JPH02248901A - 光導波路または光波長変換素子の製造方法及び短波長レーザ光源 - Google Patents
光導波路または光波長変換素子の製造方法及び短波長レーザ光源Info
- Publication number
- JPH02248901A JPH02248901A JP1069625A JP6962589A JPH02248901A JP H02248901 A JPH02248901 A JP H02248901A JP 1069625 A JP1069625 A JP 1069625A JP 6962589 A JP6962589 A JP 6962589A JP H02248901 A JPH02248901 A JP H02248901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- index layer
- dimensional high
- manufacturing
- proton exchange
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザ光源の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来のプロトン交換光導波路及び光波長変換素子の製造
方法及び短波長レーザ光源としては、例えば、 に、
Ｙａｍａｍｏｔｏ ａｎｄ Ｔ、Ｔａｎ１ｕｃｈｌ
： ブロシーテ°ンク（Ｐｒｏｃ）、 １００Ｃ’８
７ 、ＴｕＨ２（１９８７）及びＴ、Ｔａｎ１ｎｃｈｌ
ａｎｄＫ、ＹａＩｌａ−ｏｔｏ： シーエル イー
オ （ＣＬＥＯ）’８Ｂ、ＷＲ３（１，９８８）に示
されている。
方法及び短波長レーザ光源としては、例えば、 に、
Ｙａｍａｍｏｔｏ ａｎｄ Ｔ、Ｔａｎ１ｕｃｈｌ
： ブロシーテ°ンク（Ｐｒｏｃ）、 １００Ｃ’８
７ 、ＴｕＨ２（１９８７）及びＴ、Ｔａｎ１ｎｃｈｌ
ａｎｄＫ、ＹａＩｌａ−ｏｔｏ： シーエル イー
オ （ＣＬＥＯ）’８Ｂ、ＷＲ３（１，９８８）に示
されている。
第４図は、この従来の光導波路の製造方法を示したもの
で、１はＬＩＮｂＯｓ基板、１９はＬｉＮｂＯ３基板１
の表面に成膜した厚み３００ＡのＴａ膜、３はＴａ膜１
９の上にフォトリングラフィによりパターニングしたレ
ジスト、２０はレジスト３をマスクとしてエツチングし
たＴａ膜のパターン、５はプロトン交換法によりＬＩＮ
ｂＯｓ基板１の表面に形成された三次元高屈折率層であ
る。２１は三次元高屈折率層５の側面の形状を示してい
る。
で、１はＬＩＮｂＯｓ基板、１９はＬｉＮｂＯ３基板１
の表面に成膜した厚み３００ＡのＴａ膜、３はＴａ膜１
９の上にフォトリングラフィによりパターニングしたレ
ジスト、２０はレジスト３をマスクとしてエツチングし
たＴａ膜のパターン、５はプロトン交換法によりＬＩＮ
ｂＯｓ基板１の表面に形成された三次元高屈折率層であ
る。２１は三次元高屈折率層５の側面の形状を示してい
る。
以上のように構成された従来の光導波路の製造方法を説
明する。第４図工程（ａ）では、スパッタリング法によ
りＴａ膜１９を３０ＯＡ成膜し、工程（ｂ）ではＴａ膜
１９上にフォトリングラフィにより厚み０．５μｍのレ
ジスト３を幅２μｍのストライブにパタ一二ソグする。
明する。第４図工程（ａ）では、スパッタリング法によ
りＴａ膜１９を３０ＯＡ成膜し、工程（ｂ）ではＴａ膜
１９上にフォトリングラフィにより厚み０．５μｍのレ
ジスト３を幅２μｍのストライブにパタ一二ソグする。
工程（Ｃ）では前記工程（ｂ）でバターニングされたレ
ジスト３をマスクとして、Ｔａ膜１９をＣＦ、ガスを用
いてドライエツチング処理し、パターン２０を形成する
。
ジスト３をマスクとして、Ｔａ膜１９をＣＦ、ガスを用
いてドライエツチング処理し、パターン２０を形成する
。
次いで、工程（ｄ）ではＬＩＮｂＯｓ基板１をＴａ膜１
９をマスクとし２３０℃に加熱したピロ燐酸中で所定の
時間プロトン交換処理し、幅２μｍ１ 厚み０．４μｍ
の三次元高屈折率層５を形成する。
