JPH02249136A - 光学的記録再生装置 - Google Patents
光学的記録再生装置Info
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- JPH02249136A JPH02249136A JP6919289A JP6919289A JPH02249136A JP H02249136 A JPH02249136 A JP H02249136A JP 6919289 A JP6919289 A JP 6919289A JP 6919289 A JP6919289 A JP 6919289A JP H02249136 A JPH02249136 A JP H02249136A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な光学的記録再生装置、さらに詳しくは、
例えばレーザービームなとの1つの光ビームを用いて結
晶相、非晶質相の2つの状態を可逆的に安定して繰り返
すことにより、情報の記録及び消去を安定して繰り返し
うる光学的記録再生装置に関するものである。
例えばレーザービームなとの1つの光ビームを用いて結
晶相、非晶質相の2つの状態を可逆的に安定して繰り返
すことにより、情報の記録及び消去を安定して繰り返し
うる光学的記録再生装置に関するものである。
従来の技術
近年、レーザービームなどを用いて、情報を繰り返し記
録及び消去しうる光ディスクに対する要望が非常に高ま
ってきている。この情報を記録及び消去しうる、いわゆ
る書き換え可能な光ディスクとしては、相変化型のもの
が知られている。この相変化型の光ディスクにおいては
、記録層にレーザービームを照射することにより、該記
録層が結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変化するこ
とを利用して情報の記録及び消去が行われる。該非晶質
相は、局部的に融点を超える温度に上げ急冷することに
よって得られ、一方結晶相は、結晶化温度風上融点以下
に温度を上げ徐冷することによって得られる。
録及び消去しうる光ディスクに対する要望が非常に高ま
ってきている。この情報を記録及び消去しうる、いわゆ
る書き換え可能な光ディスクとしては、相変化型のもの
が知られている。この相変化型の光ディスクにおいては
、記録層にレーザービームを照射することにより、該記
録層が結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変化するこ
とを利用して情報の記録及び消去が行われる。該非晶質
相は、局部的に融点を超える温度に上げ急冷することに
よって得られ、一方結晶相は、結晶化温度風上融点以下
に温度を上げ徐冷することによって得られる。
これら2つの状態においては、N=n−ikで表される
複素屈折率が相違するので、結晶相と非晶質相では反射
率が異なり、ディジタル的に情報の記録が可能となる。
複素屈折率が相違するので、結晶相と非晶質相では反射
率が異なり、ディジタル的に情報の記録が可能となる。
この2相を可逆的に変化させる方法として、1つのレー
ザービームのみで2つのパワーレベル間(ピークパワー
レベルとバイアスパワーレベル間)で変動させることに
よって、前記結晶相と非晶質相を形成させ、しかも該レ
ーザービームが前記記録層上を1回通過する間に、既存
の情報を消去しながら新しい情報を再記録し、情報の書
き換えを行う方法が提案されている(特開昭56−14
5530号公報)。この方法においては、前記ピークパ
ワーが記録層に照射されると、融点以上に昇温され急冷
されることによって非晶質相が形成され、前記ピークパ
ワーよりも低く、再生パワーよりも高いバイアスパワー
が記録層に照射されると、融点近くまで温度が上昇し徐
冷されることによって結晶相が形成される。
ザービームのみで2つのパワーレベル間(ピークパワー
レベルとバイアスパワーレベル間)で変動させることに
よって、前記結晶相と非晶質相を形成させ、しかも該レ
ーザービームが前記記録層上を1回通過する間に、既存
の情報を消去しながら新しい情報を再記録し、情報の書
き換えを行う方法が提案されている(特開昭56−14
5530号公報)。この方法においては、前記ピークパ
ワーが記録層に照射されると、融点以上に昇温され急冷
されることによって非晶質相が形成され、前記ピークパ
ワーよりも低く、再生パワーよりも高いバイアスパワー
が記録層に照射されると、融点近くまで温度が上昇し徐
冷されることによって結晶相が形成される。
しかしながら、この方法においては、前記ピクパワーと
バイアスパワーのそれぞれのパルス幅は規定されておら
