JPH02240795A - 磁気インク印刷パターン認識方法 - Google Patents
磁気インク印刷パターン認識方法Info
- Publication number
- JPH02240795A JPH02240795A JP6081389A JP6081389A JPH02240795A JP H02240795 A JPH02240795 A JP H02240795A JP 6081389 A JP6081389 A JP 6081389A JP 6081389 A JP6081389 A JP 6081389A JP H02240795 A JPH02240795 A JP H02240795A
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- magnetic field
- current
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気インクを使用した磁気インク印刷パターンの認識方
法に関し、 磁気インク印刷パターン認識の感度向上を目的とし、 磁気抵抗素子チップの表面又は裏面に検出磁界方向と直
角方向にバイアス磁界が発生するような電流パターンを
設け、該パターンに瞬時電流を流して初期磁化を行って
から磁気インク印刷パターンを認識する方式にふいて、
上記電流パターンに初期磁化用瞬時電流以外に該瞬時電
流と反対方向に常時微弱な電流を流して磁気抵抗素子に
微弱なバイアス磁界を印加しながら磁気インク印刷パタ
ーンからの磁界を検知するように構成する。
法に関し、 磁気インク印刷パターン認識の感度向上を目的とし、 磁気抵抗素子チップの表面又は裏面に検出磁界方向と直
角方向にバイアス磁界が発生するような電流パターンを
設け、該パターンに瞬時電流を流して初期磁化を行って
から磁気インク印刷パターンを認識する方式にふいて、
上記電流パターンに初期磁化用瞬時電流以外に該瞬時電
流と反対方向に常時微弱な電流を流して磁気抵抗素子に
微弱なバイアス磁界を印加しながら磁気インク印刷パタ
ーンからの磁界を検知するように構成する。
本発明は、磁気インクを使用した磁気インク印刷パター
ンの認識方法に関する。
ンの認識方法に関する。
磁気インクを使用した印刷パターン(磁気パターン)は
種々のものに使われているが、該磁気パターンを正確に
認識することは、模造品の識別等において重要である。
種々のものに使われているが、該磁気パターンを正確に
認識することは、模造品の識別等において重要である。
そこで、多くの認識情報を該磁気パターンから得ようと
すれば、従来よりも広範囲に渡って磁気パターンを認識
し、且つ微小パターンをも認識可能なものにする必要が
ある。そのため、複数個の磁気検出器をアレイ状に並べ
、該磁気パターンを正確に検知する認識装置が要求され
る。
すれば、従来よりも広範囲に渡って磁気パターンを認識
し、且つ微小パターンをも認識可能なものにする必要が
ある。そのため、複数個の磁気検出器をアレイ状に並べ
、該磁気パターンを正確に検知する認識装置が要求され
る。
上記認識装置を実現する方法として、従来[nSbなど
の半導体磁気抵抗素子が用いられていたが、最近ではよ
り小型で量産性のある強磁性薄膜磁気抵抗素子(以下M
R素子という)を用いたセンサが開発されている。MR
素子は、MR素子パターンの長手方向に揃った内部磁化
が、外部磁界によって回転すると、抵抗値が変化するこ
とを利用したものである。
の半導体磁気抵抗素子が用いられていたが、最近ではよ
り小型で量産性のある強磁性薄膜磁気抵抗素子(以下M
R素子という)を用いたセンサが開発されている。MR
素子は、MR素子パターンの長手方向に揃った内部磁化
が、外部磁界によって回転すると、抵抗値が変化するこ
とを利用したものである。
従来のMR素子を用いた磁気印刷パターンの認識方法は
、磁気印刷パターンを予め磁化した後、該磁気印刷パタ
ーンから発生する微弱磁界を、第8図に示すような強磁
性体薄膜からなるMR素子lを用い、該MR素子の抵抗
Rが磁気印刷パターンからの磁界による磁化Mの向きと
、MR素子1に流す電流■の向きとの相対的な角度θに
依存することを利用して検出するものである。このとき
MR素子1は磁気印刷パターンを認識する前にパターン
の長手方向に瞬時的に磁界を印加して初期磁化を行って
いるが、磁気印刷パターンの認識時にはバイアス磁界は
印加しない。
