JPH02246274A - 赤外線検出装置 - Google Patents
赤外線検出装置Info
- Publication number
- JPH02246274A JPH02246274A JP1068096A JP6809689A JPH02246274A JP H02246274 A JPH02246274 A JP H02246274A JP 1068096 A JP1068096 A JP 1068096A JP 6809689 A JP6809689 A JP 6809689A JP H02246274 A JPH02246274 A JP H02246274A
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- JP
- Japan
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- detection element
- diode
- gate
- leakage current
- effect transistor
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は焦電型検出素子を用いて赤外線を検出する赤外
線検出装置に関し、特に装置の回路構成の改善に関する
ものである。
線検出装置に関し、特に装置の回路構成の改善に関する
ものである。
従来、この・種の赤外線検出装置としては、例えば、第
４図の回路図に示されるものがある。
４図の回路図に示されるものがある。
焦電型検出素子１は赤外線が照射されると分極電荷を発
生し、４回路にはこの分極電荷を中和する電流が流れる
。この電流変化は、焦電型検出素子１に並列に接続され
た高抵抗値を有する抵抗Ｒ１および接合型電界効果トラ
ンジスタ（Ｊ−ＦＥ’Ｔ）２の入力インピーダンスによ
り電圧変化としてとらえられる。そして、発生した電圧
はＪ−ＦＥＴ２のゲートに印加され、Ｊ−ＦＥＴ２のド
レイン・ソース間にはゲートに印加された電圧に比例し
た電流が流れる。この電流により負荷抵抗Ｒ２の端子間
には電圧が発生し、この電圧は出力端子Ｖ を介して
出力される。
生し、４回路にはこの分極電荷を中和する電流が流れる
。この電流変化は、焦電型検出素子１に並列に接続され
た高抵抗値を有する抵抗Ｒ１および接合型電界効果トラ
ンジスタ（Ｊ−ＦＥ’Ｔ）２の入力インピーダンスによ
り電圧変化としてとらえられる。そして、発生した電圧
はＪ−ＦＥＴ２のゲートに印加され、Ｊ−ＦＥＴ２のド
レイン・ソース間にはゲートに印加された電圧に比例し
た電流が流れる。この電流により負荷抵抗Ｒ２の端子間
には電圧が発生し、この電圧は出力端子Ｖ を介して
出力される。
ｕｔ
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記従来の装置には以下のような課題が
含まれている。
含まれている。
第１に、抵抗Ｒ１の抵抗値は非常に高い値に設定しなけ
ればならないため、抵抗Ｒ１の形状が大形化して、装置
を小形化することが出来ないという課題が有った。例え
ば、人体から発生する赤外線を検出する場合には、抵抗
Ｒ１の抵抗値としては数十ＭΩから数＋ＧΩ程度の非常
に高い値の抵抗−、￥″なければならない。従・て、上
記従来の回路はモノリシックに集積化することは不可能
であり、Ｊ−ＦＥＴ２等の回路が配線されたセラミック
等に抵抗Ｒ１が一体化される構造になってい・る。
ればならないため、抵抗Ｒ１の形状が大形化して、装置
を小形化することが出来ないという課題が有った。例え
ば、人体から発生する赤外線を検出する場合には、抵抗
Ｒ１の抵抗値としては数十ＭΩから数＋ＧΩ程度の非常
に高い値の抵抗−、￥″なければならない。従・て、上
記従来の回路はモノリシックに集積化することは不可能
であり、Ｊ−ＦＥＴ２等の回路が配線されたセラミック
等に抵抗Ｒ１が一体化される構造になってい・る。
第２に、このような高抵抗値の抵抗Ｒ１は、微少な粉塵
や汚れ等が抵抗表面に付着すると抵抗値が変化するため
、抵抗Ｒ１の取り扱いに注意が必要とされ、また、安定
化した出力が得られないで感度が低下するという課題も
有った。
や汚れ等が抵抗表面に付着すると抵抗値が変化するため
、抵抗Ｒ１の取り扱いに注意が必要とされ、また、安定
化した出力が得られないで感度が低下するという課題も
