JPH087232A - 磁気センサ装置 - Google Patents
磁気センサ装置Info
- Publication number
- JPH087232A JPH087232A JP6164536A JP16453694A JPH087232A JP H087232 A JPH087232 A JP H087232A JP 6164536 A JP6164536 A JP 6164536A JP 16453694 A JP16453694 A JP 16453694A JP H087232 A JPH087232 A JP H087232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- detected
- information
- sensor device
- magnetoresistive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 26
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 3
- 241001640034 Heteropterys Species 0.000 abstract 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Inspection Of Paper Currency And Valuable Securities (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高精度、かつ、高感度の下で磁気情報を検出
することができる高分解能型の磁気センサ装置を提供す
る。 【構成】 筐体4の内部に永久磁石1を収容固定し、永
久磁石1の磁極面側に磁気抵抗素子2を設置する。筐体
4の上面をセンサ検出面と成し、このセンサ検出面と磁
気抵抗素子2間に磁束注入ヨーク11を設ける。この磁束
注入ヨーク11は軟磁性の形状磁気異方性板の機能を有
し、磁気抵抗素子2の中央部に立設状に配置する。セン
サ検出面の上側に被検出体3を走行させ、永久磁石1か
ら磁気抵抗素子2を通るバイアス磁界を磁束注入ヨーク
11で収束して被検出体3の磁気情報に注ぎ、磁気情報を
読み取り検出する。
することができる高分解能型の磁気センサ装置を提供す
る。 【構成】 筐体4の内部に永久磁石1を収容固定し、永
久磁石1の磁極面側に磁気抵抗素子2を設置する。筐体
4の上面をセンサ検出面と成し、このセンサ検出面と磁
気抵抗素子2間に磁束注入ヨーク11を設ける。この磁束
注入ヨーク11は軟磁性の形状磁気異方性板の機能を有
し、磁気抵抗素子2の中央部に立設状に配置する。セン
サ検出面の上側に被検出体3を走行させ、永久磁石1か
ら磁気抵抗素子2を通るバイアス磁界を磁束注入ヨーク
11で収束して被検出体3の磁気情報に注ぎ、磁気情報を
読み取り検出する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、紙幣上に設置された紙
幣識別用の微小磁性体や、IDカード等の紙葉状媒体に
設置された磁気コードや、ガスボンベ等のタグに設置さ
れる磁性情報を検出する高分解能型の磁気センサ装置に
関するものである。
幣識別用の微小磁性体や、IDカード等の紙葉状媒体に
設置された磁気コードや、ガスボンベ等のタグに設置さ
れる磁性情報を検出する高分解能型の磁気センサ装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】紙幣や磁気カード等に磁性体によって設
置されている情報を検出する磁気センサ装置が情報処理
装置の分野やその類似分野に広く用いられている。この
種の磁気センサ装置は、図10の(a)に示すように、永
久磁石(バイアスマグネット)1の上面に1対の磁気抵
抗素子2a,2bを装着したもので、この磁気抵抗素子
2a,2bは図11に示すように直列に接続され、この直
列回路の一方側を電源ラインに接続し、他端側をグラン
ドラインに接続して、分圧回路とし、磁気抵抗素子2
a,2bの直列接続部から信号取り出し部を引き出した
ものである。
置されている情報を検出する磁気センサ装置が情報処理
装置の分野やその類似分野に広く用いられている。この
種の磁気センサ装置は、図10の(a)に示すように、永
久磁石(バイアスマグネット)1の上面に1対の磁気抵
抗素子2a,2bを装着したもので、この磁気抵抗素子
2a,2bは図11に示すように直列に接続され、この直
列回路の一方側を電源ラインに接続し、他端側をグラン
ドラインに接続して、分圧回路とし、磁気抵抗素子2
a,2bの直列接続部から信号取り出し部を引き出した
ものである。
【0003】この磁気センサ装置は被検出体3の走行経
路上(走行空間)に設置され、被検出体3が磁気抵抗素
子2aの上側を対向して通過するときに、永久磁石1の
バイアス磁界が磁気抵抗素子2aを集中して通過する結
果、磁気抵抗素子2aの磁気抵抗が大きく変化し、磁気
センサ装置から図10の(b)に示すように上側に凸とな
る出力波形の信号が得られ、次に、被検出体3が磁気抵
抗素子2bに対向する位置に来たときに、今度は、永久
磁石1のバイアス磁界が磁気抵抗素子2b側を集中して
通過する結果、磁気抵抗素子2bの磁気抵抗が大きく変
化し、これにより、磁気センサ装置から下に凸となる出
力波形の時系列信号が得られる。この磁気センサ装置の
出力信号を解析することにより、紙幣や磁気カード等の
紙葉状媒体に設置されている磁性体の情報が読み取られ
る。
路上(走行空間)に設置され、被検出体3が磁気抵抗素
子2aの上側を対向して通過するときに、永久磁石1の
バイアス磁界が磁気抵抗素子2aを集中して通過する結
果、磁気抵抗素子2aの磁気抵抗が大きく変化し、磁気
センサ装置から図10の(b)に示すように上側に凸とな
る出力波形の信号が得られ、次に、被検出体3が磁気抵
抗素子2bに対向する位置に来たときに、今度は、永久
磁石1のバイアス磁界が磁気抵抗素子2b側を集中して
通過する結果、磁気抵抗素子2bの磁気抵抗が大きく変
化し、これにより、磁気センサ装置から下に凸となる出
力波形の時系列信号が得られる。この磁気センサ装置の
出力信号を解析することにより、紙幣や磁気カード等の
紙葉状媒体に設置されている磁性体の情報が読み取られ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の磁気センサ装置の如く、被検出体3を走行経路に沿っ
て搬送する方式のものは、被検出体3と磁気抵抗素子2
a,2bとの隙間間隔を一定に保持するのが非常に困難
である。周知のように、永久磁石1から発せられるバイ