９をマスクとし２３０℃に加熱したピロ燐酸中で所定の
時間プロトン交換処理し、幅２μｍ１ 厚み０．４μｍ
の三次元高屈折率層５を形成する。
第５図は、従来の光波長変換素子の製造方法を示したも
ので、７は５ｌｏｔの保護膜、２２は第４図に示した従
来の製造方法により形成した光導波路、９は光入射面、
１０は光出射面である。
ので、７は５ｌｏｔの保護膜、２２は第４図に示した従
来の製造方法により形成した光導波路、９は光入射面、
１０は光出射面である。
以上のように構成された従来の光波長変換素子の製造方
法を説明する。第４図で示した従来の製造方法により光
導波路２２を形成した後、Ｌ１ＮｂＯｓ基板１の表面に
スパッタリング法により厚さ０．４μｍの８１０ｇ膜７
を成膜する。ＳｉＯ＊Ｉｉ７の成膜後、Ｌ Ｉ Ｎ ｂ
Ｏ＊基板１を所定の大きさに切断し、光導波路２２の
断面を含む切断面を光導波路２２に対し垂直に光学研磨
し光入射面９と光出射面１０を形成し長さ１８ｍｍの光
波長変換素子とする。
法を説明する。第４図で示した従来の製造方法により光
導波路２２を形成した後、Ｌ１ＮｂＯｓ基板１の表面に
スパッタリング法により厚さ０．４μｍの８１０ｇ膜７
を成膜する。ＳｉＯ＊Ｉｉ７の成膜後、Ｌ Ｉ Ｎ ｂ
Ｏ＊基板１を所定の大きさに切断し、光導波路２２の
断面を含む切断面を光導波路２２に対し垂直に光学研磨
し光入射面９と光出射面１０を形成し長さ１８ｍｍの光
波長変換素子とする。
第６図は、従来の短波長レーザ光源の構成を示したもの
で、２３は鏡筒１８の端に位置し、第５図で示した従来
の製造方法により作製した光波長変換素子、１１は鏡筒
１８で光波長変換素子２３と反対側の端に取り付けられ
た波長０．８４μｍのレーザ光１２を発生させる半導体
レーザ、１３は半導体レーザ１１のレーザ光出射側に位
置するコリメートレンズ、１６は光波長変換素子１θの
光入射面側に位置するフォーカスレンズ、１４はコリメ
ートレンズ１３とフォーカスレンズ１５の間に位置する
半波長板である。１７は光波長変換素子２３の光出射面
より出射される出力レーザ光である。
で、２３は鏡筒１８の端に位置し、第５図で示した従来
の製造方法により作製した光波長変換素子、１１は鏡筒
１８で光波長変換素子２３と反対側の端に取り付けられ
た波長０．８４μｍのレーザ光１２を発生させる半導体
レーザ、１３は半導体レーザ１１のレーザ光出射側に位
置するコリメートレンズ、１６は光波長変換素子１θの
光入射面側に位置するフォーカスレンズ、１４はコリメ
ートレンズ１３とフォーカスレンズ１５の間に位置する
半波長板である。１７は光波長変換素子２３の光出射面
より出射される出力レーザ光である。
以上のように構成された従来の短波長レーザ光源の動作
を説明する。半導体レーザ１１より出射された波長０．
８４μｍのレーザ光１２はコリメートレンズ１３に入射
し平行ビームとなり、半波長板１４により偏向方向が修
正され、フォーカスレンズ１５に入射する。フォーカス
レンズ１６を出射したレーザ光１２は、光波長変換素子
２３の光入射面に集光され光導波路２２を伝搬し、波長
を１／２に変換され波長０．４２μｍの出力レーザ光１
７として鏡筒１８より出射される。
を説明する。半導体レーザ１１より出射された波長０．
８４μｍのレーザ光１２はコリメートレンズ１３に入射
し平行ビームとなり、半波長板１４により偏向方向が修
正され、フォーカスレンズ１５に入射する。フォーカス
レンズ１６を出射したレーザ光１２は、光波長変換素子
２３の光入射面に集光され光導波路２２を伝搬し、波長
を１／２に変換され波長０．４２μｍの出力レーザ光１
７として鏡筒１８より出射される。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような製造方法では、基板表面に光
導波路を形成する際、プロトン交換保護マスクのパター
ニング時に発生するパターンエツジ部分（第４図パター
ン２０のエツジ部分）の荒れが三次元高屈折率層５に転
写され、第４図（ｅ）側面２１に示すところの凹凸が発
