JPH0224389A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。

〔背景技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ　、　Ｓ　ｃ　ｈ　ａ　ｄ　ｔとＷ、Ｈｅ
１ｆｒｉｃｈ著“Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ　　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１，
２，１５）、Ｐ、１２７〜１２８の“Ｖｏｌｔａｇｅ−
３ｐｅｎｄｅｎｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉ
ｔｙ　　ｏｆ　　ａＴｗｉｓｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ
　　Ｌｉｑｕｉｄ　　Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ　
（ｔｗｉｓｔｅｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用い
たものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多（の応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。

しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さ（なり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。

このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第　４３６７９２４号明
細書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメ
クチックＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや、高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待され
る。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研
究がなされているが、現在までに開“発された□強誘電
性液晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液
晶素子に用いる十分な特性を備えているとは云い難い。

応答時間τと自発分極の大きさＰｓおよび粘度ηの間に
は の関係が存在する。したがって応答速度を速（するには
、 （ア）自発分極の大きさＰｓを太き（する（イ）粘度η
を小さ（する （つ）印加電圧Ｅを高くする 方法がある。しかし印加電圧は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。

よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を太き（する必要がある。

−船釣に自発分極の□大きい強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの
内部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への
制約が多くなる傾向にある。又、いたずらに自発分極を
大きくしても、それにつれて粘度も太き（なる傾向にあ
り、結果的には応答速度はあまり速（ならないことが考
えられる□。

また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般に
２０倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限界
を越えているのが現状である。

以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
、応答速度が速く、しかもその応答速度の温度依存性が
軽減されたカイラルスメクチック液晶組成物および該液
晶組成物を使用する液晶素子を提供することにある。

［問題を解決するための手段］ 本発明は下記一般式（１） （ただし、Ｒ１，Ｒ２はＣＩ’＝ＣＩＩＩの置換基を有
していてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｙｌは
−ＣＨ２〇−又は−〇〇Ｈ２−１ｍ、　ｎはｌ又は２）
で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（Ｉ
Ｉ　） （ただし、Ｒ３はｃ　＋　””’　０１Ｂの置換基を有
していてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、
Ｘ３はをしめす。） で示される化合物の少な（とも一種とを含有することを
特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物な
らびに該液晶組成物を一対の電極基板間に配置してなる
液晶素子を提供するものである。

前述の一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、好ましい
化合物例としては、下記（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｆ）式で表
わされる化合物が挙げられる。

Ｒ、−Ｘ　、−◎−ＣＨ２０−◎−Ｘ２−Ｒ２（Ｉ−ａ
）Ｒ，−Ｘ、−◎−０ＣＨ２−◎−Ｘ２　　Ｒ２（Ｉ　
　ｂ）Ｒ、−Ｘ　、−◎−ＣＨ２０−◎−◎−Ｘ２Ｒ２
（１−ｃ）Ｒ，−Ｘ、−◎−０ＣＨ２０−◎−◎−Ｘ２
−　　Ｒ２（Ｉ　　ｄ）Ｒ、−Ｘ　、−◎−◎−ＣＨ２
０−◎−Ｘ２　　Ｒ２（Ｉ　　ｅ）Ｒ，−Ｘ、−ぺ）←
０−ＯＣＨ２−◎−Ｘ２−Ｒ２（ｔ−ｒ）又さらに、上
述の（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｆ）式におけるＸｌ、　Ｘ２の
好ましい例としては下記（１−ｉ）〜（１−ｖｉｉｉ）
を挙げることができる。

ＸＩ　が　単結合、　　ｘ２　が　単結合Ｘ、　が　単
結合、　　ｘ２　が　−〇−Ｘ、　が　単結合、　　ｘ
２　が　−ＣＯＸ、　が　単結合、　　Ｘ２　が　−Ｏ
ＣＸ、　　が　−０−１Ｘ２　が　単結合ｘ１が一〇−
１ｘ２が Ｘ、が−０−１Ｘ２が−ＣＯ Ｘ、が−〇−１ｘ２が−ＯＣ （１−ｉ） （１−ｉｔ） （１−４ｉｉ） （■ １ｖ） （１−ｖ） （１−ｖｉ） （１−ｖｉｉ） （Ｉ ｖｉｉｉ） 又さらに、上述の（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｆ）式におけるＲ
、、　　Ｒ２の好ましい例としては（１−ｉｘ）〜（１
−ｘｉｉｉ　）（ｐは０〜７であり、Ｒ５は直鎖状又は
分岐状のアルキル基） ＣＨ３ Ｒ２がＲモＣＨ２１ＣＨＲｓ　。

