JPH02239638A - Ｉｃチップ用キャリアテープの製造方法 - Google Patents
Ｉｃチップ用キャリアテープの製造方法Info
- Publication number
- JPH02239638A JPH02239638A JP6122789A JP6122789A JPH02239638A JP H02239638 A JPH02239638 A JP H02239638A JP 6122789 A JP6122789 A JP 6122789A JP 6122789 A JP6122789 A JP 6122789A JP H02239638 A JPH02239638 A JP H02239638A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- insulating film
- predetermined opening
- carrier tape
- film
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路（以下ＩＣという）を構成す
るＩＣチップのテープキャリアボンディングを行なうキ
ャリアテープの製造方法に関するものである． （従来の技術》 従来から、ＩＣチップのリード端子とＩＣパッケージの
接続端子を樟琵するマイクロボンデイングの方式として
テーブ千テリア法が知られている（電波新聞社発行Ｎｃ
用語辞典」２１２頁参照）．このテープキャリアを製造
する方法としては、ＩＣチップをマウントする母材とな
る細長い絶縁フィルムの一面側に導電層をメッキし、絶
縁フィルムの他面側に、フォトリソグラフィーに基づい
て、ｔＣチップ配設用のデバイス孔及び給送用のスブロ
ケット孔等のパターンのフォトレジストを施す．次に、
絶縁フィルムのフォトレジストに紫外線を照射してフォ
トレジストを露光、硬化させた後、ヒドラジン及びエチ
レンジアミンの比を１対１とする溶剤中に、前記絶縁フ
ィルムを浸漬して前記スブロケット孔及びデバイス孔を
食刻により開口することにより、ＩＣチップ用のキャリ
アテープが製作される． （発明が解決しようとする課題》 しかしながら、かかる従来のキャリアテープの製造方法
では、スプロケット孔及びデバイス孔を開口するために
、フォトリソグラフィーを用いるために、キャリアテー
プ製造に時間がかかると共に、設定した形状及び開口寸
法に対して精密に一致するスプロケット孔及びデバイス
孔を形成することが困難であるという課題が残されてい
る．（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するために、本発明にかかるＩＣチップ
用キャリアテープの製造方法は、ＩＣチップのマウント
に必要な所定開口部をパンチングにより絶縁フィルムに
開口し、 前記絶縁フィルムの所定開口部にカバー用のフィルムを
接合して前記所定開口部内に樹脂を充填し、 前記カバー用のフィルムを除去した後、前記絶縁フィル
ムの片面に、前記ＩＣチップのリード端子に接続するた
めの接続端子を形成し、 この接続端子形成後、前記所定開口部内に充填されてい
た樹脂を除去すること を特徴とする． 《作 用》 本発明のＩＣチップ用キャリアテープの製造方法によれ
ば、ＩＣチップのリード端子に接合する接続端子形成の
前に、ＩＣチップ搭載に必要な所定開口部を絶縁フィル
ムにパンチングより開口するので、設定した形状及び寸
法に精密に一致する所定開口部を極めて短時間で開口で
きる．しかも、所定開口部をカバーフィルムでカバーし
て所定開口部内に樹脂を充填した稜、カバーを取り外し
てＩＣチップのリード端子に接続する接続端子を形成す
るので、ＩＣチップのリード端子に精密に対応した接続
端子を形成できる． （実施例） 以下、本発明の実施例にかかるＩＣチップ用キャリアテ
ープの製造方法を第１図乃至第ｌθ図を用いて説明する
． 第１図乃至第１０図に於で、１はＩＣチップ搭載に必要
な絶縁フィルムである．この絶縁フィルムｌは細長く形
成され、多数のＩＣチップが搭載されるもので、本実施
例では、厚さ１２５μｍ，幅３５ｍｍの耐アルカリ性の
あるポリイミドフィルムが用いられている． この絶縁フィルム１には、ＩＣチップの配設と絶縁フィ
ルムｌ自身の給送のために、所定の形状及び寸法に形成
されたパンチとダイ（図示せず）によって、デバイス孔
２の所定開口部と，スブロケット孔２ａ及びキャラクタ
