化第2錫(Sn Cβ4)を 60%含む水溶液・・・・・・・・・625gおよび 塩化鉄(Fe CI23・61120) ・・・84.
6gを溶解して第2の原料溶液を用意した。
・・1250gエチルアルコール・・・・・・・・・・
・・・・・ 70gの混合溶液を用意し、該混合溶液に
、 塩化第2錫(Sn Cβ4)を 60%含む水溶液・・・・・・・・・625gおよび 塩化鉄(Fe CI23・61120) ・・・84.
6gを溶解して第2の原料溶液を用意した。
さらに、第1の原料溶液と同じ組成の第3の原料溶液を
用意した。
用意した。
これらの原料溶液を用意した後に、第3図に要部を示し
た着膜装置の籠に、前記基体を入れ、籠を回転させなが
ら、炉内の温度を700℃に昇温し、700℃に保った
まま、原料溶液供給装置IOに、而記第1の原料溶液を
入れ、ノズル14から圧縮空気と共に原料溶液の霧を噴
霧し、引き続き第2の原料溶液を噴霧し、さらに引き続
き第3の原料溶液を噴霧した後、霧の噴霧を止め、籠の
回転を続けながら、炉内を降温し、着膜された磁器基体
を取り出し、前記膜厚を測定したところ、第1層の酸化
金属皮膜の膜厚は、平均lμmであり、第2層の酸化金
属皮膜の膜厚は、平均0,1μmであり、第3層の酸化
金属皮膜の膜厚は、平均5×10−″μmであった。
た着膜装置の籠に、前記基体を入れ、籠を回転させなが
ら、炉内の温度を700℃に昇温し、700℃に保った
まま、原料溶液供給装置IOに、而記第1の原料溶液を
入れ、ノズル14から圧縮空気と共に原料溶液の霧を噴
霧し、引き続き第2の原料溶液を噴霧し、さらに引き続
き第3の原料溶液を噴霧した後、霧の噴霧を止め、籠の
回転を続けながら、炉内を降温し、着膜された磁器基体
を取り出し、前記膜厚を測定したところ、第1層の酸化
金属皮膜の膜厚は、平均lμmであり、第2層の酸化金
属皮膜の膜厚は、平均0,1μmであり、第3層の酸化
金属皮膜の膜厚は、平均5×10−″μmであった。
次いで別に用意した炉で、前記抵抗器を200℃の温度
で、2時間熱処理した後、基体の両端に、リード線の付
いた金属性のキャップを嵌着し、リート線以外の基体表
面を外装保護膜で被覆して5絶縁塗料で外装した抵抗器
を得た。
で、2時間熱処理した後、基体の両端に、リード線の付
いた金属性のキャップを嵌着し、リート線以外の基体表
面を外装保護膜で被覆して5絶縁塗料で外装した抵抗器
を得た。
これらの抵抗器から200個ずっ4グループを無l1
作為に選択し、20℃に於ける抵抗値と、抵抗温度係数
と、半田耐熱による抵抗値の変化率と、高温放置による
抵抗値の変化率とを、それぞれのグループ毎に200個
すべてについて四端子法に従って測定した。
と、半田耐熱による抵抗値の変化率と、高温放置による
抵抗値の変化率とを、それぞれのグループ毎に200個
すべてについて四端子法に従って測定した。
20゜Cに於ける抵抗値は、20℃の温度に保温された
恒温槽内に、前記抵抗器を30分間敢置した後、そのま
まの状態で、20℃の抵抗値(R2.)を測定し、その
平均値を求め、10の位を四捨五入して第1表に示した
。
恒温槽内に、前記抵抗器を30分間敢置した後、そのま
まの状態で、20℃の抵抗値(R2.)を測定し、その
平均値を求め、10の位を四捨五入して第1表に示した
。
半田耐熱前後の抵抗値の変化率は、20℃に於ける抵抗
値を測定した後、350℃に溶融した半田槽内に、前記
