JPH04273418A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH04273418A JPH04273418A JP5780791A JP5780791A JPH04273418A JP H04273418 A JPH04273418 A JP H04273418A JP 5780791 A JP5780791 A JP 5780791A JP 5780791 A JP5780791 A JP 5780791A JP H04273418 A JPH04273418 A JP H04273418A
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- dielectric
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は下地外部電極が金属粉末
とガラスフリットを含むペーストを焼付けた電極層から
なり、この焼付け電極層の表面にめっき層を有する積層
セラミックコンデンサに関する。更に詳しくは焼付け電
極層が２層からなる積層セラミックコンデンサに関する
ものである。
とガラスフリットを含むペーストを焼付けた電極層から
なり、この焼付け電極層の表面にめっき層を有する積層
セラミックコンデンサに関する。更に詳しくは焼付け電
極層が２層からなる積層セラミックコンデンサに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の積層セラミックコンデンサは、
内部電極を有するベアチップを複数個重合して形成され
たセラミック誘電体と、この内部電極と電気的に接続さ
れた下地外部電極とを備え、この下地外部電極の表面に
Ｎｉめっき、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっきの２層のめっき
電極層が形成されている。この積層セラミックコンデン
サを製造するには、金属粉末とガラスフリットと有機ビ
ヒクルとを混練してつくられたペーストをセラミック誘
電体の両端部に塗布した後、６００〜８００℃程度の温
度で焼成してめっき下地外部電極を形成し、この下地外
部電極の表面に無電解又は電解めっき法によりＮｉめっ
きとＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっきの２層をこの順に形成し
ている。ガラスフリットは下地外部電極の焼結制御とセ
ラミック誘電体との界面形成のために用いられ、Ｎｉめ
っきははんだ耐熱性の向上と、はんだによる電極食われ
の防止とを主たる目的とし、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき
ははんだ濡れ性の向上を目的としている。
内部電極を有するベアチップを複数個重合して形成され
たセラミック誘電体と、この内部電極と電気的に接続さ
れた下地外部電極とを備え、この下地外部電極の表面に
Ｎｉめっき、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっきの２層のめっき
電極層が形成されている。この積層セラミックコンデン
サを製造するには、金属粉末とガラスフリットと有機ビ
ヒクルとを混練してつくられたペーストをセラミック誘
電体の両端部に塗布した後、６００〜８００℃程度の温
度で焼成してめっき下地外部電極を形成し、この下地外
部電極の表面に無電解又は電解めっき法によりＮｉめっ
きとＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっきの２層をこの順に形成し
ている。ガラスフリットは下地外部電極の焼結制御とセ
ラミック誘電体との界面形成のために用いられ、Ｎｉめ
っきははんだ耐熱性の向上と、はんだによる電極食われ
の防止とを主たる目的とし、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき
ははんだ濡れ性の向上を目的としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この種の積層
セラミックコンデンサでは下地外部電極のセラミック誘
電体に対して高い接着強度を得るためにガラスフリット
の量を多くしたり、或いはＮｉめっき液の浸入に耐えら
れるように耐めっき性の高いガラスフリットをペースト
に添加した場合には、焼結後の下地外部電極の表面にガ
ラスフリットが存在し易くなる。このガラスフリットが
