JPH02245579A - ガスケツト - Google Patents
ガスケツトInfo
- Publication number
- JPH02245579A JPH02245579A JP6372389A JP6372389A JPH02245579A JP H02245579 A JPH02245579 A JP H02245579A JP 6372389 A JP6372389 A JP 6372389A JP 6372389 A JP6372389 A JP 6372389A JP H02245579 A JPH02245579 A JP H02245579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gasket
- gold
- silver
- copper
- niobium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Gasket Seals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フランジに設けられたナイフェツジの食い込
みにより、真空シールするガスケットの被覆材料及びそ
の構造に関する。
みにより、真空シールするガスケットの被覆材料及びそ
の構造に関する。
従来の真空シール用の金属ガスケットについては、真空
技術：共立出版（１９８５）第５１９頁から第５３０頁
において論じられている。ナイフェツジによるシール用
ガスケットとして用いられる材料は、銅または銀または
金あるいはアルミニウムである。
技術：共立出版（１９８５）第５１９頁から第５３０頁
において論じられている。ナイフェツジによるシール用
ガスケットとして用いられる材料は、銅または銀または
金あるいはアルミニウムである。
上記従来技術では、銅または銀または金あるいはアルミ
ニウムから成るガスケットを、ガリウムやインジウムを
用いる分子線エピタキシ装置の環境下において、ナイフ
ェツジを有するフランジの真空シール用ガスケットとし
て使用する場合、ガリウムやインジウムによるガスケッ
トの侵食については配慮がされておらず、ガリウムやイ
ンジウムの中にガスケットが溶は出し、ガスケットの部
分からリークが発生するという問題があった。
ニウムから成るガスケットを、ガリウムやインジウムを
用いる分子線エピタキシ装置の環境下において、ナイフ
ェツジを有するフランジの真空シール用ガスケットとし
て使用する場合、ガリウムやインジウムによるガスケッ
トの侵食については配慮がされておらず、ガリウムやイ
ンジウムの中にガスケットが溶は出し、ガスケットの部
分からリークが発生するという問題があった。
本発明の目的は、分子線エピタキシ装置において、ガリ
ウムやインジウムによって侵食されないガスケットを提
供することにある。
ウムやインジウムによって侵食されないガスケットを提
供することにある。
上記目的を達成するために、銅製ガスケットまたは銀製
ガスケットまたは金製ガスケットあるいはアルミニウム
製ガスケットの表面を、タンタルまたはチタンまたはタ
ングステンまたはモリブデンあるいはニオブで被覆した
ものである。
ガスケットまたは金製ガスケットあるいはアルミニウム
製ガスケットの表面を、タンタルまたはチタンまたはタ
ングステンまたはモリブデンあるいはニオブで被覆した
ものである。
さらに、前記銅製ガスケットまたは銀製ガスケットまた
は金製ガスケットあるいはアルミニウム製ガスケットの
表面を銀あるいは金で被覆し、その上にタンタルまたは
チタンまたはタングステンまたはモリブデンあるいはニ
オブを被覆すれば、被覆材の付着力が強化されるので、
シール時のナイフェツジの食い込みによっても、被覆材
が割れたり剥離することはない。
は金製ガスケットあるいはアルミニウム製ガスケットの
表面を銀あるいは金で被覆し、その上にタンタルまたは
チタンまたはタングステンまたはモリブデンあるいはニ
オブを被覆すれば、被覆材の付着力が強化されるので、
シール時のナイフェツジの食い込みによっても、被覆材
が割れたり剥離することはない。
前記ガスケットが、分子線エピタキシ装置で用いるガリ
ウムやインジウムと接触しても、ガスケットの表面の被
覆材がガリウムやインジウムと反応しないので、ガスケ
ットは侵食されることはない、また、タンタルまたはチ
タンまたはタングステンまたはモリブデンあるいはニオ
ブは、ガスケットの表面層のみであるため、ガスケット
本来のシール特性は損なわれることがない、したがって
分子線エピタキシ装置において、前記ガスケットによっ
てシールしたフランジ部からリークすることはなくなる
。
ウムやインジウムと接触しても、ガスケットの表面の被
覆材がガリウムやインジウムと反応しないので、ガスケ
ットは侵食されることはない、また、タンタルまたはチ
タンまたはタングステンまたはモリブデンあるいはニオ
ブは、ガスケットの表面層のみであるため、ガスケット
本来のシール特性は損なわれることがない、したがって
分子線エピタキシ装置において、前記ガスケットによっ
てシールしたフランジ部からリークすることはなくなる
。
以下、本発明の一実施例を第１図および第２図により説
明する。
明する。
第１図は、銅または銀または金あるいはアルミニウム製
のガスケット１の表面に、タンタル２（またはチタンま
たはタングステンまたはモリブデンあるいはニオブ）を
被覆したガスケットである。
のガスケット１の表面に、タンタル２（またはチタンま
たはタングステンまたはモリブデンあるいはニオブ）を
被覆したガスケットである。
本実施例によるガスケットは、ガスケットの表面をタン
タルまたはチタンまたはタングステンまたはモリブデン
あるいはニオブによって５μｍ程度被覆しているため１
分子線エピタキシ装置に用いた場合、分子線源から照射
されるガリウムあるいはインジウムが、ガスケットに接
触してもガスケットは侵食されることはない、また、内
部が銅または銀または金あるいはアルミニウムであり。
