JPH02242230A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH02242230A JPH02242230A JP1062048A JP6204889A JPH02242230A JP H02242230 A JPH02242230 A JP H02242230A JP 1062048 A JP1062048 A JP 1062048A JP 6204889 A JP6204889 A JP 6204889A JP H02242230 A JPH02242230 A JP H02242230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning circuit
- liquid crystal
- horizontal scanning
- pseudo
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ラップトツブパソコン等の表示装置として用
いる液晶表示装置に関する。
いる液晶表示装置に関する。
（従来の技術）
近年、液晶を用いた表示装置（液晶表示装置という）は
軽量、薄形、低消費電力あるいは低価格等の特徴を有し
て、従来のＣＲＴ表示装置に代わって、小型、軽量が要
求されるラップトツブパソコンあるいは可搬型測定器等
の表示装置等に用いられる傾向にある。
軽量、薄形、低消費電力あるいは低価格等の特徴を有し
て、従来のＣＲＴ表示装置に代わって、小型、軽量が要
求されるラップトツブパソコンあるいは可搬型測定器等
の表示装置等に用いられる傾向にある。
第３図はそのような従来の液晶表示装置の平面構成を示
す図、第４図は第３図のＡ−Ｂ線断面図。
す図、第４図は第３図のＡ−Ｂ線断面図。
第５図は第３図の画素部の一部を示す断面図である。
これらの図において、４０は石英基板、４１はゲート酸
化膜、４２はゲート電極、４３はゲート信号線、４４は
ソース領域、４５はドレイン領域、４６は層間絶縁層、
４７はソース・コンタクト、４８はドレイン・コンタク
ト、４９はソース信号線、５０はポンディングパッド、
５１はコンタクト膜、５２は画素電極、５３は保護膜、
５４は液晶配向膜、５５は共通電極、５６は上面ガラス
板、５７は液晶、５８は接着剤、５９は画素部、６０は
垂直走査回路、６１は水平走査回路である。
化膜、４２はゲート電極、４３はゲート信号線、４４は
ソース領域、４５はドレイン領域、４６は層間絶縁層、
４７はソース・コンタクト、４８はドレイン・コンタク
ト、４９はソース信号線、５０はポンディングパッド、
５１はコンタクト膜、５２は画素電極、５３は保護膜、
５４は液晶配向膜、５５は共通電極、５６は上面ガラス
板、５７は液晶、５８は接着剤、５９は画素部、６０は
垂直走査回路、６１は水平走査回路である。
まず、第５図を参照して、石英基板４ｏ上に厚さ約０．
２μｍ程度のポリシリコン層を形成し、フォトレジスト
をマスクにしてドライエツチングによりトランジスタ領
域を形成した後、チャネル領域を形成するために熱酸化
により厚さ０．１μｍ程度の酸化シリコン層を形成後、
その上に厚さ０．３μｍ程度のポリシリコン層を形成し
、フォトレジストをマスクにドライエツチングして、上
記ポリシリコンによるゲート電極４２と第３図に示すゲ
ート信号線４３とを形成する。その後、フォトレジスト
をマスクにしてウェットエツチングにより、チャネル領
域上にゲート酸化膜４１を形成させる。
２μｍ程度のポリシリコン層を形成し、フォトレジスト
をマスクにしてドライエツチングによりトランジスタ領
域を形成した後、チャネル領域を形成するために熱酸化
により厚さ０．１μｍ程度の酸化シリコン層を形成後、
その上に厚さ０．３μｍ程度のポリシリコン層を形成し
、フォトレジストをマスクにドライエツチングして、上
記ポリシリコンによるゲート電極４２と第３図に示すゲ
ート信号線４３とを形成する。その後、フォトレジスト
をマスクにしてウェットエツチングにより、チャネル領
域上にゲート酸化膜４１を形成させる。
次に、フォトレジストをマスクにしてトランジスタ領域
上にＰｌまたはＡｓ”をイオン注入し、ｎ領域であるソ
ース領域４４とドレイン領域４５とを形成する。その後
、ソースコンタクト用の窓とドレインコンタクト用の窓
を有する層間絶縁層４６を厚さ０．８７７１１１程度の
Ｎ Ｓ Ｇ （Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ ５ｉｌｉｃａｔｓ
Ｇｌａｓｓ）により形成し、厚さ１μ−程度のＡＱ−
３Ｌ合金膜によるソース・コンタクト４７とドレイン・
コンタクト４８とを形成すると同時に、第３図のソース
信号線４９とポンディングパッド５０とを形成する。さ
らに、厚さ０．３μｍ程度のＣｒ等によるコンタクト膜
５１を形成した後、厚さ０．２μｍ程度の酸化インジウ
ム錫膜等の画素電極５２を形成した後、厚さ０．３μ慣
程度の窒化シリコン膜による保護膜５３を形成する。
上にＰｌまたはＡｓ”をイオン注入し、ｎ領域であるソ
ース領域４４とドレイン領域４５とを形成する。その後
、ソースコンタクト用の窓とドレインコンタクト用の窓
を有する層間絶縁層４６を厚さ０．８７７１１１程度の
Ｎ Ｓ Ｇ （Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ ５ｉｌｉｃａｔｓ
Ｇｌａｓｓ）により形成し、厚さ１μ−程度のＡＱ−
３Ｌ合金膜によるソース・コンタクト４７とドレイン・
コンタクト４８とを形成すると同時に、第３図のソース
信号線４９とポンディングパッド５０とを形成する。さ
らに、厚さ０．３μｍ程度のＣｒ等によるコンタクト膜
５１を形成した後、厚さ０．２μｍ程度の酸化インジウ
ム錫膜等の画素電極５２を形成した後、厚さ０．３μ慣
程度の窒化シリコン膜による保護膜５３を形成する。
このようにして、第３図に示したような画素部５９が形
成されると同時に、上記のＣＭＯＳプロセスにより垂直
走査回路６０と水平走査回路６１が形成される。
成されると同時に、上記のＣＭＯＳプロセスにより垂直
走査回路６０と水平走査回路６１が形成される。
その後、第４図のように液晶工程において、画素部５９
上に液晶配向膜５４を形成させ、ラビングして液晶５７
を注入し、石英基板４０と対向するように共通電極５５
を形成した上面ガラス板５６を接着剤５８を用いて接着
することにより、液晶５７を封止して液晶表示装置が形
成される。
上に液晶配向膜５４を形成させ、ラビングして液晶５７
を注入し、石英基板４０と対向するように共通電極５５
を形成した上面ガラス板５６を接着剤５８を用いて接着
することにより、液晶５７を封止して液晶表示装置が形
成される。
この時、画素部５９と垂直走査回路６０と水平走査回路
６１とは厚さが２μｍ程度に、また、上面ガラス板５６
と石英基板４０との間隔は４μｍ程度となっている。ま
た、接着剤５８の少なくとも一部は垂直走査回路６０お
よび水平走査回路６１の上に第４図のように形成される
