JPH06195747A - 光ディスク - Google Patents

光ディスク

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JPH06195747A
JPH06195747A JP4301063A JP30106392A JPH06195747A JP H06195747 A JPH06195747 A JP H06195747A JP 4301063 A JP4301063 A JP 4301063A JP 30106392 A JP30106392 A JP 30106392A JP H06195747 A JPH06195747 A JP H06195747A
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JP
Japan
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layer
recording layer
recording
crystallization
optical disc
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Pending
Application number
JP4301063A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsunori Ide
達徳 井出
Shuichi Okubo
修一 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 短波長光源の使用下、あるいはディスク高速
回転下でも、消去特性の低下しない光ディスクを提供す
る。 【構成】 記録層4に隣接して、記録層と基板1との間
に結晶化を促進するSi3 4 層3を形成する。 【効果】 記録層の結晶下速度は、記録層の組成だけで
なく、記録層に隣接する層の種類に依存する。記録層に
隣接して結晶化を促進する層を形成することにより、記
録膜の結晶化速度を速めることができ、消去特性が向上
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光照射により可
逆的な相変化を用いて情報を記録する光ディスクに関す
るものであって、特に、高線速、短波長レーザに好適な
高速消去型光記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザ光を用いた光ディスク記録方式は
大容量記録が可能であり、非接触で高速アクセスできる
ことから、大容量メモリとして実用化が始まっている。
書換型光ディスクには、記録層の相変化を利用した相変
化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化方向を利用した光磁
気ディスクがある。このうち、相変化型光ディスクは、
外部磁場が不用で、かつ、オーバライトが容易にできる
ことから、今後書換型光ディスクの主流になることが期
待されている。
【0003】相変化型光ディスクでは、記録すべき情報
に応じた高パワのレーザ高スポットを記録相に照射し、
記録相の温度を局所的に上昇させることにより、結晶−
非結晶質間の相変化を起こさせて記録し、相変化にとも
なう光学定数の変化を低パワのレーザ光によって反射光
強度差として読み取ることにより再生を行っている。一
般には、非晶質状態を記録状態として用いる。情報の消
去を行う場合には、記録相を結晶化温度以上融点以下に
保持するために必要なパワのレーザ光を照射し、記録相
を結晶化させる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】相変化型光ディスクで
は、消去を行う場合、記録相が結晶化するのに必要な時
間の間、記録層を結晶化温度以上に保持しなければなら
ない。例えば、相変化型光ディスク材料として良く知ら
れているGeSbTe系記録層では、記録層を結晶化温
度以上に50〜150ns間以上保持しなければならな
い。
【0005】一方、光ディスクには更に高速化、高密度
化が望まれる。高密度化には光ヘッドに用いる光源の波
長を短くすることが有力であるが、短波長化にともなう
集光スポットサイズの減少は、記録層が結晶化温度以上
に保たれる時間、すなわち保持時間の減少をまねいてし
まう。例えば、図2に示すように、集光ビーム径が半分
になると保持時間はほぼ半分になってしまう。また、高
速化のためのディスク回転数増加も保持時間の減少につ
ながる。保持時間の減少は、記録層の結晶化率、すなわ
ち、消去率を低下させるため、エラーレートの悪化につ
ながる。そのため、短波長光源の使用下、あるいはディ
スク高速回転下では記録層の結晶化速度を速める必要が
ある。
【0006】記録層の結晶化速度を速める手段として
は、特開平1−92937号公報に記載されているよう
な、記録層と同相の結晶相を持つ結晶核形成層を、記録
層に隣接して設ける構成が知られている。しかしなが
ら、記録層と同相の結晶相をもつ結晶核形成相を記録層
に隣接して設けた場合、情報の書換を多数回行うにう
れ、記録層と結晶核形成層とが反応して合金化してしま
い、結晶核形成層の機能が低下してしまうという問題が
ある。
【0007】そこで、本発明の目的は、上述のような問
題点を解消し、短波長光源の使用下、あるいはディスク
高速回転下でも、消去率を低下させることのない光ディ
スクを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は、レーザ光照射により記録層の化逆的な
相変化を誘起して、情報の記録・再生・消去を行う光デ
ィスクにおいて、基板上に下部保護層、結晶化促進層、
化逆的な層変化を起こす情報記録層、上部保護層、反射
層をこの順に積層し、前記結晶化促進層がSi3 4
あり、下部、上部保護層がZnS−SiO2 層であるこ
とを特徴とする。
【0009】
【作用】相変化型光ディスクでは、図3に示すような、
基板1上に下部層2、記録層4、上部保護層5、反射層
6をこの順に積層した構成が一般的に用いられる。我々
は研究の結果、相変化記録層の結晶化速度が記録層の組
成だけでなく、記録層にに隣接する保護層の種類に依存
することをみいだした。GeSbTe系記録層では、S
3 4 を保護層として用いることにより、記録層の結
晶化速度を速めることができる。消去時の記録層の温度
変化を考えると、図4に示したように、記録層の基板側
の方が、反射層側より速く結晶化温度に到達し、結晶化
温度以上に保たれる時間も長い。したがって、消去時の
結晶化は基板側から進行することになり、結晶化促進層
は基板側に設ける方が有効である。
【0010】一方記録時には、記録層の温度は融点を越
えた後、反射層側の方が、基板側より速く結晶化温度に
到達する。結晶化促進層を記録層と反射層の間に設けた
場合は、再結晶化が促進されて非晶質状態を形成するこ
とができず、良好な記録を行うことが困難となってしま
う。従って、結晶化促進層は記録層に隣接して基板との
間にのみ設けることが望ましい。
【0011】以上、本発明によれば、記録層に隣接し
て、記録層と基板の間に結晶化促進層としてSi3 4
を形成することにより、記録層の結晶化速度を速めるこ
とが可能となり、短波長光源の使用下やディスク高速回
転下でも、消去率を確保することができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明について図面を参照しながら説
明する。
【0013】図1は本発明に関する光学情報記憶媒体で
ある相変化型光ディスクの構成冷である。同図におい
て、相変化型光ディスク基板1上に下部保護層2、結晶
化促進層3、記録層4、上部保護層5、反射層6を順に
積層している。
【0014】基板1はプリグループ付きポリカーボネー
ト基板である。下部保護層2はZnS−SiO2 を20
0nm、反射層はAlを60nmの厚さにそれぞれスパ
ッタリングにより積層した。また、比較のために、Zn
S−SiO2 を200nm、Ge1 SbTe7 記録層を
20nm、ZnS−SiO2 を20nm、Alを60n
m、この順に基板側から積層したディスクを評価した。
【0015】波長830nmの光ヘッドを用い、線速を
変化させて、2.12MHz,duty=50%の信号
と、8.47MHz,duty=50%の信号を交互に
オーバライトし、各信号のC/N、消去率を測定した。
図5に示すように、結晶化促進としてSi3 4 を形成
したディスクでは、線速11.3m/sから22m/s
まで、8.47MHzの消去率はほぼ一定であり、線速
22m/sにおいても25dB程度となっている。これ
に対し、ZnS−SiO2 のみを形成した従来構成のデ
ィスクでは速線15m/s付近から消去率が低下し始
め、線速22m/sでは8.47MHzの消去率は18
dBと低い値であった。
【0016】結晶化促進層としてSi3 4 を形成した
ディスクの繰り返しオーバライト回数と消去率の関係を
図6に示す。情報の書換を105 回行った後でも、線速
22m/sにおける8.47MHzの消去率は25dB
のままであった。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば記
録層の結晶化速度を速めることが可能となり、ディスク
高速回転時あるいは短波長光源使用時でも消去特性を向
上させることができる。また本発明では、結晶化促進層
として記録層と反応することのない誘電体層を用いるの
で、情報の書換を多数回行った後でも結晶化促進の機能
が低下することはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を実現する光学情報記録媒体の一実施例
を示す断面図。
【図2】集光ビームサイズ保持時間の関係を表す図。
【図3】光学情報記録媒体の従来構成例を表す断面図。
【図4】記録層の温度履歴を示す図。
【図5】消去率と線速の関係を示す特性図。
【図6】繰り返し回数と消去率の関係を示す特性図。
【符号の説明】
1 基板 2 下部保護層 3 結晶化促進層(Si3 4 ) 4 記録層 5 上部保護層 6 反射層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光照射により記録層の可逆的な相
    変化を誘起して、情報の記録、再生、消去を行う光ディ
    スクにおいて、基板上に、ZnS−SiO2層、Si3
    4 層、可逆的な相変化を起こす記録層、ZnS−Si
    2 層、反射層が順に積層されていることを特徴とする
    光ディスク。
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Effective date: 19960702