JPH03224790A - 情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体

Info

Publication number
JPH03224790A
JPH03224790A JP2020805A JP2080590A JPH03224790A JP H03224790 A JPH03224790 A JP H03224790A JP 2020805 A JP2020805 A JP 2020805A JP 2080590 A JP2080590 A JP 2080590A JP H03224790 A JPH03224790 A JP H03224790A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
recording layer
phase
recording
amorphous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020805A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsumi Suzuki
克己 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2020805A priority Critical patent/JPH03224790A/ja
Priority to US07/646,839 priority patent/US5171618A/en
Publication of JPH03224790A publication Critical patent/JPH03224790A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0055—Erasing
    • G11B7/00557—Erasing involving phase-change media
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • G11B7/2595—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on gold
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/913—Material designed to be responsive to temperature, light, moisture
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/23—Sheet including cover or casing
    • Y10T428/239—Complete cover or casing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、レーザビーム等の光ビームがその照射条件を
変えて交互に照射されることにより結晶相と非晶質相が
所定の幅で交互に可逆的に形成される記録層を有し、こ
の記録層に形成された異なる相をそれぞれ透過する光信
号の強度の違いから記録層に記録された情報を読み取る
ことができる情報記録媒体に関する。
（従来の技術） 従来から、情報を高密度に記憶でき且つ随時情報の消去
書き込みが可能な光デイスク材料として光の透過率が固
体の相に依存する相変化型のものが知られている。
この相変化型の材料はレーザビームをその照射条件、例
えば照射エネルギー、照射強度、あるいは照射時間を変
え照射すると、照射された部分が相異なる相の間で可逆
的に変化するものである。
上記の相変化型の材料としては、例えばテルル（Ｔｅ）
、ゲルマニウム（Ｇｅ）、これらの化合物であるＴ　ｅ
　Ｇ　ｅ、インジウム（Ｉｎ）とセレン（Ｓｅ）の化合
物であるＩｎＳｅ、アンチモン（Ｓｂ）とセレンの化合
物である５ｂＳｅ、あるいはアンチモンとテルルの化合
物である５ｂＴｅ等の半導体、半導体化合物、あるいは
金属間化合物が知られている。
上記材料は、レーザビームの照射を受けると、その照射
条件に応じて結晶相あるいは非晶質相の２つの状態のい
づれかを形成するもので、上記２つの状態は複素屈折率
Ｎ＝ｎ（１−ｉｋ）（ここで、ｎは屈折率、ｋは吸収指
数）が相違する。即ち、相に応じて屈折率Ｈのみならず
吸収指数には異なる値を示すので、上記材料に入射する
光は異なる透過率を示す。
それで、上記特質を持つ材料を情報の消去、書き込み可
能な光メモリとして用いる着想は、Ｓ。
ＲＯＶＳｈｉｎＳｋＶ等によって提案されている（Ｈｅ
ｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ　ｒｒａｎｓａｃｔｒｏｎｓ　
２．６４１（１９７１）　）。
この提案によれば、上記材料からなる記録層を挟み込ん
だディスクを回転させながら照射条件を変えたレーザビ
ームを上記ディスクに交互に照射し、結晶相及び非晶質
相が交互に配列してなる所定の相パターンを可逆的に形
成する。次いで照射エネルギーの小さい再生用レーザビ
ームが上記結晶相及び非晶質相に順次照射される。この
照射された再生用レーザビームは上記結晶相あるいは非
晶質相のいずれかを交互に透過後後力に適宜設けられた
反射層で反射され、次いで反射された再生用レーザビー
ムは再生信号として適宜の光電変換器で変換され、相に
応じた透過率の違いから相状態を判別することにより上
記相パターンからなる情報を再生するものである。
さらに詳しくは、上記材料からなる記録層に情報を記録
する場合、記録層にその融点を超える温度に加熱可能な
高パワーで且つパルス幅の短いし〜ザビームが照射され
、次いで照射部分が溶融急冷され、非晶質相からなる記