＊ （ｐ、　ｑはθ〜７であり、Ｒ，、Ｒ６は直鎖状もしく
は分岐状のアルキル基） （１−ｘｉ） Ｒ１がｎ−アルキル基。

戸 Ｒ２が ＣＨ２−ＣＨ−ＣｒＨ２ｒ＋１−ｎ ＊ （１−ｘｉｉ）Ｒ，がｎ−アルキル基。

０日３ 翫 Ｒ２が（−ＣＨ２入ＣＳモＣＨ２ヂｔｏ−Ｒ７ネ （Ｓは０〜７、ｔはＯまたは１．Ｒ７は直鎖状もしくは
分岐状のアルキル基） また、前述の一般式（ＩＩ　）で示される化合物のうち
、好ましい化合物例としては、下記式（ＩＩ　−ａ　）
〜、（ＩＩ−ｂ）式で示される化合物が挙げられる。

（ＩＴ−ａ） （ＩＩ−ｂ） （ｒは１〜１２） 前記一般式 で示される化合物の具体的な構 造式の例を以下に示す。

ｎ　Ｃ７ＨＩＳ＃　０ＣＨ２＋ＯＣ６Ｈ，７ｎｎ　Ｃ＠
　Ｈ１７＋　ＣＨ２０＋ＯＣａ　ＨＩ３Ｃａ　Ｈｌ？＋
　ＣＨ２ｏ■）（涙０−Ｃ８Ｈ，７ｎ　Ｃｓ　Ｈｒｙｍ
　ＣＨ２ｏ＋ｏ−ｃ　ａ　Ｈ１３ｎ　Ｃ？　Ｈｌｓｍ　
ＣＭ　２　ｏ（沖ｏ−ｃ　６　Ｈ，１ｎ−Ｃ＠　Ｈ１７
−０−◎−ＯＣＨ２＋ＯＣａ　Ｈ１１（Ｉ （］ ｎ−Ｃ、Ｈ、、＋ｃＨ２ｏ（■＠−ｃｏ−ｃ　ｓ　Ｈ１
７−ｎ邑 Ｃ？　Ｈ＋ｓ　ｏ−＠）ＣＨ２０４■−０５ＨＣ６Ｈ１
３−ｎ（＋−６７） 前記一般式（Ｉ）で示される化合物は特開昭６０−１４
９５４７　（１９８５年）、特開昭６１−６３６３３　
（１９８６年）に記載される合成法により得られる。代
表的な合成例を以下に示す。

合成例１（化合物Ｎｏ、１−５４の合成）３０ｍｌナス
フラスコに下記アルコール誘導体１．０ｇ（４，８１ｍ
ｍｏｌ）を入れ、冷却下、塩化チオニル３　ｍ　ｌを加
え、撹拌しながら室温まで昇温させ、さらに冷却管を取
りつけ、外温７０°Ｃ〜８０℃で４時間加熱環流を行っ
た。反応後過剰の塩化チオニルを留去し、塩化物を得た
。これをトルエン１５ｍ１に溶解した。

次に２００ｍ１の三つロフラスコに６０％油性水素化ナ
トリウム０．３３ｇを入れ乾燥ｎ−ヘキサンで数回洗っ
た後、下記フェノール誘導体１．５２ｇ　（４，８１ｍ
ｍｏｌ）のＴＨＦ溶液１５ｍ１を室温下滴下し、さらに
ＤＭＳＯを２０ｍ１加え１時間撹拌した。これに、先に
述べた塩化物のトルエン溶液をゆっくりと滴下し、滴下
終了後さらに室温にて１６時間撹拌を続けた。

