JPH02238652A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02238652A JPH02238652A JP1057752A JP5775289A JPH02238652A JP H02238652 A JPH02238652 A JP H02238652A JP 1057752 A JP1057752 A JP 1057752A JP 5775289 A JP5775289 A JP 5775289A JP H02238652 A JPH02238652 A JP H02238652A
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- Japan
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- semiconductor device
- resin
- semiconductor
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/853—On the same surface
- H10W72/865—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔戸ｆ《業−１二の利川分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特に半導体装置
の放熱特性向上に好適な樹脂封止型半導体装置に関する
ものである。
の放熱特性向上に好適な樹脂封止型半導体装置に関する
ものである。
近年、半導体装置においては、素子の高集積化に伴って
、素子の発熱量が増大する傾向にある。
、素子の発熱量が増大する傾向にある。
半導体装置の大半を占める樹脂封止型半導体装置におい
て、内部の半樽体素子で発生した熱は、通常主として、
樹脂表血から空気に放散される経路と、半導体装置を基
板に接続するためのリードを経て、基板から空気に放散
される経路の２つの経路から放散される。
て、内部の半樽体素子で発生した熱は、通常主として、
樹脂表血から空気に放散される経路と、半導体装置を基
板に接続するためのリードを経て、基板から空気に放散
される経路の２つの経路から放散される。
高密度実装を要求されるメモリなどの半導体装置におい
ては、基板のほぼ全面が半導体装置で覆われるため、上
記２つの放熱経路のうち、基板側からの放熱は困難とな
り、樹脂表面側からの放熱性能を高めることが必要にな
る。
ては、基板のほぼ全面が半導体装置で覆われるため、上
記２つの放熱経路のうち、基板側からの放熱は困難とな
り、樹脂表面側からの放熱性能を高めることが必要にな
る。
このような樹脂表面側からの放熱性能を高める方法とし
ては、従来、特開昭５５−１０５３５４号公報に記載さ
れているようなフィン状、あるいは特開昭６０−１４３
６５０号公報に記載されているような平板状の高熱伝導
性部材を樹脂表面に取り付ける方法や、特開昭６１−１
０２０８９号公報に記載されているような半導体素子を
搭載したタブの底面を露出させたもの、あるいは特開昭
６３ − １９０３６３号公報に記載されているような
半導体素子の底面を露出させる方法が知られている。
ては、従来、特開昭５５−１０５３５４号公報に記載さ
れているようなフィン状、あるいは特開昭６０−１４３
６５０号公報に記載されているような平板状の高熱伝導
性部材を樹脂表面に取り付ける方法や、特開昭６１−１
０２０８９号公報に記載されているような半導体素子を
搭載したタブの底面を露出させたもの、あるいは特開昭
６３ − １９０３６３号公報に記載されているような
半導体素子の底面を露出させる方法が知られている。
」二記従来技術において、特開昭５５−１０５３５４号
公報や特開昭６０−１４：３６５０号公報に記載されて
いるような、凸熱伝導性部材を樹脂表１ｆｔ目こ取り付
けたものは，半導体装置の体積が著しく増大するため、
特にメモリなど高密度実装を要求される半擲体装置への
適用が困難になることがあった。また、特開昭６１−１
０２０８９号公報や特開昭６３ − １９０３６：｛号
公報に記載されているような構造の半導体装置では、半
導体素子で発生した熱が基板へは十分に放散されるよう
になるが、前述したメモリなどの半導体装置においては
、基板のほぼ全面が半導体装置で覆われるため、基板か
らの空気への放熱が困難となっている。また、半導体素
子の底面全体が封止樹脂から露出しているため、この部
分から水分が容易に浸入し、半導体装置の耐湿性を損な
うという問題があった。
公報や特開昭６０−１４：３６５０号公報に記載されて
いるような、凸熱伝導性部材を樹脂表１ｆｔ目こ取り付
けたものは，半導体装置の体積が著しく増大するため、
特にメモリなど高密度実装を要求される半擲体装置への
適用が困難になることがあった。また、特開昭６１−１
０２０８９号公報や特開昭６３ − １９０３６：｛号
公報に記載されているような構造の半導体装置では、半
導体素子で発生した熱が基板へは十分に放散されるよう
になるが、前述したメモリなどの半導体装置においては