録マークが形成される。また、記録層に記録された情報
を消去する場合、記録層材料の結晶化温度を超える程度
の温度（融点よりも低い温度）に加熱可能なパワーで且
つ比較的パルス幅の長いレーザビームが照射され、次い
で照射部分が徐冷され、非晶質相は結晶相に変化する。
即ち、記録マークが消去される。
このような情報の記録、消去においては、照射部分を溶
融急冷し非晶質化するための円形スポットのレーザビー
ムと、照射部分を徐冷結晶化するための長楕円形スポッ
トのレーザビームとを互いに独立に用いる２ビ一ム方式
が採用されている。
しかしながら、上記の２ビ一ム方式ではレーザビームを
照射するための光学系が複雑となる。特に、記録層が挟
み込まれたディスクの回転に合わせ、非晶質相と結晶相
が交互に並べられてなるディスク内のスパイラル状のト
ラックに長楕円形スポットのレーザビームを追従させる
ことは困難であり、複雑なサーボ機構が必要となる。
そこで、情報の記録、消去とを１つのレーザビームで行
う１ビ一ム方式の研究が行われている。
この１ビ一ム方式においては、ディスク内のトラックに
追従させるレーザビーム源は単一であるので、記録層に
既に記録されている情報を消去し、次いで新しい情報を
書き込むオーバライドを容易に行うことができる。
即ち、単一のレーザビーム源から照射される１つのレー
ザビームを２段階のパワーレベル、つまり消去用レーザ
ビームのパワーレベルＰｅあるいは記録用レーザビーム
のパワーレベルＰｗ（Ｐｅ＜　Ｐ　ｗ　）にパワー変調
し、既に情報が記録されている記録層に上記の２種のレ
ーザビームを所定の幅で交互に照射し、古い情報を消去
すると同時に新しい情報を重ね書きするものである。
このように１ビームのレーザでオーバライドを行う方式
は１ビ一ムオーバライド方式と称され、上述しな２ビ一
ム方式の欠点である複雑なサーボ機構の必要性が無く、
レーザビームの位置設定が容易である。
しかしながら、１ビ一ムオーバライド方式を相変化型記
録層に適用する場合、他の困難性を伴うことになる。
即ち、非晶質相及び結晶相からなる相パターンを形成す
べきディスクの回転速度は一定であるので、所定間隔を
おいて非晶質相あるいは結晶相を形成するべく記録層に
照射されたレーザビーム熱が放出される時間はディスク
が上記所定間隔を移動する時間になる。換言すれば、レ
ーザビーム熱の放出時間は形成される相に依存せず、レ
ーザビームが照射される記録層部分が非晶質相になるか
結晶相になるかは照射されるレーザビームのパワの大き
さのみで決まる。
従って、非晶質化と同程度の短い時間で結晶化を行わな
ければならないので、情報の消去において徐冷に充分な
時間をかけて結晶化を行うことができない。
また、情報を記録する場合、非晶質相からなる記録マー
クが形成されるべき部分の端部を非晶質相に変化させる
のは困難である。その理由は、上記非晶質相形成直前に
結晶相を形成すべく照射された消去用レーザビームによ
って記録層に与えられた熱の一部が放熱されること無く
残っており、この余熱により上記記録マークが形成され
るべき部分の端部の急冷が損なわれるからである。
従って、非晶質相と結晶相を所定の幅で交互に形成する
ことができなくなり、誤った情報が読み取られる原因に
なる。
そこで近年、上述の１ビ一ムオーバライド方式を相変化
型記録層に適用することが可能な材料として、インジウ
ム（Ｉｎ）、アンチモン（ｓｂ＞、及びテルル（Ｔｅ）
からなる合金が注目されている。この合金は組成を適正
に選ぶことにより１ビムオ一バライト方式の適用が可能
である。
本願発明者の実験によれば化合物ＩｎＳｂにテルルを２
０乃至４５原子％添加してなる合金、換言すればＸ原子
％のＴｅ及び５０−２／Ｘ原子％のＩｎ並びに５０−２
／Ｘ原千％のｓｂからなるＩ　ｎ　５０−Ｘ／２Ｓ　ｂ
　５０−Ｘ／２Ｔ　ｅ　ｘ　　（ただし、２０≦Ｘ≦４
５の範囲内である。）で表される組成を有する合金材料
を記録層として用いることにより、化合物Ｉ　ｎＳｂの
速やかに結晶化する特性（以下、高速結晶化特性と呼称
する。）を生がしつつ、テルルの容易に非晶質化する特
性（以下、非晶質化容易特性と呼称する。）を得ること
ができる。つまり、１ビ一ムオーバライド方式における
問題点である短時間に結晶化する必要性、及び急冷する
こと無く非晶質化する必要性を克服することができる。
また、上記非晶質化容易特性により容易に非晶質化する
ので、最も高いパワーを必要とする記録用レーザビーム
のパワーを滅しても非晶質化が可能である。それで、光
学系を小形化でき、経済的であり、且つ取扱いが容易に
なる。
しかしながら、上記のＩ　ｎ　ｑｏ−Ｘ／２Ｓ　ｂ　５
ｏ−Ｘ／２Ｔｅｘからなる記録層は合金であるがため原
子間の結合力が弱く組成の安定性に問題がある。オーバ
ライド操作において記録層の溶融及び急冷を繰り返した
場合、オーバライドされた部分の合金組成が徐々に変化
、即ち偏析し、ついには上記高速結晶化特性及び非晶質
化容易特性が劣化してしまうという問題点があった。
一方、組成が安定した化合物としてＩｎ３ＳｂＴｅ、が
１ビ一ムオーバライド方式を適用する場合における記録
層の材料として考えられている。
つまり、ＩｎｖＳｂＴｅｚを記録層材として用い一消去
用レーザビームを照射した場合、極めて早く結晶相が形
成される。
その理由は、Ｉ　ｎ３５ｂＴｅ２の結晶相は熱的に極め
て安定であるからである。
また、Ｉｎ３５ｂＴｅ２は化合物であるため、オーバラ
イド操作を繰り返しても組成は変化しないので、上記の
高速結晶化特性は劣化しない。
しかしながら、Ｉ　ｎ３　Ｓ　ｂＴｅ　２は化合物であ
るがゆえに、原子間の結合力が強く結晶相が安定である
反面、非晶質化しにくいという性質を有している。
即ち、オーバライド時に記録用レーザビームのパワーが
消去用レーザビームのパワーに比べて充分に大きくない
