JPH02256201A - 酸化金属皮膜抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、絶縁性の基体に酸化錫を主成分とする酸化金
属皮膜を形成した酸化金属皮膜抵抗器に関する。

［従来の技術］ 従来公知の酸化金属皮膜抵抗器の構成は、例えば、棒状
の磁器基体（直径１．５ｍｍ〜２關、長さ５ＩＩＩｍ〜
６ｍ＋＊）の表面に、酸化錫を主成分とする酸化金属皮
膜を形成し、このように被覆された棒状の磁器基体の両
端に、それぞれ金属性のキャップ端子を嵌着して接続用
の端子となし、リード線をつけた後、これらの表面を絶
縁性、且つ、耐湿性の外装保護膜で被覆している。

一般的には、酸化金属皮膜として酸化錫を主成分とする
酸化錫皮膜中に、酸化アンチモンを添加した酸化金属皮
膜を形成してつくられた抵抗温度係数の小さい酸化金属
皮膜抵抗器が使用されている。

このような酸化金属皮膜抵抗器の製造は、通常「吹き付
は法」と呼ばれる方法に依って、絶縁性の基体の表面に
、酸化金属皮膜を形成する方法で行なわれている。

「吹き付は法」と呼ばれる方法に於ては先ず、水、塩酸
、アルコール等の混合溶液に、塩化第２錫（Ｓ　ｎ　Ｃ
１ｌ　４　）と少量の３塩化アンチモン（ＳｂＣｊ！３
）とを溶解した原料溶液と、棒状のムライト・コランダ
ム磁器基体を用意する。

次いでこれとは別に、これらの原料溶液と、磁器基体と
を用いて、第３図にその要部を示す着膜装置に依って、
前記基体表面に酸化金属皮膜を形成じて、酸化金属皮膜
抵抗器を製造する。

第３図に示した着膜装置の概要を説明すると、炉６内に
耐熱性の籠７を回転自在に軸支し、籠全体が加熱される
ように、発熱体が炉壁に設けられている。炉外には原料
溶液供給装置８と、空気を圧縮する装置９とが設けられ
ている。原料溶液供給装置８と空気を圧縮する装置９と
からそれぞれ、籠７に向けてバイブ１１．１２が導出さ
れている。導出されたパイプの先端にノズル１０を接続
し、籠に向けて、原料溶液が噴霧されるように設置され
ている。

この装置による着膜は、前記原料溶液を原料溶液供給装
置８に入れ、１ｌＥ７に前記ムライト・コランダム磁器
ａを入れて回転させながら、炉内の温度を５００℃〜８
００℃に昇温し、その状態で、圧縮空気によって原料溶
液をノズルから噴霧して行なわれる。その後、噴霧を止
め、炉内の加温を止め、基体を取り出す。炉から取り出
された抵抗器は、別の炉に入れられて、２００℃〜３０
０℃の温度で数１０分間〜数時間熱処理され、熱的及び
電気的に安定な皮膜にされる。

次いで金属性のキャップを前記基体の両端に嵌着し、基
体表面をスパイラル状にカットして所定の抵抗値を得る
。その後、リード線を溶接し、更に保護膜を形成して酸
化金属皮膜抵抗器の製品を得ていた。しかしながら、皮
膜の安定性、信頼性等の問題から、スパイラルカット前
の抵抗値で２００Ω程度迄の抵抗値しか得られなかった
。

［発明が解決しようとする課題］ 上記の寸法の基体表面に、酸化金属皮膜を形成、したも
のを用い、スパイラルカットすることなく、上記従来の
抵抗値より高い抵抗値を得ることは、膜厚を薄くして抵
抗値を高くする事によって可能である。しかしながら、
膜厚を薄くして抵抗値を高くしてゆくと、他の特性が変
化し、例えば、抵抗温度係数の増大や熱的安定性の低下
による半田付は前後の抵抗値変化率や高温放置による抵
抗値変化率の増大などが生じるため、実用できる高抵抗
の酸化金属皮膜抵抗器が得られないと云う課題があった
。