ず、該ピークパワーのパルス幅が長ずざると、バイアス
パワーのパルス幅か最小値の場合に、バイアスパワー時
はピークパワー時に比べてパワーは小さいが、パルス幅
が短いために、結晶化に必要な昇温徐冷の効果が十分に
得られず、結晶化が不十分であるという問題、すなわち
、前段のピークパワーのヒートフローによる影響を受け
るため、バイアスパワー時にも融点より少し高い温度に
昇温され、結晶化に必要な条件が得られず、既存の情報
のいわゆる消し残りが大きくなるという問題が生じる。
バイアスパワーのそれぞれのパルス幅は規定されておら
ず、該ピークパワーのパルス幅が長ずざると、バイアス
パワーのパルス幅か最小値の場合に、バイアスパワー時
はピークパワー時に比べてパワーは小さいが、パルス幅
が短いために、結晶化に必要な昇温徐冷の効果が十分に
得られず、結晶化が不十分であるという問題、すなわち
、前段のピークパワーのヒートフローによる影響を受け
るため、バイアスパワー時にも融点より少し高い温度に
昇温され、結晶化に必要な条件が得られず、既存の情報
のいわゆる消し残りが大きくなるという問題が生じる。
さらに、該ピークパワーのパルス幅が該バイアスパワー
のパルス幅に比べて短すぎる場合、記録した信号のC/
N比が低下し、記録信号の品質が劣化するという問題が
生しる。
のパルス幅に比べて短すぎる場合、記録した信号のC/
N比が低下し、記録信号の品質が劣化するという問題が
生しる。
発明が解決しようとする課題
本発明は、このような事情のもとで、1つの光ビームを
用いて結晶相と非晶質相の2つの状態を安定して繰り返
すことにより、情報の記録及び消去を安定して繰り返し
うる光学的記録再生装置を提供することを目的としてな
されたものである。
用いて結晶相と非晶質相の2つの状態を安定して繰り返
すことにより、情報の記録及び消去を安定して繰り返し
うる光学的記録再生装置を提供することを目的としてな
されたものである。
課題を解決するための手段
本発明者は、前記の好ましい性質を有する光学的記録再
生装置を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、結晶相と非
晶質相との間で相変化して情報が記録及び消去される記
録層を有する情報光情報記録媒体が、1つの光源から発
光した光ビームのピークパワーのときには非晶質を形成
し、該ピークパワーよりも低く、再生パワーよりも高い
バイアスパワーのときには結晶相を形成するようにした
場合、該ピークパワー時のパルス幅とバイアスパワー時
のパルス幅の最小値とが特定の関係にある光ビームを用
いることにより、その目的を達成しうろことを見い出し
、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
生装置を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、結晶相と非
晶質相との間で相変化して情報が記録及び消去される記
録層を有する情報光情報記録媒体が、1つの光源から発
光した光ビームのピークパワーのときには非晶質を形成
し、該ピークパワーよりも低く、再生パワーよりも高い
バイアスパワーのときには結晶相を形成するようにした
場合、該ピークパワー時のパルス幅とバイアスパワー時
のパルス幅の最小値とが特定の関係にある光ビームを用
いることにより、その目的を達成しうろことを見い出し
、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、光ビームの照射により、結晶相と
非晶質相との間で相変化して情報が記録又は消去される
記録層を有する光情報記録媒体を用い、この結晶相と非
晶質相との間の相変化を、1つの光源からの出力光を微
小に絞った光ビームにより可逆的に繰り返すことにより
、重畳記録できる装置であって、前記光ビームがピーク
パワーのときには非晶質相を形成し、該ピークパワーよ
りも低く、再生パワーよりも高いバイアスパワのときに
は結晶相を形成するようにし、かつ該光ビームとして、
前記ピークパワー時のパルス幅Tpと前記バイアスパワ
ー時のパルス幅の最小値Tbminとが、式 %式%() の関係を満たすものを用いることを特徴とする光学的記
録再生装置を提供するものである。
非晶質相との間で相変化して情報が記録又は消去される
記録層を有する光情報記録媒体を用い、この結晶相と非
晶質相との間の相変化を、1つの光源からの出力光を微
小に絞った光ビームにより可逆的に繰り返すことにより
、重畳記録できる装置であって、前記光ビームがピーク
パワーのときには非晶質相を形成し、該ピークパワーよ
りも低く、再生パワーよりも高いバイアスパワのときに