存在した状態でＮｉめっきを施すと、Ｎｉめっき層が連
続して形成されなくなり、外部電極のはんだ耐熱性が損
われ、はんだによる電極食われが生じる問題点があった
。本発明の目的は、下地外部電極のセラミック誘電体に
対する接着強度が高く、めっき層を容易に連続して形成
でき、耐熱性に優れ、信頼性の高い積層セラミックコン
デンサを提供することにある。
セラミックコンデンサでは下地外部電極のセラミック誘
電体に対して高い接着強度を得るためにガラスフリット
の量を多くしたり、或いはＮｉめっき液の浸入に耐えら
れるように耐めっき性の高いガラスフリットをペースト
に添加した場合には、焼結後の下地外部電極の表面にガ
ラスフリットが存在し易くなる。このガラスフリットが
存在した状態でＮｉめっきを施すと、Ｎｉめっき層が連
続して形成されなくなり、外部電極のはんだ耐熱性が損
われ、はんだによる電極食われが生じる問題点があった
。本発明の目的は、下地外部電極のセラミック誘電体に
対する接着強度が高く、めっき層を容易に連続して形成
でき、耐熱性に優れ、信頼性の高い積層セラミックコン
デンサを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の積層セラミック
コンデンサは、図１に示すように内部電極１３を有する
ベアチップを複数個重合して形成されたセラミック誘電
体１１と、金属粉末とガラスフリットを含むペーストを
誘電体１１の両端部に焼付けることにより内部電極１３
と電気的に接続された下地外部電極１２と、下地外部電
極１２の表面に形成されためっき層１４，１５を備える
。この積層セラミックコンデンサ１０の下地外部電極１
２は誘電体１１に接する内層１２ａとこの内層の表面に
積層された外層１２ｂとの２層の焼付け電極層からなり
、内層１２ａは金属成分に対して５〜２０重量％のガラ
スフリットを含む内層用ペーストを焼付けて形成され、
外層１２ｂは金属成分に対して内層用ペーストより少な
い１〜５重量％のガラスフリットを含む外層用ペースト
を焼付けて形成される。
コンデンサは、図１に示すように内部電極１３を有する
ベアチップを複数個重合して形成されたセラミック誘電
体１１と、金属粉末とガラスフリットを含むペーストを
誘電体１１の両端部に焼付けることにより内部電極１３
と電気的に接続された下地外部電極１２と、下地外部電
極１２の表面に形成されためっき層１４，１５を備える
。この積層セラミックコンデンサ１０の下地外部電極１
２は誘電体１１に接する内層１２ａとこの内層の表面に
積層された外層１２ｂとの２層の焼付け電極層からなり
、内層１２ａは金属成分に対して５〜２０重量％のガラ
スフリットを含む内層用ペーストを焼付けて形成され、
外層１２ｂは金属成分に対して内層用ペーストより少な
い１〜５重量％のガラスフリットを含む外層用ペースト
を焼付けて形成される。
【０００５】以下、本発明を詳述する。本発明の積層セ
ラミックコンデンサは、内部電極を有するベアチップを
複数個重合してセラミック誘電体を形成し、この誘電体
の両端部に内部電極と電気的に接続された下地外部電極
を形成して作製される。このセラミック誘電体には、鉛
系、チタン酸バリウム系の誘電体が用いられ、内部電極
にはＰｄ，Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属、或いはＮｉ，
Ｆｅ，Ｃｏ等の卑金属が用いられる。本発明の下地外部
電極はセラミック誘電体に接する内層とこの内層の表面
に積層された外層との２層の焼付け電極層からなる。こ
の下地外部電極の表面にはＮｉめっき層及びＳｎ又はＳ
ｎ／Ｐｂめっき層がこの順に形成される。
ラミックコンデンサは、内部電極を有するベアチップを
複数個重合してセラミック誘電体を形成し、この誘電体
の両端部に内部電極と電気的に接続された下地外部電極
を形成して作製される。このセラミック誘電体には、鉛
系、チタン酸バリウム系の誘電体が用いられ、内部電極
にはＰｄ，Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属、或いはＮｉ，
Ｆｅ，Ｃｏ等の卑金属が用いられる。本発明の下地外部
電極はセラミック誘電体に接する内層とこの内層の表面
に積層された外層との２層の焼付け電極層からなる。こ
の下地外部電極の表面にはＮｉめっき層及びＳｎ又はＳ
ｎ／Ｐｂめっき層がこの順に形成される。
【０００６】この下地外部電極の製造方法は、先ず内層
用ペーストにセラミック誘電体の端部を浸漬して引上げ