、磁気印刷パターンを予め磁化した後、該磁気印刷パタ
ーンから発生する微弱磁界を、第8図に示すような強磁
性体薄膜からなるMR素子lを用い、該MR素子の抵抗
Rが磁気印刷パターンからの磁界による磁化Mの向きと
、MR素子1に流す電流■の向きとの相対的な角度θに
依存することを利用して検出するものである。このとき
MR素子1は磁気印刷パターンを認識する前にパターン
の長手方向に瞬時的に磁界を印加して初期磁化を行って
いるが、磁気印刷パターンの認識時にはバイアス磁界は
印加しない。
磁気インク印刷パターンから発生する磁界は極めて微弱
なため、これを検知するにはMR素子の感度を高くする
必要がある。MR素子の感度SはMR素子パターンの幅
Wと膜厚tに対してさくすることにより高感度なMR素
子の実現が可能である。しかし、Wを太きぐすることは
MR素子部の面積を大きくすることになり、又tは膜と
しての性質を維持するには300Å以上である必要があ
るため、いずれも限界値があって無限に感度を向上する
ことができないという問題がある。
なため、これを検知するにはMR素子の感度を高くする
必要がある。MR素子の感度SはMR素子パターンの幅
Wと膜厚tに対してさくすることにより高感度なMR素
子の実現が可能である。しかし、Wを太きぐすることは
MR素子部の面積を大きくすることになり、又tは膜と
しての性質を維持するには300Å以上である必要があ
るため、いずれも限界値があって無限に感度を向上する
ことができないという問題がある。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、磁気インク印刷パタ
ーン認識の感度向上を可能とする磁気インク印刷パター
ンの認識方法を提供することを目的とする。
ーン認識の感度向上を可能とする磁気インク印刷パター
ンの認識方法を提供することを目的とする。
第1図は本発明の原理説明図である。
同図において、2は強磁性磁気抵抗素子(MR素子)1
が形成されたMR素子チップであり、3はMR素子lの
パターンの長手方向に磁界を印加できる電流パターンで
ある。
が形成されたMR素子チップであり、3はMR素子lの
パターンの長手方向に磁界を印加できる電流パターンで
ある。
電流パターン3に初期磁化瞬時電流1i旧を流して予め
1旧方向にMR素子lを初期磁化し、次に電流パターン
3にIbなる電流を流し初期磁化が反転しない程度のH
bなるバイアス磁界を印加することにより、MR素子パ
ターンの内部磁化が外部磁界Hexに対して回転しやす
くなるため、感度が向上する。
1旧方向にMR素子lを初期磁化し、次に電流パターン
3にIbなる電流を流し初期磁化が反転しない程度のH
bなるバイアス磁界を印加することにより、MR素子パ
ターンの内部磁化が外部磁界Hexに対して回転しやす
くなるため、感度が向上する。
第2図は本発明方法を実施することができる装置を示す
図である。この装置は記録媒体10を搬送する複数個の
ローラllよりなる搬送手段12と、記録媒体10上に
印刷された磁気パターンを着磁する着磁手段13と、着
磁された磁気パターンを検出する磁気センサ14と、該
磁気センサ14からの信号を処理する信号処理回路15
とを具備して構成されている。
図である。この装置は記録媒体10を搬送する複数個の
ローラllよりなる搬送手段12と、記録媒体10上に
印刷された磁気パターンを着磁する着磁手段13と、着
磁された磁気パターンを検出する磁気センサ14と、該
磁気センサ14からの信号を処理する信号処理回路15
とを具備して構成されている。
第3図は第2図のA部拡大断面図であり、磁気パターン
を検出する磁気センサを示している。
を検出する磁気センサを示している。
同図において、20は磁気抵抗素子(MR素子)であり
、保護板21の上にバイアス磁界印加用のフレキシブル
プリント板22を挾んで搭載されている。23はMR素
子20を駆動するためのフレキシブルプリント板であり
、その一端はMR素子20の電極とワイヤ24によりワ
イヤボンディングされ、他端は図示なき駆動回路を搭載
したブリント板25に接続されている。26はMR素子
を保護するための樹脂又は非磁性金属のカバーである。
、保護板21の上にバイアス磁界印加用のフレキシブル
プリント板22を挾んで搭載されている。23はMR素
子20を駆動するためのフレキシブルプリント板であり
、その一端はMR素子20の電極とワイヤ24によりワ
イヤボンディングされ、他端は図示なき駆動回路を搭載