本発明の目的は、このような課題を解消する事が出来る
酸化金属皮膜抵抗器を提供する事にある。

［課題を解決する為の手段］ 課題を解決する為の手段として本発明者等は、磁器基体
の表面に、酸化錫を主成分とする酸化金属皮膜を形成し
、該被覆磁器基体の両端に接続用の端子を取付けた構造
の酸化金属皮膜抵抗器の改良品を開発した。該改良品は
、前記酸化金属皮膜部分が異質の２層の積層体から成る
ものであって磁器基体表面上に第１の酸化金属皮膜層を
形成し、その上に、第１の層より比抵抗の小さな第２の
酸化金属皮膜層を形成することによって得られた酸化金
属皮膜抵抗器である。

本発明の酸化金属皮膜抵抗器における第１の酸化金属皮
膜は、たとえば酸化錫を主成分とし、これに少量の、鉄
、インジウム、ニッケル、リン、亜鉛、カドミウムおよ
びアンチモンからなる群より任意に選んだ少なくとも１
種類の元素を補助成分として添加混合した層として構成
することができる。該補助成分は微量の添加で層の比抵
抗を増大させ、しかも、それを添加された酸化金属層の
結晶性を低下させない目的で加えられる添加剤である。

上に列挙した添加用の元素はいずれもそのような特性を
有するものであることが認められたが、鉄、インジウム
、ニッケルおよびリンの中から選んだ任意の１種類以上
の元素を添加する場合に特に良好な効果が得られること
が確認された。

この場合の添加元素の量は、成膜後の第１の膜中におい
て（錫原子の数）：（全添加元素の原子数）の比が１　
：０．００１〜１　：０．４、好ましくは１　：０．０
０３〜１　：　０．１５となるような量とすることがで
きる。

該第１の酸化金属皮膜の膜厚は平均０．１〜５虜とする
ことができるが、好ましくは、０．５〜２ｕｎである。

しかしながら、本明細書中で後に詳しく述べるように、
第１の酸化金属皮膜の膜厚は、さらに広い範囲で変動さ
せることが可能であり、平均膜厚の可変範囲は０，０２
〜５即、好ましくは０．０５〜２ｕｎであることが研究
を進めているうちに明らかとなった。

本発明の酸化金属皮膜抵抗器における第２の酸化金属皮
膜は、たとえば酸化錫を主成分とし、これに少量の、ア
ンチモン、ニッケル、クロム、フッ素、リン、ヒ素、鉄
、マンガン、バリウム、ビスマス、コバルト、亜鉛、銅
、ボロン、カドミウムおよびバナジウムからなる群より
任意に選んだ少なくとも１種類の元素を補助成分として
添加混合した層として構成することができる。該補助成
分は添加により層の比抵抗を調整でき、しかも、それを
添加された酸化金属層の結晶性を低下させない目的で加
えられる添加剤である。上に列挙した第２の皮膜への添
加用の元素はいずれもそのような特性を有するものであ
ることが認められたが、アンチモン、ニッケル、フッ素
およびクロムの中から選んだ任意の１種類以上の元素を
添加する場合、さらに好ましくはアンチモン、ニッケル
およびクロムの中から選んだ任意の１種類以上の元素を
添加する場合に特に良好な効果が得られることが確認さ
れた。この場合の添加元素の量は、成膜後の第２の膜中
において（錫原子の数）二（全添加元素の原子数）の比
が１７０．０００１〜１　：０．２、好ましくは１　：
０．００５〜１：０．１となるような量とすることがで
きる。該第２の酸化金属皮膜の膜厚は０．００３〜１．
ｏｍとすることができ、好ましくは、　０．００５〜０
．５．ｃｌｒａである。

［作　　用］ 磁器基体表面上に形成する第１の酸化金属皮膜は、比抵
抗の高い組成の膜を比較的厚く着膜したので抵抗が高く
、結晶化が進んでおり、結晶径は大きく成長している。

第２の酸化金属皮膜は、上記第１の酸化金属皮膜の結晶
面上に成膜されるので、第２の結晶が、第１の結晶面上
に、重なり合って成長し、薄い酸化金属皮膜でも、微細
な結晶粒が析出せず、結晶性が良く、熱的に安定な膜と
なっている。

第１層の酸化金属皮膜は結晶化が進んだので、表面に凹
凸が生じており、その上に第２の酸化金属皮膜を成長さ
せると、抵抗値が増大する。

従って、上記抵抗器の抵抗値を律する比抵抗の小さな第
２層の膜厚を薄くしても、熱的に安定で、抵抗値が高く
、抵抗温度係数が小さく、半田耐熱による抵抗値変化率
が小さく、かつ高温放置による抵抗値変化率の小さい抵
抗器を得る事が可能になる。

