JPS61258458A - 樹脂封止ｉｃ - Google Patents
樹脂封止ｉｃInfo
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- JPS61258458A JPS61258458A JP60099561A JP9956185A JPS61258458A JP S61258458 A JPS61258458 A JP S61258458A JP 60099561 A JP60099561 A JP 60099561A JP 9956185 A JP9956185 A JP 9956185A JP S61258458 A JPS61258458 A JP S61258458A
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- resin
- lead frames
- electrical insulator
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- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
- H10W70/415—Leadframe inner leads serving as die pads
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- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、樹脂封止ＩＣに係シ、特に素子の大形化に好
適な樹脂封止ＩＣに関するものである。
適な樹脂封止ＩＣに関するものである。
半導体装置は、メモリ容量を増大させるため、ＩＣチッ
プすなわち素子の大形化が要請されている。これに対し
て外部端子リードの幅は、従来製品との互換性やメーカ
の申し合わせなどで広げることができない現状にある。
プすなわち素子の大形化が要請されている。これに対し
て外部端子リードの幅は、従来製品との互換性やメーカ
の申し合わせなどで広げることができない現状にある。
そのため、パッケージの外形寸法を変えることなく素子
を大形化しなければならない。
を大形化しなければならない。
そこで、従来用いられていたタブを廃止して、素子の大
形化をはかる技術が開発されており、例えば、特開＠５
６−１３７６６５号公報記載のものがある。
形化をはかる技術が開発されており、例えば、特開＠５
６−１３７６６５号公報記載のものがある。
当該公報によれば、少なくとも２個のベレットをリード
フレームを挾んで対向させて配置し、各ペレットの電極
部をリードフレームにボンディングした半導体装置が開
示されている。しかし、この発明は、素子とリードとの
接続を手出パンクで行っておシ、その信頼性について十
分配慮されていなかった。また、この発明は、セラミッ
ク製のペースおよびキャップを用いた密封形パッケージ
に関するものである。
フレームを挾んで対向させて配置し、各ペレットの電極
部をリードフレームにボンディングした半導体装置が開
示されている。しかし、この発明は、素子とリードとの
接続を手出パンクで行っておシ、その信頼性について十
分配慮されていなかった。また、この発明は、セラミッ
ク製のペースおよびキャップを用いた密封形パッケージ
に関するものである。
従来の樹脂封止ＩＣについて第３図を参照して説明する
。
。
第３図は、従来の樹脂封止ＩＣの断面図である。
図に示すように、従来は、チップマウントであるタブ２
の上に、ＩＣチップすなわち素子１′を接合し、外部端
子リード（以下単にリードといり）４′の端部４’ａと
素子１′の電極部とをワイヤ３を用いて接続している。
の上に、ＩＣチップすなわち素子１′を接合し、外部端
子リード（以下単にリードといり）４′の端部４’ａと
素子１′の電極部とをワイヤ３を用いて接続している。
５′は、パッケージを構成するためのモールド樹脂であ
る。
る。
このような構成では、ワイヤ３をり−・ド４’ａに接続
する部分６、リード４／ａとタブ２ｔ−絶縁するための
部分７および素子１′とタブ２の位置ずれに対する余裕
部分８が必要となシ、素子の大形化を妨げていた。
する部分６、リード４／ａとタブ２ｔ−絶縁するための
部分７および素子１′とタブ２の位置ずれに対する余裕
部分８が必要となシ、素子の大形化を妨げていた。
本発明は、前述の従来技術の実状に鑑みてなされたもの
で、パッケージの外形寸法を変えずに、素子を大形化す
ることの可能な樹脂封止ＩＣの提供を、その目的として
いる。
で、パッケージの外形寸法を変えずに、素子を大形化す
ることの可能な樹脂封止ＩＣの提供を、その目的として
いる。
本発明に係る樹脂封止ＩＣの構成は、封止用樹脂で成形
されたパッケージの両側面に、複数の外部端子リードを
当該パッケージの長手方向に配列する樹脂封止ＩＣにお
いて、前記パッケージの大きさが許容しうる大きさの面
積を有し、その長手方向の端部に電極部を具備する素子
を設け、この素子の下面に、前記外部端子リードのり−
ド７レームを前記素子の電極部位置近傍まで延長せしめ
、そのリードフレームと前記素子とを電気絶縁物を介し
て接合するとともに、上記パッケージの長手方向の端部
における前記素子の電極部と前記リードフレームの延長
部とをワイヤで接続するよりにしたものである。
されたパッケージの両側面に、複数の外部端子リードを
当該パッケージの長手方向に配列する樹脂封止ＩＣにお
いて、前記パッケージの大きさが許容しうる大きさの面
積を有し、その長手方向の端部に電極部を具備する素子
を設け、この素子の下面に、前記外部端子リードのり−
ド７レームを前記素子の電極部位置近傍まで延長せしめ
、そのリードフレームと前記素子とを電気絶縁物を介し
て接合するとともに、上記パッケージの長手方向の端部
における前記素子の電極部と前記リードフレームの延長
部とをワイヤで接続するよりにしたものである。
なお、本発明を開発した考え方を、さきに説明した従来
技術の第３図に対応する７ａ２図を参照して説明する。
技術の第３図に対応する７ａ２図を参照して説明する。
ここに第２図は、本発明の基本的な構成を示す樹脂封止
ＩＣの断面図である。
ＩＣの断面図である。
本発明では、第２図に示すように、従来用いられていた
