JPH02239672A - 光電変換素子及び光起電力装置 - Google Patents
光電変換素子及び光起電力装置Info
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- JPH02239672A JPH02239672A JP1061672A JP6167289A JPH02239672A JP H02239672 A JPH02239672 A JP H02239672A JP 1061672 A JP1061672 A JP 1061672A JP 6167289 A JP6167289 A JP 6167289A JP H02239672 A JPH02239672 A JP H02239672A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、光照射を受けることにより、光電変換動作を
行う光電変換素子及び起電力を発生する光起電力装置に
関する。
行う光電変換素子及び起電力を発生する光起電力装置に
関する。
（口）従来の技術
光照射を受けると起電力を発生する光起電力装置におけ
る受光面側電極は、光電変換作用をなす半導体光活性層
への光照射を招くべく透光性であることか好ましい。従
来、透光性を呈すべく受光面側電極はインジューム（Ｉ
ｎ）やスズ（Ｓｏ）の酸化物であるｌ ｎｌ Ｏ ｚ，
Ｓ ｎｏ ｔ、ＩＴＯ等に代表される透光性導電酸化
物（以下ＴＣＯと称する）により形成されている。この
ＴＣＯからなる電極にあっては、そのシート抵抗は約３
０〜５０Ｑ／口であり、同じ膜厚のアルミニウム等の金
属材科に比べて３桁以上も高いため、この電極における
電力損失（抵抗損失）が発生し、集電効率を低下させる
原因となるう そこで、本願出順人は、受光面側電極として高抵抗なＴ
ＣＯを用いるにも係わらず、受光面側電極による抵抗損
失を減じる構造として、特開昭６１−２０３７１号公報
、及び実開昭６１−８６９５５号公報を出頼している。
る受光面側電極は、光電変換作用をなす半導体光活性層
への光照射を招くべく透光性であることか好ましい。従
来、透光性を呈すべく受光面側電極はインジューム（Ｉ
ｎ）やスズ（Ｓｏ）の酸化物であるｌ ｎｌ Ｏ ｚ，
Ｓ ｎｏ ｔ、ＩＴＯ等に代表される透光性導電酸化
物（以下ＴＣＯと称する）により形成されている。この
ＴＣＯからなる電極にあっては、そのシート抵抗は約３
０〜５０Ｑ／口であり、同じ膜厚のアルミニウム等の金
属材科に比べて３桁以上も高いため、この電極における
電力損失（抵抗損失）が発生し、集電効率を低下させる
原因となるう そこで、本願出順人は、受光面側電極として高抵抗なＴ
ＣＯを用いるにも係わらず、受光面側電極による抵抗損
失を減じる構造として、特開昭６１−２０３７１号公報
、及び実開昭６１−８６９５５号公報を出頼している。
この先電変換素子は、光入射側から見て、受光面電極膜
、光活性層を含む半導体膜、第１背面電極膜、絶縁膜及
び受光ｖＭｔ極膜より低抵抗な第２背面電極膜を重畳し
、上記第２背面電極膜が，受光領域の複数箇所において
、内周が，Ｅ記絶縁膜により囲繞されたコンタクトホー
ルを貫通して受光面電極膜に到達することにより、上記
第２背面電極膜及び上記受光面電極膜を電気的に結合し
たものである。
、光活性層を含む半導体膜、第１背面電極膜、絶縁膜及
び受光ｖＭｔ極膜より低抵抗な第２背面電極膜を重畳し
、上記第２背面電極膜が，受光領域の複数箇所において
、内周が，Ｅ記絶縁膜により囲繞されたコンタクトホー
ルを貫通して受光面電極膜に到達することにより、上記
第２背面電極膜及び上記受光面電極膜を電気的に結合し
たものである。
（ハフ発明が解決しようとする課題
ところで、上述のような充電変換素子において，第２背
面電極１換としては、低抵抗のＡ！膜やＡｇ膜が用いら
れているが、これらＡＩ膜やＡｇ膜は、ＴＣＯからなる
受光面電極膜との電気的な接触特性が良くなく、従って
、両電極膜間の接触抵抗が高くなり、受光面電極膜とし