しかしながら、さらに研究が進むと、次のことが明らか
となった。すなわち、本発明者の開発した複合型金属酸
化物皮膜抵抗器が２層構成の酸化金属皮膜を有している
ことの利益は、第１層の厚さが０．１μｍより薄い場合
にも得られることが判明したのである。この現象は次の
ように説明することができる。すなわち、基板上に膜を
形成して行くと、まずＤｅａｄ　１ａｙｅｒと呼ばれて
いる結晶化の進んでいない層が形成され、更に成膜が進
むと結晶性の進んだ膜が形成されて行く。初期の段階に
おける上記の薄い層は未だ結晶化が十分進んではいない
が、それでもその第１層の存在は、その上に形成される
第２層の結晶化の促進を助ける効果のあることが明らか
に認められた。ただし、第１層もあまりに薄すぎるとき
はこの効果を示さない。

この意味での第１層の厚さの下限値は０．０２ｕｎ、好
ましくは０．０５−であることが判明した。したがって
、本発明の実施に際しては、第１層の平均膜厚は０．０
２〜５ｔＩｎとすることができ、好ましくは０゜０５〜
２血であると言うことができる。

次に本発明の構成を実施例に基づき詳細に説明する。

［実施例−１］ アルミナ含有率約７０％のムライト・コランダム製磁器
基体（直径１．７＋ａｍ、長さ５．５ｍ＋＊）を１００
０個用意し、アルコール中で１０分間、次いで純水中で
１５分間超音波洗浄し、乾燥器中で、１７０℃の温度で
６０分間乾燥した。

又これとは別に、 純　　　　水　　　　　　　　　　　　　　　１２５０
　ｇエチルアルコール　　　　　　　　　７０ｇの混合
溶液を用意し、該混合溶液に、 塩化第２錫（Ｓ　ｎ　Ｃ１ｌ　４）を ６０％含む水溶液 ２５ｇ および 塩化鉄（Ｆ　ｅ　（、Ｑ　　・６　Ｈ２Ｏ）−＝　　８
４．６ｇを溶解して第１の原料溶液を用意した。

次いで、 純　　　　水　　　　　　　　　　　　　　　１２５０
　ｇ塩　　　　酸　　　　　　　　　　　　　　　　２
００ｇエチルアルコール　　　　　　　　　１０ｇの混
合溶液を用意し、該混合溶液に、 塩化第２錫（Ｓ　ｎ　ＣＩＩ’　４　）を６０％含む水
溶液　　　　　　　６２５ｇおよび 塩化アンチモン（ＳｂＣｉ）３）　　・・・・・・・　
２４．２ｇを溶解して第２の原料溶液を用意した。

これらの原料溶液を用意した後に、第３図に要部を示し
た着膜装置の籠に、前記磁器基体を入れ、籠を回転させ
ながら、炉内の温度を６００℃に昇温し、６００℃に保
ったまま、原料溶液供給装置８に、前記第１の原料溶液
を入れ、ノズル１０から圧縮空気と共に原料溶液の霧を
噴霧し、引き続き第２の原料溶液を噴霧した後、霧の噴
霧を止め、籠の回転を続けながら炉内で自然冷却した。

炉内の温度が室温近く迄下がってから、被覆された磁器
基体を取り出し、前記膜厚を測定したところ、第１層の
酸化金属皮膜膜厚は、平均ｌｔｍであり、第２層の酸化
金属皮膜膜厚は、平均５×１０″″３ｕｆｎであった。

次いで別に用意した炉で、前記抵抗器を２００℃の温度
で、２時間熱処理した後、基体の両端に、リード線の付
いた金属性のキャップを嵌着し、キャップ以外の表面を
シリコーン樹脂で覆い、これを１７０℃の温度で１時間
熱処理して、樹脂を硬化させ、絶縁塗料で外装した抵抗
器を得た。

これらの抵抗器から２００個ずつ４グループを無作為に
選択し、２０℃に於ける抵抗値と、抵抗温度係数と、半
田耐熱による抵抗値の変化率と高温放置による抵抗値の
変化率とを、それぞれのグループ毎に２００個すべてに
ついて四端子測定法に従°って測定した。