、基板のほぼ全面が半導体装置で覆われるため、基板か
らの空気への放熱が困難となっている。また、半導体素
子の底面全体が封止樹脂から露出しているため、この部
分から水分が容易に浸入し、半導体装置の耐湿性を損な
うという問題があった。
本発明の目的は、半導体装置の高密度実装を妨げず、ま
た耐湿性も損なうことなしに、半導体装置の放熱性能を
高くすることが可能な樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
た耐湿性も損なうことなしに、半導体装置の放熱性能を
高くすることが可能な樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
本発明は」二記目的を達成するために、半導体素子の電
極群が形成されていない血に凸部を設けて、凸部の先端
向を露出させるように樹脂封止することによって達成さ
れる。
極群が形成されていない血に凸部を設けて、凸部の先端
向を露出させるように樹脂封止することによって達成さ
れる。
本発明の構成によれば、封止樹脂表血に露出している半
導体素子の凸部より、半導体素子で発生した熱を空気中
に直接放散できるので、半導体装置の放熱性能を高くす
ることができるとともに、半導体素子の高集積化、半心
体装１ヒＣの高密度実装化を図れる。
導体素子の凸部より、半導体素子で発生した熱を空気中
に直接放散できるので、半導体装置の放熱性能を高くす
ることができるとともに、半導体素子の高集積化、半心
体装１ヒＣの高密度実装化を図れる。
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第１図は、本発明の一実施例である樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
図において、複数のりード３は、樹脂封止型半導体装置
の２方向から外部に引き出されている。
の２方向から外部に引き出されている。
リード３のうち一部のものは、封止樹脂６の内部におい
て半導体素子１の直上部に配置され、その先端部で半心
体素子１の中央部に形成されている電極群２と金属細線
４による電気接続が行われている。また、半導体素子１
はリード３とポリイミドフイルムなどの絶縁材５を介し
て接合されている。半導体素子１の電極群２が形成され
ている面と反対の面１ａには、凸部９が設けられており
、凸部９の先端而９ａが露出するように樹脂封止されて
いる。
て半導体素子１の直上部に配置され、その先端部で半心
体素子１の中央部に形成されている電極群２と金属細線
４による電気接続が行われている。また、半導体素子１
はリード３とポリイミドフイルムなどの絶縁材５を介し
て接合されている。半導体素子１の電極群２が形成され
ている面と反対の面１ａには、凸部９が設けられており
、凸部９の先端而９ａが露出するように樹脂封止されて
いる。
本実施例によれば、半導体素子１に凸部９を設けて、そ
の先端而９ａのみを露出させているので、この部分から
の水分の侵入経路を長くすることができる。これによっ
て、半尋体装置内部に侵入する水分を少なくして、電極
部の腐食などを防止し、半導体装置の耐湿性を損ねるこ
となく、半導体素子で発生した熱を空気中に放熱するこ
とができ、半導体素子の高集積化、半導体装置の高密度
実装化を図ることができる。
の先端而９ａのみを露出させているので、この部分から
の水分の侵入経路を長くすることができる。これによっ
て、半尋体装置内部に侵入する水分を少なくして、電極
部の腐食などを防止し、半導体装置の耐湿性を損ねるこ
となく、半導体素子で発生した熱を空気中に放熱するこ
とができ、半導体素子の高集積化、半導体装置の高密度
実装化を図ることができる。
なお、この半導体装置の組立に当たっては、まず、半導
体素子１とリード３と絶縁部材５を介して接着し、半導
体素子１上の電桟２とこれに対応するリード３とを金属
細線４に′Ｃｍ気的に接続し、しかる後に、半導体素子
１の電極２が形成されていない面１ａに設けられている
凸部９の先端而９ａが露出するように封止樹脂６で封止
して半導体装置を得る。
体素子１とリード３と絶縁部材５を介して接着し、半導
体素子１上の電桟２とこれに対応するリード３とを金属
細線４に′Ｃｍ気的に接続し、しかる後に、半導体素子
１の電極２が形成されていない面１ａに設けられている
凸部９の先端而９ａが露出するように封止樹脂６で封止
して半導体装置を得る。
半導体索子１の電極２が形成される位置は、本実施例で
示した中央部に限定されるものではなく半導体素子１の
周辺部に形成したものであっても良い。また、リード３
は、金属細線４によるりード３の先端と電極２との接続
が、最短距離で行なえる位置に配設される。
示した中央部に限定されるものではなく半導体素子１の
周辺部に形成したものであっても良い。また、リード３
は、金属細線４によるりード３の先端と電極２との接続
が、最短距離で行なえる位置に配設される。
半導体素子１に設けられる凸部９の形状は、第２図に例
示するように、半導体素子］−の長手方向に沿って長く
した形状や正方形、または十字形状や丸形のような形状
