JPS6110321Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6110321Y2 JPS6110321Y2 JP16425880U JP16425880U JPS6110321Y2 JP S6110321 Y2 JPS6110321 Y2 JP S6110321Y2 JP 16425880 U JP16425880 U JP 16425880U JP 16425880 U JP16425880 U JP 16425880U JP S6110321 Y2 JPS6110321 Y2 JP S6110321Y2
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- JP
- Japan
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- dielectric substrates
- metal foil
- metal
- substrates
- connects
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、マイクロストリツプ線路を用いて構
成したマイクロ波回路が表面に形成されている誘
電体基板を金属箔を用いて接続して一体化し、こ
れら一体化された誘電体基板を金属板あるいは金
属ケースに接着したマイクロ波回路装置の構造に
関する。
成したマイクロ波回路が表面に形成されている誘
電体基板を金属箔を用いて接続して一体化し、こ
れら一体化された誘電体基板を金属板あるいは金
属ケースに接着したマイクロ波回路装置の構造に
関する。
ここで、誘電体基板上にマイクロストリツプ線
路を用いて構成した従来のマイクロ波集積回路の
構造を第1図a,bに示す。即ち、誘電体基板1
は裏面に一様な金属膜が形成され、表面にはマイ
クロ波回路2が形成される。このマイクロ波回路
2には入出力線路端子3a,3bが設けられる。
而して前記誘電体基板1は金属板よりなりキヤリ
アプレート4に半田等の導電性の接着剤で固定さ
れる。第2図a,bは第1図に示したマイクロ波
回路構造を一単位とし、これを複数個用い、ケー
スに入れた場合の従来例で、単位マイクロ波回路
構造5a〜5cはケース6内に装着され、このケ
ース6には入出力コネクタ7a,7bが設けられ
る。マイクロ波回路構造5a〜5cの入出力端子
間は金属箔8a,8bで接続する。しかしなが
ら、このような構造ではマイクロ波回路構造間9
a,9bおよび入出力端子部9c,9dにすき間
が生ずる。このすき間は回路全体のマイクロ波特
性に悪影響を与え、特にすき間により回路間に不
整合が生ずるため、単位回路で最適に調整して
も、ケースに組み込んだ後に再度の調整をする必
要があつた。また、上記の欠点を補う他の従来例
として第3図a,bに示すように、一枚のキヤリ
アプレート10上に複数個の誘電体基板11a〜
11cを固定する方法がある。しかしながら、こ
の構造においては誘電体基板11a〜11cをキ
ヤリアプレート10に半田等を用いて固定する場
合、半田の量が多いと基板間のすき間に半田がし
み出して、基板の入出力端子間を接続している金
属箔12a,12bと短絡することがあつた。ま
たしみ出しをなくすために半田の量を少なくする
と接着力が不足するという欠点があつた。なお、
第3図a,bに示した従来例においては、複数個
の誘電体基板11a〜11cを一枚化する方法も
考えられる。しかし、誘電体基板の寸法が大きく
なるため、半田付け工程での温度変化で誘電体基
板とキヤリアプレートの熱膨張係数の差によるひ
ずみ応力が生じ、誘電体基板が割れたりするとい
う欠点があつた。本考案は上記の欠点を除去する
もので、マイクロストリツプ線路を含むマイクロ
波回路が表面に形成された誘電体基板を複数個接
続する場合に、接続される誘電体基板の下面同志
および上面の一部分間同志を金属箔で接続するこ
とで一体化し、一体化された前記誘電体基板を金
属板あるいは金属ケース底部に接着した構造を有
するマイクロ波回路装置を提供することを目的と
する。
路を用いて構成した従来のマイクロ波集積回路の
構造を第1図a,bに示す。即ち、誘電体基板1
は裏面に一様な金属膜が形成され、表面にはマイ
クロ波回路2が形成される。このマイクロ波回路
2には入出力線路端子3a,3bが設けられる。
而して前記誘電体基板1は金属板よりなりキヤリ
アプレート4に半田等の導電性の接着剤で固定さ
れる。第2図a,bは第1図に示したマイクロ波
回路構造を一単位とし、これを複数個用い、ケー