有った。
第３に、このような高抵抗値の抵抗Ｒ１は高価なものと
なり、装置全体の価格が高くなるという課題も有った。
なり、装置全体の価格が高くなるという課題も有った。
本発明はこのような課題を解消するためになされたもの
で、焦電型検出素子に並列に接続されたダイオードと、
このカソードがゲートに接続された電界効果トランジス
タとから構成されたものである。また、焦電型検出素子
に逆並列に接続されたダイオードと、この各一端のカソ
ードおよびアノードがゲートに接続された電界効果トラ
ンジスタとから構成されたものである。
で、焦電型検出素子に並列に接続されたダイオードと、
このカソードがゲートに接続された電界効果トランジス
タとから構成されたものである。また、焦電型検出素子
に逆並列に接続されたダイオードと、この各一端のカソ
ードおよびアノードがゲートに接続された電界効果トラ
ンジスタとから構成されたものである。
電界効果トランジスタのゲートリーク電流はダイオード
に流れ、焦電型検出素子にはほとんど電流が流れないた
め、焦電型検出素子から電界効果トランジスタのゲート
側を見た入力インピーダンスは高くなる。また、電界効
果トランジスタのゲートリーク電流およびアノードがゲ
ートに接続されたダイオードのリーク電流の和の電流は
カソードがゲートに接続されたダイオードに流れ、同様
にして入・カインピーダンスは高くなる。
に流れ、焦電型検出素子にはほとんど電流が流れないた
め、焦電型検出素子から電界効果トランジスタのゲート
側を見た入力インピーダンスは高くなる。また、電界効
果トランジスタのゲートリーク電流およびアノードがゲ
ートに接続されたダイオードのリーク電流の和の電流は
カソードがゲートに接続されたダイオードに流れ、同様
にして入・カインピーダンスは高くなる。
第１図は本発明の一実施例による赤外線検出装置の回路
図である。
図である。
Ｊ−ＦＥＴ３のドレインは正の電源電圧ＶＤＤＣ＋６Ｖ
）に吊り上げられ、ゲートにはダイオード４のカソード
が接続され、ソースには負荷抵抗Ｒ３の一端が接続され
ている。このソースと負荷抵抗Ｒ３との接続点は出力端
子、■ に接続されｕｔ ており、負荷抵抗Ｒ３の他端は接地されている。
）に吊り上げられ、ゲートにはダイオード４のカソード
が接続され、ソースには負荷抵抗Ｒ３の一端が接続され
ている。このソースと負荷抵抗Ｒ３との接続点は出力端
子、■ に接続されｕｔ ており、負荷抵抗Ｒ３の他端は接地されている。
また、ダイオード４のアノードは接地され、このカソー
ドは入力端子Ａを介し、て焦電型検出素子５の一端に接
続され、この焦電型検出素子５の他端は接地されている
。なお、Ｊ−ＦＥＴ３とダイオード４は同一半導体基板
上に形成されてモノリシック化されており、このような
Ｊ−ＦＥＴ３の接続態様は一般的にソースフォロアと呼
ばれる。
ドは入力端子Ａを介し、て焦電型検出素子５の一端に接
続され、この焦電型検出素子５の他端は接地されている
。なお、Ｊ−ＦＥＴ３とダイオード４は同一半導体基板
上に形成されてモノリシック化されており、このような
Ｊ−ＦＥＴ３の接続態様は一般的にソースフォロアと呼
ばれる。
また、Ｊ−ＦＥＴ３のドレイン中ゲート間にはこのＪ−
ＦＥＴ３の動作点において図示のように■ なるゲー
トリーク電流が流れ、また、ダイＳＳ オード４のカソード・アノード間にはこの動作点におい
て図示のようにＩＣＤなるリーク電流が流れるが、これ
ら各電流値は等しくなるように（１−’Ｉ）、ダイオー
ド４は形成されていＧＳＳ ＣＤ る。
ＦＥＴ３の動作点において図示のように■ なるゲー
トリーク電流が流れ、また、ダイＳＳ オード４のカソード・アノード間にはこの動作点におい
て図示のようにＩＣＤなるリーク電流が流れるが、これ
ら各電流値は等しくなるように（１−’Ｉ）、ダイオー
ド４は形成されていＧＳＳ ＣＤ る。
このように形成された回路の入力端子ＡからＪ−ＦＥＴ
３のゲート側を見た入力インピーダンスの等価回路は、
入力信号の低周波数帯域においては第２図のように表さ
れる。すなわち、抵抗Ｒｓｈと容量Ｃ１とが並列に接続
された構成になる。抵コ 抗Ｒｓｈは各リーク電流の微少変化に起因するものであ
り、容ＩＩＣｊはＪ−ＦＥＴ３の動作点におけるダイオ
ード４の接合容量およびＪ−ＦＥＴ３の入力容量の和の
容量に相当するものである。従って、この入力インピー
ダンスを２とすると、このＺは次式に表される。