と、Ｉｎ１ＳｂＴｅ２が融点を越えた温度に達し溶融し
ても非晶質化すべき部分の周囲は既に照射された消去用
レーザビームの余熱により高ｉ晶になっているので、Ｉ
ｎ１ＳｂＴｅ２は急冷することができず非晶質化しない
という欠点がある。
従って、化合物ｒｎ５５ｂＴｅ２を記録層材とした光デ
ィスクでは消去用レーザビームのパワーとして８　ｍ　
Ｗ程度で済むのに反し、記録用レーザビームのパワーと
してディスク面換算で２２乃至２５ｍＷ必要であり、極
めて高いパワーとなる。
これは、エネルギー消費が大きいのみならず、光学系は
大形化して非常に不経済であり、かつ取扱いが面倒なも
のになる。
（発明が解決しようとする課題） 上記の如く、２ビ一ム方式で記録層にレーザビームを照
射し非晶質相及び結晶相を形成する場合、所望の相を得
ることができるが、レーザビームの照射位置を決めるに
は複雑なサーボ機構が必要となるという問題点があった
。
そこで、１ビ一ムオーバライド方式を適用した場合、上
記サーボ機構が簡略化されるものの非晶質化と同程度の
短い時間で結晶化を行わなければならない、また、非晶
質相からなる記録マークの端部を非晶質相に変化させる
のは難しい。
それで結局、誤った情報が読み取られる原因になるとい
う問題があった。
この問題を解決すべく、高速結晶化特性及び非晶質化容
易特性が良好なＩｎｓ。−Ｘ／２Ｓｂ５゜−ｘ７□Ｔｅ
ｘを記録層の材料に適′用することが考えられたが、合
金であるためオーツ（ライト操作において記録層の溶融
及び急冷を繰り返した場合、上記材料は偏析し上記特性
が劣化するという問題があった。
一方、化合物であるＩｎ３ＳｂＴｅ２を記録層に用いた
場合、Ｉｎ３ＳｂＴｅｚが有する高速結晶化特性はオー
バライド操作を繰り返しても劣化しないが、非晶質化が
難しく、記録用レーザビムのパワーを大きくしなければ
ならない。
そこで、本発明は上記従来技術の問題点を解消するもの
で、その目的とするところは、複雑なサーボ機構を必要
とすることなく、また要求するレザビームパワーが比較
的小さく、高速結晶化特性及び非晶質化容易特性に代表
されるオーバライド特性が良好であり、且つオーバライ
ド操作の繰り返しを行っても上記オーバライド特性の劣
化が生じない情報記録媒体を提供することである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記課題を解決するための本発明は、基板と、該基板上
に設けられ光ビームの照射を受けたときその照射エネル
ギーの条件に応じて結晶相と非晶質相との間で可逆的に
相変化する記録層から構成される情報記録媒体において
、前記記録層は、■ｎ３ＳｂＴｅ２とＩ　ｎ　５ｏ−ｘ
ｚｉＳ　ｂ　５０−Ｘ／２Ｔ　ｅ　ｘ（式中Ｘは２５≦
Ｘ≦４５とする）との合金（（Ｉ　ｎ　Ｓ　ｂ　＞　＋
１１）Ｏ−Ｙｌ／２００　ＴｅＹ／１００１１００−２
（Ｉｎ３５ｂＴｅ、）ｚ　（式中Ｙ、Ｚは２５≦Ｙ≦４
５かつ０≦Ｚ≦７０、及び３０≦Ｙ≦４０かつ７０〈Ｚ
≦８０とする）と同一の組成である３元合金からなるこ
とを特徴とする。
、作用） 本発明の情報記録媒体では、記録層はインジウム、アン
チモン、及びテルルを上述した組成比、即ち（（Ｉ　ｎ
Ｓｂ　＞　１１００−Ｙｌ／２００　ＴｅＹ／ｌｏｏ　
）　１０ｏ−ｚ　　（Ｉ　ｎｍ　５ｂＴｅ２）ｚ　　（
式中Ｙ、Ｚは２５≦Ｙ≦４５かつ０≦Ｚ≦７０、及び３
０≦Ｙ≦４０かつ７０〈Ｚ≦８０とする）とした３元合
金からなるので、Ｉ　ｎ　５ｏ−ｘ７２ｓ　ｂ　５０−
Ｘ／２Ｔｅ　Ｘが有する速やかに結晶化する特性及び容
易に非晶質化する特性、並びにＩｎ１ＳｂＴｅ２が有す
る速やかに結晶化する特性が生かされる。
また、Ｉｎ１ＳｂＴｅ２は安定な組成であるので、オー
バライド操作において記録層の溶融及び急冷を繰り返し
ても記録層を構成する３元合金の組成変化は無い。
その理由は、組成が安定なＩｎ３ＳｂＴｅ２が合金Ｉ　
ｎ　５０−Ｘ／２Ｓ　ｂ　、ｏ−ｘ／２Ｔ　ｅ　ｘの間
に入り込んでいるため、オーバライド時に記録層を溶融
してもこの記録層を構成する合金Ｉｎ、。−Ｘ／２Ｓ　
ｂ　Ｓ。−８／２Ｔｃｘは該合金Ｉ　ｎ　５０−Ｘ／２
Ｓ　ｂ　ｑｏ−ｘｉ２Ｔ　ｅ　ｘの構成原子を他の合金
Ｉ　ｎ　５ｏ−Ｘ／２Ｓ　ｂ　５０−Ｘ／２Ｔ　ｅ　ｘ
の原子と交換することを損なわれ、偏析を生ずることが
ないからである。
従って、随時オーバライドのため条件の異なる光ビーム
を交互に記録層に照射し結晶相及び非晶質相を所定の幅
で交互に可逆的に形成しても、各相の複素屈折率Ｎ＝ｎ
（１−ｉｋ＞（ここで、ｎは屈折率、ｋは吸収指数）は
常に安定な一定値を示す。即ち、各相の光に対する吸収
率は一定である。
これは、上記各相をそれぞれ通過する光信号の透過率は
常に一定であることを意味する。それで、記録層に入射
した光信号の透過率の違いから記録層に形成された相パ
ターンを常に正確に読み取ることができる。
（実施例） 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる情報記録媒体の断面
図である。
図示するように、本実施例の情報記録媒体は記録用及び
消去用レーザビーム並びに情報再生用レーザビームを透
過する基板１と、該基板１上に設けられ熱的に安定な保
護層２と、該保護層２上に設けられ情報を記録する記録
層３と、該記録層３上に設けられ保護層２と共に記録層
３を密封して保護する保護層４と、該保護層４上に積層
され情報再生用レーザビームを反射する反射層５と、該
反射層５上に設けられた樹脂層６から構成される。
ここで、基板１は、経時変化が少ない材料であるポリカ
ーボネイト製の直径５インチのディスク状基板である。
記録層３は、インジウム（Ｉｎ）及びアンチモン（Ｓｂ
）並びにテルル（Ｔｅ）の３元合金を２０ＯＡの厚みに
形成したものであり、かつ化合物Ｉｎ３５ｂＴｅ２と、
