JPH02248022A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH02248022A JPH02248022A JP1069638A JP6963889A JPH02248022A JP H02248022 A JPH02248022 A JP H02248022A JP 1069638 A JP1069638 A JP 1069638A JP 6963889 A JP6963889 A JP 6963889A JP H02248022 A JPH02248022 A JP H02248022A
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- ceramic capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、内部電極と外部電極とに卑金属を用いた積層
セラミックコンデンサに関するものである。
セラミックコンデンサに関するものである。
従来の技術
今日、積層セラミックコンデンサは、軽薄短小化の要望
を満たすため、ますますその需要が高ま・っており、ま
たそれに伴い改善すべき技術課題も種々上げられている
。
を満たすため、ますますその需要が高ま・っており、ま
たそれに伴い改善すべき技術課題も種々上げられている
。
その改善すべき項目の一つとして、内部電極に使用され
るパラジュウムなどの材料が高価なため、それを低価格
の材料に置き換え、製品価格を低下させようとの試みが
ある。そして、このような点からＮｉを内部電極材料に
使用することが提案されており、一部実施されている、
この内部電極材料にＮｉを用いた場合、外部電極材料に
もＣｕなとの卑金属が用いられている。これは通常用い
られるＡｇ外部電極では、Ｎｉよりなる内部電極との十
分な接合強度が得られないためである。
るパラジュウムなどの材料が高価なため、それを低価格
の材料に置き換え、製品価格を低下させようとの試みが
ある。そして、このような点からＮｉを内部電極材料に
使用することが提案されており、一部実施されている、
この内部電極材料にＮｉを用いた場合、外部電極材料に
もＣｕなとの卑金属が用いられている。これは通常用い
られるＡｇ外部電極では、Ｎｉよりなる内部電極との十
分な接合強度が得られないためである。
発明が解決しようとする課題
しかし、このように内部電極材料にＮｉを使用し、外部
電極材料にＣｕを用いた構成では、内部電極と外部電極
との接合がまだまだ不十分てあリ、そのため容量が抜け
てしまうという問題点を有しているが実情である。
電極材料にＣｕを用いた構成では、内部電極と外部電極
との接合がまだまだ不十分てあリ、そのため容量が抜け
てしまうという問題点を有しているが実情である。
本発明はこのような問題点を解決するもので、Ｎｉより
なる内部電極と外部電極との接合強度を十分にとれる構
成とした積層セラミックコンデンサを提供することを目
的とするものである。
なる内部電極と外部電極との接合強度を十分にとれる構
成とした積層セラミックコンデンサを提供することを目
的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明の積層セラミックコン
デンサは、外部電極が、Ｎｉよりなる内部電極と接続さ
れる第１層がＣｕ−Ｚｎ合金層、その上に設けられる第
２層がＮｉ金属層、最外部に位置する第３層がＳｎ−Ｐ
ｂ合金層よりなる構成としたものである。
デンサは、外部電極が、Ｎｉよりなる内部電極と接続さ
れる第１層がＣｕ−Ｚｎ合金層、その上に設けられる第
２層がＮｉ金属層、最外部に位置する第３層がＳｎ−Ｐ
ｂ合金層よりなる構成としたものである。
作用
この構成によれば、所定の焼付温度（後述する９００℃
付近）で第１層のＣｕ−Ｚｎ合金層の焼付を行う過程で
Ｚｎが溶融し、そのＺｎに外部電極のＣｕ、内部電極の
Ｎｉが溶けこんでいき合金を作る。状態図によると、Ｃ
ｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ合金はその比率がかなり広い範囲
において溶融状態にあるため、内部電極と外部電極（Ｃ
ｕ−Ｚｎ合金層）との接合が強くなり、容量が抜けてし
まうということがないものとなる。
付近）で第１層のＣｕ−Ｚｎ合金層の焼付を行う過程で
Ｚｎが溶融し、そのＺｎに外部電極のＣｕ、内部電極の
Ｎｉが溶けこんでいき合金を作る。状態図によると、Ｃ
ｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ合金はその比率がかなり広い範囲
において溶融状態にあるため、内部電極と外部電極（Ｃ
ｕ−Ｚｎ合金層）との接合が強くなり、容量が抜けてし
まうということがないものとなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について説明する。
まず、ＣｕｌＯＯ重量部に対して、Ｚｎ１〜４０重量部
となるようにＣｕ金属粉、Ｚｎ金属粉を配合し、それに
バインダ、溶剤、ガラスフリットを入れて混合し、Ｃｕ