アス磁界は分散形となるため、前記隙間間隔が変動する
と、被検出体3を横切るバイアス磁界の幅が変動する結
果、被検出体が連続して走行すると、磁気センサ装置の
出力波形が乱れ、分解能が低下し、検出の信頼性が損な
われるという問題が生じる。
の磁気センサ装置の如く、被検出体3を走行経路に沿っ
て搬送する方式のものは、被検出体3と磁気抵抗素子2
a,2bとの隙間間隔を一定に保持するのが非常に困難
である。周知のように、永久磁石1から発せられるバイ
アス磁界は分散形となるため、前記隙間間隔が変動する
と、被検出体3を横切るバイアス磁界の幅が変動する結
果、被検出体が連続して走行すると、磁気センサ装置の
出力波形が乱れ、分解能が低下し、検出の信頼性が損な
われるという問題が生じる。
【0005】本出願人は、前記隙間間隔の変動に起因す
る分解能の低下を防止するものとして、図8に示すよう
な磁気センサ装置を特許出願によって提案している。こ
の提案装置は、筐体4の上下中間部に被検出体3の走行
空間5を設け、この走行空間の下側の筐体4内には、永
久磁石1を配設し、この永久磁石1の上面には必要に応
じサブストレート(図示せず)を介して分圧回路を形成
している磁気抵抗素子2a,2bを配置し、磁気抵抗素
子2a,2bの上面を走行空間5に臨ませている。
る分解能の低下を防止するものとして、図8に示すよう
な磁気センサ装置を特許出願によって提案している。こ
の提案装置は、筐体4の上下中間部に被検出体3の走行
空間5を設け、この走行空間の下側の筐体4内には、永
久磁石1を配設し、この永久磁石1の上面には必要に応
じサブストレート(図示せず)を介して分圧回路を形成
している磁気抵抗素子2a,2bを配置し、磁気抵抗素
子2a,2bの上面を走行空間5に臨ませている。
【0006】走行空間5の上側の筐体4内には、形状磁
気異方性板6を被検出体3の走行経路に対して垂直に配
置し、形状磁気異方性板6の底面を磁気抵抗素子2a,
2b間に対向させている。
気異方性板6を被検出体3の走行経路に対して垂直に配
置し、形状磁気異方性板6の底面を磁気抵抗素子2a,
2b間に対向させている。
【0007】このように、形状磁気異方性板6を配置す
ることにより、永久磁石1から出るバイアス磁界は形状
磁気異方性板6に集中して、磁気抵抗素子2a,2b間
に、永久磁石1から形状磁気異方性板6に向かう磁界に
よって磁気障壁を作り出し、走行空間5を通る被検出体
3と磁気抵抗素子2a,2bとの隙間間隔の変動が生じ
ても、被検出体3を横切る磁界の幅が変動しないように
して分解能の低下を来さないようにしようとするもので
ある。
ることにより、永久磁石1から出るバイアス磁界は形状
磁気異方性板6に集中して、磁気抵抗素子2a,2b間
に、永久磁石1から形状磁気異方性板6に向かう磁界に
よって磁気障壁を作り出し、走行空間5を通る被検出体
3と磁気抵抗素子2a,2bとの隙間間隔の変動が生じ
ても、被検出体3を横切る磁界の幅が変動しないように
して分解能の低下を来さないようにしようとするもので
ある。
【0008】しかしながら、図9に示すように、永久磁
石1から形状磁気異方性板6に向かう磁界は、必ずしも
形状磁気異方性板6の底面に集中するとは限らず、永久
磁石1から出た磁界が外側に膨らんで分散形(発散形)
になった後、形状磁気異方性板6の両側面G,Hに入り
込むものが生じ、このときの分解能は、被検出体3の走
行通路7を磁界8,9が横切るEFの幅によって定ま
る。この形状磁気異方性板6の両側面に入り込む分散形
の磁界が生じると、分解能を定めるEFの幅が大きくな
り、期待したほど分解能の改善が図れないという問題が
ある。
石1から形状磁気異方性板6に向かう磁界は、必ずしも
形状磁気異方性板6の底面に集中するとは限らず、永久
磁石1から出た磁界が外側に膨らんで分散形(発散形)
になった後、形状磁気異方性板6の両側面G,Hに入り
込むものが生じ、このときの分解能は、被検出体3の走
行通路7を磁界8,9が横切るEFの幅によって定ま
る。この形状磁気異方性板6の両側面に入り込む分散形
の磁界が生じると、分解能を定めるEFの幅が大きくな
り、期待したほど分解能の改善が図れないという問題が
ある。
【0009】また、最近においては、被検出体3の高速
走行化が図られており、このような被検出体の高速走行
を行うためには、被検出体3と磁気抵抗素子2a,2b
間の間隙を大きくしなければならない。例えば、被検出
体3の低速走行においては、被検出体3と磁気抵抗素子
2a,2b間の間隙を、例えば0.1 mmと小さくできる
が、高速走行を行う場合には、例えば4mmという如く、
被検出体3と磁気抵抗素子2a,2b間の目詰まり等を
防ぐために、間隙を大きく取らなければならず、そうす
ると、必然的に永久磁石1から形状磁気異方性板6に向
かう磁界は分散形となるために、外側に膨らむこととな
り、分解能が低下するという問題が生じる。
走行化が図られており、このような被検出体の高速走行
を行うためには、被検出体3と磁気抵抗素子2a,2b
間の間隙を大きくしなければならない。例えば、被検出
体3の低速走行においては、被検出体3と磁気抵抗素子
2a,2b間の間隙を、例えば0.1 mmと小さくできる
が、高速走行を行う場合には、例えば4mmという如く、
被検出体3と磁気抵抗素子2a,2b間の目詰まり等を
防ぐために、間隙を大きく取らなければならず、そうす
ると、必然的に永久磁石1から形状磁気異方性板6に向
かう磁界は分散形となるために、外側に膨らむこととな
り、分解能が低下するという問題が生じる。
【0010】さらに、ガスボンベ等のタグに設置された
磁性コードを読み取るような場合には、前記図8に示し
た構造の磁気センサ装置では、筐体4の中心部に走行空
間5を設け、この走行空間5の下面側に磁気抵抗素子2
a,2bを配置する構成であるため、ガスボンベ等のタ
グに磁気抵抗素子2a,2bの検出面をあてがうことが
できず、タグ等の露出表面の磁性コードを読み取ること
が困難となる。この点、図10に示したタイプの磁気セン
サ装置では磁気抵抗素子2a,2bの検出面側をタグに
対向させて磁性コードを読み取ることはできるが、前記
したように、永久磁石1から磁気抵抗素子2a,2bを
通る磁界は分散形となるために、分解能が落ち、コード
読み取りの信頼性の上で問題がある。
磁性コードを読み取るような場合には、前記図8に示し
た構造の磁気センサ装置では、筐体4の中心部に走行空
間5を設け、この走行空間5の下面側に磁気抵抗素子2
a,2bを配置する構成であるため、ガスボンベ等のタ
グに磁気抵抗素子2a,2bの検出面をあてがうことが
できず、タグ等の露出表面の磁性コードを読み取ること
が困難となる。この点、図10に示したタイプの磁気セン