タブ２（第３図参照）を用いず、リード４を素子１の下
部中央付近まで延長し、電気絶縁物１０を介して素子１
．をリード４に接合する構造であシ、素子１は、先の第
３図で示した６、７゜８の部分までカバーしておシ、モ
ールド樹脂５が形成するパッケージの大きさが許容しり
る大きさの範囲に素子１を大形化したものである。
タブ２（第３図参照）を用いず、リード４を素子１の下
部中央付近まで延長し、電気絶縁物１０を介して素子１
．をリード４に接合する構造であシ、素子１は、先の第
３図で示した６、７゜８の部分までカバーしておシ、モ
ールド樹脂５が形成するパッケージの大きさが許容しり
る大きさの範囲に素子１を大形化したものである。
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説−明する
。
。
ここに第１図は、本発明の一実施例に係る樹脂封止ＩＣ
の構成を示す一部破断斜祝図である。
の構成を示す一部破断斜祝図である。
第１図において、１はＩＣチップ、すなわち素子で、そ
の長手方向の両端部に電極部１ａを具備している。４は
、パッケージの両側面から下方に突出して、パッケージ
の長手方向に配列される複数の外部端子リードで、複数
の外部端子リード４は、そのリードフレーム４−１．４
−２．４−３．４−４・・・・・・４− ｉが、前−配
素子１の下面に、Ｌ字状に曲折した形状で延びている。
の長手方向の両端部に電極部１ａを具備している。４は
、パッケージの両側面から下方に突出して、パッケージ
の長手方向に配列される複数の外部端子リードで、複数
の外部端子リード４は、そのリードフレーム４−１．４
−２．４−３．４−４・・・・・・４− ｉが、前−配
素子１の下面に、Ｌ字状に曲折した形状で延びている。
その延長部の先端４−１ ａ、 ４−２ ａ、 ４−３
ａ、 ４−４ ａ・−・−４−１ａは、前記素子１の
電極部１ａの近傍に位置するよりに各リードフレームご
とに異なった長さに形成されている。
ａ、 ４−４ ａ・−・−４−１ａは、前記素子１の
電極部１ａの近傍に位置するよりに各リードフレームご
とに異なった長さに形成されている。
５は、封止用樹脂に係るモールド樹脂で、パッケージを
形成するものである。
形成するものである。
第１図に、モールド樹脂５を破断して内部構成を示すよ
うに、素子ｌは、パッケージの大きさが許容しうる大き
さの面積をもつものに大形化されている。そして、パッ
ケージの長手方向の両端部における前記素子１の電極部
１ａと、リード７ンームの延長部の先端４−１ ａ、
４−２ ａ、 ４−３ａ。
うに、素子ｌは、パッケージの大きさが許容しうる大き
さの面積をもつものに大形化されている。そして、パッ
ケージの長手方向の両端部における前記素子１の電極部
１ａと、リード７ンームの延長部の先端４−１ ａ、
４−２ ａ、 ４−３ａ。
４−４ａ・・・・・・４− ｉ ａとが、ワイヤ３で電
気的に接続されている。
気的に接続されている。
素子１の下面とリードフレームとの間には、電気絶縁物
ｌＯが挿入されておシ、前記素子１とリードフレーム４
−１，４−２・・・・・・４− ｉとは電気絶縁物１０
ｔ−介して接合されている。
ｌＯが挿入されておシ、前記素子１とリードフレーム４
−１，４−２・・・・・・４− ｉとは電気絶縁物１０
ｔ−介して接合されている。
電気絶縁物ｌＯは、セラミックス、プラステッりの板が
接着材を用いる。また、封止用樹脂を索子１とリードフ
レーム４−１．４−２・・・・・・４− ｉの間に流し
込んで電気絶縁物としてもよい。
接着材を用いる。また、封止用樹脂を索子１とリードフ
レーム４−１．４−２・・・・・・４− ｉの間に流し
込んで電気絶縁物としてもよい。
このように樹脂封止ＩＣのパッケージを構成することに
より、先に第３図の従来技術で説明したタブ２が廃止さ
れ、ワイヤ３をリード４ ／ ａに接続する部分６、リ
ード４／ａとタブ２を絶縁するための部分７および素子
１′とタブ２の位置ずれに対する余裕部分８の各部分が
不要となシ、シたがって索子をパッケージの大きさが許
容しうる範囲で大形化することができる。
より、先に第３図の従来技術で説明したタブ２が廃止さ
れ、ワイヤ３をリード４ ／ ａに接続する部分６、リ
ード４／ａとタブ２を絶縁するための部分７および素子
１′とタブ２の位置ずれに対する余裕部分８の各部分が
不要となシ、シたがって索子をパッケージの大きさが許
容しうる範囲で大形化することができる。
例えば、従来の１６ピンのパッケージでは、外部端子リ
ード幅が６．６ ｍ 、素子の幅が４０園程度であった
が、本実施例によるパッケージでは、素子の幅を５．６
ｗｘ程度にすることができ、したがって素子を４０−
大形化することが可能である。
ード幅が６．６ ｍ 、素子の幅が４０園程度であった
が、本実施例によるパッケージでは、素子の幅を５．６
ｗｘ程度にすることができ、したがって素子を４０−
大形化することが可能である。
なお、本実施例の特有の効果として下記の点をあげるこ
とができる。
とができる。
本実施例のリードフレーム４−１．４−２、・・・４−
ｉは、従来のリード４′ （第３図参照）にくらべて
長いので、リードフレーム→ワ４イヤ→素子を通る大気
中の水分の侵入経路が長くなシ、素子の水分による腐食
を低減することができる。
ｉは、従来のリード４′ （第３図参照）にくらべて
長いので、リードフレーム→ワ４イヤ→素子を通る大気
中の水分の侵入経路が長くなシ、素子の水分による腐食
を低減することができる。
また、素子１の下面にリードフレームが接合されている
ので、放熱効率が向上する。
ので、放熱効率が向上する。
さらに、ワイヤ３の接続部分が、パッケージの長手方向
の端部に果申しているので、ワイヤボンディング作業工
数が短縮される。
の端部に果申しているので、ワイヤボンディング作業工
数が短縮される。
以上述べたように、本発明によれば、パッケージの外形
寸法を変えずに、素子を大形化することの可能な樹脂封
止ＩＣを提供することができる。
寸法を変えずに、素子を大形化することの可能な樹脂封
止ＩＣを提供することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る樹脂封止ＩＣの構成
を示す一部破断斜視図、第２図は、本発明の基本的な構