であっても良い。また、凸部９は、１箇所に設けるだけ
でなく、第３図に示すように２ｆＩｈ所以上に設けても
良い。さらに、凸部９を設ける場所は、半導体素子１の
中央部に限定されるものではなく、任意の場所に設けて
も何ら差し支えなく、特に、半導体索子１内で発熱が大
きくなる部分に設けることが望ましい。
示するように、半導体素子］−の長手方向に沿って長く
した形状や正方形、または十字形状や丸形のような形状
であっても良い。また、凸部９は、１箇所に設けるだけ
でなく、第３図に示すように２ｆＩｈ所以上に設けても
良い。さらに、凸部９を設ける場所は、半導体素子１の
中央部に限定されるものではなく、任意の場所に設けて
も何ら差し支えなく、特に、半導体索子１内で発熱が大
きくなる部分に設けることが望ましい。
リード３を封止樹脂６の外部に引き出す方向は、第１−
図に示したように２方向に限定されるものではなく、１
方向あるいはごう方向以上であっても何ら差し支えない
。さらに封止樹脂６外部でリード；３を折り曲げ成形す
る向きと，リード３の半導体素子１取り付け血との関係
についても、第」−図に示すように、リード３を半導体
素子１取り付け面とは逆の側に折り曲げる場合に限定す
るものではない。リード３を半導体素子１取り付け而側
に折り曲げて基板に接続しても良いし、また、折り曲げ
を行わなくても良い。
図に示したように２方向に限定されるものではなく、１
方向あるいはごう方向以上であっても何ら差し支えない
。さらに封止樹脂６外部でリード；３を折り曲げ成形す
る向きと，リード３の半導体素子１取り付け血との関係
についても、第」−図に示すように、リード３を半導体
素子１取り付け面とは逆の側に折り曲げる場合に限定す
るものではない。リード３を半導体素子１取り付け而側
に折り曲げて基板に接続しても良いし、また、折り曲げ
を行わなくても良い。
第４図は、本発明の他の実施例である樹脂封止型半導体
装置の断面図である。
装置の断面図である。
（゜ｌ）
図において、複数のリード３は樹脂封止型半志体装置の
２方向から外部に引き出されている。リード３のうち一
部のものは、封止樹脂６内部において半導体素子１．の
周囲に配置され、その先端部で半導体索子１上に形成さ
れている電極群２と金属細線４による電気接続が行われ
ている。半導体素子１は、電極群２が設けられている面
において、半導体素子１より小さいタブ７と接合されて
おり、前記電極群２は、タブ７と接合されていない半纏
体素子１の表面に形成されている。半導体素子１の電極
群２が形成されていない而１ａには、凸部９が設けられ
ており、前記凸部９の先端面９ａが霧出するように半導
体素子１、リード３及びタブ７が樹脂封止されている。
２方向から外部に引き出されている。リード３のうち一
部のものは、封止樹脂６内部において半導体素子１．の
周囲に配置され、その先端部で半導体索子１上に形成さ
れている電極群２と金属細線４による電気接続が行われ
ている。半導体素子１は、電極群２が設けられている面
において、半導体素子１より小さいタブ７と接合されて
おり、前記電極群２は、タブ７と接合されていない半纏
体素子１の表面に形成されている。半導体素子１の電極
群２が形成されていない而１ａには、凸部９が設けられ
ており、前記凸部９の先端面９ａが霧出するように半導
体素子１、リード３及びタブ７が樹脂封止されている。
本実施例によれば、半導体素子１に凸部９を設けて、そ
の先端面９ａのみを露出させているので、この部分から
の水分の侵入経路を長くすることができる。これによっ
て、半導体装置内部に侵入する水分を少なくして、電極
部の腐食などを防止し、半導体装置の耐湿性を損ねるこ
となく、半導体素子で発生した熱を空気中に放熱するこ
とができるなお、本発明による樹脂封止型半導体装置の
製造過程において、封止樹脂６部より露出している凸部
９の先端血９ａに、封脂樹脂６の薄い膜が形成されてい
る場合であっても、本発明の樹脂封止型半導体装置の放
熱特性を損ねることはない。
の先端面９ａのみを露出させているので、この部分から
の水分の侵入経路を長くすることができる。これによっ
て、半導体装置内部に侵入する水分を少なくして、電極
部の腐食などを防止し、半導体装置の耐湿性を損ねるこ
となく、半導体素子で発生した熱を空気中に放熱するこ
とができるなお、本発明による樹脂封止型半導体装置の
製造過程において、封止樹脂６部より露出している凸部
９の先端血９ａに、封脂樹脂６の薄い膜が形成されてい
る場合であっても、本発明の樹脂封止型半導体装置の放
熱特性を損ねることはない。
また、半導体装置の放熱効果をさらに高めるために、高
密度実装を妨げることがなければ、封止樹脂６より露出
している凸部９の先端＋ｆｒｉ９ａに第５図に示すよう
なフィン状の高熱伝心部材１０などを取り付けても差し
支えない。
密度実装を妨げることがなければ、封止樹脂６より露出
している凸部９の先端＋ｆｒｉ９ａに第５図に示すよう
なフィン状の高熱伝心部材１０などを取り付けても差し
支えない。
本発明によれば、半導体素子に凸部を設けて、その先端
面を封止樹脂より露出させることにより、半導体装置の
酎湿性を損ねることなく、半導体素子で発生した熱の空
