JPH02244443A - 光磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ産業上の利用分野 本発明は光磁気記録方法に関し、例えば光強度変調記録
方式で光磁気ディスク上に記録情報を記Ｂ発明の概要 本発明は、光強度変調記録方式の光磁気記録方法におい
て、ハイレベルでなるレーザパワーを有するレーザ光を
照射した後、続く所定期間の間、レーザ光を消灯制御す
るようにしたことにより、多層膜光磁気記録媒体の過度
の加熱を未然に防止し得る。

Ｃ従来の技術 従来、垂直磁気異方性を有する第１膜及び第２膜を、そ
れぞれ記録再生層及び記録補助層とした多層膜光磁気デ
ィスクに対して、記録情報に応じてレベルの異なる光強
度でレーザ光を照射し、これにより１本のレーザ光で光
磁気ディスクに記録情報を重ね書き（オーバーライド）
し得るようになされたいわゆる光強度変調記録方式の光
磁気記録方法が提案されている（特開昭６２−１７５９
４８号公報、特開昭６３−５２３５５号公報）。

すなわち、第６図に示すように多層膜光磁気ディスクｌ
は、例えばガラス板等の透明基板２の一方の面に誘電体
ｌｌｌ３を介して、垂直磁気異方性を育する第１及び第
２の磁性薄膜でなる記録再生層４及び記録補助層５が順
次連続スパッタリング等によって積層され、さらにその
表面に非磁性金属膜又は誘電体膜等でなる保護膜６が被
着形成されている。

この光磁気ディスクｌの記録再生層４及び記録補助層５
は、第７図に示すように、例えば記録再生層４は常温Ｔ
、（−２０〜６０６Ｃ程度）における抗磁力ＭＣＩが大
きく、キューリ温度Ｔ’ｃｔが低い希土類優勢膜（ＲＥ
−ｒｉｃｈ）材料の例えばＴｂＦｅＣｏ等でなり、また
記録補助層５は常温Ｔ、における抗磁力Ｈｃｔが小さく
、キューリ温度ＴＩが高い遷移金属優勢膜（ＴＭ−ｒｉ
ｃｈ）材料の例えばＧｄＴｂＦｅＣｏ等で形成されてい
る。

この光磁気ディスク１における記録情報は、それぞれ記
録再生層４及び記録補助層５の磁化方向を矢印を用いて
表した第８図に示すように、常温Ｔ、において上方向に
磁化された記録補助層５に対して、上又は下方向に磁化
された記録再生層４を組み合わせてなる第１及び第２の
状態ＳＴ、及びＳＴｍによって、例えばそれぞれ値ｒ□
、及び値「１」が記録される。

ここで、この光磁気ディスク１に所望の記録情報を記録
する光磁気記録方法として、まず第１又は第２の状態Ｓ
Ｔ＆又はＳＴ、の光磁気ディスク１に値ｒ□、の記録情
報を記録する場合、記録再生層４のキューり温度ＴＣＩ
より高く、かつ記録補助層５のキューり温度Ｔｃｔより
低い温度ＴｔＲに制御するに十分な第１のレーザパワー
Ｐ　Ｌｏｗでなるレーザ光を所定時間照射して、記録再
生層４の磁化方向を不安定な第３の状ｊｌｌｓＴ、に制
御する。

この後光磁気ディスク１が、自然冷却されることにより
、記録再生層４及び記録補助層５の界面に働く交換結合
力によって、記録再生層４の磁化方向は記録補助層５の
磁化方向と同一の上方向に配向され、か（して、光磁気
ディスク１を値「０」又は値「１」が記録された第１又
は第２の状態ＳＴ、又はＳ　Ｔ　ｓから、値「０」の記
録状態でなる第１の状態ＳＴ、に制御する。

またこれに対して、第１又は第２の状態ＳＴ。

又はＳＴ、の光磁気ディスク１に値「１」の記録情報を
記録する場合、まず記録補助層５のキューリ温度Ｔｃ！
より高い温度Ｔ□ゎに制御するに十分な第１のレーザパ
ワーｐＬｏｗより高い第２のレーザパワーＰ□Ｉでなる
レーザ光を所定時間照射すると共に、記録補助層５の温
度Ｔ□、における抗磁力Ｈ□より大きく下向きでなる記
録磁界Ｈ□ゎ（例えば３００〜５００　（Ｏｓ　）程度
でなる）を印加する・。