テルルがＸ原子％及びインジウムが５０−２／Ｘ原千％
並びにアンチモンが５０−２／Ｘ原子％の合金Ｉ　ｎ　
５０−Ｘ／２Ｓ　ｂ　５ｏ−Ｘ／２Ｔｅｘ　（ただし、
Ｘは原子％で表されており、２０≦Ｘ≦４５の範囲内で
ある。）とが後述するように所定の割合からなる組成と
同一の組成を有する。上記３元合金からなる記録層３は
所定のパワーレベルを有する記録用レーザビームの照射
を受けると融点（５００乃至６００°Ｃ）を越える温度
に加熱され、次いで保護層２．４にレーザビーム熱が放
出され非晶質化し、非晶質相７を形成するものである。
また、記録層３は所定のパワーレベルを有する消去用レ
ーザビームの照射を受けると結晶化温度を越える程度の
温度に加熱され、次いで保護層２．４にレーザビーム熱
が放出され結晶化し、結晶相８を形成するものである。
保護層２．４は、酸化アルミニウム（Ａ１２０、）の結
晶からなる１０００人厚みの誘電体であり、熱的に安定
（Ｍ点は１３００°Ｃ程度である。）であると共に、レ
ーザビームに対し透明であり該保護層２．４に挟まれた
記録層３を保護するものである。即ち、保護層２．４は
記録層３を熱的に安定した物質で密封することにより、
記録用あるいは消去用レーザビームが記録層３に照射さ
れ、照射された部分が蒸発したとき空洞部が形成される
のを防ぐ、また、保護Ｊ１２．４は上記レーザビームの
照射で熱せられた記録層３が融点あるいは結晶化温度を
越える程度に昇温すると共に、放熱して非晶質相あるい
は結晶相を形成する程度の熱伝導度を有し、昇温した記
録層３から熱を適度に吸収する。さらに、波長８３０ｎ
ｍの半導体レーザからなる記録再生用レーザビームが記
録層３に照射された後、記録層３及び反射層５でそれぞ
れ反射されて基板１から出射されたとき、保護層４はこ
の保護層４を透過する一方のレーザビーム、即ち反射層
５で反射したレーザビームのみに光学的伝播距離を与え
、出射する上記２つのレーザビームに干渉を生じせしめ
てエンハンスし、このレーザビームの強度測定を容易な
らしめる。
反射層５は本実施例では１０００人の厚みを有する金（
Ａ　ｕ　）の薄膜からなる。
樹脂層６は１０μｍの厚みを有する紫外線硬化樹脂から
形成され、表面に傷などが発生するのを防止している。
次に、上記構成を有する情報記録媒体の製造方法につい
て説明する。
まず、ディスク状の基板１を酸化アルミニウム（Ａ　ｌ
　ｘ　Ｏ，）などのターゲットを有するスパッタリング
装置の真空チャンバ内に設置し、次いでチャンバ内を適
宜の真空装置を用いて高真空にする。
次に、チャンバ内にアルゴンガスを導入し、このアルゴ
ンガスで上記酸化アルミニウムのターゲットをラジオフ
リークエンシーパワー（以下、Ｒ１Ｆ、パワーと称する
。）を投入してスパッタリングし基板１上に保護層２を
形成する。
次に、チャンバ内をアルゴンガス雰囲気に維持した状態
で、化合物１ｎ３ＳｂＴｅ２及び合金■ｎ　５０−Ｘ／
２Ｓ　ｂ　５ｏ−Ｘ／２Ｔ　ｅ　ｘ　　（ただし、Ｘは
原子％で表されており、２５≦Ｘ≦４５の範囲内である
。
）の各ターゲットを同時にアルゴンガスでスパッタリン
グし記録層３を成膜する。
ここで、上記操作でスパッタリングされる各ターゲット
のスパッタリング量は予め調製されており、後述する所
望の組成からなる記録層３を得ることができる。
なお、上記各ターゲットを交互にスパッタリングしても
良い。
また、ターゲットとなる化合物あるいは合金はスパッタ
リング時には原子単位で保護層２上に蒸着されるので、
インジウム（Ｉｎ）及びアンチモン（Ｓｂ）並びにテル
ル（Ｔｅ）を各々別のタゲットとして同時にスパッタリ
ングしても同じ事である。
次に、保護層２と同様に保護層４を形成する。
次いで、金（Ａｕ）のターゲットにＲ，Ｆ、パワーを投
入してスパッタリングし反射層５を積層する。
最後に、上記操作で得られたディスクをスパッタリング
装置から取り出し、次いでスピナーにセットし、紫外線
硬化樹脂をスピンコードした後紫外線を照射して硬化さ
せ、樹脂層６を形成する。
以上説明した情報記録媒体の製造方法を用い、第２図に
示される本実施例における情報記録媒体の記録層材の組
成範囲９内でサンプルＡ群乃至サンプルＣ群からなる５
１枚のディスクサンプルを作成した。
サンプルＡ群　； （（Ｉ　ｎ　Ｓ　ｂ　）　ｏ、９．ｙｚＴ　ｅ　ｏ、４
ｓｌ　ｔｏｏ−ｚ（Ｉｎ３ＳｂＴｅ２）ｚ ｚ＝０．１０．２０．３０．４０．５０．６０．７０．
８０．９０．１００原子％ サンプル８群　； （（Ｉｎｓｂ）ｏ、ｂｏｙｘＴ　ｅ　（１，４１１＋　
ｔｏｏ−Ｚ（Ｉｎ３ＳｂＴｅ２　）ｚ ２＝０、１０．２０．３０．４０．５０．６０．７０．
８０．９０原子％ サンプルＣ群　； （（Ｉ　ｎ　Ｓ　ｂ　）　ｏ、６．ｙｚＴ　ｅ　ｏ、、
ｑ）　ｔｏｏ−Ｚ（Ｉｎｔ　５ｂＴｅ、）ｚ ２＝０．１０．２０．３０．４０．５０．６０．７０．
８０．９０原子％ サンプル０群　； （（Ｉ　ｎ　Ｓ　ｂ　）　０．７０／２Ｔ　ｅ　０．３
０）　Ｚｏｏ−Ｚ（Ｉｒｚ　５ｂＴｅ、）ｚ ２＝０．１０．２０．３０．４０．５０．６０．７０．
８０．９０原子％ サンプルＣ群　； （（Ｉ　ｎ　Ｓ　ｂ　）　ｏ、ｔｑｙｘＴ　ｅ　ｏ、ｚ
、ｌ　ｔｏｏ−Ｚ（Ｉｎ３ＳｂＴｅ２）ｚ ｚ＝０．１０．２０．３０．４０．５０．６０．７０．
８０．９０原子％ 即ち、サンプルＡ群ではＩ　ｎ　、ｏ−ｘｙｚｓ　ｂ　
５０−Ｘ／２ＴｅｘとしてＸ＝４５原千％の化合物を用
いた。
また同様に、サンプル８群ではＸ＝４０原千％、サンプ
ルＣ群ではＸ−３５原子％、サンプル０群ではＸ＝３０
原子％、サンプルＣ群ではＸ＝２５原子％原子台物を用
いた。
次に、このようにして得られた情報記録媒体の初期化、
情報のオーバライド、及び情報の再生について説明する
。
記録層３はスパッタリングで成膜され基板１上に堆積す
るとき急冷されるので非晶質相になる。