。
６１とは厚さが２μｍ程度に、また、上面ガラス板５６
と石英基板４０との間隔は４μｍ程度となっている。ま
た、接着剤５８の少なくとも一部は垂直走査回路６０お
よび水平走査回路６１の上に第４図のように形成される
。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記の構成では１石英基板４０上に、接
着剤５８と垂直走査回路６０および水平走査回路６１上
に設けられた接着剤５８とが形成されているため、上面
ガラス板５６と石英基板４０との間隔が位置によって違
い、最高２μ田程度の差がある。
着剤５８と垂直走査回路６０および水平走査回路６１上
に設けられた接着剤５８とが形成されているため、上面
ガラス板５６と石英基板４０との間隔が位置によって違
い、最高２μ田程度の差がある。
そのため、封止した液晶の厚さが不均一で、したがって
、液晶の電界制御特性が位置によって均一ではなく、そ
のため、不均一な画素表示あるいは低コントラスト表示
等の表示品質を劣化させている。
、液晶の電界制御特性が位置によって均一ではなく、そ
のため、不均一な画素表示あるいは低コントラスト表示
等の表示品質を劣化させている。
本発明は上述に鑑み、封止した液晶の厚さの不均一性を
排除して、高品質で信頼性の高い液晶表示装置の提供を
目的とする。
排除して、高品質で信頼性の高い液晶表示装置の提供を
目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記の目的を、基板上に薄膜トランジスタを有
する画素複数により形成した画素部およびその側辺に直
角的に配設され、上記画素を走査し駆動する垂直走査回
路および水平走査回路を有する液晶表示装置において、
上記画素部を介在させて上記垂直走査回路および水平走
査回路にそれぞれ対向させて形成した。それら垂直走査
回路および水平走査回路に近似の疑似垂直走査回路およ
び疑似水平走査回路を設けて達成する。
する画素複数により形成した画素部およびその側辺に直
角的に配設され、上記画素を走査し駆動する垂直走査回
路および水平走査回路を有する液晶表示装置において、
上記画素部を介在させて上記垂直走査回路および水平走
査回路にそれぞれ対向させて形成した。それら垂直走査
回路および水平走査回路に近似の疑似垂直走査回路およ
び疑似水平走査回路を設けて達成する。
（作 用）
上記の手段により、基板上に垂直走査回路および水平走
査回路の有無によって不均一であった上面ガラス板と石
英基板との間隔が、疑似垂直走査回路と疑似水平走査回
路を形成したので均一化され、したがって、封止された
液晶は均一で、電界制御が同じになって表示品質が画素
部全域にわたって良好になる。
査回路の有無によって不均一であった上面ガラス板と石
英基板との間隔が、疑似垂直走査回路と疑似水平走査回
路を形成したので均一化され、したがって、封止された
液晶は均一で、電界制御が同じになって表示品質が画素
部全域にわたって良好になる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例の液晶表示装置を図面により説
明する。
明する。
第１図は液晶表示装置の構成図、第２図はそのＥ−Ｆ線
断面図であり、これら両図において、１は石英基板、２
はゲート信号線、３はソース信号線、４はポンディング
パッド、５は液晶配向膜、６は共通電極、７は上面ガラ
ス板、８は液晶、９は接着剤、 １０は画素部、１１は
垂直走査回路、■２は水平走査回路、１３は疑似垂直走
査回路、１４は疑似水平走査回路である。
断面図であり、これら両図において、１は石英基板、２
はゲート信号線、３はソース信号線、４はポンディング
パッド、５は液晶配向膜、６は共通電極、７は上面ガラ
ス板、８は液晶、９は接着剤、 １０は画素部、１１は
垂直走査回路、■２は水平走査回路、１３は疑似垂直走
査回路、１４は疑似水平走査回路である。
まず、第１図を参照して１石英基板１上にＣＭＯＳプロ
セスによってゲート信号線２とソース信号線３およびポ
ンディングパッド４を形成し、薄膜トランジスタを有す
る画素部１０と垂直走査回路１１および水平走査回路１
２を形成する。
セスによってゲート信号線２とソース信号線３およびポ
ンディングパッド４を形成し、薄膜トランジスタを有す
る画素部１０と垂直走査回路１１および水平走査回路１
２を形成する。
この際、同時に画素部１０を介在させて垂直走査回路１
１および水平走査回路１２にそれぞれ対向する、それら
垂直走査回路１１および水平走査回路１２に近似の疑似
垂直走査回路１３および疑似水平走査回路１４を形成す
る。
１および水平走査回路１２にそれぞれ対向する、それら
垂直走査回路１１および水平走査回路１２に近似の疑似
垂直走査回路１３および疑似水平走査回路１４を形成す
る。
その後、液晶工程によって第２図に示す画素部１０上に
ポリイミド系樹脂による液晶配向膜５を形成し、ラビン
グを行なった後液晶８を注入し１石英基板１と対向させ
て共通電極６が形成された液晶封止用の上面ガラス板７
を接着剤９によって接着し、液晶を封止することによっ
て本発明の一実施例の液晶表示装置が形成される。
ポリイミド系樹脂による液晶配向膜５を形成し、ラビン
グを行なった後液晶８を注入し１石英基板１と対向させ
て共通電極６が形成された液晶封止用の上面ガラス板７
を接着剤９によって接着し、液晶を封止することによっ
て本発明の一実施例の液晶表示装置が形成される。
以上のように形成する液晶表示装置は、従来のプロセス
の変更を要せず、ただマスクの変更だけで形成すること
が可能である。なお、上記の実施例では封止液晶の均一
化のプロセスを簡易にするため、マスクの変更により付
加した疑似垂直走査回路あるいは疑似水平走査回路を設
けたが、それに代えて新たなプロセスにより封止液晶を
均一化する垂直走査回路、水平走査回路に近似の島状体
を設けてもよいことは当然である。
の変更を要せず、ただマスクの変更だけで形成すること
が可能である。なお、上記の実施例では封止液晶の均一
化のプロセスを簡易にするため、マスクの変更により付
加した疑似垂直走査回路あるいは疑似水平走査回路を設
けたが、それに代えて新たなプロセスにより封止液晶を
均一化する垂直走査回路、水平走査回路に近似の島状体
を設けてもよいことは当然である。
（発明の効果）
以上、説明して明らかなように１本発明は、液晶表示装
置において、垂直走査回路および水平走査回路による上
面ガラス板と石英基板との間隔の位置による不均一さを
、疑似の垂直走査回路および水平走査回路を設けて解決
したものであり、したがって、封止されている液晶は均
一で、そのため、画素部の電界制御性に不均一性がない
から、全表示画面上で表示精度が高い品質良好な表示が
得られる効果があり、液晶の平面性、軽量性、経済性等
とあいまって、可搬型装置の表示装置等の利用に貢献す
る。
置において、垂直走査回路および水平走査回路による上
面ガラス板と石英基板との間隔の位置による不均一さを