３のゲート側を見た入力インピーダンスの等価回路は、
入力信号の低周波数帯域においては第２図のように表さ
れる。すなわち、抵抗Ｒｓｈと容量Ｃ１とが並列に接続
された構成になる。抵コ 抗Ｒｓｈは各リーク電流の微少変化に起因するものであ
り、容ＩＩＣｊはＪ−ＦＥＴ３の動作点におけるダイオ
ード４の接合容量およびＪ−ＦＥＴ３の入力容量の和の
容量に相当するものである。従って、この入力インピー
ダンスを２とすると、このＺは次式に表される。
Ｚ−１／［（１／Ｒ）＋ｊωｃ、］・・・■ｓｈ
さらにこの式を実部と虚部とに分けると以下のように表
される。
される。
−ｊωＣＲ／［１＋（ωＣ，Ｒ，ｈ） ３ ｓｈ
・・・■
これを極座標表示を用いて表すと以下のようになる。
Ｚ −Ｉ Ｚ ｌ ｅ”−−−■
ただし、＋２＋は入力インピーダンス２の絶対値、θは
この位相角を表し、以下のように示されθ−ｔａｎ （
ωＣＪＲｓｈ） ここで、Ｊ−ＦＥＴ３の動作点において、Ｊ−ＦＥＴ３
のゲートリーク電流Ｉ は全てダイオＳＳ −層４のリーク電流■。、になり、焦電型検出素子５に
は全く電流が流れないため、リーク電流の微少変化に起
因する抵抗Ｒ８−抵抗値は無限大に近づく。また、焦電
型検出素子５によって検出される赤外線の周波数は非常
に低く、入力信号により定まる角周波数ωの値は小さい
ものとなる。このため、上記入力インピーダンス２の弐
〇における実部の分母の項「（ωＣＲ）２Ｊは、項「１
」 ｓｈ に比較して非常に小さくなってこの実部の値はＲｓｈに
近づく。
この位相角を表し、以下のように示されθ−ｔａｎ （
ωＣＪＲｓｈ） ここで、Ｊ−ＦＥＴ３の動作点において、Ｊ−ＦＥＴ３
のゲートリーク電流Ｉ は全てダイオＳＳ −層４のリーク電流■。、になり、焦電型検出素子５に
は全く電流が流れないため、リーク電流の微少変化に起
因する抵抗Ｒ８−抵抗値は無限大に近づく。また、焦電
型検出素子５によって検出される赤外線の周波数は非常
に低く、入力信号により定まる角周波数ωの値は小さい
ものとなる。このため、上記入力インピーダンス２の弐
〇における実部の分母の項「（ωＣＲ）２Ｊは、項「１
」 ｓｈ に比較して非常に小さくなってこの実部の値はＲｓｈに
近づく。
この結果、動作点における入力インピーダンス２の値は
非常に大きくなる。
非常に大きくなる。
このような構成において、焦電型検出素子５に赤外線が
照射されるとこの焦電型検出素子５の電極間には分極電
荷が発生する。このため、回路にはこの分極電荷を中和
する電流が発生し、この電流変化は上述した高入力イン
ピーダンスにより電圧変化に変換される。変換されたこ
の電圧はＪ−ＦＥＴ３のゲートに印加され、Ｊ−ＦＥＴ
３のドレイン・ソース間にはこの電圧に比例したドレイ
ン電流が流れる。従って、負荷抵抗Ｒ３の一テ間にはド
レイン電流に応じた電圧が生じ、端子Ｖ を介して出
力される。そして、端子””ｍｕｔｕｔ に電圧が生じることにより、焦電型検出素子５に赤外線
が照射されたことが検出される。
照射されるとこの焦電型検出素子５の電極間には分極電
荷が発生する。このため、回路にはこの分極電荷を中和
する電流が発生し、この電流変化は上述した高入力イン
ピーダンスにより電圧変化に変換される。変換されたこ
の電圧はＪ−ＦＥＴ３のゲートに印加され、Ｊ−ＦＥＴ
３のドレイン・ソース間にはこの電圧に比例したドレイ
ン電流が流れる。従って、負荷抵抗Ｒ３の一テ間にはド
レイン電流に応じた電圧が生じ、端子Ｖ を介して出
力される。そして、端子””ｍｕｔｕｔ に電圧が生じることにより、焦電型検出素子５に赤外線
が照射されたことが検出される。
このように上記実施例によれば、従来、Ｊ−ＦＥＴのゲ
ートに接続された高い抵抗値を必要とする抵抗は不要と
なり、単なるダイオード４により高入力インピ−ダスを
実現することが可能になる。このため、本装置は容易に
モノリシック化することが可能になり、さらには回路を
多数個集積してアレイ化することも可能になる。従って
、得られる赤外線検出装置は非常に小形化されたものに
なり、かつ、安価なものなる。しかも、抵抗値の安定し
ない従来の抵抗とは異なり、集積された半導体素子によ
って得られるダイオード４は特性の安定したものとなる
。従って、Ｊ−ＦＥＴ３は安定して駆動され、出力端子
Ｖ に現れる電ｕｔ 圧も安定したものとなって装置の赤外線検出感度特性は
向上する。