２０℃に於ける抵抗値は、２０℃の温度に保温された恒
温槽内に、前記抵抗器を３０分間放置した後、そのまま
の状態で、２０℃の抵抗値（Ｒ２ｏ）を測定し、その平
均値を求め、１０の位を四捨五入して第１表に示した。

半田耐熱前後の抵抗値の変化率は、２０℃に於ける抵抗
値を測定した後、３５０℃に溶融した半田槽内に、前記
抵抗器を３秒間浸漬した後取り出し、室温に３時間放置
した後、抵抗値を測定し、２０℃の抵抗値に対する変化
率を求めて、変化率の絶対値の最大を第１表に示した。

抵抗温度係数の測定は、２０℃の温度に保温された恒温
槽内に、抵抗器を３０分間放置した後、そのままの状態
で、２０℃の抵抗値（Ｒ２ｏ）を測定し、次に恒温槽内
の温度を一５５℃に保持し、３０分間保持した後抵抗値
を測定し、次いで、１５５℃に昇温し、３０分間保持し
た後、１５５℃の温度で抵抗値を測定し、２０℃と１５
５℃、２０℃と一５５℃との抵抗値の差（ΔＲ）を求め
、次式により、抵抗温度係数を求めた。

但し、ΔＴは、２０℃と測定温度との差を示す。

このようにして２００個の抵抗器の、低温側と高温側の
抵抗温度係数を求め、抵抗温度係数の絶対値の最大を第
１表に示した。

高温放置における抵抗値の変化率は２０℃に於ける抵抗
値を測定した後、２００℃の恒温槽中で１００時間放置
して取り出し、室温に１時間放置した後抵抗値を測定し
、２０℃の抵抗値に対する変化率を求めて変化率の絶対
値の最大を第１表に示した。

［実施例−２〜３］ 実施例−１に於ける第２層の酸化金属皮膜の平均膜厚を
それぞれ３×１０　即、及び５　Ｘ　１０−２部、とし
た事態外は、実施例−１と同様に処理及び測定を行なっ
た。

結果は第１表に示す通りであった。

［実施例−４］ 実施例−１に於ける第２の原料溶液中の塩化アンチモン
（Ｓ　ｂ　Ｃ，ｌ！　３）　２４．２ｇに代えて、塩化
−１−ッケル（Ｎ　ｔ　Ｃｆｌ　　ａ６　Ｈ２０）　４
３−３ｓｒとした事と、第２層の平均膜厚を５　Ｘ　１
０−２−とじた事態外は、実施例−１と同様に処理及び
測定を行なった。

結果は第１表に示す通りであった。

［実施例−５〜７］ 実施例−１に於ける第１層の酸化金属皮膜の平均膜厚を
５　Ｘ　ｔｏ’−とした事と、第２層の酸化金属皮膜の
平均膜厚をそれぞれ５　Ｘ　１０’ｍ、３Ｘ１０　　ｔ
ｓ、及び５　Ｘ　１０−２ｍ、とした事態外は、実施例
−１と同様に処理及び測定を行なった。

結果は第１表に示す通りであった。

［実施例−８］ 実施例−１に於ける第２の原料溶液中の塩化アンチモン
（Ｓ　ｂ　ＣＤ　３　）　２４．２ｇに代えて、塩化ク
ロム（Ｃｒ　ＣＤ　　・６　Ｈ２０）　３３．９ｇとし
た事と、第２層の平均膜厚を５　Ｘ　１０’、ｃａとし
た事態外は、実施例−１と同様に処理及びｎ１定を行な
った。

結果は第１表に示す通りであった。

［実施例−９］ 実施例−１に於ける第１層の原料溶液中の、塩化鉄（Ｆ
ｅＣΩ　−６Ｈ２０）８４．６ｇに代えて、塩化インジ
ウム（Ｉ　ｎ　ＣＤ　　−ｎ　Ｈ２０，但しｎｗ３〜４
）１０２ｇとした事態外は、実施例−１と同様に処理及
び測定を行なった。

結果は第１表に示す通りであった。

［比較例−１］ 実施例−１に於ける第１層の酸化金属皮膜を形成する事
なく、第２の酸化金属皮膜を基体表面上に直に形成し、
膜厚５　Ｘ　１０’郁とした事態外は、実施例−１と同
様に処理及び測定を行なった。