生し、導波光伝搬損失の原因となるという課題を有して
いた。
導波路を形成する際、プロトン交換保護マスクのパター
ニング時に発生するパターンエツジ部分（第４図パター
ン２０のエツジ部分）の荒れが三次元高屈折率層５に転
写され、第４図（ｅ）側面２１に示すところの凹凸が発
生し、導波光伝搬損失の原因となるという課題を有して
いた。
本発明はかかる点に鑑み、導波光伝搬損失を低減させる
光導波路の製造方法及び変換効率の優れる光波長変換素
子の製造方法及び小型高出力の短波長レーザ光源を提供
することを目的とする。
光導波路の製造方法及び変換効率の優れる光波長変換素
子の製造方法及び小型高出力の短波長レーザ光源を提供
することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、Ｔａ２Ｏ６を保護マスクとして用いプロトン
交換を行った後、前記保護マスクを除去し再度プロトン
交換を行う光導波路の製造方法および光波長変換素子の
製造方法および前記光波長変換素子で構成された短波長
レーザ光源である。
交換を行った後、前記保護マスクを除去し再度プロトン
交換を行う光導波路の製造方法および光波長変換素子の
製造方法および前記光波長変換素子で構成された短波長
レーザ光源である。
作用
本発明は前記した方法により、保護マスクパターンを通
して形成された三次元高屈折率層に、二次元高屈折率層
が基板表面側より付加され、三次元高屈折率層に転写さ
れた保護マスクパターンエツジ部の荒れを緩和し、・導
波光の散乱損失が低減される。また、本方法を用いて作
製された光波長変換素子の変換効率および短波長レーザ
光源の出力は向上する。
して形成された三次元高屈折率層に、二次元高屈折率層
が基板表面側より付加され、三次元高屈折率層に転写さ
れた保護マスクパターンエツジ部の荒れを緩和し、・導
波光の散乱損失が低減される。また、本方法を用いて作
製された光波長変換素子の変換効率および短波長レーザ
光源の出力は向上する。
実施例
第１図は本発明の一実施例における光導波路の製造方法
である。第１図において、１はＬＩＮｂＯ３基板、２は
ＬＩＮｂＯｓ基板１の表面に成膜した厚み３００ＡのＴ
ａｓ Ｏｓ膜、３はレジスト、４はレジスト３をマス
クとしてエツチング処理したＴａ膜０も膜のパターン、
５はプロトン交換により形成された三次元高屈折率層、
６は三次元高屈折率層５に付加された二次元高屈折率層
である。
である。第１図において、１はＬＩＮｂＯ３基板、２は
ＬＩＮｂＯｓ基板１の表面に成膜した厚み３００ＡのＴ
ａｓ Ｏｓ膜、３はレジスト、４はレジスト３をマス
クとしてエツチング処理したＴａ膜０も膜のパターン、
５はプロトン交換により形成された三次元高屈折率層、
６は三次元高屈折率層５に付加された二次元高屈折率層
である。
以上のように構成された本実施例の光導波路の製造方法
について以下その工程を説明する。第１図において、工
程（ａ）ではＬｉＮｂｘＴ＆＋−ｘ。
について以下その工程を説明する。第１図において、工
程（ａ）ではＬｉＮｂｘＴ＆＋−ｘ。
、（０≦Ｘ≦１）基板たとえばＬＩＮｂＯｓ基板１上に
Ｔ ａｓ Ｏｓ焼結体をターゲットとしたスパッタリン
グ法により厚み３００ＡのＴ ａｆｉ Ｏｓ Ｌｉ２を
成膜する。
Ｔ ａｓ Ｏｓ焼結体をターゲットとしたスパッタリン
グ法により厚み３００ＡのＴ ａｆｉ Ｏｓ Ｌｉ２を
成膜する。
工程（ｂ）では厚み０．５μｍのレジスト３を幅２μｍ
のストライプにパターニングし、工程（Ｃ）ではパター
ニングしたレジスト３をマスクとして’ｌ’ａｌｏａ膜
２をＣＦａガスを用いてドライエツチング処理しする。
のストライプにパターニングし、工程（Ｃ）ではパター
ニングしたレジスト３をマスクとして’ｌ’ａｌｏａ膜
２をＣＦａガスを用いてドライエツチング処理しする。
工程（ｄ）では工程（Ｃ）において表面にＴ ａｇ Ｏ
ｓ膜２がパターニングされたＬｉＮｂｏｉ基板１を２３
０℃に加熱したピロ燐酸中で所定の時間プロトン交換処
理した後Ｔ ａｌ Ｏｓ膜２を除去する。工程（ｅ）で