は結晶相を形成するようにし、かつ該光ビームとして、
前記ピークパワー時のパルス幅Tpと前記バイアスパワ
ー時のパルス幅の最小値Tbminとが、式 %式%() の関係を満たすものを用いることを特徴とする光学的記
録再生装置を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明装置に用いられる光情報記録媒体の1
例を示す断面図であって、透明基板上lに、光ビームの
照射により、結晶相と非晶質相との間で相変化して情報
が記録又は消去される記録層3が設けられ、さらに所望
に応じ該記録層の上又は下若しくは両側に無機保護層2
.4が設けられている。5は全体を保護するための有機
保護層である。
例を示す断面図であって、透明基板上lに、光ビームの
照射により、結晶相と非晶質相との間で相変化して情報
が記録又は消去される記録層3が設けられ、さらに所望
に応じ該記録層の上又は下若しくは両側に無機保護層2
.4が設けられている。5は全体を保護するための有機
保護層である。
この透明基板としては、従来、光ディスクの基板として
慣用されているもの、例えばポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリメチルメ
タクリレートなどの樹脂やガラスなどの中から任意のも
のを選択して用いることができるが、これらの中で、光
学特性が良好で、機械的強度が大きく、かつ寸法安定性
に優れるポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート
及びガラスなどが好適である。また、これらの透明基板
にはアドレス情報などの凹凸が形成されていてもよい。
慣用されているもの、例えばポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリメチルメ
タクリレートなどの樹脂やガラスなどの中から任意のも
のを選択して用いることができるが、これらの中で、光
学特性が良好で、機械的強度が大きく、かつ寸法安定性
に優れるポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート
及びガラスなどが好適である。また、これらの透明基板
にはアドレス情報などの凹凸が形成されていてもよい。
前記の透明基板上に設けられる記録層には、光ビームの
照射により結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変化す
る材料、例えば5b−Te系、In−Te系、Ge−T
e−3n系、5b−5e系、Te−3e−3b系、5n
−5n−Au系、Te−Ge−Sn−Sb系、Te−G
e−5b系などのカルコゲン材料、Te −TeO2系
、Te −TeO2−Au系などの酸化物材料などが使
用できる。
照射により結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変化す
る材料、例えば5b−Te系、In−Te系、Ge−T
e−3n系、5b−5e系、Te−3e−3b系、5n
−5n−Au系、Te−Ge−Sn−Sb系、Te−G
e−5b系などのカルコゲン材料、Te −TeO2系
、Te −TeO2−Au系などの酸化物材料などが使
用できる。
該記録層の形成方法については特に制限はなく、公知の
方法、例えば蒸着、共蒸着、フラッシュ蒸着、スパッタ
リング、反応性スパッタリング、イオンブレーティング
などの方法を用いることができる。該記録層の最適膜厚
は、その組成によって異なるか、通常300〜1500
人の範囲で選ばれる。
方法、例えば蒸着、共蒸着、フラッシュ蒸着、スパッタ
リング、反応性スパッタリング、イオンブレーティング
などの方法を用いることができる。該記録層の最適膜厚
は、その組成によって異なるか、通常300〜1500
人の範囲で選ばれる。
また、所望に応じて、前記記録層の上又は下若しくは両
側に設けられる無機保護層には、例えば5IO2,5i
O1Tie2、lJgQ、 Gem2.5n02.1n
203、TeO□なとの酸化物、A12N% 513N
IXBNなどの窒化物、ZnS、 PbSなどの硫化物
などが用いられる。該保護層の形成方法については特に
制限はなく、公知の方法、例えば蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法などの方法を用いること
かできる。また保護層の膜厚は、通常50〜2000人
の範囲で選ばれる。
側に設けられる無機保護層には、例えば5IO2,5i
O1Tie2、lJgQ、 Gem2.5n02.1n
