JPH02246351A - ワイヤボンディング不良検出方法 - Google Patents
ワイヤボンディング不良検出方法Info
- Publication number
- JPH02246351A JPH02246351A JP1068464A JP6846489A JPH02246351A JP H02246351 A JPH02246351 A JP H02246351A JP 1068464 A JP1068464 A JP 1068464A JP 6846489 A JP6846489 A JP 6846489A JP H02246351 A JPH02246351 A JP H02246351A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- wires
- lead frame
- receptor
- light beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造におけるワイヤボンディング
不良検出方法に関し、詳しくはワイヤボンディング工程
後、ワイヤの有無による良・不良状態を判別する方法に
関する。
不良検出方法に関し、詳しくはワイヤボンディング工程
後、ワイヤの有無による良・不良状態を判別する方法に
関する。
パワートランジスタ等の半導体装置は金属製のリードフ
レームを使用して製造するのが一般的である。この種半
導体装置の製造方法を第６図（ａ）（ｂ）乃至第８図＜
ａ）（ｂ）を参照しながら説明する。
レームを使用して製造するのが一般的である。この種半
導体装置の製造方法を第６図（ａ）（ｂ）乃至第８図＜
ａ）（ｂ）を参照しながら説明する。
まず、第６図（ａ）（ｂ）に示すように金属製のリード
フレーム（１）を用意し、これを搬送レール（図示せず
）上に位置決め載置し、図中矢印方向に定ピンチで間歇
送りする。そしてこのリードフレーム（１）の移送方向
に沿う定ポジシッンにて、リードフレーム（１）のラン
ド部（２）に半導体ペレット（３）を導電性接着材でマ
ウントする。
フレーム（１）を用意し、これを搬送レール（図示せず
）上に位置決め載置し、図中矢印方向に定ピンチで間歇
送りする。そしてこのリードフレーム（１）の移送方向
に沿う定ポジシッンにて、リードフレーム（１）のラン
ド部（２）に半導体ペレット（３）を導電性接着材でマ
ウントする。
このバレントマウント後、第７図（ａ）（ｂ）に示すよ
うに上記半導体ペレット（３）の電極（４）（５）とリ
ードフレーム（１）の各リード（６・） （７）先端部
とをキアビラリ（図示せず）によりＡｕ等のワイヤ（８
）（９）（９）で電気的に接続する。ここで、パワート
ランジスタの場合、コレクタ電極（図示せず）は半導体
ペレット（３）の裏面側に形成され、ランド部（２）を
介してこれと一体成形されたリード（１０）で外部に引
出される。またベース電極（４）及びエミッタ電極（５
）は、半導体ペレット（３）の表面側に図示のパターン
で形成され、上記ワイヤ（８）及び（９）（９）で接続
されたリード（６）及び（７）により外部に引出される
。このパワートランジスタでは電流容量が大きいため、
エミッタ電極（５）に１本のワイヤ（９）をボンディン
グするだけでは、電流が十分かつ均等に流れず電流集中
が発生して素子破壊する虞があるため、通常、上記エミ
ッタ電極（５）には２本のワイヤ（９）（９）をボンデ
ィングしている。
うに上記半導体ペレット（３）の電極（４）（５）とリ
ードフレーム（１）の各リード（６・） （７）先端部
とをキアビラリ（図示せず）によりＡｕ等のワイヤ（８
）（９）（９）で電気的に接続する。ここで、パワート
ランジスタの場合、コレクタ電極（図示せず）は半導体
ペレット（３）の裏面側に形成され、ランド部（２）を
介してこれと一体成形されたリード（１０）で外部に引
出される。またベース電極（４）及びエミッタ電極（５
）は、半導体ペレット（３）の表面側に図示のパターン
で形成され、上記ワイヤ（８）及び（９）（９）で接続
されたリード（６）及び（７）により外部に引出される
。このパワートランジスタでは電流容量が大きいため、
エミッタ電極（５）に１本のワイヤ（９）をボンディン
グするだけでは、電流が十分かつ均等に流れず電流集中
が発生して素子破壊する虞があるため、通常、上記エミ
ッタ電極（５）には２本のワイヤ（９）（９）をボンデ
ィングしている。