それで、所定の幅からなる非晶質相の記録マークを形成
するため、記録層３を全て結晶相に相変化しなければな
らない、これが情報記録媒体の初期化である。
本実施例では、前述した製造方法で作成されたディスク
サンプルを１８００　ｒ、ｐ、ｔで回転させ、記録層面
におけるパワーが１４ｍＷでかつ連続発光す、るレーザ
光を記録層のスパイラル状になった所定のトラックに照
射し、上記初期化を行った。
ここで、スパッタリングで基板１上に成膜された非晶質
相は熱的に非常に安定であるので、特にパワーが大きい
１４ｍＷの記録用レーザビームを用いた。また、記録層
の結晶化を完全に行うなめ、同一トラックを３回レーザ
光で照射した。
初期化が終了した後、上記トラックに沿って非晶質相及
び結晶相が所定の幅で交互に配列されてなる相パターン
を形成し、この相パターンを読み取ることにより情報を
得ることができる。上記相パターンの形成が情報のオー
バライドである。
本実施例では、第３図に示すようにパワーレベルが最も
高いＰｗ＝１４ｍＷである記録用レーザビームと、この
記録用レーザビームよりも低いパワーレベルＰＨ＝：３
ｍＷである消去用レーザビームとを用いた。つ丈り、４
ＭＨ２あるいは５Ｍ）（２周波数に相当する周期、即ち
周波数の逆数からなる周期で上記２種のレーザビームを
等しい時間間隔で切り替え、次いでこれらのレーザビー
ムを記録層のトラックに照射し上記オーバライドを行っ
た。
即ち、ディスクは所定速度で回転しているので、例えば
記録用レーザビームの照射を受けた部分は非晶質相にな
り記録マークが形成される０次いで、レーザビームの上
記切り替え周期経過後消去用レーザビームの照射に切り
替えられたときには、上記非晶質相部は移動し、新たな
被照射部が消去用レーザビームの照射を受は結晶相とな
る。このようにして、非晶質相及び結晶相がレーザビー
ムの切り替え周期に対応した所定の幅で交互に配列され
てなる相パターンが形成される。
なお、最初のオーバライド時は初期化が既になされ、記
録層は結晶相化しているので消去用レーザビームを用い
る必要はなく、記録用レーザビムのみを断続的に照射す
れば良い。
また、パワーレベルの切り替えは等間隔であるので、デ
ユーティ比は５０％である。
オーバライドの終了後、記録層３を照射しても相変化を
生じせしめない程度に照射エネルギーの小さい再生用し
′−ザビームで記録層３を照射し、次いで非晶質相及び
結晶相をそれぞれ交互に透過する上記レーザビ一ムのエ
ネルギー強度の違いを測定し相パターンを読み取る。こ
の非晶質相及び結晶相が所定の幅で交互に配列してなる
相バタンは２進符号系列からなるデータとみなすことが
でき、このデータを記録層に書き込まれた情報として得
る。これが情報の再生である。
本実施例では、再生用レーザビームとして０゜８ｍＷの
パワーレベルを有する半導体レーザビーム（波長８３０
ｎｍ）を用いた。即ち、上記レーザビームを基板１から
保護層２．４及び記録層３に入射し、記録層３及び反射
層うで反射したレザビームを再び記録層３及び保護層２
．４を透過させ、基板１から出射した反射光を光電変換
素子て検出した。検出された反射光は再生信号としてＡ
／Ｄ変換され、スペクトロアナライザにて上記サンプル
Ａ群乃至サンプルＥ群の各ディスクサンプルごとに周波
数分布が測定された。
即ち、非晶質相あるいは結晶相を透過した再生信号は、
上記各相が４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ周波数でレーザビ
ームパワーを切り替えて形成されたものであるので、各
相のレーザに対する特有の透過率に基づきエネルギー強
度が変動し、その変動周期はレーザビームパワーの切り
替え周期に一致する。略言すれば、再生信号は４ＭＨｚ
あるいは５ＭＨｚの周波数になる。
次いで、測定された周波数分布からＣ／Ｎ値を算出し、
各ディスクサンプルの記録層に記録された情報を再生し
た。
ここで、Ｃ／Ｎ値は様々な周波数からなる雑音の大きさ
に対する特定周波数（４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ）から
なる再生信号の大きさの比であり、対数化したデシベル
（ｄＢ）単位で表現される。
第４図（Ａ）乃至第４図（Ｅ）に測定されたＣ／Ｎ値、
及びこのＣ／Ｎ値から定まる消去度を用いディスクサン
プルの特性評価をした結果をサンプル群ごとに示す。
図において、横軸はＩ　ｎ　５０−Ｘ／２Ｓ　ｂ　５０
−Ｘ／２Ｔ　ｅ８とＩ　ｎ３５ｂＴｅｚとの合金組成と
同一の組成を示し、横軸の左端はＩｎ３ＳｂＴｅ２のみ
の組成に対応し、横軸の右端はＩｎ、。−ｘ７ｚｓｂｓ
。−Ｘ／２ＴｅＸのみの組成に対応する。また、左側の
縦軸はＣ／Ｎ値を示し各データを実線で結んだ折れ線に
対応し、右側の縦軸は消去度を示し各データを破線で結
んだ折れ線に対応する。
ここで消去度は以下のように定義される。即ち、初期化
後４ＭＨｚ周波数の記録用レーザビームで第１回目の記
録を行い、第５図（Ａ）に示すように得られた再生信号
１０のＣ／Ｎ値が例えばＡであり、次いで５ＭＨｚ周波
数の記録用及び消去用レーザビームを用い相パターンを
変えてオーバライドしなとき、第５図（Ｂ）に示すよう
に前回の再生信号が完全に消去されずに残った消去残り
信号１１のＣ／Ｎ値が例えばＢであった場合、再生信号
１０の大きさに対する消去残り信号１１の大きさの比を
対数化して得られるＢ−Ａの値が消去度である。
また、第５図（Ｂ）に上記オーバライドで新しく書き込
まれた情報に対応する再生信号１２のＣ／Ｎ値Ｃが示さ
れ、このＣ／Ｎ値Ｃが第４図に表示されている。
第４図に戻って、全てのサンプル群において、Ｉｎ１Ｓ
ｂＴｅ、の組成に近づくに従ってＣ／Ｎ値が減少し消去
度は零値に近づく傾向が示されている。これは、明瞭な
再生信号が得られなくなると共に、誤信号を拾ってしま