反応終了後約２００　ｍ　ｌの氷水にあけ、有機層を分
離しさらに水層をベンゼン５０ｍ１にて２回抽出を行い
、先に分離した有機層と共に５％塩酸水溶液で２回洗っ
た後、イオン交換水で１回、さらに５％ＮａＯＨ水溶液
で１回洗いその後、水層のｐＨ値が中性を示すまでイオ
ン交換水で有機層を水洗した。

有機層を取り出し硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、溶
媒留去して粗製物を得た。これを展開液ｎ−ヘキサン／
ジクロロメタン、３／ｌＯを用いて、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製を行った。

溶媒留去して得た結晶を、ｎ−へキサンを用いて再結晶
して精製目的物を得た。さらに室温にて減圧乾燥を行い
最終精製目的物を０．６９ｇ得た。収率は２８．５％で
あった。

元素分析値（ｗｔ％）ＣＨＮ 計算値　　７８．３３　　　８．５７　　　　０．００
測定値　　７８．９６　　　８．６９　　　　０．０２
相転位 合成例２（化合物Ｎｏ、１−６８の合成）３０ｍｌナス
フラスコに下記アルコール誘導体１．２５ｇＣ３Ｈ，７
０−◎（涙ＣＨ２０Ｈ （４，０１ｍｍｏｌ）を入れ、冷却下、塩化チオニル３
ｍｌを加え、撹拌しながら室温まで昇温させ、さらに冷
却管を取りつけ、外温７０°Ｃ〜８０℃で４時間加熱環
流を行った。反応後過剰の塩化チオニルを留去し、塩化
物を得た。これをトルエン１５　ｍ　ｌに溶解した。

次に２００ｍ１の三つロフラスコに６０％油性水素化ナ
トリウム０．３１ｇを入れ乾燥ｎ−ヘキサンで数回洗っ
た後、下記フェノール誘導体０．７９ｇ　（４，Ｏｌｍ
ｍｏｌ）のＴＨＦ溶液１５ｍ１を室温下滴下し、さらに
ＤＭＳＯを２０ｍ１加え１時間撹拌した。これに、先に
述べた塩化物のトルエン溶液をゆっくりと滴下し、滴下
終了後さらに室温にて１６時間撹拌を続けた。

反応終了後約２００　ｍ　ｌの氷水にあけ、有機層を分
離しさらに水層をベンゼン５０　ｍ　ｌにて２回抽出を
行い、先に分離した有機層と共に５％塩酸水溶液で２回
洗った後、イオン交換水で１回、さらに５％ＮａＯＨ水
溶液で１回洗いその後、水層のｐＨ値が中性を示すまで
イオン交換水で有機層を水洗した。

有機層を取り出し硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、溶
媒留去して粗製物を得た。これを展開液ｎ−ヘキサン／
ジクロロメタン、３／１０を用いて、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製を行った。

溶媒留去して得た結晶を、ｎ−ヘキサンを用いて再結晶
して精製目的物を得た。さらに室温にて減圧乾燥を行い
最終精製目的物を０．５１ｇ得た。

収率 前記一般式（ｎ） で示される化合物の具体的な は２６．０％であった。

構造式の例を以下に示す。

ＣＨＮ分析値（ｗｔ％） 計算値 ７８．３３ ８．６３ ０、Ｏｏ 理論値 ７８．６２ ８．８６ ０．０２ 相転位 Ｓ　２　＋ は未同定 ＩＲスペクトル ２９７５゜ ２９２５゜ ２８５０゜ １６１０゜ １５１０゜ １４７０゜ １３８０゜ １２９５゜ １２８０゜ １２４０゜ １２２０゜ １１３０゜ １０２０、　１０００．　８１０　　ｃｍ−’＋８） 一般式（ＩＴ）で示される化合物は下記に示すような合
成経路Ａ、Ｂ、Ｃで得ることができる。