ートに接続された高い抵抗値を必要とする抵抗は不要と
なり、単なるダイオード４により高入力インピ−ダスを
実現することが可能になる。このため、本装置は容易に
モノリシック化することが可能になり、さらには回路を
多数個集積してアレイ化することも可能になる。従って
、得られる赤外線検出装置は非常に小形化されたものに
なり、かつ、安価なものなる。しかも、抵抗値の安定し
ない従来の抵抗とは異なり、集積された半導体素子によ
って得られるダイオード４は特性の安定したものとなる
。従って、Ｊ−ＦＥＴ３は安定して駆動され、出力端子
Ｖ に現れる電ｕｔ 圧も安定したものとなって装置の赤外線検出感度特性は
向上する。
なお、上記実施例の説明においては、ゲートリーク電流
■ がリーク電流！ＧＤに等しくなるよＧＳＳ うにダイオード４を形成したが、これは理想的な状態で
あり、特に各リーク電流を等しくするように形成しなく
ても等価抵抗Ｒｓｈの値は十分大きなものになり、上記
実施例と同様な効果を奏する。
■ がリーク電流！ＧＤに等しくなるよＧＳＳ うにダイオード４を形成したが、これは理想的な状態で
あり、特に各リーク電流を等しくするように形成しなく
ても等価抵抗Ｒｓｈの値は十分大きなものになり、上記
実施例と同様な効果を奏する。
第３図は本発明の他の一実施例による赤外線検出装置の
回路図であり、第１図と同一または相当する部分につい
ては同符号を用いてその説明は省略する。
回路図であり、第１図と同一または相当する部分につい
ては同符号を用いてその説明は省略する。
同図に示された回路と第１図に示された回路との相違は
１、ダイオード６．７が逆並列に接続され、ダイオード
６．７の各一端のカソード、アノードがＪ−ＦＥＴ３の
ゲートに接続されている点である。Ｊ−ＦＥＴ３の動作
点において、アノードがゲートに接続されたダイオード
７には図示のようにリーク電流■ が流れ、カソード
がゲートにＤＩ 接続されたダイオード６には図示のようにリーク電流！
が流れる。ダイオード７のリーク電流Ｄ２ Ｉ とＪ−ＦＥＴ３のゲートリーク電流ｌＧ５５ＤＩ との和は、ダイオード６のリーク電流Ｉ と等Ｄ２ しくなるように（１＋Ｉ −１）、各ＣＤＩ
ＧＳＳ ＧＤ２ ダイオード６．７は形成されている。
１、ダイオード６．７が逆並列に接続され、ダイオード
６．７の各一端のカソード、アノードがＪ−ＦＥＴ３の
ゲートに接続されている点である。Ｊ−ＦＥＴ３の動作
点において、アノードがゲートに接続されたダイオード
７には図示のようにリーク電流■ が流れ、カソード
がゲートにＤＩ 接続されたダイオード６には図示のようにリーク電流！
が流れる。ダイオード７のリーク電流Ｄ２ Ｉ とＪ−ＦＥＴ３のゲートリーク電流ｌＧ５５ＤＩ との和は、ダイオード６のリーク電流Ｉ と等Ｄ２ しくなるように（１＋Ｉ −１）、各ＣＤＩ
ＧＳＳ ＧＤ２ ダイオード６．７は形成されている。
このように形成された本回路においても、入力信号の低
周波数帯域においては入力インピーダンス２の等価回路
は第２図と同様に表される。このため、Ｊ−ＦＥＴ３の
動作点における入力インピーダンスは高インピーダンス
になり、焦電型検出素子５に検出される赤外線は上記実
施例と同様にして検出される。従って、本実施例におい
ても上記実施例と同様な効果を奏する。
周波数帯域においては入力インピーダンス２の等価回路
は第２図と同様に表される。このため、Ｊ−ＦＥＴ３の
動作点における入力インピーダンスは高インピーダンス
になり、焦電型検出素子５に検出される赤外線は上記実
施例と同様にして検出される。従って、本実施例におい
ても上記実施例と同様な効果を奏する。
なお、本実施例はダイオード６のリーク電流！ が大
きい場合に実益があり、Ｊ−ＦＥＴ３Ｄ２ のゲートリーク電流■ の不足分はダイオードＳＳ ７のリーク電流Ｉ によって補われる。また、ＣＤ１ 本実施例においても、ゲートリーク電流■ＧＳＳおよび
リーク電流ｌ の和がリーク電流Ｉ とＣＤＩ
ＣＤ２ 等しくなるように、特に各ダイオード６．７を形成する
ようにしなくても、上記実施例と同様な効果を奏する。
きい場合に実益があり、Ｊ−ＦＥＴ３Ｄ２ のゲートリーク電流■ の不足分はダイオードＳＳ ７のリーク電流Ｉ によって補われる。また、ＣＤ１ 本実施例においても、ゲートリーク電流■ＧＳＳおよび
リーク電流ｌ の和がリーク電流Ｉ とＣＤＩ
ＣＤ２ 等しくなるように、特に各ダイオード６．７を形成する
