JPH0224951A - 試料位置のドリフト補正方式 - Google Patents
試料位置のドリフト補正方式Info
- Publication number
- JPH0224951A JPH0224951A JP63175758A JP17575888A JPH0224951A JP H0224951 A JPH0224951 A JP H0224951A JP 63175758 A JP63175758 A JP 63175758A JP 17575888 A JP17575888 A JP 17575888A JP H0224951 A JPH0224951 A JP H0224951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- drift
- specimen
- tunnel current
- analysis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、試料の加熱状態での分析が可能になった分析
装置に関し、特に試料の加熱状態での試料位置を補正す
るための試料位置のドリフト補正方式に関する。
装置に関し、特に試料の加熱状態での試料位置を補正す
るための試料位置のドリフト補正方式に関する。
（従来の技術〕
ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）やＡＥＳ （オージェ電子分
光装置）、走査型ＲＨＥＥＤ （反射高速回折）装置で
は、例えば鉄鋼等の試料を加熱状態にするご七により、
粒塊が吹き出したり拡散する様子が分析できる。このよ
うな分析のため、試料ホルダーに加熱装置を備えている
。通常、試料ホルダーは、試料ステージに搭載され試料
ステージを移動させて分析位置を決定しているが、試料
加熱時に試料ステージも加熱されてしまうと、熱膨張に
より分析位置が動いてしまうという問題が生じる。その
ために、試料まわりの熱絶縁を良くして、試料のみが加
熱し、試料ステージ等には熱が伝わらないようにしてい
る。
光装置）、走査型ＲＨＥＥＤ （反射高速回折）装置で
は、例えば鉄鋼等の試料を加熱状態にするご七により、
粒塊が吹き出したり拡散する様子が分析できる。このよ
うな分析のため、試料ホルダーに加熱装置を備えている
。通常、試料ホルダーは、試料ステージに搭載され試料
ステージを移動させて分析位置を決定しているが、試料
加熱時に試料ステージも加熱されてしまうと、熱膨張に
より分析位置が動いてしまうという問題が生じる。その
ために、試料まわりの熱絶縁を良くして、試料のみが加
熱し、試料ステージ等には熱が伝わらないようにしてい
る。
しかしながら、試料を６００°Ｃ程度の高温に加熱する
と、加熱時の輻射熱等が試料ステージの熱ドリフトとな
り、その結果分析時の試料位置のドリフトになって現れ
てしまう。特に分析領域が１μｍ以下の狭い領域になる
と、そのドリフトが無視できないため、分析前に熱ドリ
フトが止まるか又は一定になるまで待つ必要があり、分
析に長時間が必要となっている。もし、ドリフトがある
一定のスピードになれば、ステージで位置の補正が可能
であるが、やはりそれまでに長時間が必要となる。
と、加熱時の輻射熱等が試料ステージの熱ドリフトとな
り、その結果分析時の試料位置のドリフトになって現れ
てしまう。特に分析領域が１μｍ以下の狭い領域になる
と、そのドリフトが無視できないため、分析前に熱ドリ
フトが止まるか又は一定になるまで待つ必要があり、分
析に長時間が必要となっている。もし、ドリフトがある
一定のスピードになれば、ステージで位置の補正が可能
であるが、やはりそれまでに長時間が必要となる。
本発明は、上記課題を解決するものであって、試料の加
熱状態を分析する際に試料位置のドリフト補正を精度よ
く行うことができる試料位置のドリフト補正方式を提供
することを目的とする。
熱状態を分析する際に試料位置のドリフト補正を精度よ
く行うことができる試料位置のドリフト補正方式を提供
することを目的とする。
そのために本発明は、試料の加熱状態での分析が可能に
なった分析装置において、試料ホルダーと試料ステージ
との間に試料位置微動機構を備えると共に試料ホルダー
側にトンネル電流測定手段を備え、試料位置のドリフト
をトンネル電流測定手段により検出し、試料位置微動機
構を制御して試料位置を補正するように構成したことを
特徴とするものである。
なった分析装置において、試料ホルダーと試料ステージ
との間に試料位置微動機構を備えると共に試料ホルダー
側にトンネル電流測定手段を備え、試料位置のドリフト
をトンネル電流測定手段により検出し、試料位置微動機
構を制御して試料位置を補正するように構成したことを
特徴とするものである。
本発明の試料位置のドリフト補正方式では、試料の加熱
により試料位置が変化すると、トンネル電流が変化する
ので、トンネル電流が一定になるように試料位置微動機