サ装置では磁気抵抗素子2a,2bの検出面側をタグに
対向させて磁性コードを読み取ることはできるが、前記
したように、永久磁石1から磁気抵抗素子2a,2bを
通る磁界は分散形となるために、分解能が落ち、コード
読み取りの信頼性の上で問題がある。
【0011】本発明は上記従来の課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、被検出体と磁気検出
面との間隙を大きくしても、高い分解能を保つことがで
き、さらに、タグ等の表面に形成されている磁性情報の
読み取り検出も容易、かつ、正確に行うことができる磁
気センサ装置を提供することにある。
なされたものであり、その目的は、被検出体と磁気検出
面との間隙を大きくしても、高い分解能を保つことがで
き、さらに、タグ等の表面に形成されている磁性情報の
読み取り検出も容易、かつ、正確に行うことができる磁
気センサ装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次のように構成されている。すなわち、第
1の発明は、マグネットと、該マグネットによって磁気
バイアスされた1個以上の感磁性素子と、が配設され、
該感磁性素子に対向する被検出体の磁気情報を磁気バイ
アス量の変化で検出する磁気センサにおいて、該感磁性
素子と被検出体間に、バイアスマグネットから感磁性素
子を通る磁束を集中して被検出体の磁気情報に注ぐ磁束
注入ヨークが設けられていることを特徴として構成され
ている。
するために、次のように構成されている。すなわち、第
1の発明は、マグネットと、該マグネットによって磁気
バイアスされた1個以上の感磁性素子と、が配設され、
該感磁性素子に対向する被検出体の磁気情報を磁気バイ
アス量の変化で検出する磁気センサにおいて、該感磁性
素子と被検出体間に、バイアスマグネットから感磁性素
子を通る磁束を集中して被検出体の磁気情報に注ぐ磁束
注入ヨークが設けられていることを特徴として構成され
ている。
【0013】また、第2の発明は、前記第1の発明にお
ける被検出体の磁気情報を独立に検出する感磁性素子が
複数配列配置され、この磁気情報を独立に検出する各感
磁性素子の検出信号を順次切り替えて取り出す情報検出
手段が設けられていることを特徴として構成されてい
る。
ける被検出体の磁気情報を独立に検出する感磁性素子が
複数配列配置され、この磁気情報を独立に検出する各感
磁性素子の検出信号を順次切り替えて取り出す情報検出
手段が設けられていることを特徴として構成されてい
る。
【0014】さらに、第3の発明は、前記第1の発明又
は第2の発明の構成において、感磁性素子は磁気抵抗素
子によって構成されていることを特徴として構成されて
いる。
は第2の発明の構成において、感磁性素子は磁気抵抗素
子によって構成されていることを特徴として構成されて
いる。
【0015】
【作用】上記構成の第1の発明において、例えば、被検
出体の表面に、情報コードが磁性材料と非磁性材料を配
列配置して形成されているような場合、この被検出体の
磁性コードの磁性材料が感磁性素子に対向すると、バイ
アスマグネットから感磁性素子を通る磁界は磁束注入ヨ
ークに集中し、この磁束注入ヨークから情報コードの磁
性材料に磁界(磁束)が集中して注ぎ込まれる。一方、
感磁性素子に情報コードの非磁性材料が対向したときに
も、バイアスマグネットからの磁界が、感磁性素子を通
った後、磁束注入ヨークを通して注ぎ込まれるが、感磁
性素子に磁性材料が対向したときと、非磁性材料が対向
したときとでは、磁性コード(磁気情報)を含む磁気回
路のレラクタンスがシャープに変化することで、感磁性
素子の磁気検出信号の出力レベルが変化し、この出力変
化により、被検出体の磁気情報が明確に読み取り検出さ
れる。
出体の表面に、情報コードが磁性材料と非磁性材料を配
列配置して形成されているような場合、この被検出体の
磁性コードの磁性材料が感磁性素子に対向すると、バイ
アスマグネットから感磁性素子を通る磁界は磁束注入ヨ
ークに集中し、この磁束注入ヨークから情報コードの磁
性材料に磁界(磁束)が集中して注ぎ込まれる。一方、
感磁性素子に情報コードの非磁性材料が対向したときに
も、バイアスマグネットからの磁界が、感磁性素子を通
った後、磁束注入ヨークを通して注ぎ込まれるが、感磁
性素子に磁性材料が対向したときと、非磁性材料が対向
したときとでは、磁性コード(磁気情報)を含む磁気回
路のレラクタンスがシャープに変化することで、感磁性
素子の磁気検出信号の出力レベルが変化し、この出力変
化により、被検出体の磁気情報が明確に読み取り検出さ
れる。
【0016】被検出体の磁気情報を独立に検出する感磁
性素子が複数配列配置されている第2の発明にあって
は、各感磁性素子の磁気検出信号を情報検出手段により
順次切り替えて取り出すことで、多チャンネルの磁気検
出信号の処理が行われる。
性素子が複数配列配置されている第2の発明にあって
は、各感磁性素子の磁気検出信号を情報検出手段により
順次切り替えて取り出すことで、多チャンネルの磁気検
出信号の処理が行われる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本実施例の説明において、従来例および提
案例と同一の名称部分には同一符号を付し、その重複説
明は省略する。図1には本発明に係る磁気センサ装置の
第1の実施例が示されている。同図において、筐体4の
内部にバイアスマグネットとしての永久磁石1を収容固
定し、この永久磁石1の磁極表面に直接、あるいは微小
間隙を介して感磁性素子としての磁気抵抗素子2が固定
されている。
する。なお、本実施例の説明において、従来例および提
案例と同一の名称部分には同一符号を付し、その重複説
明は省略する。図1には本発明に係る磁気センサ装置の
第1の実施例が示されている。同図において、筐体4の
内部にバイアスマグネットとしての永久磁石1を収容固
定し、この永久磁石1の磁極表面に直接、あるいは微小
間隙を介して感磁性素子としての磁気抵抗素子2が固定
されている。
【0018】本実施例が提案例と異なる特徴的なこと
は、筐体4の表面10側を被検出体3の検出面と成し、こ
の検出面と磁気抵抗素子2間に、磁束注入ヨーク11が設
けられていることである。この磁束注入ヨーク11は提案
例の形状磁気異方性板6と同形状、つまり、板厚よりも
縦方向の寸法を大にして形成され、筐体4内に埋設され
て磁気抵抗素子2の中心部に立設されている。
は、筐体4の表面10側を被検出体3の検出面と成し、こ
の検出面と磁気抵抗素子2間に、磁束注入ヨーク11が設
けられていることである。この磁束注入ヨーク11は提案