う可能性が大きくなることを意味する。
このような傾向になる理由は、従来技術で説明したよう
に、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の化合物を非晶質化するためには
記録用レーザビームとして２２乃至２５ｍＷのパワーが
必要であるにもかかわらず、本実施例ではＰｗ＝１４ｍ
Ｗの記録用レーザビームを用いたからである。つまり、
記録用レーザビムが記録層に照射されたにもかかわらず
結晶相が形成され、非晶質相と結晶相の相パターンが崩
れ、この相パターンを読み取った再生信号の周波数はレ
ーザビームのパワー切り替え周期と異なるものになり、
４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚの周波数からなる再生信号の
Ｃ／′Ｎ値は劣化する。また、Ｃ／Ｎ値Ａの劣化により
消去度Ｂ−Ａも劣化したからである。
しかしながら、合金Ｉ　ｎ　５ｏ−Ｘ／２Ｓ　ｂ　５ｏ
−Ｘ／２Ｔ　ｅ８の影響が寄与する領域、即ち上記合金
が７０原子％以上あるいは８０原子％以上を占める組成
領域では、合金Ｉ　ｎ　！１１−Ｘ／２Ｓ　ｂ　５ｏ−
ｘｙｘＴ　ｅ　ｘが有する高速結晶化特性及び非晶質化
容易特性が生かされ、Ｃ／Ｎ値及び消去度は優れた値を
示す、即ち、Ｃ／Ｎ値は３５ｄＢ以上の値を示し、消去
度は一２０ｄＢ以下の値を示し、明瞭な再生信号が得ら
れると共に、誤信号を拾う可能性は大幅に減少する。
次に、全てのサンプル群に対し４ＭＨｚ周波数の記録用
及び消去用レーザビーム、及び５ＭＨｚ周波数の記録用
及び消去用レーザビームを交互に用いてオーバライドを
多数回繰り返したときの結果を第６図に示す。
即ち、第６図に第２図に示す情報記録媒体の記録層材の
組成範囲９を抜き出し拡大して示すように、５１枚のデ
ィスクサンプルが有する組成に対応する位置にＣ／Ｎ値
の特性評価の結果を示した。
例えば、１０万回以上のオーバライドの繰り返しにおい
てもＣ／Ｎ値を４５ｄＢ以上維持したディスクサンプル
には、その組成位置に優良を示す記号◎を、上記と同条
件でＣ／Ｎ値を３５ｄＢ以上維持したディスクサンプル
には良を示す記号○を、１０００回乃至１万回のオーバ
ライドを繰り返すまでＣ／Ｎ値を３５ｄＢ以上維持した
ディスクサンプルには可を示す記号・を、最初のオーバ
ライドでＣ／Ｎ値が３５ｄＢ以下になってしまったディ
スクサンプルには不可を示す記号ムを記した。
第６図に示すようにオーバライドを多数回繰り返した場
合の特性評価、及び第４図に示した最初のオーバライド
後のＣ／Ｎ値並びに消去度を考慮しての特性評価を考え
合わせると、合金Ｉｎ５゜−８／２Ｓ　ｂ　５０−Ｘ／
２Ｔｅ　Ｘ　　（ただし、Ｘは原子％で表されており、
２５≦Ｘ≦４５の範囲内である。）に化合物Ｉｎ１Ｓｂ
Ｔｅ２を零乃至７０原子％添加した合金（（Ｉ　ｎ　Ｓ
　ｂ　）　＋ｔａｏ−ｎ／ｚｏｏ　Ｔｅ　Ｙ／１０１１
　）ｒｏｏ−ｚ　　（Ｉ　ｎ５５ｂＴｅｚ　）　ｚ　　
（ただし、Ｙ、Ｚは原子％で表されており、２５≦Ｙ≦
４５かつ０≦Ｚ≦７０、及び３０≦Ｙ≦４０かつ７０〈
Ｚ≦８０の範囲内である。）の組成と同一の組成を有す
るＩｎ−９ｂ−Ｔｅの３元合金の組成範囲では、消去度
及び多数回のオーバライド後のＣ／Ｎ値は優れた値を示
す。
即ち、Ｃ／Ｎ値は１０００回乃至１Ｔ回のオーバライド
を繰り返すまで３５ｄＢ以上を維持し、また消去度は一
２０ｄＢ以下の値を示し、明瞭な再生信号が得られると
共に、誤信号を拾う可能性は大幅に減少する。
また、サンプル８群乃至サンプル０群において化合物Ｉ
ｎ１ＳｂＴｅｚが７０乃至８０原子％を占める組成領域
でも同様にＣ／Ｎ値及び消去度は優れた値を示す。
特に、サンプルＡ群及びサンプルＥ群で化合物Ｉｎ３Ｓ
ｂＴｅ、が４０原子％を占める組成領域、並びにサンプ
ル８群乃至サンプル０群で化合物Ｉｎ　５　Ｓ　ｂ　Ｔ
　ｅ　ｘが２０乃至６０原子％占める組成範囲で１０万
回以上のオーバライドの繰り返しを行ってもＣ／Ｎ値は
４５ｄＢ以上を維持するので、１ビ一ムオーバライド方
式において相変化型の記録層の材料として適用するに、
非常に明瞭な再生信号を得ることができる。
このようにＣ／Ｎ値及び消去度が優れた値を示す理由は
、組成が安定な化合物Ｉ　ｎ３ＳｂＴｅ２が合金Ｉ　ｎ
　ｑｏ−ｘｚｚｓ　ｂ　５ｏ−ｘｉｚＴ　ｅ　ｘの間に
入り込んでいるため、オーバライド時に合金Ｉｎｓ。−
Ｘ／ｊｌＳ　ｂ　５ｏ−ｘｉｘＴ　ｅ　ｘは該合金１　
ｎ　５Ｏ−Ｘ／２Ｓ　ｂ　’３０−Ｘ／２Ｔｅｘの構成
原子を他の合金Ｉ　ｎ　’ｔｏ−Ｘ／２Ｓ　ｂ　５０−
Ｘ、、ＴｅＸの原子と交換することを損なわれ、偏析を
生ずることがないからである。
従って、化合物Ｉｎ１ＳｂＴｅｉのみで、あるいは合金
Ｉ　ｎ　５ｏ−ｘｙｘｓ　ｂ　５ｏ−Ｘ／２Ｔ　ｅ　ｘ
　　（ただし、Ｘは原子％で表されており、２０≦Ｘ≦
４５の範囲内である。）のみでは得られない優れた特性
、即ちオーバライドを繰り返しても常に安定して得られ
る高速結晶化特性及び非晶質化容易特性を、化合物Ｉｎ
３ＳｂＴｅ２と合金Ｉ　ｎ　８０−Ｘ／２Ｓ　ｂ　ｓ。
ｘ７２Ｔ　ｅ、との合金組成と同一の組成に適宜調製す
ることにより得ることができる。
以上において、本実施例における情報記録媒体では保護
層２及び樹脂層６を設けたが必ずしも必要はない。
また、本実施例では情報記録媒体の特性評価のなめに、
４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ周波数からなるレーザビーム
のパワーを切り替えることにより第４図に示されるレー
ザビームのパワーパターンを得、デユーティ比５０％で
レーザビームを記録層に照射したが、レーザビームの周
波数及びパワーパターンは上記に限られること無く自在
に変えることができ、デユーティ比も同様に変えても良