抵抗器を3秒間浸漬した後取り出し、室温に3時間放置
した後、抵抗値を測定し、20℃の抵抗値に対する変化
率を求めて、変化率の絶対値の最大を第1表に示した。
値を測定した後、350℃に溶融した半田槽内に、前記
抵抗器を3秒間浸漬した後取り出し、室温に3時間放置
した後、抵抗値を測定し、20℃の抵抗値に対する変化
率を求めて、変化率の絶対値の最大を第1表に示した。
抵抗温度係数の測定は、20℃の温度に保温された恒温
槽内に、抵抗器を30分間放置した後、そのままの状態
で、20℃の抵抗値(R2o)を測定し、次に恒温槽内
の温度を−55℃に保持し、30分間保l 2 持した後抵抗値を測定し、次いで、155℃に昇温し、
30分間保持した後155℃の温度で抵抗値を測定し、
20℃と155℃、20℃と−55℃との抵抗値の差(
△R)を求め、次式により、抵抗温度係数を求めた。
槽内に、抵抗器を30分間放置した後、そのままの状態
で、20℃の抵抗値(R2o)を測定し、次に恒温槽内
の温度を−55℃に保持し、30分間保l 2 持した後抵抗値を測定し、次いで、155℃に昇温し、
30分間保持した後155℃の温度で抵抗値を測定し、
20℃と155℃、20℃と−55℃との抵抗値の差(
△R)を求め、次式により、抵抗温度係数を求めた。
相帽訃(ΔR/R2o・△T’)’IO6(ppm /
℃)但し、△Tは、20℃と測定温度との差を示す。
℃)但し、△Tは、20℃と測定温度との差を示す。
このようにして200個の抵抗器の、低温側と高温側の
抵抗温度係数を求め、抵抗温度係数の絶対値の最大を第
1表に示した。
抵抗温度係数を求め、抵抗温度係数の絶対値の最大を第
1表に示した。
高温放置における抵抗値の変化率は20℃に於ける抵抗
値を測定した後、200℃の恒温槽中で100時間放置
して取り出し、室温に1時間放置した後、抵抗値を測定
し、20℃の抵抗値に対する変化率を求めて、変化率の
絶対値の最大を第1表に示した。
値を測定した後、200℃の恒温槽中で100時間放置
して取り出し、室温に1時間放置した後、抵抗値を測定
し、20℃の抵抗値に対する変化率を求めて、変化率の
絶対値の最大を第1表に示した。
[実施例2]
11j記実施例1における第1の原料母液中に塩化アン
チモン(Sb CQ3)28.6gに代えてフッ化?ン
モニウム(NH4F)26.7gを添加した事以外は実
施例lと同様に処理及び測定を行なって第1表に示す結
果を得た。
チモン(Sb CQ3)28.6gに代えてフッ化?ン
モニウム(NH4F)26.7gを添加した事以外は実
施例lと同様に処理及び測定を行なって第1表に示す結
果を得た。
[実施例3]
前記実施例1における第1の原料溶液中に更にフッ化ア
ンモニウム(N84F)26.7gを添加した事以外は
実施例1と同様に処理及び測定を行なって第1表に示す
結果を得た。
ンモニウム(N84F)26.7gを添加した事以外は
実施例1と同様に処理及び測定を行なって第1表に示す
結果を得た。
[実施例4〜6]
前記実施例1における第3の原料溶液中に、それぞれ更
に、フッ化アンモニウム(NH4F)26. 7g,塩
化ニッケル(Ni Cfl,,・614■0)72g.
塩化クロム(Cr Cj2s・6Hz O) 8.0g
を添加した事以外は実施例1と同様に処理及び測定を行
なって第1表に示す結果を得た。
に、フッ化アンモニウム(NH4F)26. 7g,塩
化ニッケル(Ni Cfl,,・614■0)72g.
