JPH05333221A - 光導波路デバイス - Google Patents
光導波路デバイスInfo
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- JPH05333221A JPH05333221A JP14082892A JP14082892A JPH05333221A JP H05333221 A JPH05333221 A JP H05333221A JP 14082892 A JP14082892 A JP 14082892A JP 14082892 A JP14082892 A JP 14082892A JP H05333221 A JPH05333221 A JP H05333221A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 合分波器等を有する光導波路デバイスに関
し、小型化を目的とする。 【構成】 シリコン基板５上に形成した石英系平行光導
波路21-1と、石英系平行光導波路21-1の上部に形成し
た、所望に薄い石英系のオーバクラッド層6-2 と、石英
系平行光導波路21-1に平行する如く、オーバクラッド層
6-2 の上部に形成した有機高分子平行導波路35-2とを、
備えた構成とする。
し、小型化を目的とする。 【構成】 シリコン基板５上に形成した石英系平行光導
波路21-1と、石英系平行光導波路21-1の上部に形成し
た、所望に薄い石英系のオーバクラッド層6-2 と、石英
系平行光導波路21-1に平行する如く、オーバクラッド層
6-2 の上部に形成した有機高分子平行導波路35-2とを、
備えた構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、合分波器等を有する光
導波路デバイスに関する。
導波路デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来例の図で、(A) は平面図、
(B) は断面図である。従来の光導波路デバイスは図４に
図示したように、シリコン基板５の一方の側面寄りの表
面に、石英系の第１の光導波路10-1を設け、他方の側面
寄りの表面の第１の光導波路10-1の延長線上に石英系の
第２の光導波路10-2を設け、第１の光導波路10-1と第２
の光導波路10-2の間を、逆台形に形成した石英系の平行
光導波路11-1で接続している。
(B) は断面図である。従来の光導波路デバイスは図４に
図示したように、シリコン基板５の一方の側面寄りの表
面に、石英系の第１の光導波路10-1を設け、他方の側面
寄りの表面の第１の光導波路10-1の延長線上に石英系の
第２の光導波路10-2を設け、第１の光導波路10-1と第２
の光導波路10-2の間を、逆台形に形成した石英系の平行
光導波路11-1で接続している。
【０００３】また、シリコン基板５の一方の側面寄りの
表面に、第１の光導波路10-1に所望に大きい間隔で平行
する石英系の第４の光導波路10-4を設け、他方の側面寄
りの表面の第４の光導波路10-4の延長線上に石英系の第
３の光導波路10-3を設け、第３の光導波路10-3と第４の
光導波路10-4の間を、前述の平行光導波路11-1に近接す
るように台形に形成されてなる石英系の平行光導波路11
-2で接続している。
表面に、第１の光導波路10-1に所望に大きい間隔で平行
する石英系の第４の光導波路10-4を設け、他方の側面寄
りの表面の第４の光導波路10-4の延長線上に石英系の第
３の光導波路10-3を設け、第３の光導波路10-3と第４の
光導波路10-4の間を、前述の平行光導波路11-1に近接す
るように台形に形成されてなる石英系の平行光導波路11
-2で接続している。
【０００４】この一対の平行光導波路11-1,11-2 のそれ
ぞれは、図４の(B) に図示したように、屈折率が小さい
クラッド６内の水平面上で対向するように設けたもの
で、間隔ｄは約５μm であり、平行部分の長さ（即ち結
合部長）は約４mmである。
ぞれは、図４の(B) に図示したように、屈折率が小さい
クラッド６内の水平面上で対向するように設けたもの
で、間隔ｄは約５μm であり、平行部分の長さ（即ち結
合部長）は約４mmである。