ようにしなくても、上記実施例と同様な効果を奏する。
また、上記各実施例において、Ｊ−ＦＥＴ３はｎチャネ
ル型のものとして説明したが、ｐチャネル型のものであ
っても良い。また、上記各実施例の説明□において、電
界効果トランジスタとして接合型の電界効果トランジス
タを用いた場合について説明したが、これに限定される
必要はなく、ＭＯ８構造の電界効果トランジスタやＭＩ
Ｓ構造の電界効果トランジスタ等であっても良く、上記
実施例と同様な効果を奏する。
ル型のものとして説明したが、ｐチャネル型のものであ
っても良い。また、上記各実施例の説明□において、電
界効果トランジスタとして接合型の電界効果トランジス
タを用いた場合について説明したが、これに限定される
必要はなく、ＭＯ８構造の電界効果トランジスタやＭＩ
Ｓ構造の電界効果トランジスタ等であっても良く、上記
実施例と同様な効果を奏する。
以上説明したように本発明は、電界効果トランジスタの
ゲートリーク電流はダイオードに流れ、焦電型検出素子
にはほとんど電流が流れないため、焦電型検出素子から
電界効果トランジスタのゲート側を見た入力インピーダ
ンスは高くなる。また、電界効果トランジスタのゲート
リーク電流およびアノードがゲートに接続されたダイオ
ードのリーク電流の和の電流はカソードがゲートに接続
されたダイオードに流れ、同様にして入力インピーダン
スは高くなる。
ゲートリーク電流はダイオードに流れ、焦電型検出素子
にはほとんど電流が流れないため、焦電型検出素子から
電界効果トランジスタのゲート側を見た入力インピーダ
ンスは高くなる。また、電界効果トランジスタのゲート
リーク電流およびアノードがゲートに接続されたダイオ
ードのリーク電流の和の電流はカソードがゲートに接続
されたダイオードに流れ、同様にして入力インピーダン
スは高くなる。
このため、従来の高抵抗値の抵抗は不要になり、安定化
した出力が得られて感度の高い装置を小形で、かつ、安
価に提供することが可能になるという効果を有する。
した出力が得られて感度の高い装置を小形で、かつ、安
価に提供することが可能になるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例の構成を表す回路図、第２図
は第１図に示された回路の入力インピーダンスの等価回
路図、第３図は本発明の他の一実施例の構成を表す回路
図、第４図は従来の構成を表す回路図である。 ３・・・接合型電界効果トランジスタ（Ｊ−ＦＥＴ）、
４，６．７・・・ダイオード、５・・・焦電型検出素子
、Ｒ３・・・負荷抵抗。 第１図 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士
長谷用 芳 樹間 塩 １
） 辰 也第２図 手続補正書 平成１年６月１３日 赤外線検出装置 補正をする者 事件との関係
は第１図に示された回路の入力インピーダンスの等価回
路図、第３図は本発明の他の一実施例の構成を表す回路
図、第４図は従来の構成を表す回路図である。 ３・・・接合型電界効果トランジスタ（Ｊ−ＦＥＴ）、
４，６．７・・・ダイオード、５・・・焦電型検出素子
、Ｒ３・・・負荷抵抗。 第１図 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士
長谷用 芳 樹間 塩 １
） 辰 也第２図 手続補正書 平成１年６月１３日 赤外線検出装置 補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、赤外線が照射されると分極電荷を発生する焦電型検
出素子と、この焦電型検出素子に並列に接続されたダイ
オードと、ゲートにこのダイオードのカソードが接続さ
れドレインおよびソース間に所定の電圧が印加される電
界効果トランジスタとから構成され、 前記焦電型検出素子に生じた電流を電圧変換して前記電
界効果トランジスタを駆動することを特徴とする赤外線
検出装置。 ２、赤外線が照射されると分極電荷を発生する焦電型検
出素子と、この焦電型検出素子に逆並列に接続されたダ
イオードと、ゲートにこのダイオードの各一端のカソー
ドおよびアノードが接続されドレインおよびソース間に
所定の電圧が印加される電界効果トランジスタとから構
成され、前記焦電型検出素子に生じた電流を電圧変換し
て前記電界効果トランジスタを駆動することを特徴とす
る赤外線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068096A JPH0821731B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 赤外線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068096A JPH0821731B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 赤外線検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246274A true JPH02246274A (ja) | 1990-10-02 |
| JPH0821731B2 JPH0821731B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=13363865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068096A Expired - Lifetime JPH0821731B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 赤外線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821731B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04357891A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外線検出装置 |
| JPH04357890A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外線検出装置 |
| WO2007125664A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 焦電性磁器組成物、及び焦電素子、並びに赤外線検出器 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1068096A patent/JPH0821731B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| MOS-ICnFET=1969 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04357891A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外線検出装置 |
| JPH04357890A (ja) * | 1991-06-04 | 1992-12-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 赤外線検出装置 |
| WO2007125664A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 焦電性磁器組成物、及び焦電素子、並びに赤外線検出器 |
| EP2017239A4 (en) * | 2006-04-28 | 2010-08-25 | Murata Manufacturing Co | PYROELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, PYROELECTRIC ELEMENT AND INFRARED DETECTOR |
| US7897921B2 (en) | 2006-04-28 | 2011-03-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Pyroelectric ceramic composition, and infrared element, and infrared detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821731B2 (ja) | 1996-03-04 |
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