203、TeO□なとの酸化物、A12N% 513N
IXBNなどの窒化物、ZnS、 PbSなどの硫化物
などが用いられる。該保護層の形成方法については特に
制限はなく、公知の方法、例えば蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法などの方法を用いること
かできる。また保護層の膜厚は、通常50〜2000人
の範囲で選ばれる。
さらに、該光情報記録媒体には、所望に応じ、その最上
層に有機保護膜が設けられていてもよく、この有機保護
膜としては例えばフェノール系、変性フェノール系、エ
ポキシ系、アミノ系、ポリエステル系、アクリル系、シ
リコーン系、ウレタン系、ポリアミド系、ポリイミド系
などの紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などが挙げられ
る。これらの樹脂から成る有機保護膜の厚さは、記録層
や無機保護層の変形、熱的損傷を防止するために0.5
μm以上が好ましい。
層に有機保護膜が設けられていてもよく、この有機保護
膜としては例えばフェノール系、変性フェノール系、エ
ポキシ系、アミノ系、ポリエステル系、アクリル系、シ
リコーン系、ウレタン系、ポリアミド系、ポリイミド系
などの紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などが挙げられ
る。これらの樹脂から成る有機保護膜の厚さは、記録層
や無機保護層の変形、熱的損傷を防止するために0.5
μm以上が好ましい。
本発明の光学的記録再生装置は、このような構成の光情
報記録媒体を用い、この記録媒体の記録層に、1つの光
源からの出力光を微小に絞った光ビームを照射して、結
晶相と非晶質相との間の相変化を可逆的に繰り返すこと
により、重畳記録できる装置である。
報記録媒体を用い、この記録媒体の記録層に、1つの光
源からの出力光を微小に絞った光ビームを照射して、結
晶相と非晶質相との間の相変化を可逆的に繰り返すこと
により、重畳記録できる装置である。
本発明においては、該光情報記録媒体は光ビームがピー
クパワーのときには非晶質相が形成され、該ピークパワ
ーよりも低く、再生パワーよりも高いバイアスパワーの
ときには結晶相が形成されるようにしてあり、かつ該光
ビームとして、前記ピークパワー時のパルス幅Tpと前
記バイアスパワ時のパルス幅の最小値Tb+旧nとが、
式1式%(1) の関係を満たすものが用いられる。
クパワーのときには非晶質相が形成され、該ピークパワ
ーよりも低く、再生パワーよりも高いバイアスパワーの
ときには結晶相が形成されるようにしてあり、かつ該光
ビームとして、前記ピークパワー時のパルス幅Tpと前
記バイアスパワ時のパルス幅の最小値Tb+旧nとが、
式1式%(1) の関係を満たすものが用いられる。
該Tpが115Tbmin未満では信号品質の良い、す
なわちC/N比の高い記録信号が得られないし、2/3
Tbminより大きいと消去比が小さくなって、消し残
りが生じる傾向を示す。このように、該TpとTbmi
nとの関係を規定することにより、1つの光源からの光
ビームで結晶相と非晶質相の状態を可逆的に安定して繰
り返すことができ、したがって、情報の記録及び消去の
安定した繰り返しが可能となる。
なわちC/N比の高い記録信号が得られないし、2/3
Tbminより大きいと消去比が小さくなって、消し残
りが生じる傾向を示す。このように、該TpとTbmi
nとの関係を規定することにより、1つの光源からの光
ビームで結晶相と非晶質相の状態を可逆的に安定して繰
り返すことができ、したがって、情報の記録及び消去の
安定した繰り返しが可能となる。
実施例
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
実施例1
第1図に示す断面構造の光情報記録媒体を有する光学的
記録再生装置を用いて、テストを行った。
記録再生装置を用いて、テストを行った。
該光情報記録媒体は、ポリカーボネートから成る基板1
の上に、膜厚120nmのZnSから成る保護層2、膜
厚80nmのTe −Ge −Sb系合金から成る記録
層3及び膜厚150nmのZnSから成る保護層4が順
次積層され、さらに保護層4の上に紫外線硬化樹脂膜5
が設けられた構造を有している。
の上に、膜厚120nmのZnSから成る保護層2、膜
厚80nmのTe −Ge −Sb系合金から成る記録
層3及び膜厚150nmのZnSから成る保護層4が順
次積層され、さらに保護層4の上に紫外線硬化樹脂膜5
が設けられた構造を有している。
第2図は、前記光学的記録再生装置に用いた発光パワー
の時間的変化を示すグラフである。ピークパワー時のパ
ルス幅Tpは、バイアスパワー時のパルス幅の最小値T
bminの115以上2/3以下になるように記録信号
を決めている。該TpとTbminとの関係をこのよう
に規定することにより、次に示すようにC/N比の高い
品質の良好な記録信号が得られ、かつ消去比が高く、消
し残りが少なくなる。
の時間的変化を示すグラフである。ピークパワー時のパ
ルス幅Tpは、バイアスパワー時のパルス幅の最小値T
bminの115以上2/3以下になるように記録信号
を決めている。該TpとTbminとの関係をこのよう
に規定することにより、次に示すようにC/N比の高い
品質の良好な記録信号が得られ、かつ消去比が高く、消
し残りが少なくなる。
第3図は、線速5.65m/ s (5,25インチデ
ィスク最内周に相当)で、バイアスパワーを6mWに固
定し、ピークパワー及びピークパワー時のパルス幅を変
化させて、3 、70MHzの信号を記録した際の50
dB以上のC/N比が得られる領域を示すグラフである
。この第3図から分かるように、ピークパワー時のパル
ス幅Tpが115Tbminより小さくなるとC/N比
が50dBより小さくなり、記録信号品質が低下する。
ィスク最内周に相当)で、バイアスパワーを6mWに固
定し、ピークパワー及びピークパワー時のパルス幅を変
化させて、3 、70MHzの信号を記録した際の50
dB以上のC/N比が得られる領域を示すグラフである
。この第3図から分かるように、ピークパワー時のパル
ス幅Tpが115Tbminより小さくなるとC/N比
が50dBより小さくなり、記録信号品質が低下する。
一方、第4図は、線速5.6m/sで、既存の信号(周
波数1.39MHz、バイアスパワー6mW、ピークパ
ワー13mW、 ピークパワー時のパルス幅Tp=1
/2Tbmin)を記録した上に、新しい信号(周波数
3.70MHz、バイアスパワー6 mW)を重ね書き
した場合における、ピークパワー及びピークパワー時の
パルス幅を変化させた際の30dB以上の消去比が得ら
れる領域を示すグラフである。この第4図から、ピーク
パワー時のパルス幅Tpが2/3Tbminより大きく
なると消去比が低下し、いわゆる消し残りが大きくなる
ことが分かる。これは前段のピークパワーのヒートフロ
ーの影響をかなり受けるために、バイアスパワー時にお
いても融点より少し高い温度に昇温され、結晶化に必要
な条件が得られず、既存の情報信号の消え残りが大きく
なるためである。
波数1.39MHz、バイアスパワー6mW、ピークパ
ワー13mW、 ピークパワー時のパルス幅Tp=1
/2Tbmin)を記録した上に、新しい信号(周波数
3.70MHz、バイアスパワー6 mW)を重ね書き
した場合における、ピークパワー及びピークパワー時の
パルス幅を変化させた際の30dB以上の消去比が得ら
れる領域を示すグラフである。この第4図から、ピーク
パワー時のパルス幅Tpが2/3Tbminより大きく
なると消去比が低下し、いわゆる消し残りが大きくなる
ことが分かる。これは前段のピークパワーのヒートフロ
ーの影響をかなり受けるために、バイアスパワー時にお
いても融点より少し高い温度に昇温され、結晶化に必要
な条件が得られず、既存の情報信号の消え残りが大きく
なるためである。
以上の理由から、ピークパワー時のパルス幅Tpはl/
3Tbmin以上で、かつ2/3Tbmin以下の範囲
が最も適しているといえる。
3Tbmin以上で、かつ2/3Tbmin以下の範囲
が最も適しているといえる。
発明の詳細
な説明したように、本発明の光学的記録再生装置におい
ては、1つの光ビームで、そのピークパワー時のパルス
幅を規定することにより、光情報記録媒体に対し、新し
い情報を安定して繰り返し書き込むことができる。
ては、1つの光ビームで、そのピークパワー時のパルス
幅を規定することにより、光情報記録媒体に対し、新し
い情報を安定して繰り返し書き込むことができる。
第1図は本発明の光学的記録再生装置における光情報記
録媒体の1例の構成を示す断面図、第2図は本発明の光
学的記録再生装置に用いる発光パワーの時間変化を示す
グラフ、第3図はピークパワー及びピークパワー時のパ
ルス幅を変化させた際の50dB以上のC/Nが得られ
る領域を示すグラフ、第4図は既存の情報の上に新しい
情報を書き換える場合におけるピークパワーとピークパ
ワー時のパルス幅を変化させた際の30dB以上の消去
が得られる領域を示すグラフである。 図中符号lは基板、2及び4は保護層、3は記録層、5
は紫外線硬化樹脂膜、Prは再生レーザーパワー、Pb
はバイアスパワー、PpはピークパワTpはピークパワ
ー時のパルス幅、Tbminはバイアスパワー時のパル