【０００５】上述のように一対の平行光導波路11-1，11
-2を設けることで、図６に示すような特性が得られる。
第１の光導波路10-1と第２の光導波路10-2との間の透過
率は、図６の実線Ｐ1で示すように、短波長帯λ1 （1.3
1μm)でほぼ100 ％であるので、短波長帯λ1の光が通過
する。そして、長波長帯λ2(1.55μm)では０に近くて長
波長帯λ2 の光は殆ど通過しない。
-2を設けることで、図６に示すような特性が得られる。
第１の光導波路10-1と第２の光導波路10-2との間の透過
率は、図６の実線Ｐ1で示すように、短波長帯λ1 （1.3
1μm)でほぼ100 ％であるので、短波長帯λ1の光が通過
する。そして、長波長帯λ2(1.55μm)では０に近くて長
波長帯λ2 の光は殆ど通過しない。
【０００６】一方、第１の光導波路10-1と第３の光導波
路10-3との間の透過率は、点線Ｐ2で示すように、短波
長帯λ1 で０に近いので、短波長帯λ1 の光は殆ど通過
しない。しかし、長波長帯λ2 ではほぼ100 ％であるの
で、長波長帯λ2 は光結合する。
路10-3との間の透過率は、点線Ｐ2で示すように、短波
長帯λ1 で０に近いので、短波長帯λ1 の光は殆ど通過
しない。しかし、長波長帯λ2 ではほぼ100 ％であるの
で、長波長帯λ2 は光結合する。
【０００７】即ち、光合分波器（方向性光結合器）15が
構成されるので、図４に図示したように、短波長帯λ1
の光と長波長帯λ2 の光とを第１の光導波路10-1に進行
させると、第２の光導波路10-2から短波長帯λ1 の光が
出射し、第３の光導波路10-3から長波長帯λ2 の光が出
射する。
構成されるので、図４に図示したように、短波長帯λ1
の光と長波長帯λ2 の光とを第１の光導波路10-1に進行
させると、第２の光導波路10-2から短波長帯λ1 の光が
出射し、第３の光導波路10-3から長波長帯λ2 の光が出
射する。
【０００８】なお、シリコン基板５には、一般に光合分
波器15の以外に他の受動機能の光導波路をモノりシック
に設けている。上述のような石英系の光導波路よりなる
光導波路デバイスは、図５に図示した手順により製造さ
れる。
波器15の以外に他の受動機能の光導波路をモノりシック
に設けている。上述のような石英系の光導波路よりなる
光導波路デバイスは、図５に図示した手順により製造さ
れる。
【０００９】図５の(A) に図示したように先ず、シリコ
ン基板５の表面にＣＶＤ法でSiO2からなる低屈折率ガラ
ススート層6Aを堆積形成し、さらにその上に（SiO2＋G
e）からなる高屈折率ガラススート層7Aを堆積する。
ン基板５の表面にＣＶＤ法でSiO2からなる低屈折率ガラ
ススート層6Aを堆積形成し、さらにその上に（SiO2＋G
e）からなる高屈折率ガラススート層7Aを堆積する。
【００１０】そして、図５の(B) に図示したようにそれ
ぞれのスート層を加熱しガラス化して、低屈折率ガラス
スート層6Aをアンダクラッド層6-1 に、高屈折率ガラス
スート層7Aをコア層７とする。
ぞれのスート層を加熱しガラス化して、低屈折率ガラス
スート層6Aをアンダクラッド層6-1 に、高屈折率ガラス
スート層7Aをコア層７とする。
【００１１】次にコア層７の表面にフォトリソグラフィ
手段により、コア層７の表面にマスクを形成し、エッチ
ングして図５の(C) のように、アンダクラッド層6-1 の
表面に断面角形の一対の平行光導波路11-1,11-2 を設け
る。
手段により、コア層７の表面にマスクを形成し、エッチ
ングして図５の(C) のように、アンダクラッド層6-1 の
表面に断面角形の一対の平行光導波路11-1,11-2 を設け
る。
【００１２】そして、平行光導波路11-1,11-2 含むアン
ダクラッド層6-1 の全表面に、低屈折率ガラススート層
を堆積させ、低屈折率ガラススート層をガラス化して、
図５の(D) に図示したように、オーバクラッド層6-2 を
設ける。
ダクラッド層6-1 の全表面に、低屈折率ガラススート層
を堆積させ、低屈折率ガラススート層をガラス化して、
図５の(D) に図示したように、オーバクラッド層6-2 を
設ける。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】石英系の平行光導波路