結果は第１表に示す通りであった。

上記実施例１〜９に於いては、第１の原料溶液中に含ま
れる原料が、塩化錫を主成分とし、鉄、インジウム元素
を含む場合を示したが、本発明の実施はこれらの場合に
限られるわけではなく、亜鉛、カドミウム、アンチモン
、ニッケル、リン等の元素を含むものの場合も同様の効
果がある。

また、第２の原料溶液中に含まれる原料が、塩化錫を主
成分とし、アンチモン、ニッケル、クロムを含む例を示
したが、これらの場合に限らずフッ素、リン、砒素等を
含む場合も同様の効果があり、更に、鉄、マンガン、バ
リウム、ビスマス、コバルト、亜鉛、銅、ボロン、カド
ミウムおよびバナジウム等の元素を含む場合も同様の効
果がある。上記実施例では円柱形状の磁器基体を用いた
が、基体形状はこれに限らず、例えば角柱、板状等いず
れの形状のものでも同等の効果を示す。

［実施例−１０］ アルミナ含有率約７０％のムライト・コランダム製磁器
基体（直径１．７＋ａｍ、長さ５．５１１１！１）を１
０００個用意し、アルコール中で１０分間、次いで純水
中で１５分間超音波洗浄し、乾燥４中で、１７０℃の温
度で６０分間乾燥した。

又これとは別に、 純　　　　水　　　　　　　　　　　　　　　１２５０
　ｇエチルアルコール　　　　　　　　　７０ｇの混合
溶液を用意し、該混合溶液に、 塩化第２錫（Ｓ　ｎ　Ｃｆｌ　４　）を６０％含む水溶
液　　　　　　　６２５ｇおよび 塩化ニッケル（Ｎ　ｉ　Ｃｉ）　　・６Ｈ２２９，５ｇ を溶解して第１の原料溶液を用意した。

次いで、 純　　　　水 塩　　　　酸 エチルアルコール の混合溶液を用意し、該混合溶液に、 塩化第２錫（Ｓ　ｎ　ＣＪ２４）を ６０％含む水溶液 ２５０　ｇ ００　ｇ ０ｇ ２５ｇ および 塩化アンチモン（ＳｂＣＮ３）　　・・・・・・　２４
．２ｇを溶解して第２の原料溶液を用意した。

これらの原料溶液を用意した後に、第３図に要部を示し
た６膜装置の籠に、前記磁器基体を入れ、籠を回転させ
ながら、炉内の温度を６５０℃に昇温し、８５０℃に保
ったまま、原料溶液供給装置８に、前記第１の原料溶液
を入れ、ノズル１０から圧縮空気と共に原料溶液の霧を
噴霧し、引き続き第２の原料溶液を噴霧した後、霧の噴
霧を止め、籠の回転を続けながら炉内で自然冷却した。

炉内の温度が室温近く迄下がってから、被覆された磁器
基体を取り出し、前記膜厚を測定したところ、第１層の
酸化金属皮膜膜厚は、平均１ρであり、第２層の酸化金
属皮膜膜厚は、平均１×１０″″２ｔＩ３であった。

次いで別に用意した炉で、前記抵抗器を２００℃の温度
で、２時間熱処理した後、基体の両端に、リード線の付
いた金属性のキャップを嵌着し、表面をシリコーン樹脂
で覆い、これを１７０℃の温度で１時間熱処理して、樹
脂を硬化させ、絶縁塗料で外装した抵抗器を得た。

これらの抵抗器から２００個ずつ４グループを無作為に
選択し、２０℃に於ける抵抗値と、抵抗温度係数と、半
田耐熱による抵抗値の変化率と、高温放置による抵抗値
の変化率とを、それぞれのグループ毎に２００個すべて
について四端子法に従って測定した。

高温放置における抵抗値の変化率は２０℃に於ける抵抗
値を測定した後、２００℃の恒温槽中で１００時間放置
して取り出し、室温に１時間放置した後抵抗値を測定し
、２０℃の抵抗値に対する変化率を求めて変化率の絶対
値の最大を第２表に示した。

［実施例−１１〜１４］ 前記実施例−１０において第１の原料溶液中に添加する
塩化ニッケル（Ｎ　Ｉ　ＣＤ　２　・６Ｈ２０）の量を
それぞれ３．９ｇ、　１４．８ｇ、　５９．０ｇ、　７
３．８．とじた事以外は、実施例−１Ｏと同様に処理及
び測定を行って第２表に示す結果を得た。