て．ａｍ抗なＴＣＯを用いるにも係わらず受光面電極膜
による抵抗損失を減じる溝造として考えられた上述のよ
うな構造の特性を、七分にいかしているとは言えなかっ
た。
面電極１換としては、低抵抗のＡ！膜やＡｇ膜が用いら
れているが、これらＡＩ膜やＡｇ膜は、ＴＣＯからなる
受光面電極膜との電気的な接触特性が良くなく、従って
、両電極膜間の接触抵抗が高くなり、受光面電極膜とし
て．ａｍ抗なＴＣＯを用いるにも係わらず受光面電極膜
による抵抗損失を減じる溝造として考えられた上述のよ
うな構造の特性を、七分にいかしているとは言えなかっ
た。
そこで、本発明は、受光面電極膜と１ｓ２背面電極膜と
の電気的な接触特性を向上することにある。
の電気的な接触特性を向上することにある。
（二）課題を解決するための手段
本発明は、透光性受光面電極膜、光活性層を含む半導体
膜、第１背面電極膜、絶縁膜及び第２背面電極膜を重畳
し、受光領域内の？！数の接続箇所において上記第２背
面電極膜が上記絶縁膜を貫通して受光面電掻膜と電気的
に結合した充電変換素子であって、上記第２背面電極膜
は、Ｎｉ被膜にてこれより低抵抗の金属粒子を被覆した
導電性粒子を含む導電ペーストからなることを第ｌの特
徴とする。
膜、第１背面電極膜、絶縁膜及び第２背面電極膜を重畳
し、受光領域内の？！数の接続箇所において上記第２背
面電極膜が上記絶縁膜を貫通して受光面電掻膜と電気的
に結合した充電変換素子であって、上記第２背面電極膜
は、Ｎｉ被膜にてこれより低抵抗の金属粒子を被覆した
導電性粒子を含む導電ペーストからなることを第ｌの特
徴とする。
また、透光性受光面電極膜、光活性層を含む半導体膜、
第１背面電極膜、絶縁膜及び第２背面電極膜を重畳し、
受光領域内の複数の接続箇所において上記第２背面電極
膜が上記絶縁膜を貫通して受光面電極膜と電気的に結合
した充電変換素子であって、上記第２背面電極騰は、．
上記受光面ｔ掻膜と接するＮｉ［とこれより低抵抗な金
属膜との積層体からなることを第２の特徴とする。
第１背面電極膜、絶縁膜及び第２背面電極膜を重畳し、
受光領域内の複数の接続箇所において上記第２背面電極
膜が上記絶縁膜を貫通して受光面電極膜と電気的に結合
した充電変換素子であって、上記第２背面電極騰は、．
上記受光面ｔ掻膜と接するＮｉ［とこれより低抵抗な金
属膜との積層体からなることを第２の特徴とする。
更に、本発明の光起電力装置は、上述の如き各光電変換
素子の複数を、互いに隣接する素子の一方の第１背面電
極膜と他方の第２背面電極膜とでもって半導体膜に対し
て背面側にて結合することにより電気的に直列接続した
ことを特徴とする。
素子の複数を、互いに隣接する素子の一方の第１背面電
極膜と他方の第２背面電極膜とでもって半導体膜に対し
て背面側にて結合することにより電気的に直列接続した
ことを特徴とする。
（ホ）作用
本発明によれば、受光面電極膜は、これとの電気的な接
触特性が優れたＮ＋と接触するために、第２電掻膜との
電気的な接触特性が向上する。また，ＮｉはＡ１やＡｇ
と比べて抵抗値が高いが、Ｎｉと電気的に接触してこれ
より低抵抗の金属が設けられていることにより、Ｎ ｊ
の高抵抗は是正され、全体ヒして受光面電極膜と電気的
な接触特性が優れ、且つ低抵抗の第２背面電極膜が得ら
れる。
触特性が優れたＮ＋と接触するために、第２電掻膜との
電気的な接触特性が向上する。また，ＮｉはＡ１やＡｇ
と比べて抵抗値が高いが、Ｎｉと電気的に接触してこれ
より低抵抗の金属が設けられていることにより、Ｎ ｊ
の高抵抗は是正され、全体ヒして受光面電極膜と電気的
な接触特性が優れ、且つ低抵抗の第２背面電極膜が得ら
れる。
（へ）実施例
第１図は本発明の光起電力装置の第１実施例の要部を光
入射方向に甘して背面側斜め方向から臨んだ一部断面斜
視図であり、光入射側から一見てＴＣＯ等の透光性受光
面電極膜（１）、膜面に並行なｐｉｎ接合、ｐｎ接合等
の半導体接合の光活性層を含むアモルファス冫リコン等
を主体とする半導体膜（２），オーミｌク金属の第１背