は上述のようにエッチングして形成したものである。平
行光導波路をエッチング形成すると、それぞれの平行光
導波路の幅がマスクパターン幅よりも小さくなるという
所謂アンダーカッティングが発生するので、一対の平行
光導波路の間隔ｄが大きくなる。
は上述のようにエッチングして形成したものである。平
行光導波路をエッチング形成すると、それぞれの平行光
導波路の幅がマスクパターン幅よりも小さくなるという
所謂アンダーカッティングが発生するので、一対の平行
光導波路の間隔ｄが大きくなる。
【００１４】このアンダーカッティングが特性に与える
影響は、光導波路を小型にする場合に著しく影響し、こ
のために一対の平行光導波路を光結合させるために、結
合部長（平行する部分の長さ）を大きくする必要があ
る。
影響は、光導波路を小型にする場合に著しく影響し、こ
のために一対の平行光導波路を光結合させるために、結
合部長（平行する部分の長さ）を大きくする必要があ
る。
【００１５】即ち従来の光導波路デバイスは、結合部の
長さが長くなり、大形になる恐れがあった。本発明はこ
のような点に鑑みて創作されたもので、合分波器等を有
する小型の光導波路デバイスを提供することを目的とし
ている。
長さが長くなり、大形になる恐れがあった。本発明はこ
のような点に鑑みて創作されたもので、合分波器等を有
する小型の光導波路デバイスを提供することを目的とし
ている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図１に例示したように、シリコン基板５
上に形成した石英系平行光導波路21-1と、石英系平行光
導波路21-1の上部に形成した、所望に薄い石英系のオー
バクラッド層6-2 と、石英系平行光導波路21-1に平行し
て、該オーバクラッド層6-2 の上部に形成した有機高分
子平行導波路35-2とを備えた構成とする。
めに本発明は、図１に例示したように、シリコン基板５
上に形成した石英系平行光導波路21-1と、石英系平行光
導波路21-1の上部に形成した、所望に薄い石英系のオー
バクラッド層6-2 と、石英系平行光導波路21-1に平行し
て、該オーバクラッド層6-2 の上部に形成した有機高分
子平行導波路35-2とを備えた構成とする。
【００１７】また図２に例示したように、所望に薄い石
英系クラッド層45を挟んで、一対の平行する有機高分子
平行導波路35-1,35-2 を設けた構成とする。
英系クラッド層45を挟んで、一対の平行する有機高分子
平行導波路35-1,35-2 を設けた構成とする。
【００１８】
【作用】光合分波器の特性は、一対の平行光導波路の間
隔と、その結合部長及びクラッドとコアとの屈折率差に
より定まり、間隔が小さいとその結合部長が短くても、
結合度が向上する。
隔と、その結合部長及びクラッドとコアとの屈折率差に
より定まり、間隔が小さいとその結合部長が短くても、
結合度が向上する。
【００１９】請求項１の本発明は、石英系平行光導波路
の上部に、所望に薄い石英系のオーバクラッド層を介し
て有機高分子平行導波路を設けたものである。この有機
高分子平行導波路は、フォトマスクを通して紫外線を照
射し選択光重合させて設けたものであるから、有機高分
子平行導波路を設ける際に、その下層の石英系のオーバ
クラッド層の膜厚は変わらない。
の上部に、所望に薄い石英系のオーバクラッド層を介し
て有機高分子平行導波路を設けたものである。この有機
高分子平行導波路は、フォトマスクを通して紫外線を照
射し選択光重合させて設けたものであるから、有機高分
子平行導波路を設ける際に、その下層の石英系のオーバ
クラッド層の膜厚は変わらない。
【００２０】即ち、予め石英系のオーバクラッド層の膜
厚を所望に薄くしておくことで、有機高分子平行導波路
と石英系平行光導波路の間隔を、所望に小さくすること
ができる。
厚を所望に薄くしておくことで、有機高分子平行導波路
と石英系平行光導波路の間隔を、所望に小さくすること
ができる。
【００２１】したがって、結合部長を短くすることがで
き、光導波路デバイスが小型となるなお、請求項２の発
明においても、同様の理由により光導波路デバイスが小
型となる。
き、光導波路デバイスが小型となるなお、請求項２の発
