JPH0376533B2 - - Google Patents
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- JPH0376533B2 JPH0376533B2 JP3891183A JP3891183A JPH0376533B2 JP H0376533 B2 JPH0376533 B2 JP H0376533B2 JP 3891183 A JP3891183 A JP 3891183A JP 3891183 A JP3891183 A JP 3891183A JP H0376533 B2 JPH0376533 B2 JP H0376533B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に係り、特
に薄膜磁気ヘツドの電極部製造方法に関する。
に薄膜磁気ヘツドの電極部製造方法に関する。
薄膜磁気ヘツド（以下、薄膜ヘツドと略す）の
電極部には、ボンデイングパツドの下地導体とし
て銅、ニツケルおよびそれらの合金膜が用いられ
ている。薄膜ヘツドは、素子の保護およびヘツド
の浮上特性の向上を目的として20〜30μｍの厚い
無機保護膜が形成されるため、下地導体膜はボン
デイングパツドとの導通をとる関係で30〜40μｍ
の膜厚が必要である。この厚膜の形成には、高速
でかる安価に厚膜を得ることのできるエレクトロ
フオーミング法が用いられている。
電極部には、ボンデイングパツドの下地導体とし
て銅、ニツケルおよびそれらの合金膜が用いられ
ている。薄膜ヘツドは、素子の保護およびヘツド
の浮上特性の向上を目的として20〜30μｍの厚い
無機保護膜が形成されるため、下地導体膜はボン
デイングパツドとの導通をとる関係で30〜40μｍ
の膜厚が必要である。この厚膜の形成には、高速
でかる安価に厚膜を得ることのできるエレクトロ
フオーミング法が用いられている。
エレクトロフオーミング法は、電気めつきを行
うための通電用下地を蒸着あるいはスパツタ法で
形成後、所定の電極寸法にレジスト膜をパターン
ニングする。このレジストの膜厚は、素子の段差
にもよるが、一般的に３〜10μｍ程度であり、こ
れをマスク材として、前記通電用下地の上に電気
めつきにより下地導体膜を形成する。ところが前
述のように、下地導体膜の膜厚は30〜40μｍであ
り、レジスト膜厚３〜10μｍよりも厚い。電気め
つきにより、下地導体膜をレジスト膜厚以上に析
出すると、その析出は、膜厚方向のみならず膜厚
と水平な方向にもほぼ等しく進行する。
うための通電用下地を蒸着あるいはスパツタ法で
形成後、所定の電極寸法にレジスト膜をパターン
ニングする。このレジストの膜厚は、素子の段差
にもよるが、一般的に３〜10μｍ程度であり、こ
れをマスク材として、前記通電用下地の上に電気
めつきにより下地導体膜を形成する。ところが前
述のように、下地導体膜の膜厚は30〜40μｍであ
り、レジスト膜厚３〜10μｍよりも厚い。電気め
つきにより、下地導体膜をレジスト膜厚以上に析
出すると、その析出は、膜厚方向のみならず膜厚
と水平な方向にもほぼ等しく進行する。
30〜40μｍの膜厚まで電気めつきを行うと、水
平方向に析出したオーバーハングの幅も20〜40μ
ｍ程度になる。このオーバーハングのため、レジ
スト膜を除去し、保護膜を形成する段階で、下地
導体には高さ３〜10μｍ、幅20〜40μｍの隙間が
ある。この下地導体上に、蒸着あるいはスパツタ
法で保護膜を形成した場合、この隙間部を埋める
ことができず、保護膜中に空洞やクラツクが生じ
るため、電極部の耐食性が劣ることになる。
平方向に析出したオーバーハングの幅も20〜40μ
ｍ程度になる。このオーバーハングのため、レジ
スト膜を除去し、保護膜を形成する段階で、下地
導体には高さ３〜10μｍ、幅20〜40μｍの隙間が
ある。この下地導体上に、蒸着あるいはスパツタ
法で保護膜を形成した場合、この隙間部を埋める
ことができず、保護膜中に空洞やクラツクが生じ
るため、電極部の耐食性が劣ることになる。
一方、バイアス方式を用いたスパツタ法を用い
れば、急峻な段差部、すなわち前記空洞部やクラ
ツク部にも均一な保護膜を形成できるが、その皮
膜は耐加工性が悪く、ヘツド形成時に機械加工し
た際に、皮膜が欠けるという問題が生じる。
れば、急峻な段差部、すなわち前記空洞部やクラ
ツク部にも均一な保護膜を形成できるが、その皮
膜は耐加工性が悪く、ヘツド形成時に機械加工し
た際に、皮膜が欠けるという問題が生じる。
本発明の目的は、上記の如き従来の欠点を改善
し、薄膜ヘツドの電極部を形成する際に、空洞や
クラツクのない無機保護膜を得ることのできる薄
膜磁気ヘツドの製造方法を提供することにある。
し、薄膜ヘツドの電極部を形成する際に、空洞や
クラツクのない無機保護膜を得ることのできる薄
膜磁気ヘツドの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、薄膜ヘツ
ドの電極部形成工程において、エレクトロフオー
ミング法で形成した導体膜のオーバーハング部を
有機樹脂で埋めた後に、保護膜を形成することを
特徴とする。
ドの電極部形成工程において、エレクトロフオー
ミング法で形成した導体膜のオーバーハング部を
有機樹脂で埋めた後に、保護膜を形成することを
特徴とする。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は薄膜ヘツドの構造を示す。(A)は素子部
であり、(B)は電極部である。第２図は薄膜ヘツド
の斜視図である。点線で示した楕円部Ｂに電極が
形成される。尚、第１図の導体コイル６は複巻き
導体であるが第２図は単巻き導体を示している。
であり、(B)は電極部である。第２図は薄膜ヘツド
の斜視図である。点線で示した楕円部Ｂに電極が
形成される。尚、第１図の導体コイル６は複巻き
導体であるが第２図は単巻き導体を示している。
以下、薄膜ヘツドの製造工程を第１図を参照し
て説明する。
て説明する。
セラミツク基板１の全面にAl2O3等の無機絶縁
膜をスパツタリングし、平坦な下地膜２を形成す
る。下地膜２上に厚さ2μｍのパーマロイをスパ
ツタリングで堆積し、フオトエツチング技術でパ
ターン形成し、下部磁性膜３とする。その上に、
約1μｍ厚の無機絶縁膜（Al2O3など）をスパツタ
リングで堆積し、フオトエツチング技術でパター
ン形成し、ギヤツプスペーサ４とする。次に、ギ
ヤツプスペーサ４の上に、有機または無機絶縁膜
（SiO2など）をパターン形成し、第１絶縁膜５と
する。その上に、0.05μｍのCr、1.5μｍのCu、
0.05μｍのCrをスパツタリングで堆積し、フオト
エツチング技術で線幅５〜10μｍ、線間隔３〜6μ
ｍにパターン化して導体コイル６を形成する。
尚、第２図のような単巻きコイルの場合は、線幅
約20μｍにパターン化する。次に、導体コイル６
を埋め込む形で、第１絶縁膜５と同じ手法により
第２絶縁膜７を形成する。さらに、その上に厚さ
2μｍのパーマロイをスパツタリングで堆積し、
フオトエツチング技術でパターン形成し、上部電
極８とする。この際、導体コイル６と接合部ｂを
設け、ヘツド素子部Ａからの電極引出し用導体１
４を(B)部に形成する。電極引出し用導体１４は、
第２図Ｂに示すように前記導体コイル６で形成し
てもよい。次に、エレクトロフオーミング法によ
り電極部を形成する際に使用する薬品からヘツド
素子を保護するため、第１保護膜９を形成する。
膜をスパツタリングし、平坦な下地膜２を形成す
る。下地膜２上に厚さ2μｍのパーマロイをスパ
ツタリングで堆積し、フオトエツチング技術でパ
ターン形成し、下部磁性膜３とする。その上に、
約1μｍ厚の無機絶縁膜（Al2O3など）をスパツタ
リングで堆積し、フオトエツチング技術でパター
ン形成し、ギヤツプスペーサ４とする。次に、ギ
ヤツプスペーサ４の上に、有機または無機絶縁膜
（SiO2など）をパターン形成し、第１絶縁膜５と
する。その上に、0.05μｍのCr、1.5μｍのCu、
0.05μｍのCrをスパツタリングで堆積し、フオト
エツチング技術で線幅５〜10μｍ、線間隔３〜6μ
ｍにパターン化して導体コイル６を形成する。
尚、第２図のような単巻きコイルの場合は、線幅
約20μｍにパターン化する。次に、導体コイル６
を埋め込む形で、第１絶縁膜５と同じ手法により
第２絶縁膜７を形成する。さらに、その上に厚さ
2μｍのパーマロイをスパツタリングで堆積し、
フオトエツチング技術でパターン形成し、上部電
極８とする。この際、導体コイル６と接合部ｂを
設け、ヘツド素子部Ａからの電極引出し用導体１
４を(B)部に形成する。電極引出し用導体１４は、
第２図Ｂに示すように前記導体コイル６で形成し
てもよい。次に、エレクトロフオーミング法によ
り電極部を形成する際に使用する薬品からヘツド
素子を保護するため、第１保護膜９を形成する。
第３図は従来の電極部であり、厚付け下地導体
１０、その上に無機保護膜１１をそれぞれ形成
し、表面加工し、導体面出しをした場合の断面図
である。
１０、その上に無機保護膜１１をそれぞれ形成
し、表面加工し、導体面出しをした場合の断面図
である。
従来、電極部は、次のような工程で形成されて
いる。導体１０の形成位置を確保するために、前
記第１保護膜９をフオトエツチング技術でパター
ン形成する。その上に、エレクトロフオーミング
法を実施する際の通電用下地１５となる金属膜を
蒸着またはスパツタ法で形成した後、めつき用レ
ジスト１６をパターンニングし、30〜40μｍの導
体（銅、ニツケル、またはそれらの合金）１０を
エレクトロフオーミング法により形成する（第３
図Ａ）。
いる。導体１０の形成位置を確保するために、前
記第１保護膜９をフオトエツチング技術でパター
ン形成する。その上に、エレクトロフオーミング
法を実施する際の通電用下地１５となる金属膜を
蒸着またはスパツタ法で形成した後、めつき用レ
ジスト１６をパターンニングし、30〜40μｍの導
体（銅、ニツケル、またはそれらの合金）１０を
エレクトロフオーミング法により形成する（第３
図Ａ）。
次に、レジスト１６を除去し、20〜30μｍの厚
い無機保護膜１１を形成する。ところが、第３図
Ｂに示すように、導体１０はオーバーハング部を
有する形状に形成されてしまうために、レジスト
１６を除去した場合、レジスト１６の膜厚に応じ
た隙間１２が生じる。隙間１２ができた導体１０
の上に、無機保護膜１１をスパツタ法により形成
した場合、この隙間１２を埋めることができない
ばかりか、クラツク１３をも生じる。このため、
ボンデイング加工するために、無機保護１１の表
面を加工し、導体１０の面出しを行つた場合、導
体１０は外気に直接さらされることになり（第３
図Ｃ）、耐食性が劣ることとなる。
い無機保護膜１１を形成する。ところが、第３図
Ｂに示すように、導体１０はオーバーハング部を
有する形状に形成されてしまうために、レジスト
１６を除去した場合、レジスト１６の膜厚に応じ
た隙間１２が生じる。隙間１２ができた導体１０
の上に、無機保護膜１１をスパツタ法により形成
した場合、この隙間１２を埋めることができない
ばかりか、クラツク１３をも生じる。このため、
ボンデイング加工するために、無機保護１１の表
面を加工し、導体１０の面出しを行つた場合、導
体１０は外気に直接さらされることになり（第３
図Ｃ）、耐食性が劣ることとなる。
第４図は、本発明の一実施例を示す。本実施例
では、オーバーハング部の隙間１２を有機樹脂で
埋めた後、無機保護膜１１を形成する。
では、オーバーハング部の隙間１２を有機樹脂で
埋めた後、無機保護膜１１を形成する。
めつき用レジスト１６として、ネガ形レジスト
を用いた場合、導体１０のオーバーハング部をマ
スクとして、レジスト膜１６を所定のレジスト剥
離液を用いて除去する。導体１０のオーバーハン
グ部がマスクとなつているため、導体１０のオー
バーハングの下部、すなわち、従来、隙間１２が
生じていた部分にのみレジスト１６が残り、隙間
１２を埋めることができる。
を用いた場合、導体１０のオーバーハング部をマ
スクとして、レジスト膜１６を所定のレジスト剥
離液を用いて除去する。導体１０のオーバーハン
グ部がマスクとなつているため、導体１０のオー
バーハングの下部、すなわち、従来、隙間１２が
生じていた部分にのみレジスト１６が残り、隙間
１２を埋めることができる。
めつき用レジスト１６にポジ形レジストを用い
た場合は、エレクトロフオーミング後、ウエハー
全面を露光することにより、導体１０のオーバー
ハング部がマスクとなり、次の現像処理によつて
オーバーハング部の下部にのみレジスト膜１６が
残り、隙間１２を埋めることができる。
た場合は、エレクトロフオーミング後、ウエハー
全面を露光することにより、導体１０のオーバー
ハング部がマスクとなり、次の現像処理によつて
オーバーハング部の下部にのみレジスト膜１６が
残り、隙間１２を埋めることができる。
めつき用レジスト１６にポリイミド系樹脂など
の有機樹脂を用いた場合も、導体１０をマスクに
して、所定のエツチング液を用い、エツチング処
理を行うことにより、オーバーハング部の隙間を
埋めることができる。この場合は、ボンデイング
時の加熱にも充分耐え得る電極とすることができ
る。
の有機樹脂を用いた場合も、導体１０をマスクに
して、所定のエツチング液を用い、エツチング処
理を行うことにより、オーバーハング部の隙間を
埋めることができる。この場合は、ボンデイング
時の加熱にも充分耐え得る電極とすることができ
る。
以上説明した如く、本発明によれば、薄膜磁気
ヘツドの電極部を形成する際に、空洞やクラツク
のない無機保護膜を得ることができ、耐食性の優
れた薄膜磁気ヘツドの電極部が実現できる。
ヘツドの電極部を形成する際に、空洞やクラツク
のない無機保護膜を得ることができ、耐食性の優
れた薄膜磁気ヘツドの電極部が実現できる。
第１図は薄膜磁気ヘツドの断面図、第２図は薄
膜磁気ヘツドの斜視図、第３図は従来の薄膜磁気
ヘツドの電極部の断面図、第４図は本発明の一実
施例における薄膜磁気ヘツドの電極部の断面図を
示す。 ９：第１保護膜、１０：導体、１１：無機保護
膜、１２：空洞、１３：クラツク、１４：電極引
出し用導体、１５：通電用下地、１６：めつき用
レジスト。
膜磁気ヘツドの斜視図、第３図は従来の薄膜磁気
ヘツドの電極部の断面図、第４図は本発明の一実
施例における薄膜磁気ヘツドの電極部の断面図を
示す。 ９：第１保護膜、１０：導体、１１：無機保護
膜、１２：空洞、１３：クラツク、１４：電極引
出し用導体、１５：通電用下地、１６：めつき用
レジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 薄膜磁気ヘツドの電極部形成工程において、
エレクトロフオーミング法で形成した導体膜のオ
ーバーハング部を有機樹脂で埋めた後に、保護膜
を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製
造方法。 ２ 前記有機樹脂は、レジスト膜を除去する際
に、前記オーバーハング部をマスクとすることに
より形成される前記レジスト膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3891183A JPS59165219A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3891183A JPS59165219A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59165219A JPS59165219A (ja) | 1984-09-18 |
| JPH0376533B2 true JPH0376533B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=12538382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3891183A Granted JPS59165219A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59165219A (ja) |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP3891183A patent/JPS59165219A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59165219A (ja) | 1984-09-18 |
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