、疑似の垂直走査回路および水平走査回路を設けて解決
したものであり、したがって、封止されている液晶は均
一で、そのため、画素部の電界制御性に不均一性がない
から、全表示画面上で表示精度が高い品質良好な表示が
得られる効果があり、液晶の平面性、軽量性、経済性等
とあいまって、可搬型装置の表示装置等の利用に貢献す
る。
第１図は液晶表示装置の構成図、第２図は第１図のＥ−
Ｆ線断面図、第３図は従来の液晶表示装置の平面構成を
示す図、第４図は第３図のＡ−Ｂ線断面図、第５図は第
３図の画素部の一部を示す断面図である。 １・・・石英基板、 ２・・・ゲート信号線、 ３°゛
°ソ一ス信号線、 ４・・・ポンディングパッド、 ５
・・・液晶配向膜、 ６・・・共通電極、７・・・上面
ガラス板、 ８・・・液晶、 ９・・・接着剤、 １０
・・・画素部、 １１・・・垂直走査回路、１２・・・
水平走査回路、 １３・・・疑似垂直走査回路、 １４
・・・疑似水平走査回路。 特許出願人 松下電子工業株式会社 区 ば） 琺
Ｆ線断面図、第３図は従来の液晶表示装置の平面構成を
示す図、第４図は第３図のＡ−Ｂ線断面図、第５図は第
３図の画素部の一部を示す断面図である。 １・・・石英基板、 ２・・・ゲート信号線、 ３°゛
°ソ一ス信号線、 ４・・・ポンディングパッド、 ５
・・・液晶配向膜、 ６・・・共通電極、７・・・上面
ガラス板、 ８・・・液晶、 ９・・・接着剤、 １０
・・・画素部、 １１・・・垂直走査回路、１２・・・
水平走査回路、 １３・・・疑似垂直走査回路、 １４
・・・疑似水平走査回路。 特許出願人 松下電子工業株式会社 区 ば） 琺
Claims (1)
- 基板上に薄膜トランジスタを有する画素複数により形成
した画素部およびその側辺に直角的に配設され、上記画
素を走査し駆動する垂直走査回路および水平走査回路を
有する液晶表示装置において、上記画素部を介在させて
上記垂直走査回路および水平走査回路にそれぞれ対向さ
せて形成した、それら垂直走査回路および水平走査回路
に近似の疑似垂直走査回路および疑似水平走査回路を有
することを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6204889A JP2816982B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6204889A JP2816982B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02242230A true JPH02242230A (ja) | 1990-09-26 |
| JP2816982B2 JP2816982B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=13188885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6204889A Expired - Lifetime JP2816982B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2816982B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682811A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-03-25 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06138488A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| EP0603420A4 (en) * | 1992-07-15 | 1994-12-21 | Tokyo Shibaura Electric Co | LIQUID CRYSTAL DISPLAY. |
| JPH08220560A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス表示装置 |
| US6115097A (en) * | 1996-05-16 | 2000-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Liquid crystal device with light blocking sealing member and light blocking electrode over two interlayer insulating films |
| US6163357A (en) * | 1996-09-26 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device having the driving circuit disposed in the seal area, with different spacer density in driving circuit area than display area |
| JP2002023196A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-01-23 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| US6703643B2 (en) | 1995-02-15 | 2004-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device with an integrated circuit covered with a sealing material |
| JP2004334214A (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ・アレイ基板及びその製造方法 |
| US7053973B1 (en) * | 1996-05-16 | 2006-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| KR100550810B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2006-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동회로일체형의 액티브매트릭스구조를 갖는 액정패널을 구비한 액정디스플레이 장치 및 전자장치 |
| US7142273B1 (en) | 1996-06-25 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel with a laminating structure containing a semiconductor layer located under the seal |