例の形状磁気異方性板6と同形状、つまり、板厚よりも
縦方向の寸法を大にして形成され、筐体4内に埋設され
て磁気抵抗素子2の中心部に立設されている。
【0019】磁束注入ヨーク11はパーマロイ、純鉄、珪
素鋼板等で代表される一連の軟磁性材料を用いて作製さ
れている。なお、磁気抵抗素子2はInSb,InA
s,GaAs等の電子移動度(モビリティ)の大きな適
宜の半導体材料を用いて構成されている。
素鋼板等で代表される一連の軟磁性材料を用いて作製さ
れている。なお、磁気抵抗素子2はInSb,InA
s,GaAs等の電子移動度(モビリティ)の大きな適
宜の半導体材料を用いて構成されている。
【0020】この実施例は上記のように構成されてお
り、次にその作用を説明する。図2に示すように、磁性
材の被検出体3が矢印方向に移動して、被検出体3が磁
気抵抗素子2に対向すると、永久磁石1から磁気抵抗素
子2を通って発せられる磁界(磁束)は、磁束注入ヨー
ク11に収束された後、磁束注入ヨーク11の上端面から集
中的に被検出体3に注ぎ込まれる。この永久磁石1から
磁気抵抗素子2を通って被検出体3に至る磁界の経路
は、磁束注入ヨーク11に収束集中されることで、分散形
とならず、磁束注入ヨーク11からほぼ真直の経路を通っ
て被検出体3に注ぎ込まれることとなる。
り、次にその作用を説明する。図2に示すように、磁性
材の被検出体3が矢印方向に移動して、被検出体3が磁
気抵抗素子2に対向すると、永久磁石1から磁気抵抗素
子2を通って発せられる磁界(磁束)は、磁束注入ヨー
ク11に収束された後、磁束注入ヨーク11の上端面から集
中的に被検出体3に注ぎ込まれる。この永久磁石1から
磁気抵抗素子2を通って被検出体3に至る磁界の経路
は、磁束注入ヨーク11に収束集中されることで、分散形
とならず、磁束注入ヨーク11からほぼ真直の経路を通っ
て被検出体3に注ぎ込まれることとなる。
【0021】被検出体3がさらに矢印方向に移動し、被
検出体3が磁気抵抗素子2の対向位置から外れると、磁
束注入ヨーク11から被検出体3に向けての磁界の注入作
用が途絶える。
検出体3が磁気抵抗素子2の対向位置から外れると、磁
束注入ヨーク11から被検出体3に向けての磁界の注入作
用が途絶える。
【0022】このように、本実施例では、磁気抵抗素子
2に被検出体3が対向したときには磁気抵抗素子2を通
る磁界は集中的に被検出体に注ぎ込み、被検出体3が磁
気抵抗素子2から離れたときにはその磁束注入ヨーク11
からの磁界の注入が停止されることで、被検出体3が磁
気抵抗素子2に対向したときとそうでないときとで、磁
気抵抗素子2を通る磁界の強度はシャープに切り替わ
る。つまり、被検出体3が磁気抵抗素子2に対向したと
きとそうでないときとで、被検出体3を含む磁気回路の
レラクタンスが大きく変化し、これにより、磁気抵抗素
子の磁気検出信号の出力レベルがシャープに変化する結
果、被検出体の検出精度を格段に高めることができる。
2に被検出体3が対向したときには磁気抵抗素子2を通
る磁界は集中的に被検出体に注ぎ込み、被検出体3が磁
気抵抗素子2から離れたときにはその磁束注入ヨーク11
からの磁界の注入が停止されることで、被検出体3が磁
気抵抗素子2に対向したときとそうでないときとで、磁
気抵抗素子2を通る磁界の強度はシャープに切り替わ
る。つまり、被検出体3が磁気抵抗素子2に対向したと
きとそうでないときとで、被検出体3を含む磁気回路の
レラクタンスが大きく変化し、これにより、磁気抵抗素
子の磁気検出信号の出力レベルがシャープに変化する結
果、被検出体の検出精度を格段に高めることができる。
【0023】また、例えば、非磁性材料で形成した被検
出体3の表面に、磁性材料を印刷等により形成して磁気
情報をコードによって与えたような場合においては、磁
気抵抗素子2に磁性材料が対向したときには、磁束注入
ヨーク11からその磁性材料に集中的に磁界が注ぎ込ま
れ、磁気抵抗素子2に非磁性材料が対向したときには磁
界の注入作用が停止するので、磁気抵抗素子2に磁性材
料が対向したときと非磁性材料が対向したときとでは磁
気抵抗素子2を通る磁界(磁束)の強度がシャープに切
り替わることで、磁気コードの正確な読み取り検出が可
能となる。
出体3の表面に、磁性材料を印刷等により形成して磁気
情報をコードによって与えたような場合においては、磁
気抵抗素子2に磁性材料が対向したときには、磁束注入
ヨーク11からその磁性材料に集中的に磁界が注ぎ込ま
れ、磁気抵抗素子2に非磁性材料が対向したときには磁
界の注入作用が停止するので、磁気抵抗素子2に磁性材
料が対向したときと非磁性材料が対向したときとでは磁
気抵抗素子2を通る磁界(磁束)の強度がシャープに切
り替わることで、磁気コードの正確な読み取り検出が可
能となる。
【0024】しかも、図2に示すように、磁束注入ヨー
ク11から被検出体3に集中して注入される磁界は分散形
とはならないために、センサ検出面と被検出体3との間
隔を大きくしても、磁気検出の分解能が低下するという
ことがなく、最近の被検出体3の高速走行の要求に対し
ても十分に応え得るものとなる。
ク11から被検出体3に集中して注入される磁界は分散形
とはならないために、センサ検出面と被検出体3との間
隔を大きくしても、磁気検出の分解能が低下するという
ことがなく、最近の被検出体3の高速走行の要求に対し
ても十分に応え得るものとなる。
【0025】さらに、本実施例によれば、筐体4の表面
10をセンサ検出面としたものであるから、このセンサ検
出面を、例えばガスボンベ等のタグに近接してあてがう
ことにより、前記の如く、磁界の集中注入効果によって
タグに設置されている磁気情報を確実に検出することが
可能となり、前記図8に示した提案例のように、筐体4
の中間部に被検出体3の走行通路7を設けた構成の磁気
センサ装置によっては困難であったタグ等の磁気設置情
報の読み取りが非常に容易となる。
10をセンサ検出面としたものであるから、このセンサ検
出面を、例えばガスボンベ等のタグに近接してあてがう
ことにより、前記の如く、磁界の集中注入効果によって
タグに設置されている磁気情報を確実に検出することが
可能となり、前記図8に示した提案例のように、筐体4
の中間部に被検出体3の走行通路7を設けた構成の磁気
センサ装置によっては困難であったタグ等の磁気設置情
報の読み取りが非常に容易となる。
【0026】図3は永久磁石1の磁極面上に配設される
磁気抵抗素子2の各種回路形態を示したものである。同
図の(a)は、永久磁石1の上側に1個の磁気抵抗素子
2を設置するもので、この磁気抵抗素子2の両端A′
B′間の電圧によって磁気抵抗素子2の磁気検出信号が
取り出される。
磁気抵抗素子2の各種回路形態を示したものである。同