１５０〜２００℃で乾燥した後、６００〜８００℃で焼
成して内層を焼付ける。次いで外層用ペーストに内層を
焼付けたセラミック誘電体の端部を浸漬して引上げ内層
と同様に乾燥焼成して外層を焼付ける。内層は厚さが２
０〜５０μｍの範囲に、外層は厚さが３０〜６０μｍの
範囲にそれぞれ形成される。内層が２０μｍ未満である
と接着強度や耐めっき液性に劣り、５０μｍを越えると
焼付け時にガラスフリットの電極表面への浮き出しが多
くなり、焼付け後に製品が焼付け用の匣（さや）に貼り
付いて回収できなくなる。外層が３０μｍ未満であると
内層のガラスフリットが焼付け時に外層の電極表面まで
浮き出し、めっき膜の形成に支障をきたし、６０μｍを
越えると製品の外観形状が悪くなる。
用ペーストにセラミック誘電体の端部を浸漬して引上げ
１５０〜２００℃で乾燥した後、６００〜８００℃で焼
成して内層を焼付ける。次いで外層用ペーストに内層を
焼付けたセラミック誘電体の端部を浸漬して引上げ内層
と同様に乾燥焼成して外層を焼付ける。内層は厚さが２
０〜５０μｍの範囲に、外層は厚さが３０〜６０μｍの
範囲にそれぞれ形成される。内層が２０μｍ未満である
と接着強度や耐めっき液性に劣り、５０μｍを越えると
焼付け時にガラスフリットの電極表面への浮き出しが多
くなり、焼付け後に製品が焼付け用の匣（さや）に貼り
付いて回収できなくなる。外層が３０μｍ未満であると
内層のガラスフリットが焼付け時に外層の電極表面まで
浮き出し、めっき膜の形成に支障をきたし、６０μｍを
越えると製品の外観形状が悪くなる。
【０００７】内層用ペースト及び外層用ペーストともそ
れぞれ金属粉末とガラスフリットとを有機ビヒクルとと
もに混練して調製される。金属粉末はＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔ
，Ｃｕ等の中から１種又は２種以上が使用される。内層
用ペーストは金属成分に対して５〜２０重量％のガラス
フリットを含み、外層用ペーストは金属成分に対して内
層用ペーストより少ない１〜５重量％のガラスフリット
を含む。内層用ペーストのガラスフリットの含有量が５
重量％未満になると金属粉末のセラミック誘電体に対す
る接着強度が低下し、外層用ペーストのガラスフリット
の含有量が５重量％を越えると焼結後の端子電極の表面
にガラスフリットが現れ、めっき膜の形成に支障をきた
す。
れぞれ金属粉末とガラスフリットとを有機ビヒクルとと
もに混練して調製される。金属粉末はＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔ
，Ｃｕ等の中から１種又は２種以上が使用される。内層
用ペーストは金属成分に対して５〜２０重量％のガラス
フリットを含み、外層用ペーストは金属成分に対して内
層用ペーストより少ない１〜５重量％のガラスフリット
を含む。内層用ペーストのガラスフリットの含有量が５
重量％未満になると金属粉末のセラミック誘電体に対す
る接着強度が低下し、外層用ペーストのガラスフリット
の含有量が５重量％を越えると焼結後の端子電極の表面
にガラスフリットが現れ、めっき膜の形成に支障をきた
す。
【０００８】セラミック誘電体に焼付けた外層の表面に
Ｎｉめっき層及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層がこの順
に形成される。これらのめっき層は無電解又は電解めっ
き等をバレルめっきで行うことにより形成される。めっ
き浴はＮｉ，Ｓｎ，Ｓｎ／Ｐｂともそれぞれ公知のもの
を使用する。
Ｎｉめっき層及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層がこの順
に形成される。これらのめっき層は無電解又は電解めっ
き等をバレルめっきで行うことにより形成される。めっ
き浴はＮｉ，Ｓｎ，Ｓｎ／Ｐｂともそれぞれ公知のもの
を使用する。
【０００９】
【作用】外層用ペーストに多くのガラスフリットを含有
させ、内層用ペーストにこれより少ないガラスフリット
を含有させることにより、内層のセラミック誘電体に対
する接着強度が高まる。内層の表面にガラスフリットが
現れても次の外層がこれを吸収し、しかも外層の表面に
はガラスフリットが存在しなくなるため、めっき層を連
続して容易に形成することができる。
させ、内層用ペーストにこれより少ないガラスフリット
を含有させることにより、内層のセラミック誘電体に対
する接着強度が高まる。内層の表面にガラスフリットが
現れても次の外層がこれを吸収し、しかも外層の表面に