| US7298447B1 (en) | 1996-06-25 | 2007-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US7956978B2 (en) | 1995-12-21 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal display device having a particular conductive layer |
| JP2013200573A (ja) * | 2013-06-05 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60166927A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Seiko Epson Corp | 信号線への信号入力方法 |
| JPS61177481A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶表示装置の封止構造 |
| JPS62251723A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Seiko Epson Corp | ドライバ−内蔵液晶パネル |
| JPS62252964A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Seiko Epson Corp | ドライバ−内蔵アクティブマトリックス基板 |
| JPS63218927A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Matsushita Electronics Corp | 画像表示装置 |
-
1989
- 1989-03-16 JP JP6204889A patent/JP2816982B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60166927A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Seiko Epson Corp | 信号線への信号入力方法 |
| JPS61177481A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶表示装置の封止構造 |
| JPS62251723A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Seiko Epson Corp | ドライバ−内蔵液晶パネル |
| JPS62252964A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Seiko Epson Corp | ドライバ−内蔵アクティブマトリックス基板 |
| JPS63218927A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Matsushita Electronics Corp | 画像表示装置 |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0603420A4 (en) * | 1992-07-15 | 1994-12-21 | Tokyo Shibaura Electric Co | LIQUID CRYSTAL DISPLAY. |
| JPH0682811A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-03-25 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06138488A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| US6703643B2 (en) | 1995-02-15 | 2004-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device with an integrated circuit covered with a sealing material |
| JPH08220560A (ja) * | 1995-02-15 | 1996-08-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス表示装置 |
| US7924392B2 (en) | 1995-02-15 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and forming method thereof |
| US7538849B2 (en) | 1995-02-15 | 2009-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and forming method thereof |
| US8665411B2 (en) | 1995-12-21 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having particular conductive layer |
| US8194224B2 (en) | 1995-12-21 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having particular conductive layers |
| US9316880B2 (en) | 1995-12-21 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7956978B2 (en) | 1995-12-21 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal display device having a particular conductive layer |
| US7053973B1 (en) * | 1996-05-16 | 2006-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US6115097A (en) * | 1996-05-16 | 2000-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Liquid crystal device with light blocking sealing member and light blocking electrode over two interlayer insulating films |