図の(a)は、永久磁石1の上側に1個の磁気抵抗素子
2を設置するもので、この磁気抵抗素子2の両端A′
B′間の電圧によって磁気抵抗素子2の磁気検出信号が
取り出される。
【0027】同図の(b)に示すものは、磁気検出用の
磁気抵抗素子2とダミーの磁気抵抗素子2′とを直列に
接続し、従来例の図11に示す回路と同様に、磁気抵抗素
子2と2′との差動出力を磁気抵抗素子2の磁気検出信
号として取り出すものである。この例では、通常、ダミ
ーの磁気抵抗素子2′は被検出体3の磁気情報の影響を
受けない位置に設置されることとなる。
磁気抵抗素子2とダミーの磁気抵抗素子2′とを直列に
接続し、従来例の図11に示す回路と同様に、磁気抵抗素
子2と2′との差動出力を磁気抵抗素子2の磁気検出信
号として取り出すものである。この例では、通常、ダミ
ーの磁気抵抗素子2′は被検出体3の磁気情報の影響を
受けない位置に設置されることとなる。
【0028】図3の(c)に示すものは、前記同図の
(b)に示すダミーの磁気抵抗素子2′の代わりに抵抗
器19を用いたものである。この(c)に示すものも、磁
気抵抗素子2の磁気情報の検出信号が信号取り出しリー
ドAから取り出される。この磁気検出信号は、Bの印加
電源電圧を、抵抗器19の抵抗値と磁気抵抗素子2の抵抗
値との分圧出力(差動出力)として取り出されるもので
ある。
(b)に示すダミーの磁気抵抗素子2′の代わりに抵抗
器19を用いたものである。この(c)に示すものも、磁
気抵抗素子2の磁気情報の検出信号が信号取り出しリー
ドAから取り出される。この磁気検出信号は、Bの印加
電源電圧を、抵抗器19の抵抗値と磁気抵抗素子2の抵抗
値との分圧出力(差動出力)として取り出されるもので
ある。
【0029】図4は、磁気抵抗素子2を多チャンネル化
して配設した各種例を示したものである。同図の(a)
は、前記第1の実施例の構成を備えた磁気センサ装置を
複数配列配置し、多チャンネル化したものであり、同図
の(b)は1個の筐体4内に複数の永久磁石1を配列配
置して多チャンネル化したものであり、同図の(c)は
1個の筐体4内に1個の永久磁石1を収容固定し、この
1個の永久磁石1の磁極面に複数の磁気抵抗素子2を配
列して多チャンネル化したものである。
して配設した各種例を示したものである。同図の(a)
は、前記第1の実施例の構成を備えた磁気センサ装置を
複数配列配置し、多チャンネル化したものであり、同図
の(b)は1個の筐体4内に複数の永久磁石1を配列配
置して多チャンネル化したものであり、同図の(c)は
1個の筐体4内に1個の永久磁石1を収容固定し、この
1個の永久磁石1の磁極面に複数の磁気抵抗素子2を配
列して多チャンネル化したものである。
【0030】この多チャンネル化した磁気センサ装置に
おいては、例えば図5に示すように、各チャンネルの磁
気情報の検出信号A1 〜A4 は、スイッチ群12のスイッ
チ切り替えにより、順次選択的に時系列信号形態で取り
出され、所望の信号処理が施されることとなる。この実
施例では、スイッチ群12のスイッチ切り替えはスイッチ
切り替え制御部13によって行われており、このスイッチ
切り替え制御部13からスイッチ群12に各スイッチのオン
オフ切り替えスキャン信号が加えられ、このスイッチス
キャン信号により、スイッチ群12の各スイッチが自動的
に切り替えられて各チャンネルの磁気抵抗素子2の磁気
情報の検出信号A1 〜A4 が端子A′B′間の電圧とし
て独立して取り出される。なお、この実施例では、スイ
ッチ群12とスイッチ切り替え制御部13によって情報検出
手段を構成している。
おいては、例えば図5に示すように、各チャンネルの磁
気情報の検出信号A1 〜A4 は、スイッチ群12のスイッ
チ切り替えにより、順次選択的に時系列信号形態で取り
出され、所望の信号処理が施されることとなる。この実
施例では、スイッチ群12のスイッチ切り替えはスイッチ
切り替え制御部13によって行われており、このスイッチ
切り替え制御部13からスイッチ群12に各スイッチのオン
オフ切り替えスキャン信号が加えられ、このスイッチス
キャン信号により、スイッチ群12の各スイッチが自動的
に切り替えられて各チャンネルの磁気抵抗素子2の磁気
情報の検出信号A1 〜A4 が端子A′B′間の電圧とし
て独立して取り出される。なお、この実施例では、スイ
ッチ群12とスイッチ切り替え制御部13によって情報検出
手段を構成している。
【0031】図6は、多チャンネル化した磁気センサ装
置を用いて、ガスボンベ等に設けられる被検出体として
のタグ14の磁気情報の検出例を模式的に示したものであ
る。タグ14に設置される磁気情報は、コード形態によっ
て与えられている。すなわち、タグ14は磁性材料によっ
て形成されており、このタグ14の所定の情報位置に透孔
15が開けられ、透孔15が開けられていない磁性部16と透
孔15とを配列することにより、ガスボンベのガスの品種
名、製造年月日、ガスの入れ換え日付、ガスの入れ換え
回数等の所望の情報がコード形態によってタグ14に与え
られている。
置を用いて、ガスボンベ等に設けられる被検出体として
のタグ14の磁気情報の検出例を模式的に示したものであ
る。タグ14に設置される磁気情報は、コード形態によっ
て与えられている。すなわち、タグ14は磁性材料によっ
て形成されており、このタグ14の所定の情報位置に透孔
15が開けられ、透孔15が開けられていない磁性部16と透
孔15とを配列することにより、ガスボンベのガスの品種
名、製造年月日、ガスの入れ換え日付、ガスの入れ換え
回数等の所望の情報がコード形態によってタグ14に与え
られている。
【0032】このタグ14に多チャンネル磁気センサ装置
の検出面を近接対向してあてがうことにより、情報コー
ドの磁性部16に対向する磁気抵抗素子2側からは、永久
磁石1からのバイアス磁界が磁気抵抗素子2を通った
後、磁束注入ヨーク11に収束されて磁性部16に集中的に
注ぎ込まれる。これに対し、透孔15に対向する磁気抵抗
素子2側からは、永久磁石1から磁気抵抗素子2を通
り、磁束注入ヨーク11から透孔15に向かう磁界は透孔15
を避ける経路を採るので、磁性部16に向かう磁界と透孔
15に向かう磁界の分布パターンが異なる。つまり、透孔
15に対向する磁気抵抗素子2は、磁性部16に対向する磁
気抵抗素子2に比べ、タグ14を含む磁気回路中の磁気飽
和やレラクタンスが向上することで、磁束密度が磁性部
16に対向する磁気抵抗素子に比べ低下し、透孔15に対向
する磁気抵抗素子2の磁気抵抗変化は磁性部16に対向す
る磁気抵抗素子に比べ小さいものとなる。
の検出面を近接対向してあてがうことにより、情報コー
ドの磁性部16に対向する磁気抵抗素子2側からは、永久