合成経路Ａ 合成経路Ｂ 合成経路Ｃ （Ｘ３：０） （Ｒ３，Ｘ３．Ｐは前述の通りである）一般式（１）で
示される化合物の代表的な合成例を以下に示す。

合成例１（化合物Ｎｏ、２−１７の合成）ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェノール１．ＯＯｇ（４、１６ｍ
　Ｍ　）をピリジン１０ｍ１、トルエン５　ｍ　ｌに溶
解させ、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカ
ルボン酸クロライド１　、３０　ｇ　（６、００ｍ　Ｍ
　）をトルエン５　ｍ　ｌに溶解した溶液を、５℃以下
、２０〜４０分間で滴下した。滴下後、室温で一晩撹拌
し、白色沈殿を得た。

反応終了後、反応物をベンゼンで抽出し、さらにこのベ
ンゼン層を蒸留水で洗ったのち、ベンゼン層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ベンゼンを留去した。さらにシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらに
エタノール／メタノールで再結晶して、トランス−４−
ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェニルエステル１．２０ｇ　（２
，８５ｍＭ）を　得た。（収率６８．６％） ＮＭＲデータ（ｐｐｍ） ０．８３〜２．８３ｐｐｍ　　（３４Ｈ，ｍ）４、ＯＯ
〜４．５０ｐｐｍ　　（２Ｈ，ｑ）７、ｌｌｐｐｍ　　
　　　　　（４Ｈ，５）ＩＲデータ（ｃ　ｍ−’　） ３４５６、　２９．２Ｂ、　　２８５２．　１７４２．
　１５０８゜１４７０、　１２４８．　１２００．　　
１１６６、　　１１３２゜８５４゜ 相転移温度（℃） （ここで、ｓ３．ｓ４．ｓ５．ｓ６は、ＳｍＣ＊よりも
秩序度の高い相を示す。） 合成例２（化合物Ｎｏ、２−２９の合成）十分に窒素置
換された容器に、（−）−２−フルオロヘプタツール０
　、４０　ｇ　（３、０ｍ　ｍ　ｏ　Ｉ　）と乾燥ピリ
ジン１．００ｇ　（１３ｍｍｏｌ）を入れ水冷下で３０
分間乾燥した。その溶液にｐ−）ルエンスルホン酸りロ
リド０　、６９　ｇ　（３、６ｍ　ｍ　ｏ　＋　）を加
え、そのまま５時間撹拌を続けた。反応終了後、ｌＮＨ
ｃｌｌｏｍｌを加え、塩化メチレン１０ｍ１で２回抽出
を行った後、その抽出液を蒸留水１０ｍ１で１回洗浄し
た。得られた塩化メチレン溶液に無水硫酸ナトリウムを
適宜加えて乾燥したのち、溶媒を留去しく＋）　−２フ
ルオロヘプチルｐ−トルエンスルホン酸エステル０．５
９ｇ　（２，０ｍｍｏ＋）を得た。

収率は６６％である。生成物の比旋光度およびＩＲデー
タは下記の通りである。

比旋光度［α］碧’＋２．５９゜ （ｃｍ１．ＣＨＣｌ　　３　）。

比旋光度［αコ溜＋９．５８゜ （ｃ＝ＩＳ　０ＭＣｌ　　、、）。

ＩＲ（ｃｍ−’）： ２９００、　　２８５０、　　１６００、　　１４５０
．１３５０、　　１１７０、　　１０９０、　　９８０
．８１０、　　　６６０、　　　５５０゜上記のように
して得られた（＋）−２−フルオロヘプチルｐ−）ルエ
ンスルホン酸エステル０．４３ｇ（１，５ｍｍｏｌ）と
５−オクチル−２−（４−ヒドロ・キシフェニル）ピリ
ミジン０．２８ｇ　（１，０ｍｍｏｌ）に１−ブタノー
ル０．２ｍｌを加えよく撹拌した。その溶液に、あらか
じめ！−ブタノール１．Ｏｍ目こ水酸化ナトリウム０　
、０４８　ｇ　（１、２ｍ　ｍ　ｏ　＋　）を溶解させ
て調製しておいたアルカリ溶液を速やかに注ぎ５時間半
、加熱環流した。反応終了後蒸留水１０　ｍ　ｌを加え
、ベンゼン１０ｍ１および５　ｍ　ｌでそれぞれ１回づ
つ抽出を行った後、その抽出液を無水硫酸ナトリウムを
適宜加えて乾燥した。乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲ
ルカラム（クロロホルム）により目的物である（＋）　
−５−オクチル−２−［４（２−フルオロへブチルオキ
シ）フェニル］ピリミジン０．１７ｇ　（０，４３ｍｍ
ｏｌ）を得た。