塩化クロム(Cr Cj2s・6Hz O) 8.0g
を添加した事以外は実施例1と同様に処理及び測定を行
なって第1表に示す結果を得た。
[実施例7〜9]
+iij記実施例lにおける第2の原料溶液において、
塩化鉄(Fe (,9, ・6]{■O)の量を、42
3gとした事と、それぞれ更に塩化ニッケル(N t
C 9 2・6){z O) 29.5g, 5塩化
リン(l 4 P C A e ) 25. 4g.塩化インジウム(
InCj23・nH20.但しn =3 〜4 ) 5
1.0gを添加した事以外は実施例lと同様に処理及び
測定を行なって、第1表に示す結果を得た。
塩化鉄(Fe (,9, ・6]{■O)の量を、42
3gとした事と、それぞれ更に塩化ニッケル(N t
C 9 2・6){z O) 29.5g, 5塩化
リン(l 4 P C A e ) 25. 4g.塩化インジウム(
InCj23・nH20.但しn =3 〜4 ) 5
1.0gを添加した事以外は実施例lと同様に処理及び
測定を行なって、第1表に示す結果を得た。
[実施例10. 1I]
実施例lに於ける第1層の酸化金属皮膜の平均膜厚をそ
れぞれ0.5 gm , 2.0μmとし、第3層の酸
化金属皮膜の平均膜厚をIXIO−”μmとした事以外
は実施例lと同様に処理及び測定を行なって、第l表に
示す結果を得た。
れぞれ0.5 gm , 2.0μmとし、第3層の酸
化金属皮膜の平均膜厚をIXIO−”μmとした事以外
は実施例lと同様に処理及び測定を行なって、第l表に
示す結果を得た。
[実施例12. 13]
実施例1に於ける第2層の酸化金属皮膜の平均膜厚をそ
れぞれ5XIO−2μm,1.0μmとし、第3層の酸
化金属皮膜の平均膜厚をIXIO−2μmとした事以外
は実施例1と同様に処理及び測定を行なって、第1表に
示すデータを得た。
れぞれ5XIO−2μm,1.0μmとし、第3層の酸
化金属皮膜の平均膜厚をIXIO−2μmとした事以外
は実施例1と同様に処理及び測定を行なって、第1表に
示すデータを得た。
[実施例14. 15]
実施例1に於ける第3層の平均膜厚をそれぞれ3X]0
−’μm.01μmとした事以外は実施例lと同様に処
理及び測定を行なって、第1表に示すデl 5 一夕を得た。
−’μm.01μmとした事以外は実施例lと同様に処
理及び測定を行なって、第1表に示すデl 5 一夕を得た。
[比較例1]
実施例1に於ける第1の酸化金属皮膜を形成することな
く、第2の酸化金属皮膜を基体表面上に直ちに形成した
事以外は実施例1と同様に処理及び測定を行なって、第
1表に示す結果を得た。
く、第2の酸化金属皮膜を基体表面上に直ちに形成した
事以外は実施例1と同様に処理及び測定を行なって、第
1表に示す結果を得た。
[比較例2]
実施例1に於ける第1および第2の酸化金属皮膜を形成
することなく、第3の酸化金属皮膜だけを基体表面上に
直ちに形成した事と、第3の酸化金属皮膜の平均膜厚を
0.1μmとした事以外は実施例lと同様に処理及び測
定を行なって、第1表に示す結果を得た。
することなく、第3の酸化金属皮膜だけを基体表面上に
直ちに形成した事と、第3の酸化金属皮膜の平均膜厚を
0.1μmとした事以外は実施例lと同様に処理及び測
定を行なって、第1表に示す結果を得た。
(以下余白)
l 6
上記実施例1−15に於いては第2の原料溶液中に含ま
れる原料が塩化錫を主成分とし、鉄、鉄とニッケル、鉄
とリン、鉄とインジウムを含む場合を示したが、本発明
の実施態様はこれらの場合に限られるわけではなく、鉄
、インジウム、ニッケル、リン、亜鉛、カドミウムおよ
びアンチモンの中から選んだ任意の1種以上の元素を含
む場合に同様の効果が得られる。添加元素が、鉄、イン
ジウム、ニッケル、およびリンの中から選んだ任意の1
種以上であるとき特に良い効果が得られる。
れる原料が塩化錫を主成分とし、鉄、鉄とニッケル、鉄
とリン、鉄とインジウムを含む場合を示したが、本発明
の実施態様はこれらの場合に限られるわけではなく、鉄
、インジウム、ニッケル、リン、亜鉛、カドミウムおよ
びアンチモンの中から選んだ任意の1種以上の元素を含
む場合に同様の効果が得られる。添加元素が、鉄、イン
ジウム、ニッケル、およびリンの中から選んだ任意の1
種以上であるとき特に良い効果が得られる。