| US7417702B2 (en) | 1996-05-16 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7990514B2 (en) | 1996-06-25 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US7667817B2 (en) | 1996-06-25 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US7298447B1 (en) | 1996-06-25 | 2007-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US7142273B1 (en) | 1996-06-25 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel with a laminating structure containing a semiconductor layer located under the seal |
| KR100550810B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2006-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동회로일체형의 액티브매트릭스구조를 갖는 액정패널을 구비한 액정디스플레이 장치 및 전자장치 |
| US8334964B2 (en) | 1996-06-25 | 2012-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US6163357A (en) * | 1996-09-26 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device having the driving circuit disposed in the seal area, with different spacer density in driving circuit area than display area |
| JP2002023196A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-01-23 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JP2004334214A (ja) * | 2003-05-06 | 2004-11-25 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ・アレイ基板及びその製造方法 |
| JP2013200573A (ja) * | 2013-06-05 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2816982B2 (ja) | 1998-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW509811B (en) | Liquid crystal display | |
| US6914644B2 (en) | Liquid crystal device | |
| JPH02242230A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US8310647B2 (en) | Image display device and manufacturing method of the same | |
| JPH0567208B2 (ja) | ||
| KR20020007164A (ko) | 액정표시장치 | |
| JPH11149093A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3208909B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100698042B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP3265687B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2624355B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| KR100616443B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시소자의 박막 트랜지스터 어레이 기판 | |
| JP3397810B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2009020421A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JPH03146927A (ja) | Ｔｆｔアクティブマトリックス型液晶表示パネルおよびその製造方法 | |
| JP2818985B2 (ja) | 光弁装置とその製造方法 | |
| JPH0312637A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
| JPH11167116A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH0385529A (ja) | 薄膜半導体表示装置 | |
| JP2568734B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH01265229A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100471766B1 (ko) | 반도체장치의제조장치 | |
| JP2000066181A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP4023111B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| JPS6138472B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070821 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080821 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090821 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090821 Year of fee payment: 11 |