構を制御することによって試料位置が補正される。この
ようにトンネル電流により試料位置のドリフトを検出す
るので、ドリフト量を５〜１０人程度までおさえること
ができる。
により試料位置が変化すると、トンネル電流が変化する
ので、トンネル電流が一定になるように試料位置微動機
構を制御することによって試料位置が補正される。この
ようにトンネル電流により試料位置のドリフトを検出す
るので、ドリフト量を５〜１０人程度までおさえること
ができる。
［実施例］
以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
第１図は本発明に係る試料位置のドリフト補正方式の１
実施例を示す図であり、１は試料、２は試料加熱装置、
３は試料ホルダー、４は圧電セラミックス、５は試料ス
テージ、６は位置検出チップ、７は基準位置計、８はド
リフト補正回路を示す。
実施例を示す図であり、１は試料、２は試料加熱装置、
３は試料ホルダー、４は圧電セラミックス、５は試料ス
テージ、６は位置検出チップ、７は基準位置計、８はド
リフト補正回路を示す。
第１図において、試料加熱装置２は、試料ホルダー３内
に組み立てられたものであり、試料１を試料加熱装置２
にマウントしてから試料ステージ５に置かれる。試料ホ
ルダー３には、位置検出チップ６が取り付けられ、この
位置検出チップ６に対向して基（七位置計７が配置され
る。基準位置計７は、試料加熱装置２が組み込まれた試
料ホルダー３とは独立して取り付けられたもので、熱的
にも独立しており、分析位置が決定された後に、試料ホ
ルダー３に近づけて基準位置とする。これら位置検出チ
ップ６と基準位置計７との間には、／Ｎイアスが印加さ
れていて、両者を接近（約５〜１０人程度まで）させる
といわゆるトンネル電流が流れる。また、この試料ホル
ダー３の下側、試料ステージ５との間は圧電セラミック
ス（ピエゾ素子）４で結合される。そして、位置検出チ
ンプロと基準位置計７により試料ホルダー３の熱ドリフ
トを検出し、圧電セラミックス４を微動位置制御機構と
して試料ホルダー３のドリフト補正を行うのがドリフト
補正回路８である。そのためこのドリフト補正回路８は
、位置検出子ツブ６に流れるトンネル電流を検出して増
幅し、トンネル電流が一定になるように圧電セラミック
ス４にフィードバックするものである。
に組み立てられたものであり、試料１を試料加熱装置２
にマウントしてから試料ステージ５に置かれる。試料ホ
ルダー３には、位置検出チップ６が取り付けられ、この
位置検出チップ６に対向して基（七位置計７が配置され
る。基準位置計７は、試料加熱装置２が組み込まれた試
料ホルダー３とは独立して取り付けられたもので、熱的
にも独立しており、分析位置が決定された後に、試料ホ
ルダー３に近づけて基準位置とする。これら位置検出チ
ップ６と基準位置計７との間には、／Ｎイアスが印加さ
れていて、両者を接近（約５〜１０人程度まで）させる
といわゆるトンネル電流が流れる。また、この試料ホル
ダー３の下側、試料ステージ５との間は圧電セラミック
ス（ピエゾ素子）４で結合される。そして、位置検出チ
ンプロと基準位置計７により試料ホルダー３の熱ドリフ
トを検出し、圧電セラミックス４を微動位置制御機構と
して試料ホルダー３のドリフト補正を行うのがドリフト
補正回路８である。そのためこのドリフト補正回路８は
、位置検出子ツブ６に流れるトンネル電流を検出して増
幅し、トンネル電流が一定になるように圧電セラミック
ス４にフィードバックするものである。
上記の構成により、試料を加熱状態で分析しようとする
場合には、まず、試料ステージ５のＸ、Ｙ、Ｚ移動機構
の操作により分析位置を選ぶ。しかる後、Ｖｉ準位置計
７を試料ホルダー３に取り付けられた位置検出チップ６
に近づける。両者が約５〜ＩＯ人程度まで接近し、トン
ネル電流が流れると、その位置を基準位置として基準位
置計７を固定する。この状態で試料加熱装置２を動作さ
せ試料１を加熱する。そして、所定の温度例えば６００
゛Ｃに達したところで分析を開始する。加熱によって試
料ホルダー２にドリフトが現れると、位置検出チンプロ
と基準位置計７との間の路線が変化し、トンネル電流が
変化する。このトンネル電流の変化により、ドリフト補
正回路８が動作し、トンネル電流が一定になるように圧
電セラミックス４にフィードバックすることにより、圧
電セラミックス４でドリフトを補正する。
場合には、まず、試料ステージ５のＸ、Ｙ、Ｚ移動機構
の操作により分析位置を選ぶ。しかる後、Ｖｉ準位置計
７を試料ホルダー３に取り付けられた位置検出チップ６
に近づける。両者が約５〜ＩＯ人程度まで接近し、トン
ネル電流が流れると、その位置を基準位置として基準位
置計７を固定する。この状態で試料加熱装置２を動作さ
せ試料１を加熱する。そして、所定の温度例えば６００
゛Ｃに達したところで分析を開始する。加熱によって試