これにより、光磁気ディスク１は記録再生層４が不安定
でかつ記録補助層５が下向きに配向された第４の状態Ｓ
Ｔ、に制御され、この後自然冷却されることにより、記
録再生層４及び記録補助層５の界面に働く交換結合力に
よって、記録再生層４の磁化方向が記録補助層５の磁化
方向と同一の下方向でなる第５の状ＪｌｑＳＴ、に制御
される。

さらにこの後この光磁気ディスクｌには、記録再生層４
の常温Ｔ８における抗磁力Ｈｃ＋より小さく、記録補助
層５の常温ＴＩｌにおける抗磁力）１ｃｍより大きい上
向きの補助磁界Ｈｓｕｍ　　（例えば３〜５　（ＫＯｅ
　）程度でなる）が印加されることにより、記録補助層
５の磁化方向のみが上向きに配向され、かくして光磁気
ディスク１を値ｒＱＪ又は値「１」が記録された第１又
は第２の状態ＳＴ＾又はＳＴ、から、値「１」の記録状
態でなる第２の状態ＳＴ、に制御する。

このようにして、この光磁気記録方法においては、レー
ザパワーの強弱で磁化方向を上向きにも下向きにも制御
することができ、これにより１本のレーザ光を用いて、
予め記録されていた記録情報を消去することなく、光磁
気ディスク１上に新たな記録情報をオーバーライドし得
るようになされている。

Ｄ発明が解決しようとする問題点 ところでかかる光磁気記録方法においては、光磁気ディ
スク１に第１のレーザパワーｐｔｏｗ又は第２のレーザ
パワーＰＭＩＧＮでなるレーザ光が常時照射されており
、このためレーザ光をパルス照射したときの光磁気ディ
スク１の温度分布が、第２のレーザパワーＰ、１Ｉ６Ｈ
でなるレーザ光のみをオンオフ制御するようになされた
従来の光磁気記録方法に比べてブロードになりやすい問
題がある。

すなわち、例えば光磁気ディスク１に対して、第２のレ
ーザパワーＰ□。、のレーザ光を照射して値「１」を記
録した後、続いて第１のレーザパワＰ　ＬＯ＠のレーザ
光を照射して値「０」を記録しようとすると、第２のレ
ーザパワーＰｍ＋ｓ＋＜のレーザ光で昇温された光磁気
ディスク１のピット周辺が十分に冷却されない状態で、
第１のレーザパワＰ　Ｌｏｗのレーザ光が照射されるこ
とにより、光磁気ディスク１が記録再生層４の磁化方向
が不安定な状態になるキューり温度Ｔｅｌを越えて、記
録補助層５のキューり温度Ｔｃｔ付近まで昇温されるお
それがある。

このため、上述の光磁気記録方法によるオーバーライド
では、記録再生層４に形成されるピットの形状が不揃い
になりやすく、Ｃ／Ｎが劣化することによりノイズが発
生したり、また隣接した２つのピットの間隔が狭いとき
などは、２つのピットを分離することが困難になり、エ
ラーレートが増加する問題があった。

さらに、第２のレーザパワーＰ　Ｍｌ！Ｎのレーザ光の
照射間隔の長短によって１．第１のレーザパワーＰ、。

１のレーザ光が照射される部分の熱影響の度合いが異な
り、この影響の変化に応じて第１のレーザパワーＰＬ、
ｗの最適なレンジが変動し、この結果種々のパルス間隔
に対して最適となるような第１のレーザパワーＰ　ＬＯ
Ｍの範囲が狭くなってしまう問題もあった。

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、正しい形
状かつ間隔でピットを形成し得る光強度記録変調方式の
光磁気記録方法を提案しようとするものである。

Ｅ問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため本発明においては、多層膜
光磁気記録媒体１に対して、記録情報ＤＴ、１．ゎの値
に応じてローレベル又はハイレベルでなる第１又は第２
のレーザパワー　Ｐ　ＬＯ＠又はＰＭＩ。を有するレー
ザ光りを照射して、記録情報ＤＴｍｒ。を記録する光強
度変調記録方式の光磁気記録方法において、ハイレベル
でなる第２のレーザパワーＰ□。を有するレーザ光りを
照射した後、続く所定期間τ１の間、レーザ光りを消灯
制御するようにした。