このワイヤボンディング後、リードフレーム（１）を搬
送レールから取り外し、樹脂モールド装置に移し替え、
第８図（ａ）（ｂ）に示すように半導体ペレット（３）
を含む主要部分をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材（１
１）にて外装する。この樹脂モールド後、タイバー（１
２）を除去することによりリードフレーム（１）から半
導体装置を切離して製品化する。
送レールから取り外し、樹脂モールド装置に移し替え、
第８図（ａ）（ｂ）に示すように半導体ペレット（３）
を含む主要部分をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材（１
１）にて外装する。この樹脂モールド後、タイバー（１
２）を除去することによりリードフレーム（１）から半
導体装置を切離して製品化する。
ところで、前述した半導体装置の製造におけるワイヤボ
ンディング工程では、キアビラリを高速で駆動させるこ
とによりそのキアピラリから繰り出されたワイヤ（８）
（９）（９）を半導体ペレット（３）のベース及びエミ
ッタ電極（４）（５）とリード（６）（７）の先端部に
ボンディングしているが、上記キアピラリの高速移動と
ワイヤ（８）（９）（９）の繰り出しが同期せず所定の
箇所にワイヤボンディングされないでワイヤ（８）（９
）（９）が存在しないことがある。そのため、上記ワイ
ヤボンディング後にはワイヤ（８）（９）（９）が所定
の箇所にボンディングされて上記電極（４）（５）とリ
ード（６）（７）とが接続されていることを検査する必
要がある。そこで、従来では、ワイヤボンディング後、
ワイヤ（８）（９）（９）の有無を目視確認していた。
ンディング工程では、キアビラリを高速で駆動させるこ
とによりそのキアピラリから繰り出されたワイヤ（８）
（９）（９）を半導体ペレット（３）のベース及びエミ
ッタ電極（４）（５）とリード（６）（７）の先端部に
ボンディングしているが、上記キアピラリの高速移動と
ワイヤ（８）（９）（９）の繰り出しが同期せず所定の
箇所にワイヤボンディングされないでワイヤ（８）（９
）（９）が存在しないことがある。そのため、上記ワイ
ヤボンディング後にはワイヤ（８）（９）（９）が所定
の箇所にボンディングされて上記電極（４）（５）とリ
ード（６）（７）とが接続されていることを検査する必
要がある。そこで、従来では、ワイヤボンディング後、
ワイヤ（８）（９）（９）の有無を目視確認していた。
しかしながら、２本のワイヤ（９）（９）がボンディン
グされるエミッタ電極（５）とリード（７）間では、−
例をあげると、ワイヤ（９）（９）−〇線径が３０〜４
０μ−で非常に綱いものであり、而もエミッタ電極（５
）でのボンディング位置間隔が２００〜３００μ−と非
常に接近しているため、特に上記エミッタ電極（５）と
リード（７）間でのワイヤ（９）（９）の有無を目視確
認することが困難であった。
グされるエミッタ電極（５）とリード（７）間では、−
例をあげると、ワイヤ（９）（９）−〇線径が３０〜４
０μ−で非常に綱いものであり、而もエミッタ電極（５
）でのボンディング位置間隔が２００〜３００μ−と非
常に接近しているため、特に上記エミッタ電極（５）と
リード（７）間でのワイヤ（９）（９）の有無を目視確
認することが困難であった。
そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案されたもので
、その目的とするところは、ワイヤボンディング不良の
検出を目視に依存することなく、自動的に高精度で行え
る方法を提供することにある。
、その目的とするところは、ワイヤボンディング不良の
検出を目視に依存することなく、自動的に高精度で行え
る方法を提供することにある。
本発明における上記目的を達成するための技術的手段は
、リードフレームのランド部にマウントした半導体ペレ
ットの電極と上記リードフレームの各リード先端部とを
ワイヤボンディングした中間構体に対し、上記ランド部
とリード先端部間の隙間に位置する投受光器間で光ビー
ムを照射し、その光ビームをワイヤに対してその張設方
向と交叉する方向に相対移動させるようにしたワイヤボ
ンディング不良検出方法である。
、リードフレームのランド部にマウントした半導体ペレ
ットの電極と上記リードフレームの各リード先端部とを
ワイヤボンディングした中間構体に対し、上記ランド部