は、工程（ｄ）で’ｌ’ａ２０ｓ膜２を除去した１、ｌ
ＮｂＯ５基板１の表面に再度プロトン交換処理を施し厚
み０．２μｍの二次元高屈折率層６及び厚み０．４μｍ
の三次元高屈折率Ｊ！！５を形成する。
ｓ膜２がパターニングされたＬｉＮｂｏｉ基板１を２３
０℃に加熱したピロ燐酸中で所定の時間プロトン交換処
理した後Ｔ ａｌ Ｏｓ膜２を除去する。工程（ｅ）で
は、工程（ｄ）で’ｌ’ａ２０ｓ膜２を除去した１、ｌ
ＮｂＯ５基板１の表面に再度プロトン交換処理を施し厚
み０．２μｍの二次元高屈折率層６及び厚み０．４μｍ
の三次元高屈折率Ｊ！！５を形成する。
以上のように本実施例によれば、プロトン交換マスク除
去後に再度プロトン交換処理を施すことで、三次元高屈
折率層に二次元高屈折率層を付加することができる。
去後に再度プロトン交換処理を施すことで、三次元高屈
折率層に二次元高屈折率層を付加することができる。
なお、本実施例におけるプロトン交換保護マスクは’ｌ
’ａ２０ｓ膜を用いたが、ピロ燐酸液中処理に使用可能
なＴａ膜であってもよ＜、Ｔａと’ｌ’ａ２０ｓの二層
膜でもよい。
’ａ２０ｓ膜を用いたが、ピロ燐酸液中処理に使用可能
なＴａ膜であってもよ＜、Ｔａと’ｌ’ａ２０ｓの二層
膜でもよい。
第２図は、本発明第の他の実施例における光波長変換素
子の製造方法を示したもので、７は５ＩＯ２の保護膜、
８は第１図に示した本発明第１項の一実施例における製
造方法により形成した光導波路、９は光入射面、１０は
光出射面である。なお、第２図に示す本実施例の光波長
変換素子の製造方法は、基本的には第５図に示した従来
の光波長変換素子の製造方法と同じ工程であるので、同
一構成部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する
。
子の製造方法を示したもので、７は５ＩＯ２の保護膜、
８は第１図に示した本発明第１項の一実施例における製
造方法により形成した光導波路、９は光入射面、１０は
光出射面である。なお、第２図に示す本実施例の光波長
変換素子の製造方法は、基本的には第５図に示した従来
の光波長変換素子の製造方法と同じ工程であるので、同
一構成部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する
。
第３図は、本発明第のさらに他の実施例における短波長
レーザ光源の構成を示したもので、１６は鏡筒１８の端
に位置し第２図で示した実施例における製造方法により
作製した光波長変換素子、１１は鏡筒１８で光波長変換
素子１８と反対側の端に取り付けられた波長０．８４μ
ｍのレーザ光１２を発生させる半導体レーザ、１３は半
導体レーザ１１のレーザ光出射側に位置するコリメート
レンズ、１５は光波長変換素子１ｅの光入射面側に位置
するフォーカスレンズ、１４はコリメートレンズ１３と
フォーカスレンズ１５の間に位置する半波長板である。
レーザ光源の構成を示したもので、１６は鏡筒１８の端
に位置し第２図で示した実施例における製造方法により
作製した光波長変換素子、１１は鏡筒１８で光波長変換
素子１８と反対側の端に取り付けられた波長０．８４μ
ｍのレーザ光１２を発生させる半導体レーザ、１３は半
導体レーザ１１のレーザ光出射側に位置するコリメート
レンズ、１５は光波長変換素子１ｅの光入射面側に位置
するフォーカスレンズ、１４はコリメートレンズ１３と
フォーカスレンズ１５の間に位置する半波長板である。
１７は光波長変換素子１６の光出射面より出射される出
力レーザ光である。
力レーザ光である。
なお、第３図に示す本実施例の短波長レーザ光源は、基
本的には第６図に示した従来の短波長レーザ光源と同じ
構成であるので、同一構成部分には同一番号を付して詳
細な説明を省略する。
本的には第６図に示した従来の短波長レーザ光源と同じ
構成であるので、同一構成部分には同一番号を付して詳
細な説明を省略する。
発明の効果
以上説明したように本発明によれば、三次元光導波路の
導波光伝搬損失は低減し、効率の高い光波長変換が可能
であり、その実用的効果は大きい。