い。
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、適宜
の設計的変更により、適宜の態様で実施し得るものであ
る。
［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、基板と、該基板上
に設けられ光ビームの照射を受けたときその照射エネル
ギーなどの照射条件に応じて結晶相若しくは非晶質相に
可逆的に相変化する記録層から構成される情報記録媒体
において、前記記録層は、Ｉｎ１ＳｂＴｅｌとＩ　ｎ　
５ｏ−ｘｙ２ｓｂ　５０−Ｘ／２Ｔ　ｅ　Ｘ　　（式中
Ｘは２０≦Ｘ≦４５とする）との合金（（Ｉ　ｎ　Ｓ　
ｂ　）　＋ｔｏｏ−ｙ＋／ｚｏｏ　Ｔｅ　Ｙ／１００　
）１ｏｏ−ｚ　（Ｉ　ｎ３５ｂＴｅ２）　ｚ　（式中Ｙ
−Ｚは２５≦Ｙ≦４５かつ０≦Ｚ≦７０、及び３０≦Ｙ
≦４０かつ７０＜Ｚ≦８０とする）と同一の組成である
３元合金からなり、組成が安定なＩｎ、ＳｂＴ　ｅ　２
が合金Ｉ　ｎ　５ｏ−ｘｙｘｓ　ｂ　５ｏ−ｘｉｘＴ　
ｅ　ｘの間に入り込んでいるので、オーバライド時に合
金Ｉｎ、。−Ｘ／２Ｓｂ５゜−ｘ７□Ｔｅｘの構成原子
をに変えることを損なわれ、偏析を生ずることがないの
で、１ビ一ムオーバライド方式が適用でき複雑なサーボ
機構を必要とすること無（、また要求するレーザビーム
パワーも比較的小さく、高速結晶化特性及び非晶質化容
易特性に代表されるオーバライド特性が良好であり、か
っオーバライド操作の繰り返しを行っても上記オーバラ
イド特性の劣化が生じない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係わる情報記録媒体の断面
図を示し、 第２図は第１図に示した情報記録媒体の記録層の組成範
囲を示すＩｎ−３ｂ−Ｔｅ組成図、第３図は消去用レー
ザビーム及び記録用レーザビームを交互に切り替えてな
るビームパワーのパタンに関する説明図、 第４図（Ａ）乃至第４図（Ｅ）は作成したディスクサン
プルのＣ／Ｎ値及び消去度を示す特性図、第５図（Ａ＞
及び第５図（Ｂ）は消去度を説明するための再生信号表
示図、 第６図は第２図に示す組成範囲を拡大しオーバライドを
繰り返した場合のＣ／Ｎ値に関する特性評価の説明図で
ある。 １・・・基板　　　　　　　２．４・・・保護層３・・
・記録層　　　　　　５・・・反射層６・・・樹脂層　
　　　　　７・・・非晶質相８・・・結晶相

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板と、該基板上に設けられ光ビームの照射を受けたと
    きその照射エネルギーの条件に応じて結晶相と非晶質相
    との間で可逆的に相変化する記録層から構成される情報
    記録媒体において、前記記録層は、Ｉｎ＿３ＳｂＴｅ＿
    ２とＩｎ＿５＿０＿−＿Ｘ＿／＿２Ｓｂ＿５＿０＿−＿
    Ｘ＿／＿２Ｔｅ＿Ｘ（式中Ｘは２５≦Ｘ≦４５とする）
    との合金｛（ＩｎＳｂ）＿（＿１＿０＿０＿−Ｙ＿）＿
    ／＿２＿０＿０Ｔｅ＿Ｙ＿／＿１＿０＿０｝＿１＿０＿
    ０＿−＿Ｚ（Ｉｎ＿３ＳｂＴｅ＿２）＿Ｚ（式中Ｙ、Ｚ
    は２５≦Ｙ≦４５かつ０≦Ｚ≦７０、及び３０≦Ｙ≦４
    ０かつ７０＜Ｚ≦８０とする）と同一の組成である３元
    合金からなることを特徴とする情報記録媒体。
JP2020805A 1990-01-31 1990-01-31 情報記録媒体 Pending JPH03224790A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020805A JPH03224790A (ja) 1990-01-31 1990-01-31 情報記録媒体
US07/646,839 US5171618A (en) 1990-01-31 1991-01-28 Recording medium for information

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020805A JPH03224790A (ja) 1990-01-31 1990-01-31 情報記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03224790A true JPH03224790A (ja) 1991-10-03

Family

ID=12037258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020805A Pending JPH03224790A (ja) 1990-01-31 1990-01-31 情報記録媒体

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5171618A (ja)
JP (1) JPH03224790A (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5346740A (en) * 1990-09-25 1994-09-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium
JPH04339332A (ja) * 1991-05-16 1992-11-26 Pioneer Electron Corp 光記録ディスクおよびその製造方法
JP3076412B2 (ja) * 1991-07-24 2000-08-14 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法
JP3160632B2 (ja) * 1991-09-27 2001-04-25 ソニー株式会社 光ディスクとその再生方法
