JPH0278043A - 光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒体Info
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- JPH0278043A JPH0278043A JP1158370A JP15837089A JPH0278043A JP H0278043 A JPH0278043 A JP H0278043A JP 1158370 A JP1158370 A JP 1158370A JP 15837089 A JP15837089 A JP 15837089A JP H0278043 A JPH0278043 A JP H0278043A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は光磁気記録方法に関し、更に詳しくは記録の重
ね書き（オーバーライド）機能を有する光磁気記録方法
およびそれに使用される光磁気記録媒体に関する。
ね書き（オーバーライド）機能を有する光磁気記録方法
およびそれに使用される光磁気記録媒体に関する。
（従来の技術）
ＴｂＰｅ、 ＴｂＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、 Ｇｄ
ＴｂＰｅ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏ等に代表される希土類
−遷移金属非晶質合金（ａ−ＲＥ−ＴＭ）の薄膜は、膜
面に垂直な方向に磁化容易軸を有し熱的に磁気特性が変
化する。光磁気記録は、ａ−ＲＥ−ＴＭ膜のこのような
特性を利用したもので、ａ−ＲＥ−ＴＭからなる記録層
へレーザーを照射し、保磁力を外部磁界以下に減少させ
て微小反転磁区を形成もしくは消滅させて情報の記録／
消去を行い、極力−回転等の磁気光学効果を利用して情
報の再生を行なう技術である。かかる光磁気記録は光記
録に共通する非接触アクセス性、媒体の可換性、高記録
密度性等の利点を有する反面、磁気記録に比べてオーバ
ーライドがしにくいという短所を有している。
ＴｂＰｅ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏ等に代表される希土類
−遷移金属非晶質合金（ａ−ＲＥ−ＴＭ）の薄膜は、膜
面に垂直な方向に磁化容易軸を有し熱的に磁気特性が変
化する。光磁気記録は、ａ−ＲＥ−ＴＭ膜のこのような
特性を利用したもので、ａ−ＲＥ−ＴＭからなる記録層
へレーザーを照射し、保磁力を外部磁界以下に減少させ
て微小反転磁区を形成もしくは消滅させて情報の記録／
消去を行い、極力−回転等の磁気光学効果を利用して情
報の再生を行なう技術である。かかる光磁気記録は光記
録に共通する非接触アクセス性、媒体の可換性、高記録
密度性等の利点を有する反面、磁気記録に比べてオーバ
ーライドがしにくいという短所を有している。
光磁気記録におけるオーバーライド技術として種々のも
のが提案されているが、最も注目されている技術のひと
つとして光変調方式で、単一ビームで動作するもの（１
ビーム法）がある。かかる技術は、例えば、特開昭６２
−１７５９４８号公報に記載されているように記録再生
層と記録補助層を有する光磁気記録媒体に予め初期補助
磁界を印加し、記録補助層の磁化を所定の向きに揃えて
おいた後、パルス状に変調されたビームを照射し、ビー
ムの強度が高レベルの時にいずれか一方の磁化方向のビ
ットを形成させ、低レベルの時に他方のビットを形成さ
せるものである。しかし、記録再生層と記録補助層は交
換結合２層膜になっており、駒部が困難な交換結合力を
、温度とともに変化する各層の保磁力に対して特殊な大
小関係を持つように制御しなければならず、媒体の製造
が困難である。また、オーバーライドする前に記録補助
層の磁化をある一定の方向にそろえなければならず、数
ＫＯｅを印加できる大型の初期磁化用磁石が必要である
といった技術的難点がある。
のが提案されているが、最も注目されている技術のひと
つとして光変調方式で、単一ビームで動作するもの（１
ビーム法）がある。かかる技術は、例えば、特開昭６２
−１７５９４８号公報に記載されているように記録再生
層と記録補助層を有する光磁気記録媒体に予め初期補助
磁界を印加し、記録補助層の磁化を所定の向きに揃えて
おいた後、パルス状に変調されたビームを照射し、ビー
ムの強度が高レベルの時にいずれか一方の磁化方向のビ
ットを形成させ、低レベルの時に他方のビットを形成さ
せるものである。しかし、記録再生層と記録補助層は交
換結合２層膜になっており、駒部が困難な交換結合力を
、温度とともに変化する各層の保磁力に対して特殊な大
小関係を持つように制御しなければならず、媒体の製造
が困難である。また、オーバーライドする前に記録補助
層の磁化をある一定の方向にそろえなければならず、数
ＫＯｅを印加できる大型の初期磁化用磁石が必要である
といった技術的難点がある。
（発明が解決しようとする課題）
光磁気記録におけるオーバーライド技術として光変調１
ビーム法が有望視されているが、制御が困難で、複雑な
ため、実用に適した光磁気記録方法は得られていない。
ビーム法が有望視されているが、制御が困難で、複雑な
ため、実用に適した光磁気記録方法は得られていない。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであり、
光変調方式で、１ビームパワー変調オーバーライドの可
能な光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒
体を提供することを目的とする。
光変調方式で、１ビームパワー変調オーバーライドの可
能な光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒
体を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、垂直磁気異方性を有する記録層及びバイアス
層が静磁的作用が主の結合作用を及ぼすように積層され
、バイアス層の磁化反転温度が記録層の磁化反転温度よ
り高い光磁気記録媒体に対して、ビーム強度が記録すべ
き２値化情報に従いパルス状に変調されたレーザービー
ムを媒体に照射し、 （ａ） 前記ビーム強度が高レベルの時にバイアス層
の磁化反転温度以上に加熱し反転磁区をつくり、記録層
の磁化反転温度に冷却されるときに漏洩磁界Ａにより記
録層に所定の磁化方向を与え、室温に冷却されるまでに
漏洩磁界Ｂによりバイアス層の磁化の向きを初期状態と
同一にし、（ｂ） 前記ビーム強度が低レベルの時に
記録層の磁化反転温度以上に加熱し、漏洩磁界Ａ′によ
り記録層の磁化の向きを高レベルのレーザービーム照射
時と逆向きにする ことを特徴とする光磁気記録方法。
層が静磁的作用が主の結合作用を及ぼすように積層され
、バイアス層の磁化反転温度が記録層の磁化反転温度よ
り高い光磁気記録媒体に対して、ビーム強度が記録すべ
き２値化情報に従いパルス状に変調されたレーザービー
ムを媒体に照射し、 （ａ） 前記ビーム強度が高レベルの時にバイアス層
の磁化反転温度以上に加熱し反転磁区をつくり、記録層
の磁化反転温度に冷却されるときに漏洩磁界Ａにより記
録層に所定の磁化方向を与え、室温に冷却されるまでに
漏洩磁界Ｂによりバイアス層の磁化の向きを初期状態と
同一にし、（ｂ） 前記ビーム強度が低レベルの時に
記録層の磁化反転温度以上に加熱し、漏洩磁界Ａ′によ
り記録層の磁化の向きを高レベルのレーザービーム照射
時と逆向きにする ことを特徴とする光磁気記録方法。
ここで漏洩磁界とは外部環境一般から印加される漏洩磁
界のことであり、漏洩磁界Ａ及びＡ′は主としてバイア
ス層からの漏洩磁界を意味し、漏洩磁界Ｂは主として記
録層からの漏洩磁界を意味する。
界のことであり、漏洩磁界Ａ及びＡ′は主としてバイア
ス層からの漏洩磁界を意味し、漏洩磁界Ｂは主として記
録層からの漏洩磁界を意味する。
本発明では外部磁界を印加してもよく、レーザービーム
が照射されている間、常に外部磁界を印加しても、ある
いは、媒体温度がバイアス層の磁化反転温度Ｔｗ近傍の
ときに所定方向の外部磁界を印加してもよい。
が照射されている間、常に外部磁界を印加しても、ある
いは、媒体温度がバイアス層の磁化反転温度Ｔｗ近傍の
ときに所定方向の外部磁界を印加してもよい。
一方、本発明の光磁気記録媒体は垂直磁気異方性を有す
る記録層及びバイアス層が静磁的作用が主の結合作用を
及ぼすよう積層される。
る記録層及びバイアス層が静磁的作用が主の結合作用を
及ぼすよう積層される。
記録層またはバイアス層の磁化反転は他層からの交換結
合力によって行うのではなく、両層からの漏洩磁界と必
要であれば外部から印加される磁界とによって行われる
ので記録層とバイアス層は交換結合力を作用し合わない
ように積層され、もし交換結合力が作用している場合で
も交換結合力は漏洩磁界に比べて充分に小さな値にする
のが良い。意図的に交換結合力の介在を防止するには記
録層とバイアス層の間に中間層を設ければ良い。
合力によって行うのではなく、両層からの漏洩磁界と必
要であれば外部から印加される磁界とによって行われる
ので記録層とバイアス層は交換結合力を作用し合わない
ように積層され、もし交換結合力が作用している場合で
も交換結合力は漏洩磁界に比べて充分に小さな値にする
のが良い。意図的に交換結合力の介在を防止するには記
録層とバイアス層の間に中間層を設ければ良い。
記録層とバイアス層の間に中間層を設ける場合には、中
間層の膜厚は格別に限定されるものではなく、材料毎に
再生時のカーエンハンスメント、レーザービームの吸収
効率等を考慮し適宜決定すればよいが、２０００Å以下
が適当である。交換結合力をなくす目的からは数人でよ
く、バイアス層が記録層に充分大きな漏洩磁界を感じさ
せる程度に薄く、また、レーザー照射時にバイアス層が
充分にＴｗまで加熱される程度に薄いことが好ましい。
間層の膜厚は格別に限定されるものではなく、材料毎に
再生時のカーエンハンスメント、レーザービームの吸収
効率等を考慮し適宜決定すればよいが、２０００Å以下
が適当である。交換結合力をなくす目的からは数人でよ
く、バイアス層が記録層に充分大きな漏洩磁界を感じさ
せる程度に薄く、また、レーザー照射時にバイアス層が
充分にＴｗまで加熱される程度に薄いことが好ましい。
このような点から５人〜５００人がより好ましい膜厚で
ある。またバイアス層は再生信号には最初から寄与せず
レーザー照射による熱だけが伝播してくればよいので、
中間層は、不透明でも構わない。
ある。またバイアス層は再生信号には最初から寄与せず
レーザー照射による熱だけが伝播してくればよいので、
中間層は、不透明でも構わない。
バイアス層の膜厚は、記録層に充分大きな漏洩磁界を印
加できる程度に厚く、またレーザー照射時に充分子ｖま
で加熱され得る程度に薄いのが好ましく、２５０人〜５
０００人、より好ましくは１０００人〜３０００人とす
るのが良い。記録層の膜厚は、バイアス層に充分大きい
漏洩磁界を印加できる程度に厚いほうが好ま、しいが、
外部磁界によって補助する方策もある。またレーザー照
射時に磁化反転が起こりうるに充分な温度まで加熱でき
る程度に薄いことが好ましい。従って１００人〜５００
０人、より好ましくは２５０人〜１５００人とするのが
良い。記録層のバイアス層の膜厚は、１００λ未満では
充分な垂直磁気異方性を有する膜がスパッタ法等では得
られにくい。
加できる程度に厚く、またレーザー照射時に充分子ｖま
で加熱され得る程度に薄いのが好ましく、２５０人〜５
０００人、より好ましくは１０００人〜３０００人とす
るのが良い。記録層の膜厚は、バイアス層に充分大きい