明においても、同様の理由により光導波路デバイスが小
型となる。
【００２２】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【００２３】図１は本発明の実施例の図で、(A) は断面
図、(B) は平面図である。図２は本発明の他の実施例の
断面図、図３は本発明の製造手順を示す図である。図１
に図示したように、シリコン基板５に石英系のアンダク
ラッド層6-1 を設け、その上に一方の側面寄りに、石英
系の第４の光導波路20-4を設け、他方の側面寄りに、第
４の光導波路20-4の延長線上に石英系の第３の光導波路
20-3を設け、第４の光導波路20-4と第３の光導波路20-3
の間を、台形に形成した石英系の石英系平行光導波路21
-1で接続している。
図、(B) は平面図である。図２は本発明の他の実施例の
断面図、図３は本発明の製造手順を示す図である。図１
に図示したように、シリコン基板５に石英系のアンダク
ラッド層6-1 を設け、その上に一方の側面寄りに、石英
系の第４の光導波路20-4を設け、他方の側面寄りに、第
４の光導波路20-4の延長線上に石英系の第３の光導波路
20-3を設け、第４の光導波路20-4と第３の光導波路20-3
の間を、台形に形成した石英系の石英系平行光導波路21
-1で接続している。
【００２４】石英系平行光導波路21-1の上部及び側部に
石英系のオーバクラッド層6-2 を設けている。この石英
系のオーバクラッド層6-2 の上の第４の光導波路20-4と
は離れた位置に、第４の光導波路20-4に平行する有機高
分子系の第１の光導波路20-1を設け、他方の側面寄りに
第１の光導波路20-1の延長線上に有機高分子系の第２の
光導波路20-2を設け、第１の光導波路20-1と第２の光導
波路20-2の間を、前述の石英系平行光導波路21-1の直上
に位置するように、逆台形に形成されてなる有機高分子
平行導波路35-2で接続している。
石英系のオーバクラッド層6-2 を設けている。この石英
系のオーバクラッド層6-2 の上の第４の光導波路20-4と
は離れた位置に、第４の光導波路20-4に平行する有機高
分子系の第１の光導波路20-1を設け、他方の側面寄りに
第１の光導波路20-1の延長線上に有機高分子系の第２の
光導波路20-2を設け、第１の光導波路20-1と第２の光導
波路20-2の間を、前述の石英系平行光導波路21-1の直上
に位置するように、逆台形に形成されてなる有機高分子
平行導波路35-2で接続している。
【００２５】なお、上記の第１の光導波路20-1, 第２の
光導波路20-2及び有機高分子平行導波路35-2の側部は有
機系の低屈折率のクラッド層16-1である。そして、第１
の光導波路20-1, 第２の光導波路20-2, 有機高分子平行
導波路35-2及びクラッド層16-1の表面に、有機高分子系
の低屈折率のオーバクラッド層16-2で覆うている。
光導波路20-2及び有機高分子平行導波路35-2の側部は有
機系の低屈折率のクラッド層16-1である。そして、第１
の光導波路20-1, 第２の光導波路20-2, 有機高分子平行
導波路35-2及びクラッド層16-1の表面に、有機高分子系
の低屈折率のオーバクラッド層16-2で覆うている。
【００２６】上記の有機高分子平行導波路, オーバクラ
ッド層等の材料は、エポキシ樹脂,ポリウレタン，ポリ
メタルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等が考えられる。そ
して、本発明の発明者は、有機高分子平行導波路35-2，
石英系平行光導波路21-1のそれぞれのコアの屈折率を1.
486 、各クラッドの屈折率を1.457 、各平行導波路の厚
さを１μm 、導波路間隔δを 2.5μm とすることで、結
合部長Ｌ2 を0.7mm とし、結合部長を従来の約1/5 に短
くすることができた。
ッド層等の材料は、エポキシ樹脂,ポリウレタン，ポリ
メタルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等が考えられる。そ
して、本発明の発明者は、有機高分子平行導波路35-2，
石英系平行光導波路21-1のそれぞれのコアの屈折率を1.