JPH05144082A (ja) * 1991-11-26 1993-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光記録媒体と光記録媒体用保護膜
JPH05151574A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Nec Corp 光学的情報記録消去方式
JP3080739B2 (ja) * 1991-12-20 2000-08-28 日本電気株式会社 光学的情報記録媒体および光学的情報記録消去再生方法
JP3207230B2 (ja) * 1992-01-08 2001-09-10 株式会社リコー 相変化型情報記録媒体
JP2709887B2 (ja) * 1992-06-12 1998-02-04 ティーディーケイ株式会社 光記録媒体およびその製造方法
US5750228A (en) * 1993-02-22 1998-05-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information storage medium
JP2812181B2 (ja) * 1993-06-17 1998-10-22 日本電気株式会社 光学的情報記録媒体
US5496608A (en) * 1993-09-22 1996-03-05 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Optical recording medium
JPH0863785A (ja) * 1994-08-26 1996-03-08 Hitachi Ltd 光記録媒体およびそれに用いる情報処理装置
JP3068416B2 (ja) * 1994-08-26 2000-07-24 日本電気株式会社 情報記録媒体
DE69826051T2 (de) * 1997-03-27 2005-09-22 Mitsubishi Chemical Corp. Optisches Informationsaufzeichnugsmedium
CN1689087A (zh) * 2002-10-02 2005-10-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 与uv激光束一同使用的光学记录载体
TWI439558B (zh) * 2010-04-07 2014-06-01 Nat Applied Res Laboratories Transparent conductive thin film of a new material structure and its manufacturing method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3530441A (en) * 1969-01-15 1970-09-22 Energy Conversion Devices Inc Method and apparatus for storing and retrieving information
CN1008845B (zh) * 1984-12-05 1990-07-18 富士通株式会社 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法
NL8503235A (nl) * 1985-11-25 1987-06-16 Philips Nv Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element.
JP2830022B2 (ja) * 1989-03-23 1998-12-02 東レ株式会社 光情報記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US5171618A (en) 1992-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03224790A (ja) 情報記録媒体
JPH06195747A (ja) 光ディスク
JPH11513166A (ja) 可逆性光情報媒体
JP2553736B2 (ja) 光記録媒体と光記録媒体の製造方法
JPH03224791A (ja) 情報記録媒体
JP2629746B2 (ja) 光記録媒体
JP2674837B2 (ja) 相変化型光ディスク
JPH04232780A (ja) 相変化光学式記録用媒体
JP3159374B2 (ja) 光学的情報記録媒体
JPH07161071A (ja) 光記録媒体
JPH03224789A (ja) 情報記録媒体
JP3413986B2 (ja) 光学的情報記録用媒体および記録再生方法
JPH0433886A (ja) 情報記録媒体
JP2803245B2 (ja) 情報記録再生方法
JPH04316887A (ja) 光記録媒体及びスパッタリングターゲット並びにそれらの製造方法
JP2903969B2 (ja) 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法
JP2639174B2 (ja) 光記録媒体
JP2886188B2 (ja) 情報記録媒体
JPH0433885A (ja) 情報記録媒体
JP2918234B2 (ja) 情報記録媒体
JPH06150375A (ja) 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法
JPH05144084A (ja) 光記録媒体とその製造方法
JPH08180414A (ja) 光学的情報記録方法
JP2001010232A (ja) 相変化型光記録媒体
JP2798247B2 (ja) 光記録媒体