ー孔２ｂ等がパンチングによって開口される（第２１！
ｌ、第ｌＯ図参照）．なお、デバイス孔２の上方にはｔ
Ｃチップがマウントされ、スプロケット孔２ａには絶縁
フィルムｌを給送するために図示しないスブロケットが
係合する． 絶縁フィルムｌにデバイス孔２の所定開口部等をパンチ
ングしたら、絶縁フィルム１の片面１ａにポリエステル
樹脂からなるカバー用フィルム３を接着して、デバイス
孔２を遮蔽する（第３図参照）．所定開口部等がパンチ
ングされたら、デバイス孔２内に、コーティングやはめ
込みなどの手段により、本実施例でｌよ、アルカリ可溶
性のポリイミド樹脂４（若しくはマイクロフォトレジス
ト１１１３−１９ ｒ商品名」でも良い．）を充填硬化
させる（第４図参照）．この場合、第４図に示すように
、絶縁フィルム１の裏面ｌｂ側にポリイミド樹脂４が若
干あふれても良いが、デバイス孔２等の所定開口部内に
は完全にポリイミド樹脂４が充填されることが必要であ
り、カバー用フィルム２と絶縁フィルム１との間にポリ
イミド樹脂４が浸入してはならない． デバイス孔２内のポリイミド樹脂４が硬化したら、カバ
ー用フィルム３を剥離させる（第５図参照）．カバー用
フィルム３を除去した後、本実施例では、絶縁フィルム
１の片面１ａに導電層５を形成する．この導電層６の形
成の時には、シプレイＰ−Ｔ−Ｈプロセス（商標）を用
いて無電解メッキ法により膜厚略１μ鴎の銅を形成し、
その後でカパラシドＨＬ〈商品名》を用い、浴温２０〜
２５度Ｃ、電流密度１〜２＾／ｄ／、浴電圧１〜６ｖの
条件で導電層５としての銅被膜３５μ一を形成する（第
６図参照）．尚、導電層５の材質としては、ニッケル、
鉄、アルミニューム等を用いても良い． 導電層５の形成後、導電層５にＩＣチップのリード端子
に対応した接続端子が形成されるように、マウントする
ＩＣチップに対応した配線パターンのフォトレジスト６
を設けて露光した後、現像を行なう（第７図、第８図参
照）．フォトレジスト６の現像を行なった後、液温４０
度Ｃ．濃度８８５ｇ／ ＃の塩化第２鉄のエッチング液
によって導電層５をスプレーエッチングし、ＩＣチップ
のリード端子に接続する接続一子７を形成する（第８図
参照）． デバイス孔２に接続端子７が形成されたら、デバイス孔
２等の所定開口部内に充填されていたポリイミド樹脂４
及びフォトレジスト６を剥離して除去する．尚、この除
去は溶剤中への浸漬により行ってもよい ポリイミド樹脂４及びフォトレジスト６の除去が終わっ
たら、サブスター８Ｎ（商品名》を用い、浴温５５′″
（プラス、マイナス２°）Ｃの錫メッキ液に、接続端
子７の配線パターンが形成された絶縁フィルム１を浸漬
し、無電解メッキ法により０．３〜０．５μ―の厚さの
錫膜を接続端子７の表面に形成すると、キャリアテープ
が出来上がる． 尚、本実施例では、導電層５の形成とフォトレジスト６
の現像後のスプレーエッチングによって、ＩＣチップの
リード端子に接続する接続端子７を形成したが（第８図
参照）、選択メッキ法によって接続端子７の配線パター
ンを形成してもよい．又、導電層５の形成は、真空蒸着
、イオンブレーテイング、スパッタリングなどの手段を
用いても良い．本実施例のＩＣチップ用キ▼リアテーブ
の製造方法によれば、ＩＣチップのリード端子に接続す
る接続端子７の形成のためのフォトリソグラフィー（第
７図、第８図参照）を行なう前に、絶縁フィルム１にパ
ンチングよりデバイス孔２等を開口するので、デバイス
孔２等の所定開口部は設定した形状及び寸法に精密に一
致する，しかもこのパンチングの開口工程は極めて短時
間で完了できる．デバイス孔２をカバー用フィルム３で
閉塞してデバイス孔２等内にポリイミド樹脂を充項した
後、カバー用フィルム３を剥離して、フォトリソグラフ
ィーを行ない、フォトリソグラフィーの完了後に充填し
たボリイミド樹脂４を除去するので、曲がりやバラツキ
がなくポンデイングミスのきわめて少ない接続端子７を
形成できる． く発明の効果） 本発明にかかるＩＣチップ用キ▼リアテーブの製造方法
は、以上説明した構成から明らかなように、ＩＣチップ
搭載に必要な所定開口部を最初に絶縁フィルムにパンチ
ングより間口するので、設定した形状及び寸法に精密に
一致する所定開口部を極めて短時間で開口できる．しか
も、所定開口部をカバー用フィルムでカバーして所定開
口部内に樹脂を充填した後、カバー用フィルムを取り外
して、フォトリソグラフィーを行ない、フォトリソグラ
フィーの完了後に充填した樹脂を除去するので、ＩＣチ