とリード先端部間の隙間に位置する投受光器間で光ビー
ムを照射し、その光ビームをワイヤに対してその張設方
向と交叉する方向に相対移動させるようにしたワイヤボ
ンディング不良検出方法である。
（作用〕
本発明方法によれば、投受光器間で照射された光ビーム
は、ワイヤに対してその張設方向と直交する方向に走査
されることにより、この光ビームがワイヤによって遮断
される回数をカウントし、このカウント値に基づいて上
記ワイヤの有無を判別してボンディング不良を検出する
ことが可能となる。
は、ワイヤに対してその張設方向と直交する方向に走査
されることにより、この光ビームがワイヤによって遮断
される回数をカウントし、このカウント値に基づいて上
記ワイヤの有無を判別してボンディング不良を検出する
ことが可能となる。
（実施例〕
本発明方法のパワートランジスタの製造における実施例
を第１図乃至第５図を参照しながら説明する。尚、従来
の場合を示した第６図（ａ）（ｂ）乃至第８図（ａ）（
ｂ）と同一部分には同一参照符号を付して重複説明は省
略する。
を第１図乃至第５図を参照しながら説明する。尚、従来
の場合を示した第６図（ａ）（ｂ）乃至第８図（ａ）（
ｂ）と同一部分には同一参照符号を付して重複説明は省
略する。
まず、従来と同様、第６図（ａ）（ｂ）に示すようにリ
ードフレーム（１）のランド部（２）上に半導体ペレッ
ト（３）を導電性接着材でマウントし、このペレットマ
ウント後、第７図（ａ）（ｂ）に示すように半導体ペレ
ット（３）の電極（４）（５）とリードフレーム（１）
の各リード（６）（７）の先端部とをＡｕ等のワイヤ（
８）（９）（９）で電気的に接続する。
ードフレーム（１）のランド部（２）上に半導体ペレッ
ト（３）を導電性接着材でマウントし、このペレットマ
ウント後、第７図（ａ）（ｂ）に示すように半導体ペレ
ット（３）の電極（４）（５）とリードフレーム（１）
の各リード（６）（７）の先端部とをＡｕ等のワイヤ（
８）（９）（９）で電気的に接続する。
このワイヤボンディング後、第１図乃至第３図に示すよ
うにリードフレーム（１）のランド部（２）とリード（
６）（７）先端部間の隙間ｍの上下方に配設された投受
光器（１３） （１４）間でレーザ光等の光ビームＬ
を照射することによりボンディング不良を検出する。即
ち、投光器（１３）から照射された光ビームＬを受光器
（１４）で受光しながら、上記投受光器（１３）（１４
）をリードフレーム（１）の長手方向に沿って１つの半
導体ペレット（３）毎に所定のストロークだけ平行移動
させる。尚、上記投受光器（１３） （１４）を定ス
トローク移動させるかわりに投受光器（１３） （１
４）を固定配置しておいて、リードフレーム（１）を定
ストローク移動させるようにしてもよい、この光と−ム
Ｌの走査により光−ビムＬがワイヤ（８）（９）（９）
によって遮断され、第４図に示すような受光器（１４）
からの出力信号Ｐが得られる。この出力信号Ｐにおいて
、ワイヤ（８）（９）（９）による立上がり及び立下が
り（Ｐｓ ） （Ｐｓ ）（Ｐｓ ）の回数をカウン
トし、そのカウント値に基づいてワイヤ（８）（９）（
９）の本数を検知することができて、パワートランジス
タのようにエミッタ電橋（５）とリード（７）間に２本
のワイヤ（９）（９）が接近してボンディングされてい
る場合でも、その２本のワイヤ（９）（９）の有無を確
実に検出することができる。上記構造のり一′ドフレー
ム（１）では、半導体ペレット（３）のコレクタ電極を
外部に引出すリード（１０）がランド部（２）と一体化
されているため、第４図に示すようにその連結部分によ
り出力信号Ｐで立上がり及び立下がり（Ｐｓｏ）がでて
しまうが、これはその連結部分がワイヤ（８）（９）（
９）と比べて幅広であるので、立上がりから立下がりま
での時間Ｔ！がワイヤ（８）（９）（９）による立上が
りから立下がりまでの時間Ｔ２よりも長いため、上記連
結部分とワイヤ（８）（９）（９）は容易に判別するこ
とが可能である。尚、上述したランド部（２）とリード
（ｌＯ）との連結部分を出力信号Ｐに含めないようにし
ようとするには、例えば第５図に示すように投受光！！
！（１３ａ）（１４ａ）及び（１３ｂ ） （１４ｂ
）を二組用意し、半導体ペレット（３）のベース電極
（４）とリード（６）間のワイヤ（８）を第１の投受光
器（１３ａ ） （１４ａ ）で検出し、エミンタ電
極（５）とり一ド（７）間のワイヤ（９）（９）を第２