−Ｚｎペーストを作製した。
となるようにＣｕ金属粉、Ｚｎ金属粉を配合し、それに
バインダ、溶剤、ガラスフリットを入れて混合し、Ｃｕ
−Ｚｎペーストを作製した。
次に、このペーストを素体の両端面に塗布し、乾燥し、
９００℃中性雰囲気中で焼付を行った。次いで、電解メ
ツキ法によりその上にＮｉメツキを行い、Ｎｉ金属層を
形成し、その後電解メツキ法によりＮｉ金属層の上にＳ
ｎ−Ｐｂメツキを行い、Ｓｎ−Ｐｂ合金層を形成し、積
層セラミックコンデンサとした。
９００℃中性雰囲気中で焼付を行った。次いで、電解メ
ツキ法によりその上にＮｉメツキを行い、Ｎｉ金属層を
形成し、その後電解メツキ法によりＮｉ金属層の上にＳ
ｎ−Ｐｂメツキを行い、Ｓｎ−Ｐｂ合金層を形成し、積
層セラミックコンデンサとした。
ここで、前記素体とは、本実施例により得られた積層セ
ラミックコンデンサを示す第１図に示される通り、誘電
体１とＮｉよりなる内部電極２とが交互に積層されてな
るものであり、かつ前記内部電極２は相異なる端面のＣ
ｕ−Ｚｎ合金層３に一層おきに接続されている。また、
４はＮｉ金属層、５はＳｎ−Ｐｂ合金層である。
ラミックコンデンサを示す第１図に示される通り、誘電
体１とＮｉよりなる内部電極２とが交互に積層されてな
るものであり、かつ前記内部電極２は相異なる端面のＣ
ｕ−Ｚｎ合金層３に一層おきに接続されている。また、
４はＮｉ金属層、５はＳｎ−Ｐｂ合金層である。
ここで、本発明において外部電極として、第２層のＮｉ
金属層、第３層のＳｎ−Ｐｂ合金層を設けている理由は
従来と同様に半田付は性向上のために第３層のＳｎ−Ｐ
ｂ合金層を設けており、また第２層のＮｉ金属層は第１
層のＣｕ−Ｚｎ合金層のうちのＣｕがＳｎ−Ｐｂ合金層
中に移行して起こる半田喰われを防止するために設けら
れている。
金属層、第３層のＳｎ−Ｐｂ合金層を設けている理由は
従来と同様に半田付は性向上のために第３層のＳｎ−Ｐ
ｂ合金層を設けており、また第２層のＮｉ金属層は第１
層のＣｕ−Ｚｎ合金層のうちのＣｕがＳｎ−Ｐｂ合金層
中に移行して起こる半田喰われを防止するために設けら
れている。
次に、内部電極と外部電極との接合を評価するために実
験を行った。ここでは、誘電体１として一般に用いられ
ているＢａＴｉＯｓ系材料を使用し、有効誘電体層を１
２層として実験を行った。
験を行った。ここでは、誘電体１として一般に用いられ
ているＢａＴｉＯｓ系材料を使用し、有効誘電体層を１
２層として実験を行った。
その結果を下記の第１表に示す。また、測定は外部電極
の第１層にＣｕ金属を用いた従来の積層セラミックコン
デンサと、Ｃｕ−Ｚｎ合金層を用いた積層セラミックコ
ンデンサにおける熱衝撃試験（８５℃、−４５℃）２０
０サイクル後の容量変化率（試料数１０個の平均値）で
調べた。ここで、もちろん実験は外部電極を構成する第
２層のＮｉ金属層、第３のＳｎ−Ｐｂ合金層を設けた状
態でのものである。
の第１層にＣｕ金属を用いた従来の積層セラミックコン
デンサと、Ｃｕ−Ｚｎ合金層を用いた積層セラミックコ
ンデンサにおける熱衝撃試験（８５℃、−４５℃）２０
０サイクル後の容量変化率（試料数１０個の平均値）で
調べた。ここで、もちろん実験は外部電極を構成する第
２層のＮｉ金属層、第３のＳｎ−Ｐｂ合金層を設けた状
態でのものである。
（以 下 余 白）
第１表
＊は従来例で請求範囲外である。
この第１表に示す通り、本実施例のように外部電極の第
１層にＣｕ−Ｚｎ合金層を用いた場合、容量変化がほと
んどなくなり、従ってＮｉ内部電極と外部電極（Ｃｕ−
Ｚｎ合金層・）との接合が強くなっていることは明らか
である。しかし、Ｃｕ１００重量部に対してＺｎが４０
重量部を超えると、Ｃｕ−Ｚｎ合金層が溶融し、容量を
持たなくなる。
１層にＣｕ−Ｚｎ合金層を用いた場合、容量変化がほと
んどなくなり、従ってＮｉ内部電極と外部電極（Ｃｕ−
Ｚｎ合金層・）との接合が強くなっていることは明らか
である。しかし、Ｃｕ１００重量部に対してＺｎが４０
重量部を超えると、Ｃｕ−Ｚｎ合金層が溶融し、容量を
持たなくなる。
ここで、Ｃｕ融点は１０８３℃であり、Ｚｎの融点はそ
れより低い４１９℃であるため、前記実施例における焼
付温度より低い温度で焼付を行うこととすると、Ｃｕと
Ｚｎの比率は前記実施例の時よりもＺｎの割合を増やす
ことが理論上可能であるが、その反面、その焼付温度に
おけるＣｕ−Ｚｎ合金の溶融状態にある範囲（量）が減
り、Ｎｉとの合金ができに（いという側面が現れてくる
。
れより低い４１９℃であるため、前記実施例における焼
付温度より低い温度で焼付を行うこととすると、Ｃｕと
Ｚｎの比率は前記実施例の時よりもＺｎの割合を増やす
ことが理論上可能であるが、その反面、その焼付温度に
おけるＣｕ−Ｚｎ合金の溶融状態にある範囲（量）が減
り、Ｎｉとの合金ができに（いという側面が現れてくる
。
したがって、Ｎｉを内部電極材料に使用した場合におけ
る誘電体の焼成温度（通常１２００℃前後）と、前記Ｎ
ｉ内部電極との合金化のしやすさとの両面から見た場合
、前記実施例における焼付温度の付近でＣｕ−Ｚｎ合金