導波光伝搬損失は低減し、効率の高い光波長変換が可能
であり、その実用的効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例の光導波路の製造方１・・・
ニオブ酸リチウム、２・・・五酸化タンタル ３・・
・レジスト、５・・・三次元高屈折率層、６・・・二次
元高屈折率層、７・・φ酸化シリコン、８・・・光導波
路、１６・・・光波長変換素子。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名２ ｒＭ ８−・− ９−・ ＩＯ−・− １１ｉ１じシリコン た填澹路 光λ射面 光！：ｌ：！ＩＲ面 １１− 主ｌｌＩ俸レーザ １２− レーザた（湾畏０１３４ｐｍ）１５−・・フ
ォーカスしンプ Ｉ６−・−光波長変換素子 −−一 ３−・ ５−・− ニオう酸リチウム墨に 五酸化タンタル９ レジスト ７スクバ９−ン 三ア元息屈１斤孕１ １９−°−タンタル順
ニオブ酸リチウム、２・・・五酸化タンタル ３・・
・レジスト、５・・・三次元高屈折率層、６・・・二次
元高屈折率層、７・・φ酸化シリコン、８・・・光導波
路、１６・・・光波長変換素子。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名２ ｒＭ ８−・− ９−・ ＩＯ−・− １１ｉ１じシリコン た填澹路 光λ射面 光！：ｌ：！ＩＲ面 １１− 主ｌｌＩ俸レーザ １２− レーザた（湾畏０１３４ｐｍ）１５−・・フ
ォーカスしンプ Ｉ６−・−光波長変換素子 −−一 ３−・ ５−・− ニオう酸リチウム墨に 五酸化タンタル９ レジスト ７スクバ９−ン 三ア元息屈１斤孕１ １９−°−タンタル順
Claims (5)
- （１）ＬｉＮｂ＿ＸＴａ＿１＿−＿ＸＯ＿３（０≦Ｘ≦
１）を基板とし、前記基板上に保護マスクとしてＴａ＿
２Ｏ＿６を成膜およびパターニングし、プロトン交換を
行い三次元高屈折率層を前記基板に形成して後、前記保
護マスクを除去し、再度プロトン交換を行うことにより
前記三次元高屈折率層に二次元高屈折率層を付加形成す
ることを特徴とする光導波路の製造方法。 - （２）ＬｉＮｂ＿ＸＴａ＿１＿−＿ＸＯ＿３（０≦Ｘ≦
１）を基板とし、前記基板上に保護マスクとしてＴａ＿
２Ｏ＿６を成膜およびパターニングし、プロトン交換を
行い三次元高屈折率層を形成して後、前記保護マスクを
除去し、再度プロトン交換を行うことにより前記三次元
高屈折率層に二次元高屈折率層を付加形成した光導波路
を用いたことを特徴とする光波長変換素子の製造方法。 - （３）ＬｉＮｂ＿ＸＴａ＿１＿−＿ＸＯ＿３（０≦Ｘ≦
１）を基板とし、前記基板上に保護マスクとしてＴａ＿
２Ｏ＿６を成膜およびパターニングし、プロトン交換を
行い三次元高屈折率層を形成して後、前記保護マスクを
除去し、再度プロトン交換を行うことにより前記三次元
高屈折率層に二次元高屈折率層を付加形成した光導波路
を用いた光波長変換素子と、レーザ光源で構成されるこ
とを特徴とする短波長レーザ光源。 - （４）プロトン交換保護マスクとしてＴａを用いたこと
を特徴とする特許請求範囲第１項記載の光導波路の製造
方法もしくは特許請求範囲第２項記載の光波長変換素子
の製造方法もしくは特許請求範囲第３項記載の短波長レ
ーザ光源。 - （５）プロトン交換保護マスクとしてＴａとＴａ＿２Ｏ
＿６で構成された二層マスクを用いたことを特徴とする
特許請求範囲第１項記載の光導波路の製造方法もしくは
特許請求範囲第２項記載の光波長変換素子の製造方法も
しくは特許請求範囲第３項記載の短波長レーザ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1069625A JPH02248901A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 光導波路または光波長変換素子の製造方法及び短波長レーザ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1069625A JPH02248901A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 光導波路または光波長変換素子の製造方法及び短波長レーザ光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02248901A true JPH02248901A (ja) | 1990-10-04 |