の投受光器（１３ｂ）（１４ｂ）で検出するようにして
もよい、この時の第１、第２の投受光器（１３ａ ）
（１４ａ ）及び（１３ｂ）（１４ｂ）による光−ビ
ムＬａ、Ｌｂの走査ストロークは、ランド部（２）とリ
ード（１０）との連結部分の両側で所定の寸法に設定さ
れる。
うにリードフレーム（１）のランド部（２）とリード（
６）（７）先端部間の隙間ｍの上下方に配設された投受
光器（１３） （１４）間でレーザ光等の光ビームＬ
を照射することによりボンディング不良を検出する。即
ち、投光器（１３）から照射された光ビームＬを受光器
（１４）で受光しながら、上記投受光器（１３）（１４
）をリードフレーム（１）の長手方向に沿って１つの半
導体ペレット（３）毎に所定のストロークだけ平行移動
させる。尚、上記投受光器（１３） （１４）を定ス
トローク移動させるかわりに投受光器（１３） （１
４）を固定配置しておいて、リードフレーム（１）を定
ストローク移動させるようにしてもよい、この光と−ム
Ｌの走査により光−ビムＬがワイヤ（８）（９）（９）
によって遮断され、第４図に示すような受光器（１４）
からの出力信号Ｐが得られる。この出力信号Ｐにおいて
、ワイヤ（８）（９）（９）による立上がり及び立下が
り（Ｐｓ ） （Ｐｓ ）（Ｐｓ ）の回数をカウン
トし、そのカウント値に基づいてワイヤ（８）（９）（
９）の本数を検知することができて、パワートランジス
タのようにエミッタ電橋（５）とリード（７）間に２本
のワイヤ（９）（９）が接近してボンディングされてい
る場合でも、その２本のワイヤ（９）（９）の有無を確
実に検出することができる。上記構造のり一′ドフレー
ム（１）では、半導体ペレット（３）のコレクタ電極を
外部に引出すリード（１０）がランド部（２）と一体化
されているため、第４図に示すようにその連結部分によ
り出力信号Ｐで立上がり及び立下がり（Ｐｓｏ）がでて
しまうが、これはその連結部分がワイヤ（８）（９）（
９）と比べて幅広であるので、立上がりから立下がりま
での時間Ｔ！がワイヤ（８）（９）（９）による立上が
りから立下がりまでの時間Ｔ２よりも長いため、上記連
結部分とワイヤ（８）（９）（９）は容易に判別するこ
とが可能である。尚、上述したランド部（２）とリード
（ｌＯ）との連結部分を出力信号Ｐに含めないようにし
ようとするには、例えば第５図に示すように投受光！！
！（１３ａ）（１４ａ）及び（１３ｂ ） （１４ｂ
）を二組用意し、半導体ペレット（３）のベース電極
（４）とリード（６）間のワイヤ（８）を第１の投受光
器（１３ａ ） （１４ａ ）で検出し、エミンタ電
極（５）とり一ド（７）間のワイヤ（９）（９）を第２
の投受光器（１３ｂ）（１４ｂ）で検出するようにして
もよい、この時の第１、第２の投受光器（１３ａ ）
（１４ａ ）及び（１３ｂ）（１４ｂ）による光−ビ
ムＬａ、Ｌｂの走査ストロークは、ランド部（２）とリ
ード（１０）との連結部分の両側で所定の寸法に設定さ
れる。
尚、上記実施例では、パワートランジスタについて、ま
た光ビームとしてレーザ光の場合で説明したが、本発明
はこれに限定されることなく、必要に応じて上記パワー
トランジスタ以外の半導体装置に適用し他の放射線ビー
ムを使用可能であるのは勿論である。
た光ビームとしてレーザ光の場合で説明したが、本発明
はこれに限定されることなく、必要に応じて上記パワー
トランジスタ以外の半導体装置に適用し他の放射線ビー
ムを使用可能であるのは勿論である。
本発明方法によれば、作業者の目視に依存することなく
、線径及び配列ピンチが小さいワイヤの有無を自動的に
確実に検出することが実現容易となり、作業性が大幅に
向上すると共に歩留まり向上も図れて信頼性の高い半導
体装置を提供できる。
、線径及び配列ピンチが小さいワイヤの有無を自動的に
確実に検出することが実現容易となり、作業性が大幅に
向上すると共に歩留まり向上も図れて信頼性の高い半導
体装置を提供できる。
第１図乃至第５図は本発明方法の実施例を説明するため
のもので、第１図はリードフレーム及び投受光器を示す
斜視図、第２図は第１図の１−１線に沿う断面図、第３
図は第１図のｎ−■線に沿う断面図、第４図は第１図の
受光器からの出力信号を示す波形図、第５図はリードフ
レーム及び二組の投受光器を示す斜視図である。 第６図（ａ）はリードフレームに半導体ペレットマウン
トした状態を示す平面図、第６図（ｂ）は第６図＜ａ＞