スに入れた場合の従来例で、単位マイクロ波回路
構造5a〜5cはケース6内に装着され、このケ
ース6には入出力コネクタ7a,7bが設けられ
る。マイクロ波回路構造5a〜5cの入出力端子
間は金属箔8a,8bで接続する。しかしなが
ら、このような構造ではマイクロ波回路構造間9
a,9bおよび入出力端子部9c,9dにすき間
が生ずる。このすき間は回路全体のマイクロ波特
性に悪影響を与え、特にすき間により回路間に不
整合が生ずるため、単位回路で最適に調整して
も、ケースに組み込んだ後に再度の調整をする必
要があつた。また、上記の欠点を補う他の従来例
として第3図a,bに示すように、一枚のキヤリ
アプレート10上に複数個の誘電体基板11a〜
11cを固定する方法がある。しかしながら、こ
の構造においては誘電体基板11a〜11cをキ
ヤリアプレート10に半田等を用いて固定する場
合、半田の量が多いと基板間のすき間に半田がし
み出して、基板の入出力端子間を接続している金
属箔12a,12bと短絡することがあつた。ま
たしみ出しをなくすために半田の量を少なくする
と接着力が不足するという欠点があつた。なお、
第3図a,bに示した従来例においては、複数個
の誘電体基板11a〜11cを一枚化する方法も
考えられる。しかし、誘電体基板の寸法が大きく
なるため、半田付け工程での温度変化で誘電体基
板とキヤリアプレートの熱膨張係数の差によるひ
ずみ応力が生じ、誘電体基板が割れたりするとい
う欠点があつた。本考案は上記の欠点を除去する
もので、マイクロストリツプ線路を含むマイクロ
波回路が表面に形成された誘電体基板を複数個接
続する場合に、接続される誘電体基板の下面同志
および上面の一部分間同志を金属箔で接続するこ
とで一体化し、一体化された前記誘電体基板を金
属板あるいは金属ケース底部に接着した構造を有
するマイクロ波回路装置を提供することを目的と
する。
以下図面を参照して本考案の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第4図a,b,cは本考案の一実施例を示し、
2枚の誘電体基板13a,13bは互いに所定間
隔で隣り合うように配列されており、その上面に
はそれぞれ対応してマイクロストリツプ線路を用
いて構成したマイクロ波回路部14a,14bが
設けられ、このマイクロ波回路部14a,14b
にはそれぞれ対応してマイクロストリツプ線路を
用いて構成した入出力端子部15a,15b,1
5c,15dが設けられる。而して、前記2枚の
誘電体基板13a,13bを互に接続する場合、
誘電体基板13a,13bそれぞれの両側縁近傍
で隣り合う上面間に金属箔16a,16bが設け
られ、また、誘電体基板13a,13bの隣り合
う下面には、誘電体基板相互間の間隙を解消する
ように、例えば幅いつぱいとなるよう誘電体基板
とほぼ同一幅の金属箔17が設けられる。これら
金属箔16a,16b,17と誘電体基板13
a,13bの下面に一様に形成した金属膜および
表面の一部に設けてある金属膜パターンとをパラ
レルギヤツプウエルダ等により溶接することによ
り、2枚の誘電体基板13a,13bを接続す
る。このように接続した複数個の誘電体基板13
a,13bを第3図に示したように一枚の金属板
の上に半田等を用いて固定する場合には、下面に
金属箔17を設けているため半田等が基板13
a,13bの間にしみ出すことを防ぐことができ
る。また、この方法でも基板13a,13b間に
すき間は生ずるが、すき間の深さは誘電体基板1
3a,13bの厚みのみであり、第2図に示した
従来例に比べて浅いため、マイクロ波特性に与え
る影響を十分小さくできる。さらに、半田付へ工
程での温度変化に対しても基板13a,13b間
を接続している金属箔16a,16b,17がひ
ずみ応力を吸収するため、基板13a,13bが
割れることを防止できる。なお上記の長所を生か
すためには誘電体基板の下面に金属箔17を設け
るだけで充分であるが、下面のみでは作業中に接
続部の金属箔17が折れ曲ることがあり作業能率
が悪くなる。とくに、誘電体基板の枚数が多い場
合に顕著になるため、誘電体基板13a,13b
上部にも金属箔16a,16bを設けることで作
業能率を向上させることができる。
2枚の誘電体基板13a,13bは互いに所定間
隔で隣り合うように配列されており、その上面に
はそれぞれ対応してマイクロストリツプ線路を用
いて構成したマイクロ波回路部14a,14bが
設けられ、このマイクロ波回路部14a,14b
にはそれぞれ対応してマイクロストリツプ線路を
用いて構成した入出力端子部15a,15b,1