486 、各クラッドの屈折率を1.457 、各平行導波路の厚
さを１μm 、導波路間隔δを 2.5μm とすることで、結
合部長Ｌ2 を0.7mm とし、結合部長を従来の約1/5 に短
くすることができた。
【００２７】図２に示す光合分波器は、基板40の表面に
石英系のアンダクラッド層16を設け、その上に低屈折率
の有機高分子系のクラッド層17を設け、クラッド層17
に、有機高分子平行導波路35-1を設けている。
石英系のアンダクラッド層16を設け、その上に低屈折率
の有機高分子系のクラッド層17を設け、クラッド層17
に、有機高分子平行導波路35-1を設けている。
【００２８】この有機高分子平行導波路35-1及びクラッ
ド層17の表面に、厚さが 2.5μm 程度の石英系クラッド
層45を設けている。また、石英系クラッド層45の表面に
低屈折率の有機高分子系のクラッド層18-1を設け、クラ
ッド層18-1に、前述の有機高分子平行導波路35-1に対向
して同形状、これに平行する他の有機高分子平行導波路
35-2を設けている。
ド層17の表面に、厚さが 2.5μm 程度の石英系クラッド
層45を設けている。また、石英系クラッド層45の表面に
低屈折率の有機高分子系のクラッド層18-1を設け、クラ
ッド層18-1に、前述の有機高分子平行導波路35-1に対向
して同形状、これに平行する他の有機高分子平行導波路
35-2を設けている。
【００２９】そして、有機高分子平行導波路35-2及びク
ラッド層18-1の表面を、有機高分子系の低屈折率のオー
バクラッド層18-2で覆うている。このような一対の有機
高分子平行導波路35-1, 35-2が、所望の特性を有する結
合部長が短い光合分波器となることは、前述のように明
白のことである。
ラッド層18-1の表面を、有機高分子系の低屈折率のオー
バクラッド層18-2で覆うている。このような一対の有機
高分子平行導波路35-1, 35-2が、所望の特性を有する結
合部長が短い光合分波器となることは、前述のように明
白のことである。
【００３０】以下図３を参照しながら、有機高分子平行
導波路の製造に付いて述べる。図３の(A) に図示したよ
うに石英系ガラス層30の表面に、モノマを入れた例えば
ポリメタルメタクリレート等の有機高分子よりなる、所
望に薄いクラッド層31-1を、スピンコーティング等して
設ける。
導波路の製造に付いて述べる。図３の(A) に図示したよ
うに石英系ガラス層30の表面に、モノマを入れた例えば
ポリメタルメタクリレート等の有機高分子よりなる、所
望に薄いクラッド層31-1を、スピンコーティング等して
設ける。
【００３１】このクラッド層31-1の表面に所望のパター
ン形状の遮光窓33を有するフォトマスク32を設け、フォ
トマスクを通して紫外線を照射してモノマを重合させ
て、露光部分を化学的に安定した高分子重合体とする。
ン形状の遮光窓33を有するフォトマスク32を設け、フォ
トマスクを通して紫外線を照射してモノマを重合させ
て、露光部分を化学的に安定した高分子重合体とする。
【００３２】次に、フォトマスクを除去した後、クラッ
ド層31-1を真空乾燥して、未露光部分のモノマを蒸発さ
せることで、図３の(B) に図示したようにこの部分の屈
折率が高くなり有機高分子平行導波路35-1が形成され
る。
ド層31-1を真空乾燥して、未露光部分のモノマを蒸発さ
せることで、図３の(B) に図示したようにこの部分の屈
折率が高くなり有機高分子平行導波路35-1が形成され
る。
【００３３】そして、図３の(C) に図示したようにスピ
ンコーティング等して、この有機高分子平行導波路35-1
の表面に、低屈折率の有機高分子系のオーバクラッド層
31-2を設けるものである。
ンコーティング等して、この有機高分子平行導波路35-1
の表面に、低屈折率の有機高分子系のオーバクラッド層
31-2を設けるものである。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、石英系
クラッド層の上下の一方に、石英系平行光導波路を、他
方に石英系平行光導波路に対向して有機高分子平行導波
路を設けるか、或いは石英系クラッド層の上下に対向し
て一対の有機高分子平行導波路を設け、その一対の平行
光導波路の間隔を所望に小さくし、光導波路の走行方向
の長さを小さくしたもので、光導波路デバイスの小型化
が推進されるという優れた効果を奏する。
クラッド層の上下の一方に、石英系平行光導波路を、他
方に石英系平行光導波路に対向して有機高分子平行導波
路を設けるか、或いは石英系クラッド層の上下に対向し
て一対の有機高分子平行導波路を設け、その一対の平行
光導波路の間隔を所望に小さくし、光導波路の走行方向
の長さを小さくしたもので、光導波路デバイスの小型化
が推進されるという優れた効果を奏する。
【図１】 本発明の実施例の図で (A) は断面図 (B) は平面図
【図２】 本発明の他の実施例の断面図
【図３】 本発明の製造手順を示す図
【図４】 従来例の図で (A) は平面図 (B) は断面図
【図５】 従来の製造工程を示す図
【図６】 合分波器の特性図
５ シリコン基板 ６ ク
ラッド 6-1 アンダクラッド層 6-2 オ
ーバクラッド層 10-1,20-1 第１の光導波路 10-2,20-
2 第２の光導波路 10-3,20-3 第３の光導波路 10-4,20-
4 第４の光導波路 11-1,11-2 平行光導波路 16 ア
ンダクラッド層 16-1,17,18-1 クラッド層 16-2,18-2 オーバクラッド層 21-1 石英系平行光導波路 30 石英系ガラス層 35-1,35-2 有機高分子平行導波路 45 石英系クラッド層
ラッド 6-1 アンダクラッド層 6-2 オ
ーバクラッド層 10-1,20-1 第１の光導波路 10-2,20-
2 第２の光導波路 10-3,20-3 第３の光導波路 10-4,20-
4 第４の光導波路 11-1,11-2 平行光導波路 16 ア