［実施例−１５］ 前記実施例−１０における第１の原料溶液中の塩化ニッ
ケル（ＮｉＣΩ　・６　Ｈ２０）　２９．５ｇに代えて
、５塩化リン（ＰＣΩ５）２５．４ｇとした事以外は実
施例−１０と同様に処理及びｎ１定を行って第２表に示
す結果を得た。

［実施例−１６］ 前記実施例−１０における第１の原料溶液中に５塩化リ
ン（Ｐ　Ｃ，ｌｉ’　５）　１４．５ｇを添加した事以
外は実施例−１０と同様に処理及び＋１１１定を行って
第２表に示す結果を得た。

［実施例−１７］ 前記実施例−１０における第１の原料溶液中に添加する
塩化ニッケル（ＮＩＣＮ２　・６Ｈ２０）の量を１４．
８ｇとした事と塩化鉄（Ｆ　ｅ　Ｃ１Ｉ３６Ｈ２０）１
７．２ｇを添加した事以外は実施例−ＩＯと同様に処理
及び測定を行って第２表に示す結果を得た。

［実施例−１８］ 前記実施例−１Ｏにおける第２の膜の膜厚を５×１０−
３−とした事以外は実施例−１０と同様に処理及び測定
を行って第２表に示す結果を得た。

［実施例−１９］ 前記実施例−１０における第２の原料溶液中に更にフッ
化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を２６．７ｇ、添加した事
以外は実施例−１０と同様に行った結果を第２表に示す
。

［比較例−２］ 実施例−１０に於ける第１の酸化金属皮膜を形成するこ
となく、第２の酸化金属皮膜を基体表面上に直に形成し
、膜厚を５　Ｘ　１０−２−とした事以外は実施例−Ｉ
Ｏと同様に処理及び測定を行なって第２表に示す結果を
得た。

［実施例−２０］ 実施例−１０に於ける、第１の酸化金属皮膜の平均膜厚
を５×１Ｏ−２ｔＩｎ、第２の酸化金属皮膜の平均膜厚
を５　Ｘ　１０’ρとした事以外は、実施例−１０と同
様に行った結果を第２表に示す。

このとき錫に対して添加物が極端に少ないと、第１の膜
の比抵抗が低下して第１の膜と第２の膜の抵抗値の差が
小さくなるため第１の膜の影響が大きくなり抵抗温度係
数が増大する。また添加物が多くなると第１の膜の結晶
性が低下するため、熱的な安定性が低下し、半田耐熱に
よる抵抗値変化率、高温放置による抵抗値変化率が大き
くなる。

上記実施例−１０〜１９に於いては第１の原料溶液中に
含まれる原料が塩化錫を主成分とし、ニッケル、リン、
ニッケルとリン、ニッケルと鉄を含む場合を示したが、
本発明の実施態様はこれらの場合に限られるわけではな
く、鉄、インジウム、ニッケル、リン、亜鉛、カドミウ
ムおよびアンチモンの中から選んだ任意の１種以上の元
素を含む場合に同様の効果が得られる。添加元素、鉄、
インジウム、ニッケルおよびリンの中から選んだ任意の
１種類以上であるとき特に良い効果が得られる。

また、第２の原料溶液中に含まれる原料が塩化錫を主成
分とし、アンチモンを含む例を示したが本発明はこれら
の場合に限られずアンチモン、ニッケル、クロム、フッ
素、リン、砒素、鉄、マンガン、バリウム、ビスマス、
コバルト、亜鉛、銅、ボロン、カドミウム、バナジウム
の中から選んだ任意の１種以上の元素を含む場合にも同
様の効果が得られる。アンチモン、フッ素、ニッケルお
よびクロムの中から任意の１種以上を選ぶとき特に効果
がよい。

さらにまた、上記実施例−１０〜１９では円柱形状の磁
器基体を用いたが、基体形状はこれに限られず、例えば
角柱、板状等いずれの形状のものでも同等の効果を示す
。

また上記実施例−１０〜１９では「吹き付は法」によっ
て着膜した場合を示したが、超音波振動子を用いて原料
溶液を浮遊できるほど細かくし、ガス状にして基体に吹
き付ける方法や、ＣＶＤ法、スパッタ法等で着膜した場
合にも同等の効果が得られる。