5c,15dが設けられる。而して、前記2枚の
誘電体基板13a,13bを互に接続する場合、
誘電体基板13a,13bそれぞれの両側縁近傍
で隣り合う上面間に金属箔16a,16bが設け
られ、また、誘電体基板13a,13bの隣り合
う下面には、誘電体基板相互間の間隙を解消する
ように、例えば幅いつぱいとなるよう誘電体基板
とほぼ同一幅の金属箔17が設けられる。これら
金属箔16a,16b,17と誘電体基板13
a,13bの下面に一様に形成した金属膜および
表面の一部に設けてある金属膜パターンとをパラ
レルギヤツプウエルダ等により溶接することによ
り、2枚の誘電体基板13a,13bを接続す
る。このように接続した複数個の誘電体基板13
a,13bを第3図に示したように一枚の金属板
の上に半田等を用いて固定する場合には、下面に
金属箔17を設けているため半田等が基板13
a,13bの間にしみ出すことを防ぐことができ
る。また、この方法でも基板13a,13b間に
すき間は生ずるが、すき間の深さは誘電体基板1
3a,13bの厚みのみであり、第2図に示した
従来例に比べて浅いため、マイクロ波特性に与え
る影響を十分小さくできる。さらに、半田付へ工
程での温度変化に対しても基板13a,13b間
を接続している金属箔16a,16b,17がひ
ずみ応力を吸収するため、基板13a,13bが
割れることを防止できる。なお上記の長所を生か
すためには誘電体基板の下面に金属箔17を設け
るだけで充分であるが、下面のみでは作業中に接
続部の金属箔17が折れ曲ることがあり作業能率
が悪くなる。とくに、誘電体基板の枚数が多い場
合に顕著になるため、誘電体基板13a,13b
上部にも金属箔16a,16bを設けることで作
業能率を向上させることができる。
一方、マイクロ波回路が形成された誘電体基板
を金属ケースに組込む場合、ケースの寸法によつ
て決定される導波管モードが伝搬するのを防ぐた
めに第2図に示したケースの内部寸法aは使用周
波数の自由室間波長λ0に対してa<λ1/2と
する必要がある。しかし、単極双投スイツチ、ミ
キサ等のように3個以上の入出力端子を必要とす
る回路では導波管モードをおさえるために第5図
a,bに示すように金属ケース18の構造をT字
形にする場合がある。したがつて一枚の誘電体基
板上にマイクロ波回路を構成するにはケースの形
状に合わせて、誘電体基板をT字形に切断する必
要がある。しかしながら、誘電体基板を切断した
場合、とくにかどの部分にはひずみ応力が集中す
るため、半田付け等の工程での温度変化によつて
誘電体基板が割れることがある。そこで、第5図
a,bに示すように2枚の基板19a,19bを
用いてT字形に配置し、基板19a,19bの接
続部に金属箔20a,20b,21を設けて基板
を接続することにより、基板の機械的ひずみが除
去されるため、半田付け等の工程での、基板が割
れることを防ぐことができる。
を金属ケースに組込む場合、ケースの寸法によつ
て決定される導波管モードが伝搬するのを防ぐた
めに第2図に示したケースの内部寸法aは使用周
波数の自由室間波長λ0に対してa<λ1/2と
する必要がある。しかし、単極双投スイツチ、ミ
キサ等のように3個以上の入出力端子を必要とす
る回路では導波管モードをおさえるために第5図
a,bに示すように金属ケース18の構造をT字
形にする場合がある。したがつて一枚の誘電体基
板上にマイクロ波回路を構成するにはケースの形
状に合わせて、誘電体基板をT字形に切断する必
要がある。しかしながら、誘電体基板を切断した
場合、とくにかどの部分にはひずみ応力が集中す
るため、半田付け等の工程での温度変化によつて
誘電体基板が割れることがある。そこで、第5図
a,bに示すように2枚の基板19a,19bを
用いてT字形に配置し、基板19a,19bの接
続部に金属箔20a,20b,21を設けて基板
を接続することにより、基板の機械的ひずみが除
去されるため、半田付け等の工程での、基板が割
れることを防ぐことができる。
以上述べたように本考案によれば、複数個の誘
電体基板上に構成されたマイクロ波回路を容易に
相互接続でき、金属板あるいは金属ケースへの半
田付け工程において、基板間の半田のしみ出し、
温度変化による基板の割れ等を防ぐことができ、
さらに作業性の良いマイクロ波回路装置を提供す
ることができる。
電体基板上に構成されたマイクロ波回路を容易に
相互接続でき、金属板あるいは金属ケースへの半
田付け工程において、基板間の半田のしみ出し、
温度変化による基板の割れ等を防ぐことができ、
さらに作業性の良いマイクロ波回路装置を提供す