タルまたはチタンまたはタングステンまたはモリブデン
あるいはニオブによって５μｍ程度被覆しているため１
分子線エピタキシ装置に用いた場合、分子線源から照射
されるガリウムあるいはインジウムが、ガスケットに接
触してもガスケットは侵食されることはない、また、内
部が銅または銀または金あるいはアルミニウムであり。
ガスケットの表面を被覆した金属は５μｍ程度であるた
め、フランジに設けられたナイフェツジ部によって食い
込ませることが可能である。
め、フランジに設けられたナイフェツジ部によって食い
込ませることが可能である。
第２図は銅（または銀または金あるいはアルミニウム製
）のガスケット１の表面を銀２（あるいは金）で被覆し
、さらにその上にタンタル３（またはチタンまたはタン
グステンまたはモリブデンあるいはニオブ）を被覆した
ガスケットである。
）のガスケット１の表面を銀２（あるいは金）で被覆し
、さらにその上にタンタル３（またはチタンまたはタン
グステンまたはモリブデンあるいはニオブ）を被覆した
ガスケットである。
このガスケットは、銅（または銀または金あるいはアル
ミニウム）製のガスケットの上に、銀（あるいは金）で
１μｍ程度被覆することにより、スパッタ装置等でその
上に被覆するタンタル（またはチタンまたはタングステ
ンまたはモリブデンあるいはニオブ）の密着性は高くな
り、その厚みも１０μｍから３０μｍ程度まで厚くして
も剥離されることはない。
ミニウム）製のガスケットの上に、銀（あるいは金）で
１μｍ程度被覆することにより、スパッタ装置等でその
上に被覆するタンタル（またはチタンまたはタングステ
ンまたはモリブデンあるいはニオブ）の密着性は高くな
り、その厚みも１０μｍから３０μｍ程度まで厚くして
も剥離されることはない。
本発明は、以上説明したように構成されているので、下
記に記載されるような効果を奏する。
記に記載されるような効果を奏する。
ガスケットの内部は銅または銀または金あるいはアルミ
ニウムでできているため、真空フランジに設けられたナ
イフェツジはガスケットに十分食い込むことが可能であ
り、真空シール特性は確保されている。その結果、この
ガスケットを分子線エピタキシ装置に使用した場合、ガ
リウムあるいはインジウムがガスケットを侵食してリー
クが発生することはなくなり、分子線エピタキシ装置を
停止してガスケットを取り変えることはなくなる。
ニウムでできているため、真空フランジに設けられたナ
イフェツジはガスケットに十分食い込むことが可能であ
り、真空シール特性は確保されている。その結果、この
ガスケットを分子線エピタキシ装置に使用した場合、ガ
リウムあるいはインジウムがガスケットを侵食してリー
クが発生することはなくなり、分子線エピタキシ装置を
停止してガスケットを取り変えることはなくなる。
また、本発明のガスケットを分子線エピタキシ装置に用
いることで、装置にガリウムあるいはインジウム溜めを
配置する必要はなくなる。さらに、ガリウムあるいはイ
ンジウム溜めを配置しなくても良いため、フランジの取
付位置は自由に配置することが可能となる。
いることで、装置にガリウムあるいはインジウム溜めを
配置する必要はなくなる。さらに、ガリウムあるいはイ
ンジウム溜めを配置しなくても良いため、フランジの取
付位置は自由に配置することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例のガスケットの断面図、第２
図は銅または銀または金あるいはアルミニウムの上を銀
あるいは金で被覆し、その上をタンタルまたはチタンま
たはタングステンまたはモリブデンあるいはニオブで被
覆したガスケットの断面図である。 １・・・銅または銀または金あるいはアルミニウム、２
・・・タンタルまたはチタンまたはタングステンまたは
モリブデンあるいはニオブ、 ３・・・銀あるいは 金。
図は銅または銀または金あるいはアルミニウムの上を銀
あるいは金で被覆し、その上をタンタルまたはチタンま
たはタングステンまたはモリブデンあるいはニオブで被
覆したガスケットの断面図である。 １・・・銅または銀または金あるいはアルミニウム、２
・・・タンタルまたはチタンまたはタングステンまたは
モリブデンあるいはニオブ、 ３・・・銀あるいは 金。
Claims (1)
- １、フランジに設けられたナイフエッジの食い込みによ
り、真空シールを可能とする銅ガスケットにおいて、前
記銅ガスケットの表面にタンタルまたはチタンまたはタ
ングステンまたはモリブデンあるいはニオブを被覆した
ことを特徴とするガスケット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6372389A JPH02245579A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | ガスケツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6372389A JPH02245579A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | ガスケツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02245579A true JPH02245579A (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=13237607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6372389A Pending JPH02245579A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | ガスケツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02245579A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7354675B2 (en) * | 1999-10-07 | 2008-04-08 | Proton Energy Systems, Inc. | Apparatus and method for maintaining compression of the active area in an electrochemical cell |