Family
ID=13408239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1069625A Pending JPH02248901A (ja) | 1989-03-22 | 1989-03-22 | 光導波路または光波長変換素子の製造方法及び短波長レーザ光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02248901A (ja) |
-
1989
- 1989-03-22 JP JP1069625A patent/JPH02248901A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59124306A (ja) | 光集積回路素子およびその作製方法 | |
| US5101297A (en) | Method for producing a diffraction grating in optical elements | |
| JPS5842003A (ja) | 偏光板 | |
| CN106233176A (zh) | 光栅元件的安装结构的制造方法 | |
| JPS60188911A (ja) | 光結合器 | |
| JP3200996B2 (ja) | 光導波路装置 | |
| JP2701326B2 (ja) | 光導波路の接続方法および光導波路接続部分の製造方法 | |
| JP4225230B2 (ja) | 光学素子 | |
| JPH07234310A (ja) | 回折格子の製造方法および光波長変換素子の製造方法 | |
| US6625366B2 (en) | Polymer on substrate waveguide structure and corresponding production method | |
| JP3198649B2 (ja) | 光導波路装置 | |
| JPH07230012A (ja) | アレー導波路回折格子型光合分波器 | |
| JPH02236505A (ja) | 入射テーパ光導波路および波長変換素子および入射テーパ光導波路製造方法 | |
| JP3477497B2 (ja) | 平面型光導波路及びその製造方法 | |
| NL2038666B1 (en) | Photonic circuit and method of manufacturing thereof. | |
| JP3527274B2 (ja) | 光学デバイス用材料・光学デバイス・光学デバイス製造方法 | |
| NL2036062B1 (en) | Photonic circuit and method of manufacturing thereof | |
| JPH02296202A (ja) | 光導波路の製造方法及び光波長変換素子及び短波長レーザ光源 | |
| JPH05333221A (ja) | 光導波路デバイス | |
| JP2517772B2 (ja) | 回折格子光結合器 | |
| JPH047508A (ja) | 反射型光曲げ導波路の製造方法 | |
| JPS6271907A (ja) | グレ−テイング光デバイス | |
| JP2595005B2 (ja) | グレーティングレンズ及びそれを用いた光導波路 | |
| US6892005B2 (en) | Low loss integrated optic switch | |
| JPH05341345A (ja) | 光学デバイスとその製造方法 |