面電極膜（３）、絶縁Ｍ（４）、及び受光面ｔＩｆｉ膜
（１）に比べて低抵抗な金属からなる第２背面電極膜（
５）を重畳し、第？背面電極膜（５）が，受光領域内の
複数箇所において、絶縁膜（４）、第１背面電極膜（３
）及び半導体膜（２）を貫通すると共に内周が絶縁膜（
４）により囲繞された円形のコンタクトホール（６）を
貫通して受光面電極膜（１）に到達することにより，受
光面電極膜（１）と電気的に結合した複数の単位光電変
換素子（ＳＣ，）（Ｓｔ．）（ＳＣｓ）・・・を形成し
、そしてこれら各甲一位光電変換素子（ＳＣ．）（ＳＣ
■）（ＳＣ．）・を、受光面電極膜（１）が分離間隔ｄ
を隔てた状態で支持体か・つ受光面保護体となるガラス
等の透光性絶縁基板（７ＬＬ−に設けている。
入射方向に甘して背面側斜め方向から臨んだ一部断面斜
視図であり、光入射側から一見てＴＣＯ等の透光性受光
面電極膜（１）、膜面に並行なｐｉｎ接合、ｐｎ接合等
の半導体接合の光活性層を含むアモルファス冫リコン等
を主体とする半導体膜（２），オーミｌク金属の第１背
面電極膜（３）、絶縁Ｍ（４）、及び受光面ｔＩｆｉ膜
（１）に比べて低抵抗な金属からなる第２背面電極膜（
５）を重畳し、第？背面電極膜（５）が，受光領域内の
複数箇所において、絶縁膜（４）、第１背面電極膜（３
）及び半導体膜（２）を貫通すると共に内周が絶縁膜（
４）により囲繞された円形のコンタクトホール（６）を
貫通して受光面電極膜（１）に到達することにより，受
光面電極膜（１）と電気的に結合した複数の単位光電変
換素子（ＳＣ，）（Ｓｔ．）（ＳＣｓ）・・・を形成し
、そしてこれら各甲一位光電変換素子（ＳＣ．）（ＳＣ
■）（ＳＣ．）・を、受光面電極膜（１）が分離間隔ｄ
を隔てた状態で支持体か・つ受光面保護体となるガラス
等の透光性絶縁基板（７ＬＬ−に設けている。
そして、各単ｆγ光電変換素子（ＳＣＩ）（ＳＣＩ）（
ＳＣＩ）・・の隣接する素子の受光面電極膜（１）と第
１背面電極膜（３）とを各光電変換素子（ＳＣＩ）（Ｓ
ｅｔ）（ＳＣｊ）・・・の隣接間隔部において直接重畳
することなく、半導体膜（２）の背面側において絶縁膜
（４）側から、例えばレーザビームの照射あるいはエッ
チングを行うことにより開孔した部分の第１背面電極膜
（３）に、隣接素子の第２背面電極膜（５）が延在し埋
設することによって、互いに隣接する単位光電変換累ｆ
（ＳＣＩ）（ＳＣｔ）（ＳＣ．）・・・は電気的に直列
接続されている。
ＳＣＩ）・・の隣接する素子の受光面電極膜（１）と第
１背面電極膜（３）とを各光電変換素子（ＳＣＩ）（Ｓ
ｅｔ）（ＳＣｊ）・・・の隣接間隔部において直接重畳
することなく、半導体膜（２）の背面側において絶縁膜
（４）側から、例えばレーザビームの照射あるいはエッ
チングを行うことにより開孔した部分の第１背面電極膜
（３）に、隣接素子の第２背面電極膜（５）が延在し埋
設することによって、互いに隣接する単位光電変換累ｆ
（ＳＣＩ）（ＳＣｔ）（ＳＣ．）・・・は電気的に直列
接続されている。
ところで、かかる構造の光起電力装置において、第２背
面ｔ極膜（５）は、Ｎｉ彼膜にてこれより低抵抗の金属
粒子、例えばＡＩやＡｇの粒子を被潰した導電性粒子を
含む導電ペーストからなる。
面ｔ極膜（５）は、Ｎｉ彼膜にてこれより低抵抗の金属
粒子、例えばＡＩやＡｇの粒子を被潰した導電性粒子を
含む導電ペーストからなる。
この導電ペーストは、絶縁膜（４）上に塗布された後、
１５ｆ）”Ｃで３０分間または２００℃で１５分間熱処
理されて硬化される。
１５ｆ）”Ｃで３０分間または２００℃で１５分間熱処
理されて硬化される。
これによって、ＴＣＯからなる受光面電極膜（１）と直
接接触するのは、Ｎｉ被膜であり、従って、受光面電極
膜（１）と第２背面電極膜（５）とのＴＬ気的な接触特
性が向上する。更に、Ｎｉ被膜の内部にはＡＩやＡｇ粒
子が存在することがらＮｉ被膜の高抵抗は、これら粒子
にて是正され、全体として低抵抗に押さえられる。
接接触するのは、Ｎｉ被膜であり、従って、受光面電極
膜（１）と第２背面電極膜（５）とのＴＬ気的な接触特