ス幅の最小値である。
録媒体の1例の構成を示す断面図、第2図は本発明の光
学的記録再生装置に用いる発光パワーの時間変化を示す
グラフ、第3図はピークパワー及びピークパワー時のパ
ルス幅を変化させた際の50dB以上のC/Nが得られ
る領域を示すグラフ、第4図は既存の情報の上に新しい
情報を書き換える場合におけるピークパワーとピークパ
ワー時のパルス幅を変化させた際の30dB以上の消去
が得られる領域を示すグラフである。 図中符号lは基板、2及び4は保護層、3は記録層、5
は紫外線硬化樹脂膜、Prは再生レーザーパワー、Pb
はバイアスパワー、PpはピークパワTpはピークパワ
ー時のパルス幅、Tbminはバイアスパワー時のパル
ス幅の最小値である。
Claims (1)
- 1 光ビームの照射により、結晶相と非晶質相との間で
相変化して情報が記録又は消去される記録層を有する光
情報記録媒体を用い、この結晶相と非晶質相との間の相
変化を、1つの光源からの出力光を微小に絞った光ビー
ムにより可逆的に繰り返すことにより、重畳記録できる
装置であって、前記光ビームがピークパワーのときには
非晶質相を形成し、該ピークパワーよりも低く、再生パ
ワーよりも高いバイアスパワーのときには結晶相を形成
するようにし、かつ該光ビームとして、前記ピークパワ
ー時のパルス幅Tpと前記バイアスパワー時のパルス幅
の最小値Tbminとが、式1/5Tbmin≦Tp≦
2/3Tbminの関係を満たすものを用いることを特
徴とする光学的記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6919289A JPH02249136A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 光学的記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6919289A JPH02249136A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 光学的記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02249136A true JPH02249136A (ja) | 1990-10-04 |
Family
ID=13395617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6919289A Pending JPH02249136A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 光学的記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02249136A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266632A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | 情報の記録方法及び情報記録装置 |
| JPH01159831A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-22 | Hitachi Ltd | 情報の記録方法 |
| JPH025238A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Hitachi Ltd | 光記録媒体および光記録方法 |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP6919289A patent/JPH02249136A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266632A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | 情報の記録方法及び情報記録装置 |
| JPH01159831A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-22 | Hitachi Ltd | 情報の記録方法 |
| JPH025238A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-10 | Hitachi Ltd | 光記録媒体および光記録方法 |
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