また第3の原料溶液中に含まれる原料が塩化錫を主成分
とし、アンチモン、アンチモンとフッ素、アンチモンと
ニッケル、アンチモンとクロムを含む例を示したが本発
明はこれらの場合に限られずアンチモン、ニッケル、ク
ロム、フッ素、リン、砒素、鉄、マンガン、バリウム、
ビスマス、コバルト、亜鉛、銅、ボロン、カドミウム、
バナジウムの中から選んだ任意の1種以」二の元素を含
む場合にも同様の効果が得られる。アンチモン、フッ素
、ニッケルおよびクロムの中から任意の1種以l 8 」二を選ぶとき特に効果がよい。
とし、アンチモン、アンチモンとフッ素、アンチモンと
ニッケル、アンチモンとクロムを含む例を示したが本発
明はこれらの場合に限られずアンチモン、ニッケル、ク
ロム、フッ素、リン、砒素、鉄、マンガン、バリウム、
ビスマス、コバルト、亜鉛、銅、ボロン、カドミウム、
バナジウムの中から選んだ任意の1種以」二の元素を含
む場合にも同様の効果が得られる。アンチモン、フッ素
、ニッケルおよびクロムの中から任意の1種以l 8 」二を選ぶとき特に効果がよい。
さらにまた、上記実施例1〜15では円柱形状の磁器基
体を用いたが、基体形状はこれに限られず、例えば角柱
、板状等いずれの形状のものでも同等の効果を示す。
体を用いたが、基体形状はこれに限られず、例えば角柱
、板状等いずれの形状のものでも同等の効果を示す。
また上記実施例1〜l5では「吹き付け法」によって着
膜した場合を示したが、超音波振動子を用いて原料溶液
を浮遊できるほど細かくし、ガス状にして基体に吹き付
ける方法や、CVD法、スパッタ法等で肴膜した場合に
も同等の効果が得られる。さらに、実施例中にデータは
示されていないが、全体の膜厚が同程度の場合、発明者
らが先に開発した異質の2層の積層体から成る酸化金属
皮膜抵抗器と比較し、本発明による異質の3層の積層体
から成る酸化金属皮膜抵抗器は着膜時間を約1/2とす
ることができる。
膜した場合を示したが、超音波振動子を用いて原料溶液
を浮遊できるほど細かくし、ガス状にして基体に吹き付
ける方法や、CVD法、スパッタ法等で肴膜した場合に
も同等の効果が得られる。さらに、実施例中にデータは
示されていないが、全体の膜厚が同程度の場合、発明者
らが先に開発した異質の2層の積層体から成る酸化金属
皮膜抵抗器と比較し、本発明による異質の3層の積層体
から成る酸化金属皮膜抵抗器は着膜時間を約1/2とす
ることができる。
[発明の効果]
本発明によれば、従来の単層酸化金属皮膜抵抗器の抵抗
値を、数十倍程度大きくする事が可能であり、且つ高温
放置による抵抗値変化率や半田耐熱による抵抗値変化率
等の小さい熱的安定性の高い酸化金属皮膜抵抗器が得ら
れ、加えて、該抵抗器を生産する際のコスト削減に効果
がある。従って本発明は電子業界に於ける酸化金属皮膜
抵抗器の利用範囲の拡大と信頼性の向上と生産コストの
削減に大きく貢献するものである。
値を、数十倍程度大きくする事が可能であり、且つ高温
放置による抵抗値変化率や半田耐熱による抵抗値変化率
等の小さい熱的安定性の高い酸化金属皮膜抵抗器が得ら
れ、加えて、該抵抗器を生産する際のコスト削減に効果
がある。従って本発明は電子業界に於ける酸化金属皮膜
抵抗器の利用範囲の拡大と信頼性の向上と生産コストの
削減に大きく貢献するものである。
第1図は本発明の酸化金属皮膜抵抗器の断面図、第2図
は同斜視図である。 第3図は本発明の酸化金属皮膜抵抗器の製造に用いられ
る看膜装置の1例を、断面図を含めて示した概略図であ
る。 符 合 説 明 l・・・・・・絶縁基体 2・・・・・・第1の酸化金属皮膜 3・・・・・・第2の酸化金属皮膜 4・・・・・・第3の酸化金属皮膜 5・・・・・・キャップ 6・・・・・・リート7
・・・・・・外装保護膜 8・・・・・・炉9・・・
・・・籠 10・・・・原料溶液供給装置11・
・・・・・空気を圧縮する装置
は同斜視図である。 第3図は本発明の酸化金属皮膜抵抗器の製造に用いられ
る看膜装置の1例を、断面図を含めて示した概略図であ
る。 符 合 説 明 l・・・・・・絶縁基体 2・・・・・・第1の酸化金属皮膜 3・・・・・・第2の酸化金属皮膜 4・・・・・・第3の酸化金属皮膜 5・・・・・・キャップ 6・・・・・・リート7
・・・・・・外装保護膜 8・・・・・・炉9・・・