ンダクラッド層 16-1,17,18-1 クラッド層 16-2,18-2 オーバクラッド層 21-1 石英系平行光導波路 30 石英系ガラス層 35-1,35-2 有機高分子平行導波路 45 石英系クラッド層
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板(5) 上に形成した石英系
平行光導波路(21-1)と、 該石英系平行光導波路(21-1)の上部に形成した、所望に
薄い石英系のオーバクラッド層(6-2) と、 該石英系平行光導波路(21-1)に平行する如く、該オーバ
クラッド層(6-2) の上部に形成した有機高分子平行導波
路(35-2)とを、備えたことを特徴とする光導波路デバイ
ス。 - 【請求項２】 所望に薄い石英系クラッド層(45)を挟
み、一対の平行する有機高分子平行導波路(35-1,35-2)
を、設けたことを特徴とする光導波路デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14082892A JPH05333221A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 光導波路デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14082892A JPH05333221A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 光導波路デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05333221A true JPH05333221A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15277670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14082892A Withdrawn JPH05333221A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 光導波路デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05333221A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10332962A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路 |
| US11275210B1 (en) * | 2018-12-07 | 2022-03-15 | PsiQuantum Corp. | Waveguide couplers for multi-mode waveguides |
| US11391890B1 (en) | 2019-05-15 | 2022-07-19 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode spiral delay device |
| US11635570B1 (en) | 2019-02-08 | 2023-04-25 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode multi-pass delay |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP14082892A patent/JPH05333221A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10332962A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路 |
| US11275210B1 (en) * | 2018-12-07 | 2022-03-15 | PsiQuantum Corp. | Waveguide couplers for multi-mode waveguides |
| US11714329B1 (en) | 2018-12-07 | 2023-08-01 | PsiQuantum Corp. | Waveguide couplers for multi-mode waveguides |
| US12372725B1 (en) | 2018-12-07 | 2025-07-29 | PsiQuantum Corp. | Waveguide couplers for multi-mode waveguides |
| US11635570B1 (en) | 2019-02-08 | 2023-04-25 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode multi-pass delay |
| US12461310B1 (en) | 2019-02-08 | 2025-11-04 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode multi-pass delay |
| US11391890B1 (en) | 2019-05-15 | 2022-07-19 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode spiral delay device |
| US11789205B1 (en) | 2019-05-15 | 2023-10-17 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode spiral delay device |
| US12066661B2 (en) | 2019-05-15 | 2024-08-20 | Psiquantum, Corp. | Multi-mode spiral delay device |
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