性が向上する。更に、Ｎｉ被膜の内部にはＡＩやＡｇ粒
子が存在することがらＮｉ被膜の高抵抗は、これら粒子
にて是正され、全体として低抵抗に押さえられる。
実際、第２背面電極膜（５）として、ＡＩ膜を用いた促
米の光起電力装置と本願の光起電力装置の起電力を測定
したところ、本願の光起電力装置の出力が、従来に秘し
て５〜ｌＯ％向上した。
米の光起電力装置と本願の光起電力装置の起電力を測定
したところ、本願の光起電力装置の出力が、従来に秘し
て５〜ｌＯ％向上した。
第２図は本発明の光起電力装置の第２実施例の要部を光
入射方向に対して背面側斜め方向から臨んだ一部断面斜
視図であり、１述の第１実施例との相違は、第２背面電
極膜（５）が受光面電極膜と接するλｉｔｌｌ！（５ｏ
）とこれより低抵抗な、例えばＡＩやＡｇ等の金属ＩＦ
ｉｌ（５１）とからなることにある。この場合、Ｎｉ膜
（５０）は５０−５００人の膜厚で、また金属膜（５１
）は５〜５０ｌｌＩ１１の膜厚で夫々形成される。その
他の溝成については、全く同じである。
入射方向に対して背面側斜め方向から臨んだ一部断面斜
視図であり、１述の第１実施例との相違は、第２背面電
極膜（５）が受光面電極膜と接するλｉｔｌｌ！（５ｏ
）とこれより低抵抗な、例えばＡＩやＡｇ等の金属ＩＦ
ｉｌ（５１）とからなることにある。この場合、Ｎｉ膜
（５０）は５０−５００人の膜厚で、また金属膜（５１
）は５〜５０ｌｌＩ１１の膜厚で夫々形成される。その
他の溝成については、全く同じである。
この構成についても、上述の第１実施例と同様の効果が
得られる。
得られる。
第３図は本発明の光起電力装置の第３実施例の要部を光
入射方向に対して背面側斜め方向から臨んだ一部断面斜
視図である。
入射方向に対して背面側斜め方向から臨んだ一部断面斜
視図である。
この実施例にあっては、先の実施例と比較して、光入射
方向が逆転した点に特徴がある。即ち、表面にホーロー
や封孔処理したアルミナ膜等の絶縁膜（７２）を配置し
たステンレス鋼、アルミニウム板等の金属板（７１）か
らなる絶縁尽板（７０）を用意し、まず各単位光電変換
素子（ｓｃ，）（ｓｃｊ）（Ｓｃ＋）・・毎に第２背面
電極膜（５）を分割配置し、次いで絶縁膜（１）、第１
背面電極膜（３）、少なくとも一つの半導体接合を備え
る光活性層を含む半導体膜（２）、ＴＣＯ等の透光性受
光面電翫膜（１）を積層する。この時、絶縁膜（４）は
各単位光電変換素子（ＳＣ＋ ）（ＳＣ＋ ）（ＳＣｉ
）・・・毎に分割され、露出した第２背面電極膜（３
）に隣の素子の第１背面電極膜（３）が結合している。
方向が逆転した点に特徴がある。即ち、表面にホーロー
や封孔処理したアルミナ膜等の絶縁膜（７２）を配置し
たステンレス鋼、アルミニウム板等の金属板（７１）か
らなる絶縁尽板（７０）を用意し、まず各単位光電変換
素子（ｓｃ，）（ｓｃｊ）（Ｓｃ＋）・・毎に第２背面
電極膜（５）を分割配置し、次いで絶縁膜（１）、第１
背面電極膜（３）、少なくとも一つの半導体接合を備え
る光活性層を含む半導体膜（２）、ＴＣＯ等の透光性受
光面電翫膜（１）を積層する。この時、絶縁膜（４）は
各単位光電変換素子（ＳＣ＋ ）（ＳＣ＋ ）（ＳＣｉ
）・・・毎に分割され、露出した第２背面電極膜（３
）に隣の素子の第１背面電極膜（３）が結合している。
半導体膜（２）、第１背面ｔ極膜（３）及び絶縁膜（・
１）には第１実施例と同様に受光領域内で複数個所第２
背面電極膜（５）に達するコンタクｌ・ホール（６）が
穿たれており、コンタクトホール（６）の内壁は絶縁膜
（４）により覆われている。そして、コンタクトホール
（６）を受光面電極膜（＋．）が埋設することによって
、受光面電極膜（１）と第２背面電極膜（５）とが電気
的に結合されると共に、各単位光電変換素子（ＳＣ，）
（ＳＣ！）（ＳＣ））・・が半導体膜（２）の背面にお
いて電気的に直列接続されるう 二の構造の光起電力装置においても、第２背面ｔｉ膜（
５）はＬ述の第１実施例または第２実施例と同様に、〉
（ｉ被膜にてこれより低抵抗の金属粒子、例えばＡ１や