したブリント板25に接続されている。26はMR素子
を保護するための樹脂又は非磁性金属のカバーである。
第4図は第3図のMR素子20のパターンを拡大して示
した図である。このMR素子は酸化膜を成長させたシリ
コン基板に形成した抵抗体パターン27と外部接続端子
28・29.30を一体に接続した構成である。抵抗体
パターン27はつづら折れ状に形成されたパーマロイ等
の強磁性体薄膜に傾斜した縞状に導電体く例えば金)3
1を形成したものである。
した図である。このMR素子は酸化膜を成長させたシリ
コン基板に形成した抵抗体パターン27と外部接続端子
28・29.30を一体に接続した構成である。抵抗体
パターン27はつづら折れ状に形成されたパーマロイ等
の強磁性体薄膜に傾斜した縞状に導電体く例えば金)3
1を形成したものである。
一般にかかる導電体パターンを具えた抵抗体パターン2
7は、バーバーポール型と呼ばれており、予めパターン
27の長手方向に初期磁化したのち、所定の電流を端子
28と30に印加し、パターン27の長さ方向と直交す
る外部磁界Hexを印加すると、第1ブロツクと第2ブ
ロツクの抵抗変化が端子29より検出され、該抵抗値変
化により外部磁界Hexの有無が検出できる。
7は、バーバーポール型と呼ばれており、予めパターン
27の長手方向に初期磁化したのち、所定の電流を端子
28と30に印加し、パターン27の長さ方向と直交す
る外部磁界Hexを印加すると、第1ブロツクと第2ブ
ロツクの抵抗変化が端子29より検出され、該抵抗値変
化により外部磁界Hexの有無が検出できる。
第5図に第4図のMR素子の検出磁界方向の磁界強さと
抵抗値変化の関係を示す。図は横軸に外部磁界強さを、
縦軸に抵抗変化をとり、曲線A及びBで外部磁界と抵抗
変化の関係を示した。なおMR素子パターン寸法の幅が
1507− 、パーマロイ膜厚が300人のものもので
ある。
抵抗値変化の関係を示す。図は横軸に外部磁界強さを、
縦軸に抵抗変化をとり、曲線A及びBで外部磁界と抵抗
変化の関係を示した。なおMR素子パターン寸法の幅が
1507− 、パーマロイ膜厚が300人のものもので
ある。
図よりバイアス磁界Hb=20eを印加した場合(曲線
へで示す)の方がHb=Q(曲線Bで示す)に比べ微小
磁界範囲では同一外部磁界に対する抵抗変化が大きいこ
と、即ち出力が大きいことがわかる。そこで本実施例で
は第6図に示すようなMR素子裏面に設けた電流パター
ン(第3図のフレキシブルプリント板22に形成された
もの)3に一40mAの定電流を流すことによってMR
素子部に初期磁化とは反対方向のHb=−20eのバイ
アス磁界を発生させた状態で磁気インク印刷パターンの
検出を行なうのである。一方、MR素子は磁気インク印
刷パターンの検出を行なう前に予めMR素子パターン内
の磁化を同一方向に揃える初期磁化工程を要するので、
それは上記電流パターン3にスイッチ投入時第7図に示
すように200mAの瞬時電流を流し、約100eの磁
界を発生させて初期磁化を行なうことができる。
へで示す)の方がHb=Q(曲線Bで示す)に比べ微小
磁界範囲では同一外部磁界に対する抵抗変化が大きいこ
と、即ち出力が大きいことがわかる。そこで本実施例で
は第6図に示すようなMR素子裏面に設けた電流パター
ン(第3図のフレキシブルプリント板22に形成された
もの)3に一40mAの定電流を流すことによってMR
素子部に初期磁化とは反対方向のHb=−20eのバイ
アス磁界を発生させた状態で磁気インク印刷パターンの
検出を行なうのである。一方、MR素子は磁気インク印
刷パターンの検出を行なう前に予めMR素子パターン内
の磁化を同一方向に揃える初期磁化工程を要するので、
それは上記電流パターン3にスイッチ投入時第7図に示
すように200mAの瞬時電流を流し、約100eの磁
界を発生させて初期磁化を行なうことができる。
以上の本実施例によればMR素子パターンの内部磁化が
回転しやすくなるため微小磁界にふける感度が向上する
。
回転しやすくなるため微小磁界にふける感度が向上する
。
以上説明した様に、本発明によれば、MR素子パターン
に初期磁化と反対方向の微弱なバイアス磁界を印加しな
がら磁気インク印刷パターンからの磁界を検出するよう
にしたことにより、磁気インク印刷パターンを認識する
場合の精度向上が可能となる。
に初期磁化と反対方向の微弱なバイアス磁界を印加しな
がら磁気インク印刷パターンからの磁界を検出するよう