漏洩磁界を印加できる程度に厚いほうが好ま、しいが、
外部磁界によって補助する方策もある。またレーザー照
射時に磁化反転が起こりうるに充分な温度まで加熱でき
る程度に薄いことが好ましい。従って１００人〜５００
０人、より好ましくは２５０人〜１５００人とするのが
良い。記録層のバイアス層の膜厚は、１００λ未満では
充分な垂直磁気異方性を有する膜がスパッタ法等では得
られにくい。
（作 用）
本発明の光磁気記録方法は、静磁的作用が主の結合作用
を及ぼすように記録層とバイアス層が積層された光磁気
記録媒体にレーザービームを照射し、ビーム強度が高レ
ベルの時と低レベルの時とで、漏洩磁界が異なるように
することにより、１ビームパワー変調オーバーライドを
実現するものである。
を及ぼすように記録層とバイアス層が積層された光磁気
記録媒体にレーザービームを照射し、ビーム強度が高レ
ベルの時と低レベルの時とで、漏洩磁界が異なるように
することにより、１ビームパワー変調オーバーライドを
実現するものである。
（実施例）
以下、本発明の詳細な説明する。
ｉ）実施例−１
光磁気記録媒体の実施態様の一例として、第２図のよう
な熱磁気特性を持つ磁性体薄膜を第４図のように積層し
た。
な熱磁気特性を持つ磁性体薄膜を第４図のように積層し
た。
第４図は本発明の光磁気記録方法に使用される光磁気記
録媒体の好ましい実施態様の構成断面であり、１は基板
で２は光磁気記録層、３は中間層、４はバイアス層、５
は保護層である。
録媒体の好ましい実施態様の構成断面であり、１は基板
で２は光磁気記録層、３は中間層、４はバイアス層、５
は保護層である。
第２図はこの光磁気記録媒体の記録層及びバイアス層の
熱磁気特性を示すものであり、第（２−ａ）図がバイア
ス層、第（２−ｂ）図が記録層、第（２−ａ） 。
熱磁気特性を示すものであり、第（２−ａ）図がバイア
ス層、第（２−ｂ）図が記録層、第（２−ａ） 。
（２−ｂ）図において実線が保磁力Ｈｃ１破線が磁化Ｍ
ｓを表わしている。また、Ｔａは保持温度、Ｔ Ｒ
，Ｔ Ｂはそれぞれ記録層、バイアスｃｏｍｐ
ｃｏｍｐ 層の磁化が逆転する補償温度、ＴＣＲは記録層のキュリ
ー温度、Ｔｗはバイアス層の磁化反転温度、Ｔ は記録
層の磁化反転温度、Ｔ は記録動作ＣＰ
１ｎｉ時にバイアス層を再磁化反転さ
せる初期化温度である。
ｓを表わしている。また、Ｔａは保持温度、Ｔ Ｒ
，Ｔ Ｂはそれぞれ記録層、バイアスｃｏｍｐ
ｃｏｍｐ 層の磁化が逆転する補償温度、ＴＣＲは記録層のキュリ
ー温度、Ｔｗはバイアス層の磁化反転温度、Ｔ は記録
層の磁化反転温度、Ｔ は記録動作ＣＰ
１ｎｉ時にバイアス層を再磁化反転さ
せる初期化温度である。
そしてこれら記録層およびバイアス層の各温度Ｔ、Ｔ
Ｒ，Ｔｗ、Ｔ Ｂは以下の関係にＣＰ ｅ
ｏｍｐ ｃｏｍｐある。
Ｒ，Ｔｗ、Ｔ Ｂは以下の関係にＣＰ ｅ
ｏｍｐ ｃｏｍｐある。
Ｔ Ｒ＜Ｔ ＜Ｔ Ｂ＜Ｔｗｃｏａｐ
ＣＰ ｃｏｍｐ 第１図に記録動作時におけるレーザー照射部近傍の各温
度における各層の磁化の様子を示す。
ＣＰ ｃｏｍｐ 第１図に記録動作時におけるレーザー照射部近傍の各温
度における各層の磁化の様子を示す。
第１図は磁化の向きのみを矢印で示したもので、反転磁
区が形成されることを縦の線を入れて示した。（１−Ａ
）〜（１−Ｅ）が記録過程、（１−Ｐ）〜（１−１）が
消去過程で、それぞれ各層の各温度における磁化の向き
を示したものである。（１−Ａ）の横に示したＨ は外
部印加磁界を加える場合の、印加磁界ｘ の向きである。
区が形成されることを縦の線を入れて示した。（１−Ａ
）〜（１−Ｅ）が記録過程、（１−Ｐ）〜（１−１）が
消去過程で、それぞれ各層の各温度における磁化の向き
を示したものである。（１−Ａ）の横に示したＨ は外
部印加磁界を加える場合の、印加磁界ｘ の向きである。
第３図は記録過程及び消去過程における記録層（２）と
バイアス層（４）の磁化分布を示したもので、（３−ａ
）及び（３−ｂ）は各々第１図の（１−Ｄ）及び（１−
Ｅ）の状態になる直前のレーザー照射部近傍の磁化の分
布、（３−ｃ）及び（３−ｄ）は各々第１図の（１−Ｈ
）及び（１−１）の状態になる直前のレーザー照射部近
傍の磁化の分布を示す。
バイアス層（４）の磁化分布を示したもので、（３−ａ
）及び（３−ｂ）は各々第１図の（１−Ｄ）及び（１−
Ｅ）の状態になる直前のレーザー照射部近傍の磁化の分
布、（３−ｃ）及び（３−ｄ）は各々第１図の（１−Ｈ
）及び（１−１）の状態になる直前のレーザー照射部近
傍の磁化の分布を示す。
次に本実施例の光磁気記録媒体の記録消去動作を説明す
る。第（１−Ａ）図（以下、第１図の（１−Ａ）を第（
１−Ａ）図というように記述する）は初期状態であり、
何も記載されていない消去状態に相当する。この媒体の
中央部にレーザーを照射したとする。照射された部分の
温度は上昇し、それが記録層２のキュリー温度”ＣＲを
こえると記録層２の磁化は消失する。またこの温度がさ
らに上昇しバイアス層４の補償温度ＴＢをもこえたとき
、バｏｍｐ イアス層４の磁化Ｍｓが逆転し、このとき各層の磁化の
向きは第（１−Ｂ）図のようになる。これよりさらに温
度が上がりＴＮＴｗとなると第（２−ａ）図に示すよう
にバイアス層４の保磁力Ｈｅは下がり、外部印加磁界Ｈ
ｅｘが支配的になるため反転磁区ができ、バイアス層４
の磁化の向きは反転し第（１−ｃ）図のようになる。レ
ーザービームの照射が終了すると媒体は自然冷却される
が、その冷却過程においてＴＮＴ （＜Ｔ Ｂ）
になるとバイＣＰ ｃｏｍｐ アス層４の磁化の向きが下向きになるとともに、主にバ
イアス層４から生ずる漏洩磁界は下向きになる。この様
子を第（３−ａ）図に示す。第（１−ｄ）図の状態は、
ＴＣＲよりわずかに低温の状態で、記録層に磁区が形成
されるとき、または磁区形成直後で記録層のＨｅが小さ