はガラスフリットが存在しなくなるため、めっき層を連
続して容易に形成することができる。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、め
っき下地外部電極を形成するためのペースト中のガラス
フリットの含有量を内層を多くして外層を少なくするこ
とにより、めっきを施す前に外層の表面にガラスフリッ
トが存在しなくなり、めっき層を連続して容易に形成す
ることができ、めっき層の所期の目的であるはんだ耐熱
性を外部電極に与えることができる。また内層について
はガラスフリットの焼結後の残存量に細心の注意を払わ
なくてもよくなるため、内層をセラミック誘電体により
強固に接着させることができる。これにより耐熱性に優
れ、信頼性の高い積層セラミックコンデンサが得られる
。
っき下地外部電極を形成するためのペースト中のガラス
フリットの含有量を内層を多くして外層を少なくするこ
とにより、めっきを施す前に外層の表面にガラスフリッ
トが存在しなくなり、めっき層を連続して容易に形成す
ることができ、めっき層の所期の目的であるはんだ耐熱
性を外部電極に与えることができる。また内層について
はガラスフリットの焼結後の残存量に細心の注意を払わ
なくてもよくなるため、内層をセラミック誘電体により
強固に接着させることができる。これにより耐熱性に優
れ、信頼性の高い積層セラミックコンデンサが得られる
。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて比較例
とともに説明する。 ＜実施例１＞図１に示すように、積層セラミックコンデ
ンサ１０はセラミック誘電体１１とこの誘電体１１の両
端部に形成された下地外部電極１２とを備える。セラミ
ック誘電体１１は鉛ペロブスカイト系であって、貴金属
のＡｇ７０／Ｐｄ３０からなる内部電極１３を有し、長
さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８ｍｍのサイズ
を有する。下地外部電極１２は内層１２ａと外層１２ｂ
の２層の焼付け電極層からなり、外層１２ｂの表面には
Ｎｉめっき層１４及びＳｎ／Ｐｂめっき層１５がこの順
に形成される。
とともに説明する。 ＜実施例１＞図１に示すように、積層セラミックコンデ
ンサ１０はセラミック誘電体１１とこの誘電体１１の両
端部に形成された下地外部電極１２とを備える。セラミ
ック誘電体１１は鉛ペロブスカイト系であって、貴金属
のＡｇ７０／Ｐｄ３０からなる内部電極１３を有し、長
さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８ｍｍのサイズ
を有する。下地外部電極１２は内層１２ａと外層１２ｂ
の２層の焼付け電極層からなり、外層１２ｂの表面には
Ｎｉめっき層１４及びＳｎ／Ｐｂめっき層１５がこの順
に形成される。
【００１２】下地外部電極の内層と外層を次の条件によ
り形成した。 ■ 内層の焼付け電極層 内層用ペースト１００重量％とするときＡｇが７５重量
％の金属粉末と、この金属成分に対して１５重量％のＳ
ｉＯ２（２０重量％）−Ｂ２Ｏ３（３０重量％）−Ｚｎ
Ｏ（２０重量％）−ＰｂＯ（３０重量％）からなるガラ
スフリットと、残部がエチルセルロースとブチルカルビ
トールとテルピネオールを含む有機ビヒクルとを混練し
て内層用ペーストを調製した。このペーストを焼付け後
の厚さが４０μｍになるようにセラミック誘電体１１の
両端部に塗布し、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥し
た。この誘電体を２５℃／分の速度で、大気圧下、５５
０℃まで昇温しそこで５分間保持した後、２０分／分の
速度で室温まで降温してＡｇからなる焼付け電極層を得
た。 ■ 外層の焼付け電極層 内層用ペースト１００重量％とするときＡｇが７５重量
％の金属粉末と、この金属成分に対して３重量％のＳｉ
Ｏ２（２０重量％）−Ｂ２Ｏ３（３０重量％）−ＺｎＯ
（２０重量％）−ＰｂＯ（３０重量％）からなるガラス
フリットと、残部がエチルセルロースとブチルカルビト
ールとテルピネオールを含む有機ビヒクルとを混練して
内層用ペーストを調製した。このペーストを焼付け後の
厚さが５０μｍになるようにセラミック誘電体の両端部
に塗布し、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥した。こ
の誘電体を２５℃／分の速度で、大気圧下、６６０℃ま
で昇温しそこで５分間保持した後、２０分／分の速度で
