JPH02246199A - 高周波モジュールのシールド構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 セラミックス基板に所望の高周波回路を設けた複数の回
路装置を、同一の金属ケース内に収容して構成する高周
波モジュールにかかわり、特にそのシールド構造に関し
、 金属ケース内に収容した高周波回路装置間のシールドの
信鯨度が高くて、漏話の発生する恐れがない、高周波モ
ジュールのシールド構造を提供することを目的とし、 底板に垂直に設けた仕切板によって、上部が開口した金
属ケース内を所望に仕切り、セラミックス基板上に構成
したそれぞれの高周波回路を、仕切ったそれぞれの領域
に実装し、隣接する仕切板間の連通部に配線する接続線
を介して、該セラミックス基板相互を接続するよう構成
した高周波モジュールにおいて、前記仕切板の上端面に
下面が密着する主板部材と、該主板部材の上面に並列に
配設した弾性ある弾接片と、該主板部材の両側縁が屈曲
してなり前記仕切板の側壁に挟着する一対の側板と、該
側板の下部の前記接続線に対応する位置に設けた切欠と
を有する、金属板よりなる断面視逆Ｕ字形のシールド板
を用い、該シールド板が前記仕切板に架橋嵌着し、蓋が
前記金属ケースの開口に密着封止された状態で、該弾接
片が該蓋の内面に弾接するような構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、セラミックス基板に所望の高周波回路を設け
た複数の回路装置を、同一の金属ケース内に収容して構
成する高周波モジュールにかかわり、特にそのシールド
構造に関する。

通信機器等においては、異なる機能を有する高周波回路
を回路基板に構成した装置、例えば受信したマイクロ波
信号を一度中間周波数信号に変換し増幅する中間周波数
増幅器、増幅された信号を再びマイクロ波信号に変換す
る周波数変換装置等の異なる機能を有する装置を、同一
の金属ケース１に収容して、構成部品の簡素化、装置の
小形化をはかった、高周波モジュールが広く用いられて
いる。

このような高周波モジュールにおいては、ケース自体を
シールド構造にすることは勿論のこと、高周波回路装置
相互間も電磁的にシールドする必要がある。

〔従来の技術〕

第４図は従来の高周波モジュールの斜視図であって、１
は、所望の金属材（例えば熱膨張係数がセラミックス基
板の熱膨張係数にほぼ等しい鉄・ニッケル・コバルト合
金）よりなる、上部が開口した箱形の金属ケース１であ
る。

そして、金属ケース１内に所望の高周波回路装置を実装
した後に、金属ケース１の開口に、金属ケース１と同材
料の板厚の薄い角板形の蓋２を被せ、蓋２の４周縁を金
属ケース１の側壁の上端面にシーム溶接等することで、
金属ケース１を電磁的にシールドしている。

一方、３−１は、底端面が金属ケースの底板に、一方の
側端面が金属ケースの選択した側壁にそれぞれ鑞付けさ
れた、板厚が薄い角板状の金属ケース１と同材料よりな
る仕切板である。

また、３−２は、底端面が金属ケースの底板に、一方の
側端面が他方の側壁にそれぞれ鑞付けされ、他方の側端
面が仕切板３−１０側端面に所望に大きい間隙、即ち連
通部４を介して対向するように固着された、板厚が薄い
角板状の金属ケース１と同材料よりなる仕切板である。

これらの仕切板３−１．３−２の高さは相等しく、且つ
、金属ケース１の側壁の高さよりもわずかに低い。

２つの高周波回路装置を収容する金属ケース１は、上述
のようにして金属ケース内の空間を一対の仕切板３−１
．３−２で２領域に仕切っである。但し両高周波回路装
置を接続する接続線路を配線するために、両者の空間は
連通部４で連通している。

なお、金属ケース１の内面、仕切板の表面、及び蓋２の
下面は、総て金メツキしである。

一方、５Ａ、５Ｂはそれぞれセラミックス基板であって
、表面にそれぞれ所望のチップ部品６を表面実装し、さ
らに膜回路等を形成することで、所望の高周波回路が構
成されている。

また、セラミックス基板５＾、５Ｂの底面には、金を蒸
着する等して導体層を設けである。

そして、仕切板３−１．３−２で仕切った一方の領域の
底板上に、セラミックス基板５Ａの底面を密接させ、導
電性接着材等を用いてセラミックス基板５Ａを実装して
いる。さらに他方の領域の底板上に、他のセラミックス
基板５Ｂの底面を密接させ、導電性接着材等を用いてセ
ラミックス基板５Ｂを実装している。

また、セラミックス基板５Ａ、５Ｂの連通部４に対応す
る部分に所望のパターンを設け、連通部４を通って配線
される例えば金線等よりなる接続線８の端部を、ぞれぞ
れのパターンの端末に熱圧着することで、両筒周波回路
装置を電気的に接続している。

なお、それぞれの高周波回路装置は、金属ケースｌの底
板部等に設けたガラス封止端子７を介して、外部に接続
されている。

上述のように構成された高周波モジュールは、蓋２を金
属ケース１に固着する際に、仕切板と蓋２とをシーム溶
接することが、非常に困難である。

よって、蓋２と仕切板３−１．３−２の上端面３Ａとの
間に間隙が存在することになり、画商周波回路装置間に
漏話が生ずる恐れがある。

したがって、従来は第４図に図示したように、仕切板３
−１．３−２のそれぞれの上端面３Ａに、等ピッチで金
リボン１０を配設しである。これらの金リボン１０は、
一方の端部のみを熱圧着することで、仕切板に固着され
ている。

よって、蓋２を金属ケース１に固着すると、金リボン１
０が蓋２と仕切板の上端面との間隙に挿入され、蓋と仕
切板とが金リボン１０を介して接触する。即ち、両筒周
波回路装置は電磁的に遮断される。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、セラミックス基板５Ａ、５Ｂを実装した
それぞれの領域は、連通部４を介して連結している。し
たがって、この連通部４を介して漏話が生ずるという問
題点があった。

また、金リボン１０はばね性に乏しいので、時間が経過
すると仕切板の上端面に密着する恐れがある。その結果
金リボンＩＯが蓋の内面に接触しなくなり、シールド性
能が低下するという問題点があった。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、金属
ケース内に収容した高周波回路装置間のシールドの信頼
度が高くて、漏話の発生する恐れがない、高周波モジュ
ールのシールド構造を提供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために本発明は、第１図に例示し
たように、底板に垂直に設けた仕切板３−１．３−２に
よって、上部が開口した金属ケース内を所望に仕切り、
セラミックス基板５＾、５Ｂ上に構成されたそれぞれの
高周波回路を、仕切ったそれぞれの領域に実装し、隣接
する仕切板間の連通部４に配線する接続線８を介して、
セラミックス基板５Ａ、５Ｂ相互を接続するよう構成さ
れた高周波モジュールにおいて、それぞれの仕切板３−
１　、３−２の上端面３Ａに下面が密着する主板部材２
１と、主板部材２１の上面に並列に配設した弾性ある弾
接片２３と、主板部材２１の両側縁を屈曲して設けた仕
切板３−１゜３−２の側壁に挟着する一対の側板２２と
、側板２２の下部の接続線８に対応する位置に設けた切
欠２４とを有する、金属板よりなる断面視逆Ｕ字形のシ
ールド板２０を設ける。

そして、シールド板２０を仕切板３−１．３−２に架橋
し嵌着し、蓋２を金属ケース１の開口に密着封止して、
弾接片２３が蓋２の内面に弾接するような構成とする。

〔作用〕

上述のように連通部４を介して隣接する仕切板３−１．
３−２には、シールド１ｔＩｉ２０を架橋する如くに嵌
着しである。よって、連通部４はシールド板２０の側板
２２によって電磁的に遮断される。