［発明の効果］ 本発明によれば、従来の酸化金属皮膜抵抗器の抵抗値を
、数十倍程度大きくする事が可能であり、且つ高温放置
による抵抗値変化率や半田耐熱による抵抗値変化率等の
小さい熱的安定性の高い酸化金属皮膜抵抗器が得られる
。従って、本発明は電子業界に於ける酸化金属皮膜抵抗
器の利用範囲の拡大と、信頼性の向上に大きく貢献する
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の酸化金属皮膜抵抗器の断面図、第２図
は同斜視図である。 第３図は本発明の酸化金属皮膜抵抗器の製造に用いられ
る着膜装置の１例を、断面図を含めて示した概略図であ
る。 符号説明 １・・・磁器基体 ２・・・第１の酸化金属皮膜 ３・・・第２の酸化金属皮膜 ４・・・リード付きキャップ ５・・・外装保護膜　　　　６・・・炉７・・・籠　　
　　　　　　８・・・原料溶液供給装置９・・・空気を
圧縮する装置

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁器基体の表面に、酸化錫を主成分とする酸化金
   属皮膜を有し、かつ該酸化金属皮膜表面に接続用端子を
   有してなる構造の酸化金属皮膜抵抗器であって、前記酸
   化金属皮膜が、磁器基体表面に直接接する第１の酸化金
   属皮膜と、該第１の酸化金属皮膜の上に被覆された、該
   第１の酸化金属皮膜より比抵抗の小さい第２の酸化金属
   皮膜とを有する酸化金属皮膜であることを特徴とする酸
   化金属皮膜抵抗器。
2. （２）前記第１の酸化金属皮膜が、鉄、インジウム、ニ
   ッケル、リン、亜鉛、カドミウムおよびアンチモンから
   なる群より選ばれた少なくとも１種の元素を補助成分と
   して含む主成分が酸化錫の薄膜である請求項１記載の酸
   化金属皮膜抵抗器。
3. （３）前記補助成分が、鉄、インジウム、ニッケル、お
   よびリンの中から選んだ任意の１種類以上の元素である
   請求項２記載の酸化金属皮膜抵抗器。
4. （４）前記第１の酸化金属皮膜の膜厚が０．０２〜５μ
   ｍである請求項１〜３のいずれかに記載の酸化金属皮膜
   抵抗器。
5. （５）前記第１の酸化金属皮膜の膜厚が０．１〜５μｍ
   である請求項４に記載の酸化金属皮膜抵抗器。
6. （６）前記第１の酸化金属皮膜の膜厚が０．０５〜２μ
   ｍである請求項４記載の酸化金属皮膜抵抗器。
7. （７）前記第１の酸化金属皮膜の膜厚が０．５〜２μｍ
   である請求項４記載の酸化金属皮膜抵抗器。
8. （８）前記第２の酸化金属皮膜が、アンチモン、ニッケ
   ル、クロム、フッ素、リン、ヒ素、鉄、マンガン、バリ
   ウム、ビスマス、コバルト、亜鉛、銅、ボロン、カドミ
   ウムおよびバナジウムからなる群より選ばれた少なくと
   も１種の元素を補助成分として含む主成分が酸化錫の薄
   膜である請求項４記載の酸化金属皮膜抵抗器。
9. （９）前記添加元素が、アンチモン、ニッケル、フッ素
   およびクロムの中から選んだ任意の１種類以上の元素で
   ある請求項８記載の酸化金属皮膜抵抗器。
10. （１０）前記添加元素が、アンチモン、ニッケルおよび
    クロムの中から選んだ任意の１種類以上の元素である請
    求項８記載の酸化金属皮膜抵抗器。
11. （１１）前記第２の酸化金属皮膜の膜厚が０．００３〜
    １μｍである請求項８に記載の酸化金属皮膜抵抗器。
12. （１２）前記第２の酸化金属皮膜の膜厚が０．００５〜
    ０．５μｍである請求項１０記載の酸化金属皮膜抵抗器
    。
13. （１３）前記酸化金属皮膜が前記第１の酸化金属皮膜と
    前記第２の酸化金属皮膜からなる２層構成の酸化金属皮
    膜である請求項１記載の酸化金属皮膜抵抗器。