収率は４３％であり、以下のような比旋光度およびＩＲ
データが得られた。

比旋光度［α］；１，５Ｊ　＋　０．４４゜（Ｃ−１、
ＣＨＣｌ　　３　）。

比旋光度［α］溜＋４．１９゜ （ｃｍｌ、ＣＨＣｌ　　３）。

ＩＲ（ｃｍ−’）： ２９００、　２８５０、１６００、１５８０゜１４２０
、　１２５０、１２６０、８００゜７２０、　　６５０
、　５５００ 本発明の液晶組成物は前記一般式（１）で示される化合
物の少なくとも１種と、前記一般式（ＩＩ　）で示され
る化合物の少なくとも１種と、さらに他の液晶性化合物
１種以上とを適当な割合で混合することにより得ること
ができる。また、本発明による液晶組成物は、強誘電性
液晶組成物、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が好ましい。

本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。

Ｃ５ＨＩＴＯ＋ＣＯＳ　＋　０ＣＨ２ＣＨＣ２Ｈ５ネ υ υ 本発明の一般式（１）で示される液晶性化合物および一
般式（ＩＩ　）で示される液晶性化合物それぞれと、一
種以上の上述した他の液晶性化合物あるいは、それを含
む強誘電性液晶組成物（以下強誘電性液晶材料と略す）
との配向割合は、強誘電性液晶材料１００重量部当り、
本発明一般式（１）および一般式（ＩＩ　）で示される
液晶性化合物それぞれを１〜３００重量部、より好まし
くは５〜１００重量部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（１）および一般式（ＩＩ　）で
示される液晶性化合物の一方もしくは両方を２種以上用
いる場合も強誘電性液晶材料との配合割合は前述した強
誘電性液晶材料１００重量部当り、本発明一般式（１）
および一般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物の一方も
しくは両方の２種以上の混合物を１〜５００重量部、よ
り好ましくは１０−１００重量部とすることが好ましい
。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。

第１図において符号ｌは強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜５ｎ０
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎ４ｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤
０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所
定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させる
ことができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ”相（カイラルスメクチックＣ相）を
有し、かつ、素子とした場合には粘度が低く高速応答性
を有すことが望ましい。さらに応答速度の温度依存性が
小さいことが望まれる。

また、特に素子とした場合に良好な均−配向性を示しモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からＣｈ相（コレステリック相）−３ｍＡ相（スメクチ
ックＡ相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）
という相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透明型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極
で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊
相またはＳｍＨ”相の液晶が封入されている。太線で示
した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２
３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ±
）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ土）２４がす
べて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変
えることができる。液晶分子２３は細長い形状を有して
おり、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、
従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏
光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる
液晶光学変調素子となることは容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥｂ
を電圧印加手段と３１ｂにより付与すると、双極子モー
メントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに対応して
上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え、それに
応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるいは第
２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ 下記重量部で混合した液晶組成物１−Ａを作成した。

０１（５構　　　造　　　式　　　　　　　　　　　重
量部金物Ｎｏ。

この液晶組成物１−Ａに対して例示化合物１−１．２−
３をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物１−Ｂ
を得た。

　−Ａ 次に、これらの液晶組成物を以下の手順で作製したセル
を用いて、光学的な応答を観察した。

２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−５１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数３０
０Ｏｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成膜
後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。こ
の時の塗膜の膜厚は約１２０人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ（掬）］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分
間、１００℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセル
のセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約１
．５μｍであった。

このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０°Ｃ／ｈで２５℃まで徐冷する
ことにより、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク
電圧Ｖ　ｐｐ　＝　２５　Ｖの電圧印加により直交ニコ
ル下での光学的な応答（透過光量変化０〜９０％）を検
知して応答速度（以後光学応答速度という）を測定した
。その結果を次に示す。

ｌＯｏＣ２５°０　　　４０℃ 応答速度　　　９６０　μｓｅｃ　　　２６５　μｓｅ
ｃ　　　　８ｓ　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆
動時のコントラストは１２で、明瞭なスイッチング動作
が観察された。

比較例１ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−１を混合せずに１−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−３のみを混合した液晶組成物１−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、　２−３を混合せずに１−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、　１−１のみを混合した液晶組成物ｌ−り
を作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
　　１−Ｃ及び１−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈
実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光
学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　４０℃１−Ａ
　　　　ｌ６００　μｓｅｃ　　　　４３０　ｐ　ｓｅ
ｃ　　　　１２０　ｐ　５ｅｅ１−Ｃ１１５０ｐ　ｓｅ
ｃ　　　２９０　μｓｅｃ　　　９０　μｓｅｃ１−Ｄ
　　　　１３８０　μｓｅｃ　　　　３８０　ｐ　ｓｅ
ｃ　　　　１１０　ｐ　ｓｅｅ実施例１と比較例１より
明らかな様に、本発明による液晶性組成物１−Ｂを含有
する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動特性、
高速応答性が改善され、かつ応答速度の温度依存性が軽
減されて実施例２ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物２−Ｂを得た。

−Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃９４０　ｐ　
ｓｅｃ　　　２６０　ｐ　ｓｅｃ　　　８５　ｐ　ｓｅ
ｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１
３で、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を
止めた際の双安定性も良好であった。

比較例２ 実施例２で混合した液晶組成物２−Ｈのうち例示化合物
Ｎｏ、ｌ−５，１−２４，１−３７を混合せずに１−Ａ
に対して例示化合物Ｎｏ、２−２６．２−５４のみを混
合した液晶組成物２−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−２６゜
２−５４を混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、
ｌ−５，１−２４，１−３７のみを混合した液晶組成物
２−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物２−Ｃ及
び２−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を
測定した。その結果を次に示す。

応答速度　１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃２−Ｃ
Ｉ５０　μｓｅｃ　　　２７５　μｓｅｃ　　　９５　
ｐ　５ｅｃ２−Ｄ　　　１３００　μｓｅｃ　　　３３
０　μｓｅｃ　　　１１０μｓｅｃ実施例２と比較例２
より明らかな様に、本発明による液晶性組成物２−Ｂを
含有する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動特
性、高速応答性が改善され、かつ応答速度の温度依存性
が軽減されている。

実施例３ 下記重量部で混合した液晶組成物３−Ａを作成した。

例示化　　　　　　　　構　　　造　　　式％式％ この液晶組成物３−Ａに対して例示化合物１−１．２−
３をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物３−Ｂ
を得た。

例示化 合物Ｎｏ。

構　　　造　　　式 液晶組成物１−Ｂをこの液晶組成物３−Ｂζこ代えたほ
かは実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し
、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定し、スイ
ッチング状態等を観察した。この液晶素子内の均−配向
性は良好でありモノドメイン状態が得られた。測定結果
を次に示す。

ｌＯｏｏ　　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ応答速
度　１２８０μｓｅｃ　　３３０７ｚｓｅｃ　　１１５
μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラス
トは１４で、明瞭なスイッチング動作が観察された。

比較例３ 実施例３で混合した液晶組成物３−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−１を混合せずに３−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−３のみを混合した液晶組成物３−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、　２−３を混合せずに３−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、　１−１のみを混合した液晶組成物３−Ｄ
を作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物３−Ａ、
３−Ｃ及び３−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度　　μｓｅｃ　　　μｓｅｃ　　　μ５ｅｃ３
−Ａ　　　　２０００　　５３０　　　１５８３−Ｃ１
５００３８０１２５ ３−Ｄ　　　　１７５０　　４７０　　　１４５実施例
３と比較例３より明らかな様に、本発明による液゛晶組
酸物３−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が低温にお
ける作動特性、高速応答性が改善され、かつ応答速度の
温度依存性が軽減されている。