なお、側板２２の下部に切欠２４を設けであるので、接
続線８は切欠２４部分を通って配線されることになり、
連通部４のシールド性能が高い。

一方、シールド板２０の主板部材２１には、弾性ある金
属板よりなる弾接片２３を、並列して所望のピッチで配
列しである。

したがって、弾接片２３が蓋２の内面に常時弾接し、仕
切板と蓋との間隙部分が安定してシールドされる。

〔実施例〕

以下図を参照しながら、本発明を具体的に説明する。な
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。

第１図は本発明の一実施例を分離した形出示す斜視図、
第２図は本発明の実施例の断面図、第３図は本発明の他
の実施例のシールド板の斜視図である。

第１図、第２図において、金属ケース１は、上部が開口
した箱形で、熱膨張係数がセラミックス基板の熱膨張係
数にほぼ等しい金属材を用いている。

そして、金属ケース１内に所望の高周波回路を設けたセ
ラミックス基板５Ａ、５Ｂを実装した後に、金属ケース
１の開口に、板厚の薄い角板形の蓋２を被せ、蓋２の４
周縁を金属ケース１の側壁の上端面にシーム溶接等する
ことで、金属ケース１を電磁的にシールドするようにな
っている。

一方、仕切板３−１の底端面を金属ケースの底板に、一
方の側端面を金属ケースの選択した側壁にそれぞれ鑞付
けして、仕切板３−１を金属ケース１内に固着しである
。

また、仕切板３−２の底端面を金属ケースの底板に、一
方の側端面を他方の側壁にそれぞれ鑞付けして、仕切板
３−２を仕切板３−１に隣接して固着しである。この際
、仕切板３−１と仕切板３−２の側端面は所望に大きい
間隙、即ち連通部４を介して対向している。また、これ
らの仕切板３−１．３−２の高さは相等しく、且つ、金
属ケース１の側壁の高さよりもわずかに低い。

セラミックス基板５Ａの表面に、所望のチップ部品６を
表面実装し、さらに膜回路を形成して、所望の機能を備
えた高周波回路を構成しである。また、他のセラミック
ス基板５Ｂの表面にも、所望のチップ部品６を表面実装
し、さらに膜回路を形成して、セラミックス基板５Ａと
は異なる機能を備えた高周波回路を構成しである。

そして、仕切板３−１．３−２で仕切った一方の領域の
底板上に、導電性接着材等を用いてセラミックス基板５
Ａを実装し、他方の領域の底板上に導電性接着材等を用
いてセラミックス基板５Ｂを実装している。

また、セラミックス基板５Ａ、５Ｂの連通部４に対応す
る部分に所望のパターンを設け、連通部４を通って配線
される例えば金線等よりなる接続線８の端部を、ぞれぞ
れのパターンの端末に熱圧着することで、画商周波回路
装置を電気的に接続している。

なお、それぞれの高周波回路装置は、金属ケース１の底
板部等に設けたガラス封止端子７を介して、外部に接続
されている。

２０は、鋼等の弾性ある金属板を所望の形状に加工し、
さらに表面に金めつきを施したシールド板である。

シールド板２０は、それぞれの仕切板３−１．３−２の
上端面３Ａに下面が密着する細長い主板部材２１と、主
板部材２１０両側縁を対向するようにほぼ直角に折り曲
げ、仕切板３−１．３−２の側壁３Ｂを挟着する一対の
側板２２とで構成される、断面視逆Ｕ字形のシールド板
である。

シールド板２０の長さは、金属ケース１の幅、即ち（仕
切板３−１．３−２の上端面長＋連通部４の間隙幅）に
ほぼ等しく、側板２２の高さは、金属ケース１の深さよ
りもわずかに小さい。

シールド板２０には、それぞれが小角片形で一側縁が主
板部材２１に連結し、対向する側縁が斜め上方に突出す
るように、主板部材２１を部分的に切り起こして、弾接
片２３を並列に配設しである。

また、側板２２の下部で接続線８に対応する位置には、
半円形の切欠２４を設けである。

そして、シールド板２０を仕切板３−１．３−２に架橋
するように位置合わせし、シールド板２０を押圧して、
側板２２を仕切板３−１．３−２の側壁３Ｂに弾接させ
ることで、シールド板２０を仕切板に嵌着させている。