ップのリード端子にｓａ’に接続でき、ボンデイングミ
スの少ない接続端子を形成できる．
るＩＣチップのテープキャリアボンディングを行なうキ
ャリアテープの製造方法に関するものである． （従来の技術》 従来から、ＩＣチップのリード端子とＩＣパッケージの
接続端子を樟琵するマイクロボンデイングの方式として
テーブ千テリア法が知られている（電波新聞社発行Ｎｃ
用語辞典」２１２頁参照）．このテープキャリアを製造
する方法としては、ＩＣチップをマウントする母材とな
る細長い絶縁フィルムの一面側に導電層をメッキし、絶
縁フィルムの他面側に、フォトリソグラフィーに基づい
て、ｔＣチップ配設用のデバイス孔及び給送用のスブロ
ケット孔等のパターンのフォトレジストを施す．次に、
絶縁フィルムのフォトレジストに紫外線を照射してフォ
トレジストを露光、硬化させた後、ヒドラジン及びエチ
レンジアミンの比を１対１とする溶剤中に、前記絶縁フ
ィルムを浸漬して前記スブロケット孔及びデバイス孔を
食刻により開口することにより、ＩＣチップ用のキャリ
アテープが製作される． （発明が解決しようとする課題》 しかしながら、かかる従来のキャリアテープの製造方法
では、スプロケット孔及びデバイス孔を開口するために
、フォトリソグラフィーを用いるために、キャリアテー
プ製造に時間がかかると共に、設定した形状及び開口寸
法に対して精密に一致するスプロケット孔及びデバイス
孔を形成することが困難であるという課題が残されてい
る．（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するために、本発明にかかるＩＣチップ
用キャリアテープの製造方法は、ＩＣチップのマウント
に必要な所定開口部をパンチングにより絶縁フィルムに
開口し、 前記絶縁フィルムの所定開口部にカバー用のフィルムを
接合して前記所定開口部内に樹脂を充填し、 前記カバー用のフィルムを除去した後、前記絶縁フィル
ムの片面に、前記ＩＣチップのリード端子に接続するた
めの接続端子を形成し、 この接続端子形成後、前記所定開口部内に充填されてい
た樹脂を除去すること を特徴とする． 《作 用》 本発明のＩＣチップ用キャリアテープの製造方法によれ
ば、ＩＣチップのリード端子に接合する接続端子形成の
前に、ＩＣチップ搭載に必要な所定開口部を絶縁フィル
ムにパンチングより開口するので、設定した形状及び寸
法に精密に一致する所定開口部を極めて短時間で開口で
きる．しかも、所定開口部をカバーフィルムでカバーし
て所定開口部内に樹脂を充填した稜、カバーを取り外し
てＩＣチップのリード端子に接続する接続端子を形成す
るので、ＩＣチップのリード端子に精密に対応した接続
端子を形成できる． （実施例） 以下、本発明の実施例にかかるＩＣチップ用キャリアテ
ープの製造方法を第１図乃至第ｌθ図を用いて説明する
． 第１図乃至第１０図に於で、１はＩＣチップ搭載に必要
な絶縁フィルムである．この絶縁フィルムｌは細長く形
成され、多数のＩＣチップが搭載されるもので、本実施
例では、厚さ１２５μｍ，幅３５ｍｍの耐アルカリ性の
あるポリイミドフィルムが用いられている． この絶縁フィルム１には、ＩＣチップの配設と絶縁フィ
ルムｌ自身の給送のために、所定の形状及び寸法に形成
されたパンチとダイ（図示せず）によって、デバイス孔
２の所定開口部と，スブロケット孔２ａ及びキャラクタ
ー孔２ｂ等がパンチングによって開口される（第２１！
ｌ、第ｌＯ図参照）．なお、デバイス孔２の上方にはｔ
Ｃチップがマウントされ、スプロケット孔２ａには絶縁
フィルムｌを給送するために図示しないスブロケットが
係合する． 絶縁フィルムｌにデバイス孔２の所定開口部等をパンチ
ングしたら、絶縁フィルム１の片面１ａにポリエステル
樹脂からなるカバー用フィルム３を接着して、デバイス
孔２を遮蔽する（第３図参照）．所定開口部等がパンチ
ングされたら、デバイス孔２内に、コーティングやはめ
込みなどの手段により、本実施例でｌよ、アルカリ可溶
性のポリイミド樹脂４（若しくはマイクロフォトレジス
ト１１１３−１９ ｒ商品名」でも良い．）を充填硬化
させる（第４図参照）．この場合、第４図に示すように
、絶縁フィルム１の裏面ｌｂ側にポリイミド樹脂４が若
干あふれても良いが、デバイス孔２等の所定開口部内に
は完全にポリイミド樹脂４が充填されることが必要であ
り、カバー用フィルム２と絶縁フィルム１との間にポリ
イミド樹脂４が浸入してはならない． デバイス孔２内のポリイミド樹脂４が硬化したら、カバ
ー用フィルム３を剥離させる（第５図参照）．カバー用
フィルム３を除去した後、本実施例では、絶縁フィルム
１の片面１ａに導電層５を形成する．この導電層６の形
成の時には、シプレイＰ−Ｔ−Ｈプロセス（商標）を用
いて無電解メッキ法により膜厚略１μ鴎の銅を形成し、
その後でカパラシドＨＬ〈商品名》を用い、浴温２０〜
２５度Ｃ、電流密度１〜２＾／ｄ／、浴電圧１〜６ｖの
条件で導電層５としての銅被膜３５μ一を形成する（第
６図参照）．尚、導電層５の材質としては、ニッケル、
鉄、アルミニューム等を用いても良い． 導電層５の形成後、導電層５にＩＣチップのリード端子
に対応した接続端子が形成されるように、マウントする
ＩＣチップに対応した配線パターンのフォトレジスト６
を設けて露光した後、現像を行なう（第７図、第８図参
照）．フォトレジスト６の現像を行なった後、液温４０
度Ｃ．濃度８８５ｇ／ ＃の塩化第２鉄のエッチング液
によって導電層５をスプレーエッチングし、ＩＣチップ
のリード端子に接続する接続一子７を形成する（第８図
参照）． デバイス孔２に接続端子７が形成されたら、デバイス孔
２等の所定開口部内に充填されていたポリイミド樹脂４
及びフォトレジスト６を剥離して除去する．尚、この除
去は溶剤中への浸漬により行ってもよい ポリイミド樹脂４及びフォトレジスト６の除去が終わっ
たら、サブスター８Ｎ（商品名》を用い、浴温５５′″
（プラス、マイナス２°）Ｃの錫メッキ液に、接続端
子７の配線パターンが形成された絶縁フィルム１を浸漬
し、無電解メッキ法により０．３〜０．５μ―の厚さの
錫膜を接続端子７の表面に形成すると、キャリアテープ
が出来上がる． 尚、本実施例では、導電層５の形成とフォトレジスト６
の現像後のスプレーエッチングによって、ＩＣチップの
リード端子に接続する接続端子７を形成したが（第８図
参照）、選択メッキ法によって接続端子７の配線パター
ンを形成してもよい．又、導電層５の形成は、真空蒸着
、イオンブレーテイング、スパッタリングなどの手段を
用いても良い．本実施例のＩＣチップ用キ▼リアテーブ
の製造方法によれば、ＩＣチップのリード端子に接続す
る接続端子７の形成のためのフォトリソグラフィー（第
７図、第８図参照）を行なう前に、絶縁フィルム１にパ
ンチングよりデバイス孔２等を開口するので、デバイス
孔２等の所定開口部は設定した形状及び寸法に精密に一
致する，しかもこのパンチングの開口工程は極めて短時
間で完了できる．デバイス孔２をカバー用フィルム３で
閉塞してデバイス孔２等内にポリイミド樹脂を充項した
後、カバー用フィルム３を剥離して、フォトリソグラフ
ィーを行ない、フォトリソグラフィーの完了後に充填し
たボリイミド樹脂４を除去するので、曲がりやバラツキ
がなくポンデイングミスのきわめて少ない接続端子７を
形成できる． く発明の効果） 本発明にかかるＩＣチップ用キ▼リアテーブの製造方法
は、以上説明した構成から明らかなように、ＩＣチップ
搭載に必要な所定開口部を最初に絶縁フィルムにパンチ
ングより間口するので、設定した形状及び寸法に精密に
一致する所定開口部を極めて短時間で開口できる．しか
も、所定開口部をカバー用フィルムでカバーして所定開
口部内に樹脂を充填した後、カバー用フィルムを取り外
して、フォトリソグラフィーを行ない、フォトリソグラ
フィーの完了後に充填した樹脂を除去するので、ＩＣチ
ップのリード端子にｓａ’に接続でき、ボンデイングミ
スの少ない接続端子を形成できる．
第１図乃至第ｌＯ図は本発明の実施例にかかるキャリア
テープの製造方法を示す説明図であり、第１図は本実施
例の絶縁フィルムのパンチング前の説明図 第２図はパンチング後の絶縁フィルムの説明図第３図は
カバー用フィルムを接着した状態の説明図第４図はデバ
イス孔に樹脂を充填した状態の説明図第５図はカバー用
フィルムを剥離した状態の説明図第６図はデバイス孔の
上部に導電層を形成した状態の説明図 第７図は導電層にフォトレジストを行なったときの説明
図 第８図は導電層をエッチングしたときの説明図第９図は
デバイス孔の樹脂を剥離したときの説明図第１０図は絶
縁フィルムの部分拡大図 である． １・・・絶縁フィルム ２・・・デバイス孔（所定開口部） ２ａ・・・スブロケット孔 ２ｂ・・・キ▼ラクター孔 ３・・・カバー用フィルム ４・・・ポリイミド樹脂 ６・・・導電層 ６・・・フォトレジスト ７・・・接続端子（配線パターン） ＄６１！１ ０１１Ｎ５ ２一 １１Ｅ８１！１ １９１！１ Ｍｌ図 Ｗ２図 ｌＥ３１！１ １１５１！１ ｌλ 第ｌＯ図 ｌ−−２ａ
テープの製造方法を示す説明図であり、第１図は本実施
例の絶縁フィルムのパンチング前の説明図 第２図はパンチング後の絶縁フィルムの説明図第３図は
カバー用フィルムを接着した状態の説明図第４図はデバ
イス孔に樹脂を充填した状態の説明図第５図はカバー用
フィルムを剥離した状態の説明図第６図はデバイス孔の
上部に導電層を形成した状態の説明図 第７図は導電層にフォトレジストを行なったときの説明
図 第８図は導電層をエッチングしたときの説明図第９図は
デバイス孔の樹脂を剥離したときの説明図第１０図は絶
縁フィルムの部分拡大図 である． １・・・絶縁フィルム ２・・・デバイス孔（所定開口部） ２ａ・・・スブロケット孔 ２ｂ・・・キ▼ラクター孔 ３・・・カバー用フィルム ４・・・ポリイミド樹脂 ６・・・導電層 ６・・・フォトレジスト ７・・・接続端子（配線パターン） ＄６１！１ ０１１Ｎ５ ２一 １１Ｅ８１！１ １９１！１ Ｍｌ図 Ｗ２図 ｌＥ３１！１ １１５１！１ ｌλ 第ｌＯ図 ｌ−−２ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩＣチップのマウントに必要な所定開口部をパンチング
により絶縁フィルムに開口し、 前記絶縁フィルムの所定開口部にカバー用のフィルムを
接合して前記所定開口部内に樹脂を充填し、 前記カバー用のフィルムを除去した後、前記絶縁フィル
ムの片面に、前記ＩＣチップのリード端子に接続するた
めの接続端子を形成し、 この接続端子形成後、前記所定開口部内に充填されてい
た樹脂を除去すること を特徴とするＩＣチップ用キャリアテープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122789A JPH02239638A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | Ｉｃチップ用キャリアテープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122789A JPH02239638A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | Ｉｃチップ用キャリアテープの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02239638A true JPH02239638A (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=13165118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6122789A Pending JPH02239638A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | Ｉｃチップ用キャリアテープの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02239638A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0718878A3 (de) * | 1994-12-24 | 1997-03-26 | Sel Alcatel Ag | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen auf einem Vertiefungen aufweisenden Substrat |
-
1989
- 1989-03-14 JP JP6122789A patent/JPH02239638A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0718878A3 (de) * | 1994-12-24 | 1997-03-26 | Sel Alcatel Ag | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen auf einem Vertiefungen aufweisenden Substrat |
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