Ａ ｇの粒子を被覆した導電性粒子を含む導電ペースト
、または受光面電極膜と接するＮｌ膜とこれより低抵抗
な、例えばＡＩやＡｇ等の金属膜との積層体からなり、
上述の第１実施例及び第２実施例と同様の効果が得られ
るのは、当然のことである。
１）には第１実施例と同様に受光領域内で複数個所第２
背面電極膜（５）に達するコンタクｌ・ホール（６）が
穿たれており、コンタクトホール（６）の内壁は絶縁膜
（４）により覆われている。そして、コンタクトホール
（６）を受光面電極膜（＋．）が埋設することによって
、受光面電極膜（１）と第２背面電極膜（５）とが電気
的に結合されると共に、各単位光電変換素子（ＳＣ，）
（ＳＣ！）（ＳＣ））・・が半導体膜（２）の背面にお
いて電気的に直列接続されるう 二の構造の光起電力装置においても、第２背面ｔｉ膜（
５）はＬ述の第１実施例または第２実施例と同様に、〉
（ｉ被膜にてこれより低抵抗の金属粒子、例えばＡ１や
Ａ ｇの粒子を被覆した導電性粒子を含む導電ペースト
、または受光面電極膜と接するＮｌ膜とこれより低抵抗
な、例えばＡＩやＡｇ等の金属膜との積層体からなり、
上述の第１実施例及び第２実施例と同様の効果が得られ
るのは、当然のことである。
（ト》発明の効果
本発明によれば、透光性受光面電極膜、光活性層を含む
半導体膜、第１背面電極膜、絶縁膜及び第２背面電極膜
を重畳し、受光領域内の複数の接続箇所において−上記
第２背面電極膜が上記絶縁膜を貫通して受光面電極膜と
電気的に結合した単位光電変換素子、またはこれら光電
変換素子の複数を、互いに隣接する充電変換素子の一方
の第１背面電極膜と他方の第２背面電極膜とでもって半
導体膜に対して背面側にて結合することにより電気的に
直列接続した光起電力装置において、第２背面電極膜が
、Ｎｉ被膜にてこれよ●冫低抵抗の金属粒子を被覆した
導電性粒子を含む導電ベーストか、または受光面電極膜
と接するＮｉ膜とこれより低抵抗な金属膜との積層体か
らなることを特徴とするので、受光面１ｔＩｆ＋膜と第
２背面１ｔ極膜との電気的な接触特性を向上させること
ができ、光電変換素子及び光起電力装置の出力特性を向
上させることができる。
半導体膜、第１背面電極膜、絶縁膜及び第２背面電極膜
を重畳し、受光領域内の複数の接続箇所において−上記
第２背面電極膜が上記絶縁膜を貫通して受光面電極膜と
電気的に結合した単位光電変換素子、またはこれら光電
変換素子の複数を、互いに隣接する充電変換素子の一方
の第１背面電極膜と他方の第２背面電極膜とでもって半
導体膜に対して背面側にて結合することにより電気的に
直列接続した光起電力装置において、第２背面電極膜が
、Ｎｉ被膜にてこれよ●冫低抵抗の金属粒子を被覆した
導電性粒子を含む導電ベーストか、または受光面電極膜
と接するＮｉ膜とこれより低抵抗な金属膜との積層体か
らなることを特徴とするので、受光面１ｔＩｆ＋膜と第
２背面１ｔ極膜との電気的な接触特性を向上させること
ができ、光電変換素子及び光起電力装置の出力特性を向
上させることができる。
第１図は本発明の第１実施例の要部を示す一部断面斜視
図、第２図は本発明の第２実施例の要部を示す〜部断面
斜視図、第３図は本発明の第３実施例の要部を示す一部
断面斜視図である。 出順人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 西野卓嗣（外２名）
図、第２図は本発明の第２実施例の要部を示す〜部断面
斜視図、第３図は本発明の第３実施例の要部を示す一部
断面斜視図である。 出順人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 西野卓嗣（外２名）
Claims (4)
- （１）透光性受光面電極膜、光活性層を含む半導体膜、
第１背面電極膜、絶縁膜及び第２背面電極膜を重畳し、
受光領域内の複数の接続箇所において上記第２背面電極
膜が上記絶縁膜を貫通して受光面電極膜と電気的に結合
した光電変換素子であって、上記第２背面電極膜は、Ｎ