層の焼付を行うのがよいと思われるのでＣｕｌＯＯ重量
部に対するＺｎの割合は１〜３５重量部が好ましいと考
えられる。
る誘電体の焼成温度（通常１２００℃前後）と、前記Ｎ
ｉ内部電極との合金化のしやすさとの両面から見た場合
、前記実施例における焼付温度の付近でＣｕ−Ｚｎ合金
層の焼付を行うのがよいと思われるのでＣｕｌＯＯ重量
部に対するＺｎの割合は１〜３５重量部が好ましいと考
えられる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、Ｎｆを内部電極材料に使
用した積層セラミックコンデンサにおける外部電極にＣ
ｕに代えてＣｕ−Ｚｎ合金層を用いることにより、内部
電極と外部電極との接合が強（なり、容量が抜けるとい
うことを防止できる効果が得られる。
用した積層セラミックコンデンサにおける外部電極にＣ
ｕに代えてＣｕ−Ｚｎ合金層を用いることにより、内部
電極と外部電極との接合が強（なり、容量が抜けるとい
うことを防止できる効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例にかかる積層セラミックコン
デンサを示す断面図である。 １・・・・・・誘電体、２・・・・・・内部電極、３・
・・・・・Ｃｕ−Ｚｎ合金層、４・・・・・・Ｎｉ金属
層、５・・・・・・Ｓｎ−Ｐｂ合金層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名Ｍ１図 −−一 ３−°− 誘電イ本 内部電子２ Ｃ／ｃｔ−Ｚ牝合嚢層 Ｎｉ金属層 ５ｑｔ−Ｆｂ６金層
デンサを示す断面図である。 １・・・・・・誘電体、２・・・・・・内部電極、３・
・・・・・Ｃｕ−Ｚｎ合金層、４・・・・・・Ｎｉ金属
層、５・・・・・・Ｓｎ−Ｐｂ合金層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名Ｍ１図 −−一 ３−°− 誘電イ本 内部電子２ Ｃ／ｃｔ−Ｚ牝合嚢層 Ｎｉ金属層 ５ｑｔ−Ｆｂ６金層
Claims (2)
- （１）誘電体と内部電極とが交互に積層され、かつ前記
内部電極と接続される外部電極を両端面部に有する構成
を具備し、かつ前記外部電極が、Ｎｉよりなる前記内部
電極と接続される第１層がＣｕ−Ｚｎ合金層、その上に
設けられる第２層がＮｉ金属層、最外部に位置する第３
層がＳｎ−Ｐｂ合金層よりなる積層セラミックコンデン
サ。 - （２）外部電極を構成する第１層のＣｕ−Ｚｎ合金層の
Ｃｕ−Ｚｎ比率が重量部にて１００：１〜１００：３５
である請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1069638A JP2949714B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1069638A JP2949714B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02248022A true JPH02248022A (ja) | 1990-10-03 |
| JP2949714B2 JP2949714B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=13408606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1069638A Expired - Fee Related JP2949714B2 (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2949714B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015065331A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59184511A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | 株式会社村田製作所 | セラミツク積層コンデンサ |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1069638A patent/JP2949714B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59184511A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | 株式会社村田製作所 | セラミツク積層コンデンサ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015065331A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2949714B2 (ja) | 1999-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |