JPH02249115A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

本発明に係る薄膜磁気ヘラｌ−は、取出電極のオーバハ
ング部の高さを、取出電極の高さの１／１０以下とする
ことにより、取出電極とその周りに形成される保護膜と
の間に、クランクが発生するのを防止できるようにした
ものである。また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、基板上に、磁気ヘッド素子及びリード導体を形
成した後、リード導体上に外部導体接続用の取出電極を
形成するに当り、取出電極パターンを画定するレジスト
マスクのパターンニング工程と、磁気ヘッド素子を覆う
レジストマスクのパターニング工程とを、別々に行なう
ことにより、本発明に係る薄膜磁気ヘッドを容易に得る
ことができるようにしたものである。

〈従来の技術〉 第４図は従来よりよく知られている薄膜磁気ヘッドの要
部の斜視図、第５図は同じく要部の拡大断面図、第６図
は取出電極部分の拡大断面図である。これらの図におい
て、１はセラミックで構成された基体、２は下部磁性膜
、３はアルミナ等でなるギャップ膜、４は上部磁性膜、
５は導体コイル膜、６はノボラック樹脂等の有機樹脂で
構成された絶縁膜、７．８はリード導体、９．１０は取
出電極、１１は各部を覆うアルミナ等の保護膜である。

第４図は１つの薄膜磁気ヘッド素子を示しているだけで
あるが、薄膜磁気ヘッド製造工程は、通常、第４図の薄
膜磁気ヘッド素子を、基板１をウェハーとして、多数個
整列した状態で、工程が進められる。

基体１は、Ａｌ２Ｏ３・Ｔｉｃ等てなる基体部分１ａの
表面にＡｌ２Ｏ３等の絶縁１］ＪＨｂを被着させた構造
となっている。

下部磁性膜２及び上部磁性膜４の先端部は、微小厚みの
ギャップ膜３を隔てて対向するボール部２１．４１とな
っており、ボール部２１．４１において読み書きを行な
う。２２．４２はヨーク部であり、ボール部２１．４１
とは反対側の端部て結合させである。

絶縁膜６は複数層の絶縁膜６１〜６３から構成されてい
て、絶縁膜６１．６２の上に、ヨーク部２２．４２の結
合部のまわりを渦巻状にまわるように、導体コイルＩＩ
！　５を形成しである。導体コイル膜５は、通常、下地
膜とＣｕ膜との２層構造となっている。

リード導体７．８も、導体コイル膜５と同様の２層構造
となっていて、導体コイル膜５の両端にそれぞれ導通接
続させである。

取出電極９．１０は、当業者間ではバンプと呼ばれてい
るものてあって、後でリード線等の外部導体が接続され
る。取出電極９．１０は、Ｃｕメッキ膜としてリード導
体７．８の上に形成される。

第７図に取出電極９．１０の形成工程の従来例を示す。

第７図において、１２は、第４図及び第５図に示した如
く、磁性膜、導体コイル膜及び絶縁膜等を有して構成さ
れた薄膜磁気ヘッド素子を示している。

まず、第７図（ａ）　に示すように、ウェハーである基
板１上に、磁気ヘッド素子１２及びその導体コイル膜（
第４図及び第５図参照）に導通させたリード導体７．８
を形成した後、磁気ヘッド素１２及びリード導体７．８
を連続して覆うように、レジストマスク１３をフォトリ
ングラフィによって形成する。このレジストマスク１３
により、リード導体７．８の上に所定の取出電極をメッ
キ付着させるパターンＰ、が形成される。レジストマス
ク１３は、薄膜磁気ヘッド素子１２をほぼ完全に覆うこ
とができ、しかも、フォトリソグラフ・イによる高精度
パターニングの可能な厚みｄ、に設定しなければならな
い。このような条件を満足てきるレジストマスク１３の
厚みｄｌは５〜１０μｍである。

次に、第７図（ｂ）　に示すように、Ｃｕメッキ処理を
行なうことにより、レジストマスク１３によって画定さ
れたパターンＰ１内にＣｕメッキ膜を成長させる。これ
により、取出電極９．１０が得られる。取出電極９．１
０は、後でリード線等の外部導体が接続されるから、厚
みｄ２が３０〜４０μｍとなるように成長させる。

この後、第７図（Ｃ）　　に示すように、レジストマス
ク１３を除去した後、第７図（ｄ）　に示すように、薄
膜磁気ヘッド素子１２、リード導体７．８及び取出電極
９．１０の上に、保護膜１１をスパッタリング等の手段
によって形成する。保護膜１１は、例えばアルミナ等で
なる。

次に、第７図（ｅ）に示すように、保護膜１１０表面を
研磨して、取出電極９．１０の面出しを行なう。

〈発明が解決しようとする課題〉 上述したように、従来は、取出電極９．１０を形成する
に当り、磁気ヘッド素１２及びリード導体７．８を連続
して覆うように、レジストマスク１３を形成し、このレ
ジストマスク１３により、所定の取出電極用のパターン
Ｐ１をパターンニングしていたため、レジストマスク１
３の厚みｄｌを、薄膜磁気ヘッド素子１２をほぼ完全に
覆うことができ、しかもフォトリソグラフィによる高精
度バターニング化の可能な５〜１０μｍの厚さにする必
要がある。

一方、取出電極９．１０は、構造上、３０〜４０μｍの
厚みが必要である。取出電極９．１０は、前述したよう
にＣｕメッキ膜として形成されるので、等方的成長であ
り、レジストマスク１３の厚みｄ１＝５〜１０μｍを越
えた後は、必要なメッキ膜厚ｄ２＝３０〜４０μｍに到
達するまて、レジストマスク１３の表面に沿って成長し
、オーバハング部９１．１０１が発生する（第７図（ｂ
）参照）。このため、レジストマスク１３を除グ部９１
．１０１の下にレジストマスク１３の厚みｄ、に相当す
る空洞９２．１０２が生じている。

このオーバハング部９１．１０１及び空洞９２．１０２
のために、保護膜１１をスパッタリングする際のステッ
プカバリング性が悪くなり、第８図に示すようなりラッ
ク１４を発生する。このようなりラック１４があると、
塵埃が入り込んだり、取出電極９．１０が剥離し易くな
る等の問題点を生じる。

レジストマスク１３の厚みｄ＋を取出電極９．１０の厚
み６２以上に形成できれば、クラックが発生しなくなる
が、このような厚みでパターンニングすることは技術的
に困難である。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、取出電極とその周りに形成される保護膜との間に、
クラックが発生するのを防止し得る薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法を提供することである。

〈課題を解決するための手段〉 上述する課題解決のため、本発明に係る薄膜磁気ヘッド
は、基板上に、磁性膜及び導体コイル膜による磁気回路
を有する磁気ヘッド素子と、前記導体コイル膜に導通さ
せたリード導体と、前記リード導体上に形成された外部
導体接続用の取出電極とを有する薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記取出電極は、周辺部にオーバハング部を有して
おり、 前記オーバハング部は、前記リード導体上からの高さが
、前記取出電極の高さの１／１０以下であること を特徴とする。

また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板
上に、磁性膜及び導体コイル膜による磁気回路を有する
磁気ヘッド素子と、前記導体コイル膜に導通させたリー
ド導体とを形成した後、前記リード導体上に外部導体接
続用の取出電極を形成する際に、 前記リード導体上に取出電極パターンを画定するレジス
トマスクのパターンニング工程と、前記磁気ヘッド素子
を覆うレジストマスクのパターンニング工程とを、別々
に行ない、 次に、メッキによって前記取出電極を形成すること を特徴とする。

く作用〉 取出電極の周辺部に形成されるオーバハング部は、リー
ド導体上からの高さが、取出電極の高さの１／１０以下
であるので、保護膜形成時のステップカバリング性を向
上させ、クラックの発生を防止できる。

本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、リード導体
上に取出電極を形成する際に、リード導体上に取出電極
パターンを画定するレジストマスクのパターンニング工
程と、磁気ヘッド素子を覆うレジストマスクのパターン
ニング工程とを別々に行なうと、取出電極パターンを画
定するレジストマスクの厚みを、磁気ヘッド素子を覆う
レジストマスクの厚みに影響されることなく、これとは
独立して、取出電極パターンのパターニング及び保護膜
形成時のステップカバリング性を向上させるのに最適な
薄い厚みに設定できる。従って、保護膜形成時のステッ
プカバリング性を向上させ、クラックの発生を防止する
ようにした本発明に係る薄膜磁気ヘッドを容易に得るこ
とができる。

薄膜磁気ヘッド素子を覆うレジストマスクの厚みは、取
出電極パターンのパターニング化を考慮する必要がなく
、薄膜磁気ヘッド素子のカバーに必要な厚みに設定でき
る。

本発明は、面内記録再生用薄膜磁気ヘッドに限らず、垂
直記録再生用薄膜磁気ヘッドにも適用が可能である。

〈実施例〉 第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図
は同じく取出電極部分の拡大断面図である。図において
、第４図〜第６図と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示している。図示するように、取出電極９．１０の
周辺部に形成され７．８の表面からの高さり、が、取出
電極９．１０の高さＨｌの１／１０以下である。電極９
．１０の高さＨｌは、通常、３０〜４０μｍ程度である
ので、オーバハング部９１．１０１の高さｈｌ、従って
、空洞部９２．１０２の幅は、３〜４μｍ以下となる。