Ｆ作用 ハイレベルでなる第２のレーザパワーＰ工、。、を有す
るレーザ光りを照射した後、続く所定期間τ、の間レー
ザ光りを消灯制御するようにしたことにより、多層膜光
磁気記録媒体１の過度の加熱を未然に防止して、記、録
情報Ｄ　Ｔ　＊−に応じて正しい形状かつ間隔でピット
を形成し得る。

Ｇ実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。

第６図との対応部分に同一符号を付して示す第１図にお
いて、１０は全体として本発明による光磁気記録方法を
通用した光強度記録変調方式の光磁気ディスク装置を示
し、多層膜光磁気ディスク１に対して裏面から光ピツク
アップ１１によって、レーザ光りが照射される位置に対
応した表面側に、記録磁界Ｈ□Ｃ（第７図）を印加する
記録磁界発生用永久磁石１２が配置されている。

これに加えて、光磁気ディスク１の同一表面側で略１８
０００角間隔だけ離れた位置には、補助磁界Ｈ□、（第
７図）を印加する補助磁界発生用永久磁石１３が配置さ
れている。

この光磁気ディスク装置１０の場合、光ピツクアップ１
１は駆動増幅回路１４を通じてレーザ宛先制御回路１５
から入力されるレーザ駆動信号Ｄ０によって発光駆動さ
れる。

このレーザ宛先制御回路１５は、入力される記録データ
ＤＴｍｔｃ　　（第２図（Ａ））が値「０」のとき、第
１のレーザパワーｐ　ｔｏｗでなるレーザ光Ｌを所定時
間照射し得るレーザ駆動信号Ｄｔｖ（第２図（Ｂ））を
発生し、光磁気ディスクｌを記録再生層４のキューリ温
度ＴＣＩより高くかつ記録補助層５のキューリ温度Ｔｃ
１より低い温度Ｔ□に制御する。

これに対してレーザ宛先制御回路１５は、記録データＤ
Ｔ□Ｃが値ｒｌＪのとき、第２のレーザパワーＰＨＩＩ
Ｎでなるレーザ光りを所定時間照射し得るレーザ駆動信
号Ｄａｙを発生し、光磁気ディスクｌを記録補助層５の
キューリ温度ＴＣＲより高い温度Ｔ１ｇ。に制御する。

さらにこの実施例のレーザ宛先制御回路１５においては
、記録データＤＴｌｔｃの値「１ノに応じて、第２のレ
ーザパワーＰ□。８でなるレーザ光りを照射した後、記
録データＤＴｍｔｃが値「０」に移行した際には、第１
のレーザパワーＰＬＯ１＋１でなるレーザ光りを照射す
ることに先立って、所定期間τ１の間、第１のレーザパ
ワーＰ　ＬＯＷより低い第３のレーザパワーＰ　ＯＦＦ
でなるレーザ駆動信号ＤＩＩＶを発生し、このようにし
て、実際上レーザ光りを所定期間τ、の間、消灯制御す
るようになされている。

これにより、光磁気ディスク１に対して、第２のレーザ
パワーＰ□。のレーザ光りを照射して値「ｌ」を記録し
た後、続いて第１のレーザパワーＰ　ＬＯＭのレーザ光
りを照射して値「Ｏ」を記録する場合にも、第２のレー
ザパワーＰ□□のレーザ光して昇温された光磁気ディス
ク１のピット周辺を、記録再生層４の磁化方向が不安定
な状態になるキューリ温度Ｔ’ｃ＋付近まで冷却した後
に第１のレーザパワーＰ　ＬＯＭのレーザ光りを照射す
ることができる。

かくして光磁気ディスク１が、記録再生層４の磁化方向
が不安定な状態になるキューり温度ＴＣＩを越え、かつ
記録補助層５のキューリ温度ＴＣｔより低い温度Ｔ厘禽
に制御できることにより、記録再生層４に正しい形状か
つ間隔でビットを形成し得る。

また、第２のレーザパワーＰ□。のレーザ光りの照射間
隔の長短によって、第１のレーザパワーＰ　ＬＯＷのレ
ーザ光りが照射される部分の熱影響をほぼ均一に制御で
きることにより、種々のパルス間隔に対して最適となる
ような第１のレーザパワＦ’ｔｏ−の範囲を広くとるこ
とができる。