のｍ−ｍ線に沿う断面図、第７図（ａ）はワイヤボンデ
ィングしたリードフレームを示す平面図、第７図（ｂ）
は第７図（ａ）（７）ＩＶ−Ｐｉ線に沿う断面図、第８
ｔ！Ｉ（ａ）は樹脂モールドしたリードフレームを示す
平面図、第８図（ｂ）は第８図（ａ）（２）Ｖ−Ｖ線に
沿う断面図である。 （１）−・・・リードフレーム、（２）・−・ランド部
、（３）・−・半導体ペレット、（４）（５）・−・−
・電極、（６） （７）−・リード、 （１３）
（１４）・−・・・投受光器、Ｌ・−・光ビーム、
ｍ・−・隙間。 貢 第７ 図〔己） 第８Ｂ＜（ｂ）
のもので、第１図はリードフレーム及び投受光器を示す
斜視図、第２図は第１図の１−１線に沿う断面図、第３
図は第１図のｎ−■線に沿う断面図、第４図は第１図の
受光器からの出力信号を示す波形図、第５図はリードフ
レーム及び二組の投受光器を示す斜視図である。 第６図（ａ）はリードフレームに半導体ペレットマウン
トした状態を示す平面図、第６図（ｂ）は第６図＜ａ＞
のｍ−ｍ線に沿う断面図、第７図（ａ）はワイヤボンデ
ィングしたリードフレームを示す平面図、第７図（ｂ）
は第７図（ａ）（７）ＩＶ−Ｐｉ線に沿う断面図、第８
ｔ！Ｉ（ａ）は樹脂モールドしたリードフレームを示す
平面図、第８図（ｂ）は第８図（ａ）（２）Ｖ−Ｖ線に
沿う断面図である。 （１）−・・・リードフレーム、（２）・−・ランド部
、（３）・−・半導体ペレット、（４）（５）・−・−
・電極、（６） （７）−・リード、 （１３）
（１４）・−・・・投受光器、Ｌ・−・光ビーム、
ｍ・−・隙間。 貢 第７ 図〔己） 第８Ｂ＜（ｂ）
Claims (1)
- （１）リードフレームのランド部にマウントした半導体
ペレットの電極と上記リードフレームの各リード先端部
とをワイヤボンディングした中間構体に対し、上記ラン
ド部とリード先端部間の隙間に位置する投受光器間で光
ビームを照射し、その光ビームをワイヤに対してその張
設方向と交叉する方向に相対移動させるようにしたこと
を特徴とするワイヤボンディング不良検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068464A JPH02246351A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | ワイヤボンディング不良検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1068464A JPH02246351A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | ワイヤボンディング不良検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246351A true JPH02246351A (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=13374436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1068464A Pending JPH02246351A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | ワイヤボンディング不良検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02246351A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103091339A (zh) * | 2013-03-01 | 2013-05-08 | 苏州爱特盟光电有限公司 | 一种用于键合工艺微缺陷检测的方法 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP1068464A patent/JPH02246351A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103091339A (zh) * | 2013-03-01 | 2013-05-08 | 苏州爱特盟光电有限公司 | 一种用于键合工艺微缺陷检测的方法 |
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