実施例４ 実施例３で混合した液晶組成物３〜Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。

例示化 合物Ｎα 構　　造　　式 構　　造　　式 重量部 これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃応答速度　　
１２１０　μｓｅｃ　　３００　μｓｅｃ　　１１０　
μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラス
トは１３で、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例４ 実施例４で混合した液晶組成物４−Ｈのうち例示化合物
Ｎｏ、ｌ−５，１−２４，１−３７を混合せずに３−Ａ
に対して例示化合物Ｎｏ、２−２６．２−５４のみを混
合した液晶組成物４−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−２６゜
２−５４を混合せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、
１−５．　１−２４．　１−３７のみを混合した液晶組
成物４−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物４−Ｃ及
び４−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し光学応答速度を測定
した。その結果を次に示す。

ｌＯｏＣ２５℃　　４０°Ｃ 応答速度　　μ５ｅｃｔＬｓｅｃ　　　μ５ｅｃ４−Ｃ
１４４０３６０１２０ ４−Ｄ　　　　１６００　　４２０　　１３５実施例４
と比較例４より明らかな様に、本発明による液晶組成物
４−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が低温における
作動特性、高速応答性が改善され、かつ応答速度の温度
依存性が軽減されている。

実施例５ 下記重量部で混合した液晶組成物５−Ａを作成した。

例示化 合物Ｎ０ 構 造 式 この液晶組成物５−Ａに対して例示化合物１−１．２−
３をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物５−Ｂ
を得た。

液晶組成物１−Ｂをこの液晶組成物５−Ｂに代えたほか
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定し、スイッ
チング状態等を観察した。この液晶素子内の均−配向性
は良好でありモノドメイン状態が得られた。測定結果を
次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃応答速度　３
６５　μｓｅｃ　　９０　μｓｅｃ　　３５　μｓｅｃ
また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１４
で、明瞭なスイッチング動作が観察された。

比較例５ 実施例５で混合した液晶組成物５−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−１を混合せずに５−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−３のみを混合した液晶組成物５−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、　２−３を混合せずに５−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、　１−１のみを混合した液晶組成物５−り
を作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物５−Ａ、
　５−Ｃ及び５−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実
施例１同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し光学応答
速度を測定した。その結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度　　μＳｅＣμｓｅｃ　　　μ５ｅＣ５−Ａ　
　　　６２０　　　１７０　　５２５−Ｃ４４０１１５
４０ ５−Ｄ　　　　５１０　　　１４０　　４５実施例５と
比較例５より明らかな様に、本発明による液晶組成物５
−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作
動特性、高速応答性が改善され、かつ応答速度の温度依
存性が軽減されている。

実施例６ 実施例５で混合した液晶組成物５−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物６−Ｂを得た。

−Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　２５℃　　４０℃ 応答速度　　３７０　μｓｅｃ　　９５　μｓｅｃ　　
３５　ｐ　ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストは１３で、明瞭なスイッチング動作が観察さ
れ、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例６ 実施例６で混合した液晶組成物６−Ｈのうち例示化合物
Ｎｏ、１−５．　１−２４．　１−３７を混合せずに５
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２６．２−５４のみ
を混合した液晶組成物６−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−２
６゜２−５４を混合せずに５−Ａに対して例示化合物Ｎ
ｏ、１−５．　１−２４．　１−３７のみを混合した液
晶組成物６−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物６−Ｃ及
び６−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を測
定した。その結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度　　μｓｅｃ　　　μＳｅＣμ５ｅＣ６−Ｃ４
９０１３０４５ ６−Ｄ　　　　５３０　　１４０　　４５実施例６と比
較例６より明らかな様に、本発明による液晶組成物６−
Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作動
特性、高速応答性が改善され、かつ応答速度の温度依存
性が軽減されている。

実施例７ 実施例１及び比較例１で使用した液晶組成物　を５ｉ０
２を用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向　制御層を作
成した以外は全〈実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の　方法で光学応答速度
を測定した。その結果を次に示す。