以上の構成において、実験によれば、例えば上述のよう
に第２のレーザパワーＰ旧■のレーザ光りを照射した後
、第３のレーザパワーＰ　ＯＦＦを用いてレーザ光りを
消灯制御した場合と、第２のレーザパワーＰＮＩＩ！Ｎ
のレーザ光りを照射した後、直ちに第１のレーザパワー
Ｐ　Ｌ（１１１のレーザ光りを照射する場合とにおける
第１のレーザパワーＰ、。。

の取り得る最大値ＰＬＭ□及び最小値ＰＬＭＩＮは、第
３図に示すように、第２のレーザパワーＰＨＩ＠Ｍのレ
ーザ光の照射間隔に対するパルス幅の比でなるデユーテ
ィに応じて変化する特性を有する。

なお、４ｓ１のレーザパワーＰ　ＬＯｋｌの取り得る最
大値Ｐ　Ｌｎｈｘは、゛記録補助層５を反転する直前ま
で光磁気ディスクｌを昇温するレーザパワーを表し、最
小値Ｐ工、は記録再生層４を反転するために最低限必要
な温度まで光磁気ディスクｌを昇温するレーザパワーを
表す。

また、この実験において、光磁気ディスクｌの線速度、
第２のレーザパワーＰＩＩＩＧＭ及びその照射間隔は、
それぞれ一定の値８　（ｓ／ｓ）　、１７　（■Ｗ〕、
６８　（ｎｓｅｃ）に設定されている。

因に、この実験によれば、第２のレーザパワーＰＨ１゜
誠のレーザ光りを照射した後、直ちに第１のレーザパワ
ーＰｔｏｗのレーザ光りを照射する従来の光強度変調記
録方式の光磁気記録方法の場合、第１のレーザパワーＰ
　ＬＯｋｌの取り得る最大値Ｐ　ＬＮＡ冨、及び最小値
ＰＬＮＩＮ＋は、第３図に実線で示すように、デユーテ
ィが１Ｏ１２０，３０，４０％と大きくなるに従って、
徐々に下降する特性を有する。

これに対して、第２のレーザパワーＰＨ１゜のレーザ光
りを照射した後、第３のレーザパワーＰ　ＯＦＦを用い
てレーザ光りを消灯制御する本発明による光強度変調記
録方式の光磁気記録方法の場合、第１のレーザパワーＰ
　ＬＯＷの取り得る最大値ＰＬＮ□８及び最小値ＰＬＮ
Ｉ□は、第３図に破線で示すように、デユーティがｌＯ
から３０％付近の範囲までほぼ一定の値を保持し、デユ
ーティが３０％を越え４０．５０％と大きくなるに従っ
て、緩やかに下降する特性を有する。

この結果、記録データＤＴ□。を変調して、レーザ駆動
信号Ｄ□を得る際に、例えばデユーティの範囲が１０〜
３３％程度に限定される２−７変調方式を用いれば、第
１のレーザパワーＰ　ＬＯＩＩＩの最大値Ｐ工□及び最
小値ＰＬＮＩＮの取り得る範囲は、従来の光磁気記録方
法の場合、第３図に１点鎖線で示すように、レーザパワ
ーとして６．６〜７．６　（ｍＷ〕程度の範囲ΔＡを有
するのに対して、本発明による光磁気記録方法の場合、
第３図に２点鎖線で示すように、レーザパワーとして６
．６〜Ｂ、４　（ｍＷ〕程度の範囲ΔＢを有し、従来の
レーザパワーの範囲ΔＡに比較して格段的に広い範囲を
有することがわかる。

この結果、種々のパルス間隔に対して最適となるような
第１のレーザパワーＰ　ＬＯＷの範囲が広がることによ
り、第１のレーザパワーＰ　ＬＯＭのパワーマージンを
格段的に増加し得る。

なお実際上、光磁気ディスク１の記録再生層４及び記録
補助層５をそれぞれ第３の状態ＳＴｃ又は第４の状態Ｓ
Ｔ、に制御するディスク温度Ｔ０又はＴ’ｍｔｃまで昇
温するために必要な第１又は第２のレーザパワーｐｔｏ
ｗ又はＰＭＩＧＭは、第４図及び第５図にそれぞれ実線
又は破線で示すように、光磁気ディスク１の温度要因と
しての環境温度及びレーザ光りの照射時間としての光磁
気ディスク１の線速度に応じて変化する特性を有する。