気中への良好な放熱特性が得られ、半導体素子の高集積
化、半導体装置の高密度実装化を図ることができる。
面を封止樹脂より露出させることにより、半導体装置の
酎湿性を損ねることなく、半導体素子で発生した熱の空
気中への良好な放熱特性が得られ、半導体素子の高集積
化、半導体装置の高密度実装化を図ることができる。
第１−図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実を示す
半導体素子の平面図、第４図は本発明の他の実施例を示
す断面図、第５図はフィンを取り付けた本発明の樹脂封
止型半導体装置の例をボす断面図である。 １・・・半導体素子、２・・・電極、３・・リード、４
・・金属細線、６・・封止摺脂、′ｌ・・・タブ、９・
・・凸部。 （ｊＯ） 第 ｌ 圀 ｌ・・＋導体素チ ２・・・電極 ３ リード ６′灯Ｌ町脂 ９゛凸柿 １，眠導体素峯 ２・・・凸部
半導体素子の平面図、第４図は本発明の他の実施例を示
す断面図、第５図はフィンを取り付けた本発明の樹脂封
止型半導体装置の例をボす断面図である。 １・・・半導体素子、２・・・電極、３・・リード、４
・・金属細線、６・・封止摺脂、′ｌ・・・タブ、９・
・・凸部。 （ｊＯ） 第 ｌ 圀 ｌ・・＋導体素チ ２・・・電極 ３ リード ６′灯Ｌ町脂 ９゛凸柿 １，眠導体素峯 ２・・・凸部
Claims (1)
- １、電極群を有する半導体素子と、該半導体素子に夫々
導通接続される各リードと、該リードの一部及び前記半
導体素子の周囲を覆う封止樹脂とを備えてなる樹脂封止
型半導体装置において、前記半導体素子の前記電極群が
形成されている面の、該電極群を除く部分に、絶縁物を
介して前記各リードの一部を対向配置させ、前記半導体
素子の前記電極群が形成されていない面に少なくとも一
つの凸部を設けて、該凸部の先端面を露出させるように
前記封止樹脂で前記リードの一部及び前記半導体素子を
覆つたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057752A JPH02238652A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1057752A JPH02238652A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02238652A true JPH02238652A (ja) | 1990-09-20 |
Family
ID=13064618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1057752A Pending JPH02238652A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02238652A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995001651A1 (en) * | 1993-07-01 | 1995-01-12 | National Semiconductor Corporation | Moisture barrier for plastic package with heat spreader |
| US5488254A (en) * | 1991-08-05 | 1996-01-30 | Hitachi, Ltd. | Plastic-molded-type semiconductor device |
| EP1949417A4 (en) * | 2005-11-14 | 2011-03-16 | Analog Devices Inc | PROCESS FOR PREPARING AN ILLUMINATED CHIP CAPSULE |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP1057752A patent/JPH02238652A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5488254A (en) * | 1991-08-05 | 1996-01-30 | Hitachi, Ltd. | Plastic-molded-type semiconductor device |
| WO1995001651A1 (en) * | 1993-07-01 | 1995-01-12 | National Semiconductor Corporation | Moisture barrier for plastic package with heat spreader |
| EP1949417A4 (en) * | 2005-11-14 | 2011-03-16 | Analog Devices Inc | PROCESS FOR PREPARING AN ILLUMINATED CHIP CAPSULE |
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