ｉ被膜にてこれより低抵抗の金属粒子を被覆した導電性
粒子を含む導電ペーストからなることを特徴とする光電
変換素子。 - （２）第１項記載の光電変換素子の複数を、互いに隣接
する素子の一方の第１背面電極膜と他方の第２背面電極
膜とでもって半導体膜に対して背面側にて結合すること
により電気的に直列接続したことを特徴とする光起電力
装置。 - （３）透光性受光面電極膜、光活性層を含む半導体膜、
第１背面電極膜、絶縁膜及び第２背面電極膜を重畳し、
受光領域内の複数の接続箇所において上記第２背面電極
膜が上記絶縁膜を貫通して受光面電極膜と電気的に結合
した光電変換素子であって、上記第２背面電極膜は、上
記受光面電極膜と接するＮｉ膜とこれより低抵抗な金属
膜との積層体からなることを特徴とする光電変換素子。 - （４）第３項記載の光電変換素子の複数を、互いに隣接
する素子の一方の第１背面電極膜と他方の第２背面電極
膜とでもって半導体膜に対して背面側にて結合すること
により電気的に直列接続したことを特徴とする光起電力
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061672A JP2735864B2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 光電変換素子及び光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061672A JP2735864B2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 光電変換素子及び光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02239672A true JPH02239672A (ja) | 1990-09-21 |
| JP2735864B2 JP2735864B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=13177967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1061672A Expired - Fee Related JP2735864B2 (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 光電変換素子及び光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735864B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373995A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2023548537A (ja) * | 2020-11-03 | 2023-11-17 | ファースト・ソーラー・インコーポレーテッド | 導電層相互接続を備える光起電デバイス |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP1061672A patent/JP2735864B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002373995A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2023548537A (ja) * | 2020-11-03 | 2023-11-17 | ファースト・ソーラー・インコーポレーテッド | 導電層相互接続を備える光起電デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2735864B2 (ja) | 1998-04-02 |
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