・・・籠 10・・・・原料溶液供給装置11・
・・・・・空気を圧縮する装置
Claims (2)
- (1)絶縁基体の表面に、酸化錫を主成分とする酸化金
属皮膜を有してなる構造の酸化金属皮膜抵抗器であって
、前記酸化金属皮膜が、絶縁基体表面に直接接する第1
の酸化金属皮膜と、該第1の酸化金属皮膜の上に被覆さ
れた、第1の酸化金属皮膜より比抵抗の大きい第2の酸
化金属皮膜と、さらに該第2の酸化金属皮膜の上に被覆
された、第2の酸化金属皮膜より比抵抗の小さい第3の
酸化金属皮膜とからなる構成の酸化金属皮膜であること
を特徴とする3層構成酸化金属皮膜抵抗器。 - (2)前記第1の酸化金属皮膜がアンチモンまたはフッ
素より選ばれた少なくとも1種の元素を補助成分として
含む主成分が酸化錫の厚さ0.05〜5μmの薄膜であ
り、前記第2の酸化金属皮膜が鉄、インジウム、ニッケ
ル、リン、亜鉛、カドミウムおよびアンチモンからなる
群より選ばれた少なくとも1種の元素を補助成分として
含む主成分が酸化錫の厚さ0.01〜2μmの薄膜であ
り、前記第3の酸化金属皮膜が、アンチモン、ニッケル
、クロム、フッ素、リン、ヒ素、鉄、マンガン、バリウ
ム、ビスマス、コバルト、亜鉛、銅、ボロン、カドミウ
ムおよびバナジウムからなる群より選ばれた少なくとも
1種の元素を補助成分として含む主成分が酸化錫の厚さ
0.003〜2μmの薄膜である請求項1記載の3層構
成酸化金属皮膜抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057847A JPH02238602A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 3層構成酸化金属皮膜抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057847A JPH02238602A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 3層構成酸化金属皮膜抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02238602A true JPH02238602A (ja) | 1990-09-20 |
Family
ID=13067370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1057847A Pending JPH02238602A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 3層構成酸化金属皮膜抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02238602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996030915A1 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal oxide film resistor |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP1057847A patent/JPH02238602A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996030915A1 (en) * | 1995-03-28 | 1996-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal oxide film resistor |
| US5889459A (en) * | 1995-03-28 | 1999-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal oxide film resistor |
| CN1056459C (zh) * | 1995-03-28 | 2000-09-13 | 松下电器产业株式会社 | 金属氧化物薄膜电阻器 |
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