磁石1からのバイアス磁界が磁気抵抗素子2を通った
後、磁束注入ヨーク11に収束されて磁性部16に集中的に
注ぎ込まれる。これに対し、透孔15に対向する磁気抵抗
素子2側からは、永久磁石1から磁気抵抗素子2を通
り、磁束注入ヨーク11から透孔15に向かう磁界は透孔15
を避ける経路を採るので、磁性部16に向かう磁界と透孔
15に向かう磁界の分布パターンが異なる。つまり、透孔
15に対向する磁気抵抗素子2は、磁性部16に対向する磁
気抵抗素子2に比べ、タグ14を含む磁気回路中の磁気飽
和やレラクタンスが向上することで、磁束密度が磁性部
16に対向する磁気抵抗素子に比べ低下し、透孔15に対向
する磁気抵抗素子2の磁気抵抗変化は磁性部16に対向す
る磁気抵抗素子に比べ小さいものとなる。
【0033】このように、磁性部16に対向する磁気抵抗
素子2と透孔15に対向する磁気抵抗素子2を通る磁束密
度が明確に異なるものとなり、複数配列配置された磁気
抵抗素子2の検出信号を時系列的に切り替えて取り出す
ことで、タグ14に設置されている磁気情報のコードを高
精度の下で正確に検出することができる。
素子2と透孔15に対向する磁気抵抗素子2を通る磁束密
度が明確に異なるものとなり、複数配列配置された磁気
抵抗素子2の検出信号を時系列的に切り替えて取り出す
ことで、タグ14に設置されている磁気情報のコードを高
精度の下で正確に検出することができる。
【0034】本実施例では、永久磁石1から磁気抵抗素
子2を通って磁性部16に向かう磁界を、磁束注入ヨーク
11で収束集中するようにしているので、タグ14の表面と
多チャンネル磁気センサ装置のセンサ検出面との間隔が
大きく空いていても、磁束注入ヨーク11から磁性部16に
向かう磁界は分散形とはならず、真直状に集中注入され
るので、高分解能による磁気情報の検出が可能となるの
である。
子2を通って磁性部16に向かう磁界を、磁束注入ヨーク
11で収束集中するようにしているので、タグ14の表面と
多チャンネル磁気センサ装置のセンサ検出面との間隔が
大きく空いていても、磁束注入ヨーク11から磁性部16に
向かう磁界は分散形とはならず、真直状に集中注入され
るので、高分解能による磁気情報の検出が可能となるの
である。
【0035】図7は磁気抵抗素子2を2次元マトリック
ス状に配置した多チャンネル磁気センサ装置によって、
タグ14の磁気情報を検知する例を示したものである。タ
グ14は磁性材料によって形成してもよく、非磁性材料に
よって構成してもよいものであり、磁性材料によって構
成する場合には、前記図6に示したものと同様に透孔15
を設け、この透孔15と磁性部16の組み合わせにより磁気
情報を設置することができ、タグ14が非磁性材料の場合
には、タグ14の表面に磁性インク等を用いてコードを印
刷形成するか、あるいは、磁気情報を形成してなるフィ
ルム等をタグ14の表面に磁性体を貼着することによって
磁気情報が設置できる。
ス状に配置した多チャンネル磁気センサ装置によって、
タグ14の磁気情報を検知する例を示したものである。タ
グ14は磁性材料によって形成してもよく、非磁性材料に
よって構成してもよいものであり、磁性材料によって構
成する場合には、前記図6に示したものと同様に透孔15
を設け、この透孔15と磁性部16の組み合わせにより磁気
情報を設置することができ、タグ14が非磁性材料の場合
には、タグ14の表面に磁性インク等を用いてコードを印
刷形成するか、あるいは、磁気情報を形成してなるフィ
ルム等をタグ14の表面に磁性体を貼着することによって
磁気情報が設置できる。
【0036】前記図7に示すような2次元マトリックス
状の多チャンネル磁気センサ装置においても、2次元マ
トリックス状に磁気情報を設置してなるタグ14に多チャ
ンネル磁気センサ装置のセンサ検出面をあてがうこと
で、前記図6に示した場合と同様にタグ14に設置した磁
気情報が高分解能の下で正確に検出することが可能とな
る。
状の多チャンネル磁気センサ装置においても、2次元マ
トリックス状に磁気情報を設置してなるタグ14に多チャ
ンネル磁気センサ装置のセンサ検出面をあてがうこと
で、前記図6に示した場合と同様にタグ14に設置した磁
気情報が高分解能の下で正確に検出することが可能とな
る。
【0037】なお、本発明は上記各実施例に限定される
ことはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、上
記各実施例では感磁性素子を磁気抵抗素子(磁性薄膜磁
気抵抗素子を含む)によって構成したが、本発明の感磁
性素子は、ホール素子等の他の磁気検出素子を用いて構
成してもよい。
ことはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、上
記各実施例では感磁性素子を磁気抵抗素子(磁性薄膜磁
気抵抗素子を含む)によって構成したが、本発明の感磁
性素子は、ホール素子等の他の磁気検出素子を用いて構
成してもよい。
【0038】また、上記実施例では磁束注入ヨーク11を
磁気抵抗素子2の中心部(中央部)に対向配置したが、
この磁束注入ヨーク11は磁気抵抗素子2の直上部、つま
り、磁気抵抗素子2の面積の範囲内に配置すればよく、
必ずしも素子2の中心部に配置しなくてもよい。
磁気抵抗素子2の中心部(中央部)に対向配置したが、
この磁束注入ヨーク11は磁気抵抗素子2の直上部、つま
り、磁気抵抗素子2の面積の範囲内に配置すればよく、
必ずしも素子2の中心部に配置しなくてもよい。
【0039】
【発明の効果】本発明は、センサ検出面と感磁性素子間
に、バイアスマグネットから感磁性素子を通る磁束を集
中して被検出体の磁気情報に注ぐ磁束注入ヨークを設け
ものであるから、磁束注入ヨークから被検出体に向かう
磁界は分散形とはならずに、収束集中した真直状の磁界
となり、その磁界の真直状態はセンサ検出面と被検出体
との間隔が大きくなっても維持されるので、磁気情報の
検出分解能は格段に高められ、被検出体の磁気情報を高
精度、高感度の下で、正確に検出することが可能とな
る。
に、バイアスマグネットから感磁性素子を通る磁束を集
中して被検出体の磁気情報に注ぐ磁束注入ヨークを設け
ものであるから、磁束注入ヨークから被検出体に向かう
磁界は分散形とはならずに、収束集中した真直状の磁界
となり、その磁界の真直状態はセンサ検出面と被検出体
との間隔が大きくなっても維持されるので、磁気情報の
検出分解能は格段に高められ、被検出体の磁気情報を高
精度、高感度の下で、正確に検出することが可能とな
る。
【0040】また、磁性材料を配列配置して被検出体の
磁気情報がコード形態で与えられている場合において