ることができる。
第1図a,bは従来の誘電体基板上に構成した
マイクロ波回路と、それを固定するための金属板
を示す上面図及び端面図、第2図a,bはマイク
ロ波回路が表面に形成された複数個の誘電体基板
をケースに組込んだ従来の例を示す上面図及び断
面図、第3図a,bはマイクロ波回路を表面に形
成した複数個の誘電体基板を金属板に固定した従
来の例を示す上面図及び断面図、第4図a,b,
cは本考案の一実施例を示す上面図、断面図及び
下面図、第5図a,bは本考案の他の実施例を示
す上面図及び側面図である。 13a,13b……誘電体基板、14a,14
b……マイクロ波回路部、15a,15b,15
c,15d……入出力端子部、16a,16b,
17……金属箔、18……金属ケース。
マイクロ波回路と、それを固定するための金属板
を示す上面図及び端面図、第2図a,bはマイク
ロ波回路が表面に形成された複数個の誘電体基板
をケースに組込んだ従来の例を示す上面図及び断
面図、第3図a,bはマイクロ波回路を表面に形
成した複数個の誘電体基板を金属板に固定した従
来の例を示す上面図及び断面図、第4図a,b,
cは本考案の一実施例を示す上面図、断面図及び
下面図、第5図a,bは本考案の他の実施例を示
す上面図及び側面図である。 13a,13b……誘電体基板、14a,14
b……マイクロ波回路部、15a,15b,15
c,15d……入出力端子部、16a,16b,
17……金属箔、18……金属ケース。
Claims (1)
- それぞれの表面に形成されたマイクロ波回路が
第一の金属箔によつて相互に接続され、互いに所
定間隔をもつて隣接して配設された複数の誘電体
基板と、互いに隣接する誘電体基板の隣り合う表
面間同志を連結する第二の金属箔と、互いに隣接
する誘電体基板同志の間隙を解消するように隣り
合ういずれか一方の誘電体基板とほぼ同一の幅で
相互の裏面間同志を連結する第三の金属箔と、前
記第二および第三の金属箔で相互接続された前記
複数個の誘電体基板の裏面が前記第三の金属箔と
ともに接着された金属板あるいは金属ケースとを
具備することを特徴とするマイクロ波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16425880U JPS6110321Y2 (ja) | 1980-11-17 | 1980-11-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16425880U JPS6110321Y2 (ja) | 1980-11-17 | 1980-11-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5785705U JPS5785705U (ja) | 1982-05-27 |
| JPS6110321Y2 true JPS6110321Y2 (ja) | 1986-04-03 |
Family
ID=29522998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16425880U Expired JPS6110321Y2 (ja) | 1980-11-17 | 1980-11-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110321Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59111401A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-27 | Fujitsu Ltd | マイクロ波ミリ波集積回路の構造 |
| JP2786189B2 (ja) * | 1987-05-07 | 1998-08-13 | 三菱電機株式会社 | 静磁波非線形デバイス |
| JP2013026789A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Anritsu Corp | ミリ波伝送モジュール及び該モジュールの製造方法 |
-
1980
- 1980-11-17 JP JP16425880U patent/JPS6110321Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5785705U (ja) | 1982-05-27 |
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