成を示す樹脂封止ＩＣの断面図、第３図は、従来の樹脂
封止ＩＣの断面図である。 １・・・素子、１ａ・・・電極部、３・・・ワイヤ、４
・・・外部端子リード、４−１． ４−２．４−３．４
−４・・−・・４− ｉ・・・リードフレーム、４−１
ａ、 ４−２ ａ。 ４−３８，４−４８・・・・・・４− ｉ ａ・・・延
長部の先端、５・・・モールド樹脂、１０・・・電気絶
縁物。 ｖ、１ 目
を示す一部破断斜視図、第２図は、本発明の基本的な構
成を示す樹脂封止ＩＣの断面図、第３図は、従来の樹脂
封止ＩＣの断面図である。 １・・・素子、１ａ・・・電極部、３・・・ワイヤ、４
・・・外部端子リード、４−１． ４−２．４−３．４
−４・・−・・４− ｉ・・・リードフレーム、４−１
ａ、 ４−２ ａ。 ４−３８，４−４８・・・・・・４− ｉ ａ・・・延
長部の先端、５・・・モールド樹脂、１０・・・電気絶
縁物。 ｖ、１ 目
Claims (1)
- １、封止用樹脂で成形されたパッケージの両側面に、複
数の外部端子リードを当該パッケージの長手方向に配列
する樹脂封止ＩＣにおいて、前記パッケージの大きさが
許容しうる大きさの面積を有し、その長手方向の端部に
電極部を具備する素子を設け、この素子の下面に、前記
外部端子リードのリードフレームを前記素子の電極部位
置近傍まで延長せしめ、そのリードフレームと前記素子
とを電気絶縁物を介して接合するとともに、上記パッケ
ージの長手方向の端部における前記素子の電極部と前記
リードフレームの延長部とをワイヤで接続するよりに構
成したことを特徴とする樹脂封止ＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099561A JPS61258458A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止ｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099561A JPS61258458A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止ｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258458A true JPS61258458A (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=14250558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60099561A Pending JPS61258458A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止ｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258458A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63222454A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Mitsui Haitetsuku:Kk | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS63222453A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Mitsui Haitetsuku:Kk | 半導体装置 |
| JPS647645A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
| JPS6476744A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Hitachi Ltd | Resin sealed semiconductor device |
| JPH01114058A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-02 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| US4937656A (en) * | 1988-04-22 | 1990-06-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US4987474A (en) * | 1987-09-18 | 1991-01-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US4989068A (en) * | 1988-02-12 | 1991-01-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP60099561A patent/JPS61258458A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63222454A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Mitsui Haitetsuku:Kk | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS63222453A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Mitsui Haitetsuku:Kk | 半導体装置 |
| JPS647645A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
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| US4937656A (en) * | 1988-04-22 | 1990-06-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
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