も、バイアスマグネットから感磁性素子を通って被検出
体の磁気情報に向かう磁界は前記磁束注入ヨークに収束
されて集中的に注がれることとなるので、感磁性素子を
複数配列配置して多チャンネル化した場合においても、
一方側の感磁性素子を通る磁界と他方側の感磁性素子を
通る磁界との干渉が防止され、所謂、感磁性素子間のク
ロストークを効果的に防止できる。
磁気情報がコード形態で与えられている場合において
も、バイアスマグネットから感磁性素子を通って被検出
体の磁気情報に向かう磁界は前記磁束注入ヨークに収束
されて集中的に注がれることとなるので、感磁性素子を
複数配列配置して多チャンネル化した場合においても、
一方側の感磁性素子を通る磁界と他方側の感磁性素子を
通る磁界との干渉が防止され、所謂、感磁性素子間のク
ロストークを効果的に防止できる。
【0041】さらに、本発明では、磁束注入ヨークをセ
ンサ検出面よりも内部側の感磁性素子側に設けたもので
あるから、センサ検出面の外側を自由空間とすることが
でき、したがって、この自由空間を被検出体の走行空間
とすることにより、この走行空間を走行する被検出体の
磁気情報の検出が可能となり、また、センサ検出面を、
例えば、ガスボンベ等の磁気情報が設置されているタグ
に近接対向することにより、前記タグの磁気設置情報を
正確に読み取り検出することが可能となる。
ンサ検出面よりも内部側の感磁性素子側に設けたもので
あるから、センサ検出面の外側を自由空間とすることが
でき、したがって、この自由空間を被検出体の走行空間
とすることにより、この走行空間を走行する被検出体の
磁気情報の検出が可能となり、また、センサ検出面を、
例えば、ガスボンベ等の磁気情報が設置されているタグ
に近接対向することにより、前記タグの磁気設置情報を
正確に読み取り検出することが可能となる。
【図1】本発明の第1の実施例を示す磁気センサ装置の
構成説明図である。
構成説明図である。
【図2】同実施例の磁気センサ装置の磁気検出作用の説
明図である。
明図である。
【図3】同実施例における磁気抵抗素子の回路構成例の
説明図である。
説明図である。
【図4】本発明における多チャンネル型の磁気センサ装
置の各種構成例の説明図である。
置の各種構成例の説明図である。
【図5】本実施例における多チャンネル型の磁気センサ
装置の磁気情報検出信号の取り込み例を示す回路説明図
である。
装置の磁気情報検出信号の取り込み例を示す回路説明図
である。
【図6】本実施例における多チャンネル型の磁気センサ
装置を用いたタグの磁気情報の検出例を示す説明図であ
る。
装置を用いたタグの磁気情報の検出例を示す説明図であ
る。
【図7】2次元マトリックス状に磁気抵抗素子を配置し
てなる多チャンネル型の磁気センサ装置によるタグに設
置された磁気情報の検出例の説明図である。
てなる多チャンネル型の磁気センサ装置によるタグに設
置された磁気情報の検出例の説明図である。
【図8】本発明者が先に提案している磁気センサ装置の
説明図である。
説明図である。
【図9】図8に示した提案装置の動作状態の説明図であ
る。
る。
【図10】従来の一般的な磁気センサ装置の説明図であ
る。
る。
【図11】磁気抵抗素子の分圧回路の回路図である。
1 永久磁石 2,2a,2b 磁気抵抗素子 3 被検出体 4 筐体 11 磁束注入ヨーク 12 スイッチ群 13 スイッチ切り替え制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 43/08 Z
Claims (3)
- 【請求項1】 マグネットと、該マグネットによって磁
気バイアスされた1個以上の感磁性素子と、が配設さ
れ、該感磁性素子に対向する被検出体の磁気情報を磁気
バイアス量の変化で検出する磁気センサにおいて、該感
磁性素子と被検出体間に、バイアスマグネットから感磁
性素子を通る磁束を集中して被検出体の磁気情報に注ぐ
磁束注入ヨークが設けられていることを特徴とする磁気
センサ装置。 - 【請求項2】 被検出体の磁気情報を独立に検出する感
磁性素子が複数配列配置され、この磁気情報を独立に検
出する各感磁性素子の検出信号を順次切り替えて取り出
す情報検出手段が設けられている請求項1記載の磁気セ
ンサ装置。 - 【請求項3】 感磁性素子は磁気抵抗素子によって構成
されている請求項1又は請求項2記載の磁気センサ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6164536A JPH087232A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 磁気センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6164536A JPH087232A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 磁気センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087232A true JPH087232A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15795028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6164536A Pending JPH087232A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 磁気センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087232A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USPP16447P3 (en) | 2004-03-26 | 2006-04-18 | Suntory Flowers Limited | Calibrachoa plant named ‘Sunbelhopi’ |
| WO2013002135A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | ナイルス株式会社 | 近接センサ |
| KR20140116929A (ko) * | 2012-02-13 | 2014-10-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 자기 센서 장치 |
| WO2016070608A1 (zh) * | 2014-11-03 | 2016-05-12 | 苏州保瑟佳货币检测科技有限公司 | 磁性传感器及基于其的磁性检测方法和系统 |