く漏洩磁界程度の大きさでも充分に反転磁区を形成し得
る温度領域である。
る。第（１−Ａ）図（以下、第１図の（１−Ａ）を第（
１−Ａ）図というように記述する）は初期状態であり、
何も記載されていない消去状態に相当する。この媒体の
中央部にレーザーを照射したとする。照射された部分の
温度は上昇し、それが記録層２のキュリー温度”ＣＲを
こえると記録層２の磁化は消失する。またこの温度がさ
らに上昇しバイアス層４の補償温度ＴＢをもこえたとき
、バｏｍｐ イアス層４の磁化Ｍｓが逆転し、このとき各層の磁化の
向きは第（１−Ｂ）図のようになる。これよりさらに温
度が上がりＴＮＴｗとなると第（２−ａ）図に示すよう
にバイアス層４の保磁力Ｈｅは下がり、外部印加磁界Ｈ
ｅｘが支配的になるため反転磁区ができ、バイアス層４
の磁化の向きは反転し第（１−ｃ）図のようになる。レ
ーザービームの照射が終了すると媒体は自然冷却される
が、その冷却過程においてＴＮＴ （＜Ｔ Ｂ）
になるとバイＣＰ ｃｏｍｐ アス層４の磁化の向きが下向きになるとともに、主にバ
イアス層４から生ずる漏洩磁界は下向きになる。この様
子を第（３−ａ）図に示す。第（１−ｄ）図の状態は、
ＴＣＲよりわずかに低温の状態で、記録層に磁区が形成
されるとき、または磁区形成直後で記録層のＨｅが小さ
く漏洩磁界程度の大きさでも充分に反転磁区を形成し得
る温度領域である。
主にバイアス層４から発生する漏洩磁界とＨｅｗのベク
トル和としての漏洩磁界の膜に垂直な成分が下向きにな
るようにｉ柱体材料、膜厚、ＨｅＸが設定されているの
で、（バイアス層４の磁化が転写されることより）、記
録層２には下向きの磁区が形成され、第（１−Ｄ）図の
ようになる。さらに冷却されてＴＮＴ （＜Ｔ
Ｒ）となると、主ｉｎｉ ｃｏｍｐ として記録層２からの漏洩磁界は第（１−Ｅ）図におい
て上向きとなり、かつバイアス層４のＨｅは第（２−ａ
）図に示すように低下する。Ｔ ＲＡＴ〜ｏｍｐ Ｔ のときの磁化の様子を第（３−ｂ）図に示す。
トル和としての漏洩磁界の膜に垂直な成分が下向きにな
るようにｉ柱体材料、膜厚、ＨｅＸが設定されているの
で、（バイアス層４の磁化が転写されることより）、記
録層２には下向きの磁区が形成され、第（１−Ｄ）図の
ようになる。さらに冷却されてＴＮＴ （＜Ｔ
Ｒ）となると、主ｉｎｉ ｃｏｍｐ として記録層２からの漏洩磁界は第（１−Ｅ）図におい
て上向きとなり、かつバイアス層４のＨｅは第（２−ａ
）図に示すように低下する。Ｔ ＲＡＴ〜ｏｍｐ Ｔ のときの磁化の様子を第（３−ｂ）図に示す。
ｎ１
このとき記録層２からの漏洩磁界が上向きで、かつＨ（
Ｔ）より大きくなるように磁性体材ＣＢ ｌｎ１ 料、膜厚、Ｈｅｘが設定されているので、バイアス層の
磁化は再反転し、第（１−Ｅ）図のようになる。
Ｔ）より大きくなるように磁性体材ＣＢ ｌｎ１ 料、膜厚、Ｈｅｘが設定されているので、バイアス層の
磁化は再反転し、第（１−Ｅ）図のようになる。
このままＴａでこの状態が保たれて記録層２に反転磁区
が形成されている「記録状態」となる。
が形成されている「記録状態」となる。
消去動作を次に説明する。記録状態である第（１−Ｆ）
図で記録部分にレーザーが照射される。このとき照射部
の温度が上昇し、！己録層２゛の補償温度Ｔｃｏ■ｐＲ
を超えると記録層２の磁化が逆転し、第（１−Ｇ）図の
ようになる。その後さらに温度が上昇し、Ｔ〜ＴＣＰと
なるとバイアス層４からの漏洩磁界は第（３−ｃ）図で
わかるように下向きであるが、バイアス層４に反転磁区
がないため第（３−ａ）図の場合に比べて磁界強度は小
さくなる。Ｈｅｘは上向きで、漏洩磁界が上向きとなる
ように磁性体材料。
図で記録部分にレーザーが照射される。このとき照射部
の温度が上昇し、！己録層２゛の補償温度Ｔｃｏ■ｐＲ
を超えると記録層２の磁化が逆転し、第（１−Ｇ）図の
ようになる。その後さらに温度が上昇し、Ｔ〜ＴＣＰと
なるとバイアス層４からの漏洩磁界は第（３−ｃ）図で
わかるように下向きであるが、バイアス層４に反転磁区
がないため第（３−ａ）図の場合に比べて磁界強度は小
さくなる。Ｈｅｘは上向きで、漏洩磁界が上向きとなる
ように磁性体材料。
膜厚、Ｈｅｗが設定されいるので”ＣＲよりわかすに低
温の状態で記録層２に磁区が形成されるとき、または磁
区形成直後で記録層２のＨｅが小さく、漏洩磁界程度の
大きさでも充分に反転磁区を形成し得る温度領域で記録
層２には再反転された磁区が形成され、第（１−Ｈ）図
のようになる。このあと媒体温度がＴＲを通過しＴ〜Ｔ
になるとｃｏｍｐ ｌｎｌ 記録層２の磁化が逆転するが、記録動作のときのような
バイアス層４を反転させるような大きい漏洩磁界は存在
せず、そのままＴａのままで持ちきたされて第（１−１
）図のような「消去状態」となる。
温の状態で記録層２に磁区が形成されるとき、または磁
区形成直後で記録層２のＨｅが小さく、漏洩磁界程度の
大きさでも充分に反転磁区を形成し得る温度領域で記録
層２には再反転された磁区が形成され、第（１−Ｈ）図
のようになる。このあと媒体温度がＴＲを通過しＴ〜Ｔ
になるとｃｏｍｐ ｌｎｌ 記録層２の磁化が逆転するが、記録動作のときのような
バイアス層４を反転させるような大きい漏洩磁界は存在
せず、そのままＴａのままで持ちきたされて第（１−１
）図のような「消去状態」となる。
いちど消去状態になると、その後何度Ｔ。、温度まで上
昇させても上記の過程がくり返されるだけで特開昭６２
−８０８４６号公報に開示されるＨｌｐ−ｆｌｏｐ記録
媒体のような消去動作の前にいちど記録を読んで消去パ
ワーを加えるかどうかの判定を行う必要はない。
昇させても上記の過程がくり返されるだけで特開昭６２
−８０８４６号公報に開示されるＨｌｐ−ｆｌｏｐ記録
媒体のような消去動作の前にいちど記録を読んで消去パ
ワーを加えるかどうかの判定を行う必要はない。
以上が本実施例の原理的な説明である。このように本発