室温まで降温してＡｇからなる焼付け電極層を得た。
り形成した。 ■ 内層の焼付け電極層 内層用ペースト１００重量％とするときＡｇが７５重量
％の金属粉末と、この金属成分に対して１５重量％のＳ
ｉＯ２（２０重量％）−Ｂ２Ｏ３（３０重量％）−Ｚｎ
Ｏ（２０重量％）−ＰｂＯ（３０重量％）からなるガラ
スフリットと、残部がエチルセルロースとブチルカルビ
トールとテルピネオールを含む有機ビヒクルとを混練し
て内層用ペーストを調製した。このペーストを焼付け後
の厚さが４０μｍになるようにセラミック誘電体１１の
両端部に塗布し、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥し
た。この誘電体を２５℃／分の速度で、大気圧下、５５
０℃まで昇温しそこで５分間保持した後、２０分／分の
速度で室温まで降温してＡｇからなる焼付け電極層を得
た。 ■ 外層の焼付け電極層 内層用ペースト１００重量％とするときＡｇが７５重量
％の金属粉末と、この金属成分に対して３重量％のＳｉ
Ｏ２（２０重量％）−Ｂ２Ｏ３（３０重量％）−ＺｎＯ
（２０重量％）−ＰｂＯ（３０重量％）からなるガラス
フリットと、残部がエチルセルロースとブチルカルビト
ールとテルピネオールを含む有機ビヒクルとを混練して
内層用ペーストを調製した。このペーストを焼付け後の
厚さが５０μｍになるようにセラミック誘電体の両端部
に塗布し、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥した。こ
の誘電体を２５℃／分の速度で、大気圧下、６６０℃ま
で昇温しそこで５分間保持した後、２０分／分の速度で
室温まで降温してＡｇからなる焼付け電極層を得た。
【００１３】Ｎｉめっき層及びＳｎ／Ｐｂめっき層を次
の条件により形成した。 ■ Ｎｉめっき ｐＨ４．０、温度５０℃のスルファミン酸ニッケル（Ｎ
ｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２・４Ｈ２Ｏ）１２０ｇ／Ｌの組成
の浴を用い、電解バレルめっき法で外層の表面に１〜３
μｍ厚のＮｉめっき層を形成した。 ■ Ｓｎ／Ｐｂめっき ｐＨ４．５、温度２５℃の錫（Ｓｎ）１５ｇ／Ｌと鉛（
Ｐｂ）６ｇ／Ｌの組成の浴を用い、電解バレルめっき法
でＮｉめっき層の表面に１０〜１５μｍ厚のＳｎ／Ｐｂ
めっき層を形成した。これにより、２層の焼付け電極層
の上に更に２層のめっき層を形成した積層セラミックコ
ンデンサを得た。
の条件により形成した。 ■ Ｎｉめっき ｐＨ４．０、温度５０℃のスルファミン酸ニッケル（Ｎ
ｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２・４Ｈ２Ｏ）１２０ｇ／Ｌの組成
の浴を用い、電解バレルめっき法で外層の表面に１〜３
μｍ厚のＮｉめっき層を形成した。 ■ Ｓｎ／Ｐｂめっき ｐＨ４．５、温度２５℃の錫（Ｓｎ）１５ｇ／Ｌと鉛（
Ｐｂ）６ｇ／Ｌの組成の浴を用い、電解バレルめっき法
でＮｉめっき層の表面に１０〜１５μｍ厚のＳｎ／Ｐｂ
めっき層を形成した。これにより、２層の焼付け電極層
の上に更に２層のめっき層を形成した積層セラミックコ
ンデンサを得た。
【００１４】＜比較例１＞実施例１と同一のセラミック
誘電体の両端部に実施例１の内層用ペーストのみを焼付
け後の厚さが９０μｍになるように塗布し、大気圧下、
２００℃で１０分間乾燥した。この誘電体を２５℃／分
の速度で、大気圧下、６６０℃まで昇温しそこで５分間
保持した後、２０分／分の速度で室温まで降温してＡｇ
からなる焼付けた。この単一の焼付け電極層の上に実施
例１と同様に２層のめっき層を形成して積層セラミック
コンデンサを得た。 ＜比較例２＞ペースト１００重量％とするときＡｇが７
５重量％の金属粉末を用い、この金属成分に対してガラ
スフリットの添加量を１２重量％にした以外は比較例２
と同様にしてペーストを調製した。このペーストのみを
比較例１と同様に焼付けた。この単一の焼付け電極層の
上に実施例１と同様に２層のめっき層を形成して積層セ
ラミックコンデンサを得た。 ＜比較例３＞ペースト１００重量％とするときＡｇが７
５重量％の金属粉末を用い、この金属成分に対してガラ
スフリットの添加量を８重量％にした以外は比較例２と
同様にしてペーストを調製した。このペーストのみを比
較例１と同様に焼付けた。この単一の焼付け電極層の上
に実施例１と同様に２層のめっき層を形成して積層セラ
ミックコンデンサを得た。