| JP2008267603A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Air Products & Chemicals Inc | 複合シール |
| JP2009287630A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sanden Corp | 媒体使用系における締結部構造 |
| JP2025043581A (ja) * | 2023-09-19 | 2025-04-01 | アンリツ株式会社 | Ｘ線発生器及びこれを備えたｘ線検査装置 |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP6372389A patent/JPH02245579A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7354675B2 (en) * | 1999-10-07 | 2008-04-08 | Proton Energy Systems, Inc. | Apparatus and method for maintaining compression of the active area in an electrochemical cell |
| JP2008267603A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Air Products & Chemicals Inc | 複合シール |
| JP2009287630A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sanden Corp | 媒体使用系における締結部構造 |
| JP2025043581A (ja) * | 2023-09-19 | 2025-04-01 | アンリツ株式会社 | Ｘ線発生器及びこれを備えたｘ線検査装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920010886A (ko) | 박막 형성 방법 및 그에 의해 형성된 반도체장치 | |
| JPH02245579A (ja) | ガスケツト | |
| KR900002253A (ko) | 자기기록 매체의 제조방법 | |
| JPS5925031B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
| US6867134B2 (en) | Adherent all-gold electrode structure for lithium niobate based devices and the method of fabrication | |
| JP2939751B2 (ja) | 分割スパッタリングターゲット | |
| US4686559A (en) | Topside sealing of integrated circuit device | |
| JPH01188764A (ja) | 高真空用ガスケツト | |
| JPS58210166A (ja) | スパツタ装置 | |
| US2158640A (en) | Electron discharge device | |
| JPH02159372A (ja) | スパッタリングターゲット用保護容器 | |
| JP4187138B2 (ja) | 封止構造 | |
| JPH11236663A (ja) | スパッタリングターゲット、スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
| EP0103521A3 (fr) | Perfectionnements aux substrats revêtus d'une couche mince d'oxyde de platine, aux dispositifs d'obtention des substrats ainsi revêtus, et aux produits obtenus à partir de tels substrats revêtus | |
| JPS5943546B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPS60197873A (ja) | スパツタリング装置における絶縁物タ−ゲツト用ア−スシ−ルド装置 | |
| JPH07292465A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS63303064A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS57158035A (en) | Magnetic storage body | |
| JPH02153067A (ja) | スパッタリング装置のシールド体 | |
| JPH023677Y2 (ja) | ||
| JPH02301559A (ja) | 一体構造型スパッタリングターゲット | |
| JPS63103073A (ja) | 真空用アルミニウム容器 | |
| US20010042963A1 (en) | High pressure seal | |
| US3710537A (en) | Method for sealing the cutting or separation surfaces of radioactive foils |