明では、既記録内容の如何んにかかわらず、高レベルの
レーザービームにより「記憶状態」が、低レベルのレー
ザービームにより「消去状態」が形成される。すなわち
、新たに記録すべき情報信号に応じて高レベルと低レベ
ル間で強度変調されたレーザービームを照射゛すること
によって、高速オーバーライドが実現される。このため
従来のバイアス層を有する光磁気記録媒体で高速オーバ
ーライドを行なう場合に必要とした、既記録の磁区を検
出するためのレーザービームを必要とせず、１ヘツド・
１ビ一ム方式の簡易な構成で高速オーバーライドが可能
となり、消去マージンも十分に確保される。
明では、既記録内容の如何んにかかわらず、高レベルの
レーザービームにより「記憶状態」が、低レベルのレー
ザービームにより「消去状態」が形成される。すなわち
、新たに記録すべき情報信号に応じて高レベルと低レベ
ル間で強度変調されたレーザービームを照射゛すること
によって、高速オーバーライドが実現される。このため
従来のバイアス層を有する光磁気記録媒体で高速オーバ
ーライドを行なう場合に必要とした、既記録の磁区を検
出するためのレーザービームを必要とせず、１ヘツド・
１ビ一ム方式の簡易な構成で高速オーバーライドが可能
となり、消去マージンも十分に確保される。
さらに、記録及び消去時に外部印加磁界Ｈｅｘを付与す
る場合でも、その磁界の向き及び強度は記録時と消去時
とで等しくてよく、また磁界強度そのものも数百０ｅ程
度と小さくて済むので、装置が小型となり、光学ヘッド
内のサーボ用電磁駆動系への悪影響という問題も回避さ
れる。
る場合でも、その磁界の向き及び強度は記録時と消去時
とで等しくてよく、また磁界強度そのものも数百０ｅ程
度と小さくて済むので、装置が小型となり、光学ヘッド
内のサーボ用電磁駆動系への悪影響という問題も回避さ
れる。
また、再生レーザーパワーはＴ。Ｐ以下の温度上昇をも
たらすパワーであれば良く、再生中の媒体がＴＲ以上に
なってもよい。その他、従来のｏＩＯｐ オーバーライド媒体もしくは方式に対して、（１）バイ
アス層、記録層共に補償点の有無に関係なく、材料及び
組成の選択範囲が広い （２）制御の難かしい交換結合
作用を用いない （３）記録、初期化等の外部磁界印加
手段を必ずしも必要としない等の優位性を有している。
たらすパワーであれば良く、再生中の媒体がＴＲ以上に
なってもよい。その他、従来のｏＩＯｐ オーバーライド媒体もしくは方式に対して、（１）バイ
アス層、記録層共に補償点の有無に関係なく、材料及び
組成の選択範囲が広い （２）制御の難かしい交換結合
作用を用いない （３）記録、初期化等の外部磁界印加
手段を必ずしも必要としない等の優位性を有している。
ｉｉ）実験例−１
実施例１と同様な方法で第４図に示すような構造の光磁
気記録媒体を作製した。バイアス層を１０００人のＴｂ
２□Ｆ ８７ ｇとしたところ、補償温度１２８℃であ
った。この光磁気記録媒体にレーザービームを照射した
ときの（）喘イアス層が磁化反転していない状態で、中
心温度が１９０℃のときの）漏洩磁界の大きさを調べた
。中間層の膜厚に対するバイアス層から記録層に印加さ
れる漏洩磁界の大きさを第１表に示す。中間層が２００
人のときの漏洩磁界の約５０％の漏洩磁界を確保する第
１表 ｉｉ）実験例−２ 次に、実験例１と同様な方法で光磁気記録媒体を作製し
、バイアス層を１０００人の”ｄＯ，７Ｔｂ０．３）０
．２５ｃｏ０．７５としたところ、補償温度１２５℃で
あった。この光磁気記録媒体にレーザービームを照射し
たときの（バイアス層が磁化反転していない状態で、中
心温度が１８０℃のときの）漏洩磁界の大きさを調べた
。中間層の膜厚に対するバイアス層から記録層に印加さ
れる漏洩磁界の大きさを第１表に示す。中間層が２００
人のときの漏洩磁界の約５０％の漏洩磁界を確保する第
１表 第５図に示す熱磁気特性を持つバイアス層、記録層を用
いて、第４図に示した構造の本発明による光磁気記録膜
を作製した。５．２５’φのトラッキンググループ付ガ
ラスを基板１上に順に膜厚１５００人のＴＢ２３Ｆｅ７
７の組成の記録層２、膜厚１００人の５ｆ−Ｎの中間層
３、膜厚２０００人の（Ｇ’Ｏ”、 ５Ｔｂ０．５）０
．２８”０．７２の組成のバイアス層４、膜厚１ｏｏｏ
人の８１−Ｎ保護膜をそれぞれＲＦスパッタリング法に
より連続して成膜した。ＴＢｃｏｎ＋ｐ −１８３℃、Ｔ Ｒ−１１２℃、ＴｃＲ−１３７
゜ｏｆｆｉｐ ℃、Ｈｅｘ＝５０００ｅである。以下第１図及び第３図
を参照しながら説明する。Ｔｗ−２８０℃でバイアス層
４に反転磁区ができ（第（１−ｃ）図）、ＴＣＰ−１４
０℃にまで冷却すると、スポット中心におけるバイアス
層の漏洩磁界は約７３００ｅとなりＨｅｘと差し引きで
、第３図の（３−ａ）において下向き約２３００ｅとな
り、記録層２に反転磁区が形成され第（１−Ｄ）図のご
とくなる。さらに冷却されてＴ −９０℃になると
スポット中心におｎＩ ける記録層２の漏洩磁界を約３７００ｅとなり、Ｈｅｘ
と合わせて、第３図（３−ｂ）において上向きに約８７
００ｅ＞バイアス層の９０℃の保磁力ＨＣＢ（９０℃）
＝６１００ｅどなりバイアス層は再磁化反転し第（１−
Ｅ）図のごとくなる。消去過程では、第３図（３−ｃ）
においてＴ ｃｐ−１４０℃でスポット中心におけるバ
イアス層４の漏洩磁界は約１７００ｅであり、Ｈｅｘと
差し引き、第３図（３−ｃ）において上向きに約３３０
０ｅとなり、第（１−Ｈ）のごとくなり消去が実現でき
る。線速約１０ｍ／ｓｅｃで高レベルパワー１０ｍＷ、
低レベルパワー６ｍＷでＩＭＨｚの記録信号と２ ＭＨ
ｚの記録信号との間の１ビームオーバーライドを実現し
た。また、１．５ａ＋Ｗで再生を行っても信号に何ら変
化は見られなかった。
気記録媒体を作製した。バイアス層を１０００人のＴｂ
２□Ｆ ８７ ｇとしたところ、補償温度１２８℃であ
った。この光磁気記録媒体にレーザービームを照射した
ときの（）喘イアス層が磁化反転していない状態で、中
心温度が１９０℃のときの）漏洩磁界の大きさを調べた
。中間層の膜厚に対するバイアス層から記録層に印加さ
れる漏洩磁界の大きさを第１表に示す。中間層が２００
人のときの漏洩磁界の約５０％の漏洩磁界を確保する第
１表 ｉｉ）実験例−２ 次に、実験例１と同様な方法で光磁気記録媒体を作製し
、バイアス層を１０００人の”ｄＯ，７Ｔｂ０．３）０
．２５ｃｏ０．７５としたところ、補償温度１２５℃で
あった。この光磁気記録媒体にレーザービームを照射し
たときの（バイアス層が磁化反転していない状態で、中
心温度が１８０℃のときの）漏洩磁界の大きさを調べた
。中間層の膜厚に対するバイアス層から記録層に印加さ
れる漏洩磁界の大きさを第１表に示す。中間層が２００
人のときの漏洩磁界の約５０％の漏洩磁界を確保する第
１表 第５図に示す熱磁気特性を持つバイアス層、記録層を用
いて、第４図に示した構造の本発明による光磁気記録膜
を作製した。５．２５’φのトラッキンググループ付ガ
ラスを基板１上に順に膜厚１５００人のＴＢ２３Ｆｅ７
７の組成の記録層２、膜厚１００人の５ｆ−Ｎの中間層
３、膜厚２０００人の（Ｇ’Ｏ”、 ５Ｔｂ０．５）０
．２８”０．７２の組成のバイアス層４、膜厚１ｏｏｏ
人の８１−Ｎ保護膜をそれぞれＲＦスパッタリング法に
より連続して成膜した。ＴＢｃｏｎ＋ｐ −１８３℃、Ｔ Ｒ−１１２℃、ＴｃＲ−１３７
゜ｏｆｆｉｐ ℃、Ｈｅｘ＝５０００ｅである。以下第１図及び第３図
を参照しながら説明する。Ｔｗ−２８０℃でバイアス層
４に反転磁区ができ（第（１−ｃ）図）、ＴＣＰ−１４
０℃にまで冷却すると、スポット中心におけるバイアス
層の漏洩磁界は約７３００ｅとなりＨｅｘと差し引きで
、第３図の（３−ａ）において下向き約２３００ｅとな
り、記録層２に反転磁区が形成され第（１−Ｄ）図のご
とくなる。さらに冷却されてＴ −９０℃になると
スポット中心におｎＩ ける記録層２の漏洩磁界を約３７００ｅとなり、Ｈｅｘ
と合わせて、第３図（３−ｂ）において上向きに約８７
００ｅ＞バイアス層の９０℃の保磁力ＨＣＢ（９０℃）
＝６１００ｅどなりバイアス層は再磁化反転し第（１−
Ｅ）図のごとくなる。消去過程では、第３図（３−ｃ）
においてＴ ｃｐ−１４０℃でスポット中心におけるバ
イアス層４の漏洩磁界は約１７００ｅであり、Ｈｅｘと
差し引き、第３図（３−ｃ）において上向きに約３３０
０ｅとなり、第（１−Ｈ）のごとくなり消去が実現でき
る。線速約１０ｍ／ｓｅｃで高レベルパワー１０ｍＷ、
低レベルパワー６ｍＷでＩＭＨｚの記録信号と２ ＭＨ
ｚの記録信号との間の１ビームオーバーライドを実現し
た。また、１．５ａ＋Ｗで再生を行っても信号に何ら変
化は見られなかった。
■）実施例−３
実施例−１と同様な方法及び構造で、第６図の熱磁気特
性を持つバイアス層４、記録層２を用いて本発明による
光磁気記録膜を作製した。ただし、記録層２は膜厚１５
００人のＴｂ Ｆｅ ％バイアス層４は膜厚１５０
０人の”’０．７Ｔｂ０．３）０．２５”０．７５、中
間層３は膜厚２００人の５ｉ−Ｎを用いた。
性を持つバイアス層４、記録層２を用いて本発明による
光磁気記録膜を作製した。ただし、記録層２は膜厚１５
００人のＴｂ Ｆｅ ％バイアス層４は膜厚１５０
０人の”’０．７Ｔｂ０．３）０．２５”０．７５、中
間層３は膜厚２００人の５ｉ−Ｎを用いた。
Ｔ Ｂ−１２４℃、ＴｏＲ−１６２℃であり記録ｏ
Ｉｌｐ 層２には補償点はない。またこの実施・例の場合、記録
層の磁化反転温度Ｔ 、バイアス層の補償温Ｐ 度ＴＢ、バイアス層の磁化反転温度Ｔｗの間ｏＩｌｐ にはＴＣＰ＜ＴｃｏＩｌｌｐＢ＜ＴＶの関係がある。記
録、消去動作時の各温度における各層の磁化の様子をそ
れぞ第７図に示す。第７図の意味するところは第１図と
同じである。
Ｉｌｐ 層２には補償点はない。またこの実施・例の場合、記録
層の磁化反転温度Ｔ 、バイアス層の補償温Ｐ 度ＴＢ、バイアス層の磁化反転温度Ｔｗの間ｏＩｌｐ にはＴＣＰ＜ＴｃｏＩｌｌｐＢ＜ＴＶの関係がある。記
録、消去動作時の各温度における各層の磁化の様子をそ
れぞ第７図に示す。第７図の意味するところは第１図と
同じである。
第（７−ｃ）図のようにバイアス層４に反転磁区が形成
された、ＴＣＰ−１６０℃において、スポット中心での
バイアス層の漏洩磁界は第８図（８−ａ）において上向
きに約２３００ｅであり、このとき記録層２に磁化が転
写されて第（？−Ｄ）図のようになる。Ｔ −８０℃
ではスポット中心で記録層ｎ１ ２の漏洩磁界は第８図（８−ｂ）において上向きに約５
４００ ｅ ＞ ＨｃＢ（８０） −４３００ｅでバイ
アス層４は再磁化反転されて第（７−Ｅ）図のようにな
る。
された、ＴＣＰ−１６０℃において、スポット中心での
バイアス層の漏洩磁界は第８図（８−ａ）において上向
きに約２３００ｅであり、このとき記録層２に磁化が転
写されて第（？−Ｄ）図のようになる。Ｔ −８０℃
ではスポット中心で記録層ｎ１ ２の漏洩磁界は第８図（８−ｂ）において上向きに約５
４００ ｅ ＞ ＨｃＢ（８０） −４３００ｅでバイ
アス層４は再磁化反転されて第（７−Ｅ）図のようにな
る。
消去過程ではＴＣＰ−１４０℃で第８図（８−ｃ）にお
いて、バイアス層４の漏洩磁界がした向きに約４７００
ｅとなり、記録層２に下向きの磁化が転写される第（７
−Ｇ）図のようになる。以上のようにＨｅｘなしでダイ
レクトオーバーライドが可能で、線速約１０ｍ／ｓｅｅ
高レベルパワー９ｆｆｉｗ、低レベルパワー５ｍＷでＩ
ＭＨｚの記録信号と２ ＭＨｚの記録信号の間で１ビ
ームオーバーライドを実現した。また、ｉ、５ｍＶで再
生を行っても信号に何ら変化は見られなかった。
いて、バイアス層４の漏洩磁界がした向きに約４７００
ｅとなり、記録層２に下向きの磁化が転写される第（７
−Ｇ）図のようになる。以上のようにＨｅｘなしでダイ
レクトオーバーライドが可能で、線速約１０ｍ／ｓｅｅ
高レベルパワー９ｆｆｉｗ、低レベルパワー５ｍＷでＩ
ＭＨｚの記録信号と２ ＭＨｚの記録信号の間で１ビ
ームオーバーライドを実現した。また、ｉ、５ｍＶで再
生を行っても信号に何ら変化は見られなかった。
上記したように本発明によればレーザー照射によって選
択された２つの温度領域において、記録層の磁化を可逆
的に反転することの可能な１ビームパワー変調オーバー
ライド可能な新しい光磁気記録方法及びそれに使用され
る光磁気記録媒体を提供できる。
択された２つの温度領域において、記録層の磁化を可逆
的に反転することの可能な１ビームパワー変調オーバー
ライド可能な新しい光磁気記録方法及びそれに使用され
る光磁気記録媒体を提供できる。
第１図は本発明の光磁気記録方法の好ましい実施態様、
第２図は記録層、バイアス層の熱磁気特性の好ましい実
施態様、第３図は記録動作及び消去動作時の各温度にお
ける各層の磁化分子の様子、第４図は本発明の光磁気記
録媒体の一実施例の断面図、第５図は記録層、バイアス
層の熱磁気特性の好ましい一実施態様、第６図は記録層
、バイアス層の熱磁気特性の好ましい一実施態様、第７
図、第８図は、第６図の記録層、バイアス層を用いたと
きの、記録動作時の各温度における各層の磁化の様子及
び消去動作時の各温度における各層の磁化の様子である
。 １・・・基板、 ２・・・光磁気記録層、３
・・・中間層、 ４・・・バイアス層、５・・・
保護層。
第２図は記録層、バイアス層の熱磁気特性の好ましい実
施態様、第３図は記録動作及び消去動作時の各温度にお
ける各層の磁化分子の様子、第４図は本発明の光磁気記
録媒体の一実施例の断面図、第５図は記録層、バイアス
層の熱磁気特性の好ましい一実施態様、第６図は記録層
、バイアス層の熱磁気特性の好ましい一実施態様、第７
図、第８図は、第６図の記録層、バイアス層を用いたと
きの、記録動作時の各温度における各層の磁化の様子及
び消去動作時の各温度における各層の磁化の様子である
。 １・・・基板、 ２・・・光磁気記録層、３
・・・中間層、 ４・・・バイアス層、５・・・
保護層。
Claims (6)
- （１）垂直磁気異方性を有する記録層及びバイアス層が
静磁的作用が主の結合作用を及ぼすように積層され、バ
イアス層の磁化反転温度が記録層の磁化反転温度より高
い光磁気記録媒体に対して、ビーム強度が記録すべき２
値化情報に従いパルス状に変調されたレーザービームを
媒体に照射し、 （ａ）前記ビーム強度が高レベルの時にバイアス層の磁
化反転温度Ｔｗ以上に加熱し反転磁区をつくり、記録層
の磁化反転温度Ｔ＿Ｃ＿Ｐに冷却されるときに漏洩磁界
Ａにより記録層に所定の磁化方向を与え、室温に冷却さ
れるまでに漏洩磁界Ｂによりバイアス層の磁化の向きを
初期状態と同一にし、 （ｂ）前記ビーム強度が低レベルの時に記録層の磁化反
転温度Ｔ＿Ｃ＿Ｐ以上に加熱し、漏洩磁界Ａ′により記
録層の磁化の向きを高レベルのレーザービーム照射時と
逆向きにする ことを特徴とする光磁気記録方法。 - （２）光磁気記録媒体にレーザービームを照射する際、
媒体温度がバイアス層の磁化反転温度Ｔｗ近傍のときに
所定方向の外部磁界を印加することを特徴とする請求項
１記載の光磁気記録方法。 - （３）垂直磁気異方性を有する記録層及びバイアス層が
静磁的作用が主の結合作用を及ぼすよう積層され、記録
層の磁化反転温度をＴ＿Ｃ＿Ｐ、記録層の磁化が逆転す
る補償温度をＴ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐＲ、バイアス層の磁化
反転温度をＴｗ、バイアス層の磁化が逆転する補償温度
をＴ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐＢとしたとき、これらが下記の関
係を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。 Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐＲ＜Ｔ＿Ｃ＿Ｐ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿
ｐＢ＜Ｔｗ - （４）垂直磁気異方性を有する記録層及びバイアス層が
静磁的作用が主の結合作用を及ぼすよう積層され、記録
層は補償点を持たず、磁化反転温度をＴ＿Ｃ＿Ｐ、バイ
アス層の磁化反転温度をＴｗ、バイアス層の磁化が逆転
する補償温度をＴ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐＢとしたとき、これ
らが下記の関係を満たすことを特徴する光磁気記録媒体
。 Ｔ＿Ｃ＿Ｐ＜Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐＢ＜Ｔｗ - （５）垂直磁気異方性を有する記録層及びバイアス層と
、これら記録層とバイアス層の間に介在され誘導体から
なる中間層とが積層され、バイアス層の磁化反転温度が
記録層の磁化反転温度より高いことを特徴とする光磁気
記録媒体。 - （６）前記中間層の膜厚が２０００Å以下であることを
特徴とする請求項５記載の光磁気記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15354888 | 1988-06-23 | ||
| JP63-153548 | 1988-06-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0278043A true JPH0278043A (ja) | 1990-03-19 |