応答速度　　　１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃１
−Ｂ　　　９００　μｓｅｃ　　　２４０μｓｅｃ　　
　８０　μｓｅｃ１−Ｃ１０８０ｐ　ｓｅｃ　　　２７
５　Ｂ　ｓｅｃ　　　９０　μｓｅｃ１−Ｄ　　　１３
００　μｓｅｃ　　　３７０　μｓｅｃ　　　１０５　
μｓｅｃ１−Ａ　　　１５２０　μｓｅｃ　　　４２０
　μｓｅｃ　　　１２０　μｓｅｃ実施例７より明らか
な様に、素子構成を変えた場合でも本発明に従う強誘電
性液晶組成物を含有する素子は、他の液晶性組成物を含
む素子に比べ実施例Ｉと同様に低温作動特性が非常に改
善され、かつ応答速度の温度依存性が軽減されたものと
なっている。

実施例８〜１５ 実施例１．３．５で用いた例示化合物および液晶性組成
物に代えて表１に示した例示化合物および液晶性組成物
を各重量部で用い８−Ｂ−１５−Ｈの液晶性組成物を得
た。これらを用いた他は全〈実施例１と同様の方法によ
り強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で
光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した
。それぞれの液晶素子内の均−配向性は良好であり、モ
ノドメイン状態が得られた。測定結果を表１に示す。

実施例８〜１５より明らかな様に、本発明による液晶性
組成物８−Ｂ〜１５−Ｂを含有する強誘電性液晶素子が
低温における作動特性、高速応答速度が改善され、かつ
応答速度の温度依存性が軽減されている。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、作動特性の改善された液晶素子、
および応答速度の温度依存性が軽減された液晶素子とす
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の１例の断
面概略図、 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表す斜視図、 第１図において、 ｌ・・・・・・・・・・・・・・強誘電性液晶層２・・
・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３・・・・・
・・・・・・・・・・・・・透明電極４・・・・・・・
・・・・・・絶縁性配向制御層５・・・・・・・・・・
・・・・・・スペーサー６　・・・・・・・・・・・・
・・・　・・リード線７・・・・・・・・・・・・・・
　・・・・電源８・・・・・・・・・・・・・・　　・
・・偏光板９・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光源１ｏ・・・・・・・・・・・・・・・・・入射光
Ｉ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・透過光第２
図において、 １ａ １ｂ 第３図において、 １ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ４ａ 電圧印加手段 ・・・・・・・・・・・・・・電圧印加手段第１の安定
状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ上） ５゜ 補正の対象 明 細 書 ６゜ 補正の内容 明細書第５９頁の を削除する。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換
   基を有していてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基、
   Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｙ＿１は−ＣＨ＿
   ２Ｏ−又は−ＯＣＨ＿２−、ｍ、ｎは１又は２）で示さ
   れる化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換基を有し
   ていてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、Ｘ
   ＿３は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼のいずれかを示し、Ｚは単結合もしくは▲数式、化
   学式、表等があります▼であり、▲数式、化学式、表等
   があります▼は▲数式、化学式、表等があります▼もし
   くは▲数式、化学式、表等があります▼である。又、Ｐ
   は１〜１２をしめす。） で示される化合物の少なくとも一種とを含有することを
   特徴とする強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物。
2. （２）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換
   基を有していてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基、
   Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｙ＿１は−ＣＨ＿
   ２Ｏ−又は−ＯＣＨ＿２−、ｍ、ｎは１又は２）で示さ
   れる化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換基を有し
   ていてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、Ｘ
   ＿３は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼のいずれかを示し、Ｚは単結合もしくは▲数式、化
   学式、表等があります▼であり、▲数式、化学式、表等
   があります▼は▲数式、化学式、表等があります▼もし
   くは▲数式、化学式、表等があります▼である。又、Ｐ
   は１〜１２をしめす。） で示される化合物の少なくとも一種とを含有することを
   特徴とする強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物を
   一対の電極基板間に配置してなることを特徴とする液晶
   素子。