誘電体の両端部に実施例１の内層用ペーストのみを焼付
け後の厚さが９０μｍになるように塗布し、大気圧下、
２００℃で１０分間乾燥した。この誘電体を２５℃／分
の速度で、大気圧下、６６０℃まで昇温しそこで５分間
保持した後、２０分／分の速度で室温まで降温してＡｇ
からなる焼付けた。この単一の焼付け電極層の上に実施
例１と同様に２層のめっき層を形成して積層セラミック
コンデンサを得た。 ＜比較例２＞ペースト１００重量％とするときＡｇが７
５重量％の金属粉末を用い、この金属成分に対してガラ
スフリットの添加量を１２重量％にした以外は比較例２
と同様にしてペーストを調製した。このペーストのみを
比較例１と同様に焼付けた。この単一の焼付け電極層の
上に実施例１と同様に２層のめっき層を形成して積層セ
ラミックコンデンサを得た。 ＜比較例３＞ペースト１００重量％とするときＡｇが７
５重量％の金属粉末を用い、この金属成分に対してガラ
スフリットの添加量を８重量％にした以外は比較例２と
同様にしてペーストを調製した。このペーストのみを比
較例１と同様に焼付けた。この単一の焼付け電極層の上
に実施例１と同様に２層のめっき層を形成して積層セラ
ミックコンデンサを得た。
【００１５】＜測定方法＞上記実施例１及び比較例１〜
３で作製した積層セラミックコンデンサについて、諸特
性を次の方法により測定した。括弧内の数値ｎは試験し
た試料数である。 （ａ） 静電容量（ｎＦ）及び誘電正接（％）（ｎ＝３
０）１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。 （ｂ） 絶縁抵抗（Ω）（ｎ＝１５）２５Ｖの直流電圧
を印加した後、３０秒経過後の抵抗を測定した。 （ｃ） 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２０）＋８５℃
の温度で８５％の相対湿度下、１６Ｖの直流電圧を印加
して１０００時間後の劣化の有無を調べた。 （ｄ） 引張強度（ｎ＝１０）積層セラミックコンデン
サの下地外部電極に０．８ｍｍのはんだ引き鋼線を２３
０℃のホットプレート上で共晶クリームはんだにより接
着し、この鋼線を引張ることにより引張強度を測定した
。 （ｅ） はんだ耐熱性（ｎ＝２０）３００℃の温度で溶
融させたＳｎ６３／Ｐｂ３７の共晶はんだ（Ｈ６３−Ａ
）中にピンセットで試料を挟んで３０秒間浸漬し、下地
外部電極が食われて素地が露出しているか否かを光学顕
微鏡により調べた。
３で作製した積層セラミックコンデンサについて、諸特
性を次の方法により測定した。括弧内の数値ｎは試験し
た試料数である。 （ａ） 静電容量（ｎＦ）及び誘電正接（％）（ｎ＝３
０）１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。 （ｂ） 絶縁抵抗（Ω）（ｎ＝１５）２５Ｖの直流電圧
を印加した後、３０秒経過後の抵抗を測定した。 （ｃ） 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２０）＋８５℃
の温度で８５％の相対湿度下、１６Ｖの直流電圧を印加
して１０００時間後の劣化の有無を調べた。 （ｄ） 引張強度（ｎ＝１０）積層セラミックコンデン
サの下地外部電極に０．８ｍｍのはんだ引き鋼線を２３
０℃のホットプレート上で共晶クリームはんだにより接
着し、この鋼線を引張ることにより引張強度を測定した
。 （ｅ） はんだ耐熱性（ｎ＝２０）３００℃の温度で溶
融させたＳｎ６３／Ｐｂ３７の共晶はんだ（Ｈ６３−Ａ
）中にピンセットで試料を挟んで３０秒間浸漬し、下地
外部電極が食われて素地が露出しているか否かを光学顕
微鏡により調べた。
【００１６】＜測定結果と評価＞上記（ａ）〜（ｅ）の
結果を表１に示す。表１より、実施例１の積層セラミッ
クコンデンサは比較例１、比較例２及び比較例３のもの
に比較して、めっき電着性、はんだ耐熱性、引張強度に
高い値を示し、品質安定性に優れ、信頼性の高いことが
判明した。
結果を表１に示す。表１より、実施例１の積層セラミッ
クコンデンサは比較例１、比較例２及び比較例３のもの
に比較して、めっき電着性、はんだ耐熱性、引張強度に
高い値を示し、品質安定性に優れ、信頼性の高いことが
判明した。
【００１７】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの断面図。
１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ セラミック誘電体
１２ 下地外部電極