従ってこの実施例の場合には、レーザ発光制御回路１５
において、上述の光磁気ディスクｌの環境温度及び線速
度に応じて、第１及び第２のレーザパワーＰ　ＬＯＷ及
びＰ　ＭｌＧＮを個別に制御して、常に光磁気ディスク
１の記録再生層４及び記録補助層５をそれぞれ第３の状
態ＳＴｃ又は第４の状態ＳＴ、に制御するディスク温度
Ｔ□又はＴＩＥｅまで最適に昇温し得るようになされて
いる。

以上の方法によれば、第２のレーザパワーＰ□。のレー
ザ光りを照射した後、続く所定期間τ、の間、第３のレ
ーザパワーｐ　ｏｖｖを供給して、レーザ光りを消灯制
御するようにしたことにより、光磁気ディスク１の過度
の加熱を未然に防止して、記録データＤＴＩ。に応じて
正しい形状かつ間隔でピットを形成し得る。

なお上述の実施例においては、本発明を多層膜光磁気デ
ィスクに記録情報を記録する光磁気記録方法に通用した
場合について述べたが、記録媒体の形状はディスクに限
らず、例えばカード状又はテープ状の多層膜光磁気記録
媒体等にも広（適用し得る。

Ｈ発明の効果 上述のように本発明によれば、ハイレベルでなるレーザ
パワーを有するレーザ光を照射した後、続く所定期間の
間レーザ光を消灯制御するようにしたことにより、多層
膜光磁気記録媒体の過度の加熱を未然に防止して、記録
情報に応じて正しい形状かつ間隔でピットを形成し得る
光磁気記録方法を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による光磁気記録方法を適用
した光磁気ディスク装置を示す路線図、第２図はその動
作の説明に供する信号波形図、第３図はレーザパワー及
びデユーティの関係を示す特性曲線図、第４図は光磁気
ディスクの温度変化及びレーザパワーの関係を禾す特性
曲線図、第５図は光磁気ディスクの線速度及びレーザパ
ワーの関係を示す特性曲線図、第６図は多層膜光磁気デ
ィスクを示す路線的断面図、第７図は多層膜光磁気ディ
スクの説明に供する特性曲線図、第８図はオーバライド
動作による多層膜光磁気ディスクの状態遷移を示す路線
図である。 １・・・・・・多層膜光磁気ディスク、４・・・・・・
記録再生層、５・・・・・・記録補助層、１０・・・・
・・光磁気ディスク装置、１１・・・・・・光ピツクア
ップ、１２・・・・・・記録磁界発生用永久磁石、１３
−・・・・・補助磁界発生用永久磁石、１４・・・・・
・駆動増幅回路、１５−・・・・・レーザ発光制御回路
。 ＩＱ大１転東ディスクリ 尤ｉ＊気ディスク茨１ 第１図 レー’＋ｔ’発九ｈｎ 第２ｗＪ 惰気Ｔイス７ｏ闇ａし焚Ｃτ爬σＲレーデパワー弗す卿
第５図 １多層順光膳見ディスク 多層膜を線式ディスク 第６図 ダＵ臆カ 第 図 第 図 手続補正書 １．事件の表示 平成１年特許願第６４１７０号 ２、発明の名称 光磁気記録方法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
Ｂ）ソ　ニー株式会社 代表者　　大　賀　典　雄 ４、代　理　人　〒１５０　（電話０３−４７０−６５
９１）居所　東京都渋谷区神宮前三丁目２２番１０号６
、補正の内容 （１）　　明細書、第５頁６行、「温度Ｔ’ｃｔより高
い」を、「温度Ｔｃ！近傍の高いノと訂正する。 （２）同、下記の箇所に、「光強度記録変調方式」とあ
るを、「光強度変調記録方式」と訂正する。 第８頁１５〜１６行、第１０頁４行。 （３）第７図を別紙の通り訂正する。 （４）第８図を別紙の通り訂正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 多層膜光磁気記録媒体に対して、記録情報の値に応じて
   ローレベル又はハイレベルでなる第１又は第２のレーザ
   パワーを有するレーザ光を照射して、上記記録情報を記
   録する光強度変調記録方式の光磁気記録方法において、 上記ハイレベルでなる上記第２のレーザパワーを有する
   上記レーザ光を照射した後、続く所定期間の間、上記レ
   ーザ光を消灯制御するようにしたことを特徴とする光磁
   気記録方法。