| WO2017199628A1 (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | 株式会社デンソー | 位置センサ |
| US9970358B2 (en) | 2012-03-14 | 2018-05-15 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Exhaust flue |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP6164536A patent/JPH087232A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USPP16447P3 (en) | 2004-03-26 | 2006-04-18 | Suntory Flowers Limited | Calibrachoa plant named ‘Sunbelhopi’ |
| WO2013002135A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | ナイルス株式会社 | 近接センサ |
| JP2013011541A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Niles Co Ltd | 近接センサ |
| US9733058B2 (en) | 2011-06-30 | 2017-08-15 | Valeo Japan Co., Ltd. | Proximity sensor |
| KR20140116929A (ko) * | 2012-02-13 | 2014-10-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 자기 센서 장치 |
| CN104105977A (zh) * | 2012-02-13 | 2014-10-15 | 株式会社村田制作所 | 磁传感装置 |
| JPWO2013121870A1 (ja) * | 2012-02-13 | 2015-05-11 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ装置 |
| US9970358B2 (en) | 2012-03-14 | 2018-05-15 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Exhaust flue |
| WO2016070608A1 (zh) * | 2014-11-03 | 2016-05-12 | 苏州保瑟佳货币检测科技有限公司 | 磁性传感器及基于其的磁性检测方法和系统 |
| WO2017199628A1 (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | 株式会社デンソー | 位置センサ |
| JP2017207433A (ja) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | 株式会社デンソー | 位置センサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1063207A (en) | Magnetic field sensing apparatus | |
| US5512822A (en) | Magnetic sensor with member having magnetic contour antisotropy | |
| EP0801380A2 (en) | Giant magnetoresistive transducer with increased output signal | |
| CN1008668B (zh) | 磁阻读出传感器 | |
| JP2001004728A (ja) | 磁気検出装置 | |
| JPH0712586A (ja) | 磁気的測定システム | |
| US6198276B1 (en) | Ferromagnetic-ball sensor using a magnetic field detection element | |
| JPH087232A (ja) | 磁気センサ装置 | |
| US5552589A (en) | Permanent magnet assembly with MR element for detection/authentication of magnetic documents | |
| JP3321852B2 (ja) | 磁気センサ装置 | |
| US10168396B2 (en) | Low fly height in-plane magnetic image sensor chip | |
| JP3291923B2 (ja) | 磁気センサ装置 | |
| JPH06231336A (ja) | 磁気センサ装置 | |
| JP4338090B2 (ja) | 磁性粉付着媒体又は磁性膜付着媒体検出装置 | |
| US5663644A (en) | Magnetoresistive sensor having a bias field applied at approximately 56° | |
| US4983945A (en) | Device for detecting magnetized areas | |
| JP3152085B2 (ja) | 磁気センサ装置 | |
| EP0342062A2 (en) | Recognising patterns printed in magnetizable ink | |
| JP2001318131A (ja) | 磁気インピーダンスヘッドモジュール | |
| Anselmo et al. | A New Technology for Magnetic Audio and Video Transducers | |
| JP3360172B2 (ja) | 磁気インピーダンスヘッドモジュール | |
| Campbell | Magnetic rotary position encoders with magneto-resistive sensors | |
| JPH02297081A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH11174137A (ja) | 磁気インピーダンス素子を具える磁気センサのバイアス磁界印加方法 | |
| JPH0562029A (ja) | 磁気式バーコード板 |