これにより、保ｆｆ１ｔｌｕｌｔを形成するときの時の
ステップカバリング性か向上し、クラックの発生を防止
てきる。

第３図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
図である。

まず、第３図（ａ）の工程では、ウェハーである基板１
上に、第４図及び第５図に示した磁性膜及び導体コイル
膜による磁気回路を有する磁気ヘッド素子１２と、導体
コイル膜に導通させたリード導体７．８とを形成した後
、リード導体７．８上に取出電極パターンＰ１を画定す
るレジストマスク１５のパターンニングを行なう。この
パターニング工程は、フォトリソグラフィ工程である。

レジストマスク１５の厚みｄ３は、薄膜磁気ヘラト素子
１２のカバーを考慮する必要がなく、パターンＰ１のパ
ターンニングと、後で保護膜を形成する際のステップカ
バリング性を考慮した薄い厚みｄ３に設定する。厚みｄ
３は最終的に得られる取出電極の厚みの１／１０以下に
設定する。

次に、第３図（ｂ）の工程では、磁気ヘッド素子１２を
覆うレジストマスク１６のパターンニングを行なう。薄
膜磁気ヘッド素子１２を覆うレジストマスクの厚みｄ４
は、取出電極パターンＰ１のパターンニングに必要な厚
みを考慮する必要がなく、薄膜磁気ヘッド素子１２を充
分にカバーし得る厚みに設定できる。

次に、第３図（Ｃ）　に示すように、Ｃｕメッキ処理を
行なうことにより、レジストマスク１５によって画定さ
れたパターンＰ、内にＣｕメッキ膜を成長させる。これ
により、Ｃｕメッキ膜でなる取出電極９．１０が得られ
る。取出電極９．１゜は、厚みｄ５が３０〜４０μｍ以
上となるように成長させる。

この後、第３図（ｄ）に示すようにレジストマスり１５
．１６を除去した後、第３図（ｅ）に示すように、薄膜
磁気ヘッド素子１２、リード導体７．８及び取出電極９
．１０の上に保Ｗｉｌｌ！１１をスパッタリング等の手
段によって形成する。

取出電極９．１０は、オーバハング部９１．１０１及び
空洞部９２．１０２を有しているか、空洞部９２．１０
２の垂直方向の深さは、取出電極９．１０の全体の厚み
ｄ５よりも著しく小さい、レジストマスク１５の厚みｄ
３に対応した小さい値になっているから、保護膜１１を
スパッタリングした場合、充分なステップカバリング性
が得られ、保護膜１１と取出電極９．１０との間にクラ
ックを発生することがない。

この後、保護膜１１の表面を研磨して、取出電極９．１
０の面出しを行なう。

〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、取
出電極の周辺部に形成されるオーババング部は、リード
導体上からの高さが、取出電極の高さの１／１０以下で
あるので、保護膜形成時のステップカバリング性を向上
させ、クシツクの発生を防止した薄膜磁気ヘッドを提供
できる。

本発明に係る製造方法は、基板上に、磁気ヘッド素子と
、リード導体とを形成した後、リード導体上に外部導体
接続用の取出電極を形成する際に、リード導体上に取出
電極パターンを画定するレジストマスクのパターンニン
グ工程と、磁気ヘッド素子を覆うレジストマスクのパタ
ーンニング工程とを、別々に行ない、次に、メッキによ
って取出電極を形成するようにしたから、取出電極とそ
の周りに形成される保護膜との間に、クラックが発生す
るのを防止し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図
は同じく取出電極部分の拡大断面図、第３図（ａ）〜（
ｅ）は本発明に係る金属膜パターン形成方法の工程を示
す図、第４図は本発明の適用される薄膜磁気ヘッドの要
部における斜視図、第５図は同じく要部の断面図、第６
図は同じく取出電極部分における拡大断面図、第７図（
ａ）〜（ｅ）は従来の製造方法を示す図、第８図はその
問題点を示す拡大断面図である。 １・・・支持体 ７．８・　・　・リード導体 ９．１０・・・取出電極 １１・・・保ｉｉａ膜 １２・・・薄膜磁気ヘッド素子 符開平 Ｚ ？４！：１１．１’）（譚

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、磁性膜及び導体コイル膜による磁気回
   路を有する磁気ヘッド素子と、前記導体コイル膜に導通
   させたリード導体と、前記リード導体上に形成された外
   部導体接続用の取出電極とを有する薄膜磁気ヘッドであ
   って、 前記取出電極は、周辺部にオーバハング部を有しており
   、 前記オーバハング部は、前記リード導体上からの高さが
   、前記取出電極の高さの１／１０以下であること を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. （２）基板上に、磁性膜及び導体コイル膜による磁気回
   路を有する磁気ヘッド素子と、前記導体コイル膜に導通
   させたリード導体とを形成した後、前記リード導体上に
   外部導体接続用の取出電極を形成する際に、 前記リード導体上に取出電極パターンを画定するレジス
   トマスクのパターンニング工程と、前記磁気ヘッド素子
   を覆うレジストマスクのパタンニング工程とを、別々に
   行ない、 次に、メッキによって前記取出電極を形成すること を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。