したがって、第２図で示すように仕切板の上部には、多
数の弾接片２３が配列する。

この状態で、蓋２を金属ケース１の開口に密着させシー
ム溶接して封止すると、弾接片２３が蓋２の内面に弾接
する。

したがって、仕切板と蓋との間隙部分が安定してシール
ドされる。

また、接続線８近傍を除く連通部４のほぼ全面が、側板
２２で遮蔽されているので、連通部４も電磁的に遮断さ
れる。

また、シールド板２０は押圧するだけで仕切板に嵌着す
ることができるので、装着作業が容易である。またシー
ルド板２０は鋼等を金めつきしたものであるので、従来
の多数の金リボンを用いたものより、材料費が安価であ
る。

なお、図示例は、隣接する一対の仕切板で、金属ケース
内を２つの領域に仕切ったものであるが、本発明のシー
ルド板は、金属ケースを３つ或いは４つの領域に仕切っ
たものに適用できることは勿論である。

一方、第３図に示すシールド板２０−１は、主板部材２
１の表面に弾接片２３を千鳥の２列に配列したものであ
る。また側板２２はスリット２５により所望の小側板に
分割しである。

このように弾接片２３を千鳥に設けることで、蓋２とシ
ールド板２０−１との接触部が多数となるので、シール
ド性能が第１図に示したものに比較して、より高（なる
。

また、側板２２を多数に分割したことで、仕切板の側壁
面に多少の凹凸があっても、側板がより良く密着すると
いうメリットがある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、仕切板部に多数の弾接片
を有する、断面逆Ｕ字形のシールド板を嵌着するという
高周波モジュールのシールド構造であって、金属ケース
内に収容した高周波回路装置間のシールドの信幀度が高
（て、漏話が発生する恐れがないばかりでなく、シール
ド板の装着の作業性が良く、且つ低コストであるという
、実用上で優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

１・ 第１図は本発明の実施例を分離した形÷示す斜視図、 第２図は本発明の実施例の断面図、 第３図は本発明の他の実施例のシールド板の斜視図、 第４図は従来例の斜視図である。 図において、 １は金属ケース、　　　　　　２は蓋、３−１．３−２
は仕切板、　　　　３Ａは上端面、３Ｂは側壁、　　　
　　　　　４は連通部、５Ａ、５Ｂはセラミックス基板
、６はチップ部品、７はガラス封止端子、　　　８は接
続線、１０は金リボン、　　　　　　２１は主板部材、
２０．２０−１はシールド板、　　２２は側板、２３は
弾接片、　　　　　　　２４は切欠、２５はスリットを
それぞれ示す。 Ａ（イご日月の官が＝ｉ・１Σ今威ｌＬまた外多了゛ｒ
、イ４升ＪＬ図第　１　　図 本発明ｎ剣にイケｌ／）時面圓 あ 図 木老明のイ屯のｔｉ：托捌のシールド坂め４１子見ｄ岡
第 図 イ芝米脅１０飼７′／Ｌ図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　底板に垂直に設けた仕切板（３−１，３−２，・・）
   によって、上部が開口した金属ケース（１）内を所望に
   仕切り、セラミックス基板（５Ａ，５Ｂ，・・）上に構
   成したそれぞれの高周波回路を、仕切ったそれぞれの領
   域に実装し、隣接する仕切板間の連通部（４）に配線す
   る接続線（８）を介して、該セラミックス基板（５Ａ，
   ５Ｂ，・・）相互を接続するよう構成した高周波モジュ
   ールにおいて、 前記仕切板の上端面（３Ａ）に下面が密着する主板部材
   （２１）と、該主板部材（２１）の上面に並列に配設し
   た弾性ある弾接片（２３）と、該主板部材（２１）の両
   側縁が屈曲してなり前記仕切板の側壁に挟着する一対の
   側板（２２）と、該側板（２２）の下部の前記接続線（
   ８）に対応する位置に設けた切欠（２４）とを有する、
   金属板よりなる断面視逆Ｕ字形のシールド板（２０）を
   用い、 該シールド板（２０）が前記仕切板（３−１，３−２，
   ・・）に架橋嵌着し、蓋（２）が前記金属ケース（１）
   の開口に密着封止された状態で、該弾接片（２３）が該
   蓋（２）の内面に弾接するよう構成されたことを特徴と
   する高周波モジュールのシールド構造。