| JP3078550B2 JP3078550B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=15564917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01158370A Expired - Fee Related JP3078550B2 (ja) | 1988-06-23 | 1989-06-22 | 光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5105400A (ja) |
| EP (1) | EP0348198A3 (ja) |
| JP (1) | JP3078550B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3015475B2 (ja) * | 1990-01-31 | 2000-03-06 | 株式会社東芝 | 光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒体 |
| JPH04255947A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-10 | Sony Corp | 光磁気記録方法と光磁気記録再生装置 |
| US5282095A (en) * | 1991-04-24 | 1994-01-25 | U.S. Philips Corporation | Direct over-write magneto-optical recording medium having multiple recording layers, and method of recording new information by directly overwriting pre-existing recorded information on such medium |
| JPH05217236A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-27 | Sony Corp | 光磁気記録方法 |
| US5359579A (en) * | 1992-07-10 | 1994-10-25 | Nec Corporation | Magneto-optical recording method and medium for recording three-value information |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778652A (en) * | 1980-11-01 | 1982-05-17 | Daido Steel Co Ltd | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
| JP2521908B2 (ja) * | 1985-06-11 | 1996-08-07 | 株式会社ニコン | オ―バ―ライト可能な光磁気記録方法、それに使用される光磁気記録装置及び光磁気記録媒体、並びに変調方法、変調装置及び光磁気記録媒体 |
| US4794560A (en) * | 1985-09-30 | 1988-12-27 | International Business Machines Corporation | Eraseable self biasing thermal magneto-optic medium |
| US4649519A (en) * | 1985-09-30 | 1987-03-10 | International Business Machines Corporation | Self biasing thermal magneto-optic medium |
| JPH07105082B2 (ja) * | 1985-11-28 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH0695404B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1994-11-24 | ソニー株式会社 | 光磁気記録方法 |
| CA1322408C (en) * | 1986-08-20 | 1993-09-21 | Tomiji Tanaka | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled double layer structure of perpendicular anisotropy film |
| JP2570270B2 (ja) * | 1986-10-08 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | ツービームによる光磁気記録方法及び装置 |
-
1989
- 1989-06-22 EP EP19890306314 patent/EP0348198A3/en not_active Withdrawn
- 1989-06-22 JP JP01158370A patent/JP3078550B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-23 US US07/370,764 patent/US5105400A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3078550B2 (ja) | 2000-08-21 |
| EP0348198A3 (en) | 1991-01-16 |
| EP0348198A2 (en) | 1989-12-27 |
| US5105400A (en) | 1992-04-14 |
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