１２ａ 内層
１２ｂ 外層
１３ 内部電極
１４，１５ めっき層
Claims (1)
- 【請求項１】 内部電極（１３）を有するベアチップ
を複数個重合して形成されたセラミック誘電体（１１）
と、金属粉末とガラスフリットを含むペーストを前記誘
電体（１１）の両端部に焼付けることにより前記内部電
極（１３）と電気的に接続された下地外部電極（１２）
と、前記下地外部電極（１２）の表面に形成されためっ
き層（１４，１５）とを備えた積層セラミックコンデン
サ（１０）において、前記下地外部電極（１２）が前記
誘電体（１１）に接する内層（１２ａ）と前記内層の表
面に積層された外層（１２ｂ）との２層の焼付け電極層
からなり、前記内層（１２ａ）は金属成分に対して５〜
２０重量％のガラスフリットを含む内層用ペーストを焼
付けて形成され、前記外層（１２ｂ）は金属成分に対し
て前記内層用ペーストより少ない１〜５重量％のガラス
フリットを含む外層用ペーストを焼付けて形成されたこ
とを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5780791A JPH04273418A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5780791A JPH04273418A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273418A true JPH04273418A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=13066196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5780791A Pending JPH04273418A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273418A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09180957A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-07-11 | Kyocera Corp | 積層型セラミックコンデンサ |
| JP2002164257A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品 |
| JP2002203737A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| US8988851B1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor including four terminal electrodes |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP5780791A patent/JPH04273418A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09180957A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-07-11 | Kyocera Corp | 積層型セラミックコンデンサ |
| JP2002164257A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品 |
| JP2002203737A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| US8988851B1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor including four terminal electrodes |
| US9287048B2 (en) * | 2013-10-22 | 2016-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Capacitor including first, second, third, and fourth terminal electrodes |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981222 |