にしたことにより、磁気インク印刷パターンを認識する
場合の精度向上が可能となる。
第1図は本発明の原理説明図、
第2図は本発明方法を実施することができる装置を示す
図、 第3図は第2図のA部拡大断面図、 第4図は第3図のMR素子のパターン拡大図、第5図は
MR素子の出力特性を示す図、第6図はバイアス磁界印
加用の電流パターンを有するフレキシブルプリント板を
示す図、第7図は電流パターンに流す電流を示す図、第
8図は従来のMR素子を示す図である。 図において、 1.20は磁気抵抗素子(MR素子)、2はMR素子チ
ップ、 3は電流パターン、 lOは記録媒体、 11はローラ、 12は搬送手段、 14は磁気センサ、 15は信号処理回路 を示す。 本発明の原理説明図 第 図 第2図のA部拡大断面図 第 図 第3図のMR素子のパターン拡大9 第 図 本発明方法を実施することができる装置を示す2第 図 15・・・僅号処31回路 MR素子の出力特性を示す図 第 図 電流パターン(こ流す電流を示す9 第7図 従来のMR素子を示す図 第 図
図、 第3図は第2図のA部拡大断面図、 第4図は第3図のMR素子のパターン拡大図、第5図は
MR素子の出力特性を示す図、第6図はバイアス磁界印
加用の電流パターンを有するフレキシブルプリント板を
示す図、第7図は電流パターンに流す電流を示す図、第
8図は従来のMR素子を示す図である。 図において、 1.20は磁気抵抗素子(MR素子)、2はMR素子チ
ップ、 3は電流パターン、 lOは記録媒体、 11はローラ、 12は搬送手段、 14は磁気センサ、 15は信号処理回路 を示す。 本発明の原理説明図 第 図 第2図のA部拡大断面図 第 図 第3図のMR素子のパターン拡大9 第 図 本発明方法を実施することができる装置を示す2第 図 15・・・僅号処31回路 MR素子の出力特性を示す図 第 図 電流パターン(こ流す電流を示す9 第7図 従来のMR素子を示す図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、磁気抵抗素子チップ(2)の表面又は裏面に検出磁
界方向と直角方向にバイアス磁界が発生するような電流
パターン(3)を設け、該パターン(3)に瞬時電流を
流して初期磁化を行ってから、磁気インク印刷パターン
を認識する方式において、 上記電流パターン(3)に初期磁化用瞬時電流以外に該
瞬時電流と反対方向に常時微弱な電流を流して磁気抵抗
素子(1)に微弱なバイアス磁界を印加しながら磁気イ
ンク印刷パターンからの磁界を検知するようにしたこと
を特徴とする磁気イイク印刷パターンの認識方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6081389A JPH02240795A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 磁気インク印刷パターン認識方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6081389A JPH02240795A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 磁気インク印刷パターン認識方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02240795A true JPH02240795A (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=13153165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6081389A Pending JPH02240795A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 磁気インク印刷パターン認識方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02240795A (ja) |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP6081389A patent/JPH02240795A/ja active Pending
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