料ホルダー２にドリフトが現れると、位置検出チンプロ
と基準位置計７との間の路線が変化し、トンネル電流が
変化する。このトンネル電流の変化により、ドリフト補
正回路８が動作し、トンネル電流が一定になるように圧
電セラミックス４にフィードバックすることにより、圧
電セラミックス４でドリフトを補正する。
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である。例えばトンネル電流によ
る位置検出手段をＸ、７両方向に設け、それに対応して
ピエゾ索子による微動位置制御機構をＸ、７両方向駆動
できるようにしておけば、どの方向にトリフトシても二
次元的にその補正が可能になるが、通常は構造上からド
リフトの生しる方向が一方向に決まってしまうので、そ
の方向にのみ補正を行えるように構成してもよいことは
勿論である。
く、種々の変形が可能である。例えばトンネル電流によ
る位置検出手段をＸ、７両方向に設け、それに対応して
ピエゾ索子による微動位置制御機構をＸ、７両方向駆動
できるようにしておけば、どの方向にトリフトシても二
次元的にその補正が可能になるが、通常は構造上からド
リフトの生しる方向が一方向に決まってしまうので、そ
の方向にのみ補正を行えるように構成してもよいことは
勿論である。
〔発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、トン
ネル電流をモニターしてピエゾ索子で構成する微動位置
制御機構にフィードバックし、位置精度を出すので、従
来の熱ドリフトを約５〜１０人程度まで大幅に減少でき
、ドリフトの補正精度も高めることができる。従って、
試料を加熱状態で分析する場合にも、熱ドリフトが止ま
るまで待たなくても分析を行うことができるので、分析
時間の短縮を図ることができる。
ネル電流をモニターしてピエゾ索子で構成する微動位置
制御機構にフィードバックし、位置精度を出すので、従
来の熱ドリフトを約５〜１０人程度まで大幅に減少でき
、ドリフトの補正精度も高めることができる。従って、
試料を加熱状態で分析する場合にも、熱ドリフトが止ま
るまで待たなくても分析を行うことができるので、分析
時間の短縮を図ることができる。
第１図は本発明に係る試料位置のドリフト補正方式の１
実施例を示す図である。 ｌ・・・試料、２・・・試料加熱装置、３・・・試料ホ
ルダ、４・・・圧電セラミックス、５・・・試料ステー
ジ、６・・・位置検出チップ、７・・・基準位置計、８
・・・ドリフト補正回路。 出 願 人 日本電子株式会社
実施例を示す図である。 ｌ・・・試料、２・・・試料加熱装置、３・・・試料ホ
ルダ、４・・・圧電セラミックス、５・・・試料ステー
ジ、６・・・位置検出チップ、７・・・基準位置計、８
・・・ドリフト補正回路。 出 願 人 日本電子株式会社
Claims (2)
- （１）試料の加熱状態での分析が可能になった分析装置
において、試料ホルダーと試料ステージとの間に試料位
置微動機構を備えると共に試料ホルダー側にトンネル電
流測定手段を備え、試料位置のドリフトをトンネル電流
測定手段により検出し、試料位置微動機構を制御して試
料位置を補正するように構成したことを特徴とする試料
位置のドリフト補正方式。 - （２）試料位置微動機構を圧電素子で構成したことを特
徴とする請求項１記載の試料位置のドリフト補正方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63175758A JPH0224951A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 試料位置のドリフト補正方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63175758A JPH0224951A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 試料位置のドリフト補正方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0224951A true JPH0224951A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=16001739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63175758A Pending JPH0224951A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | 試料位置のドリフト補正方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0224951A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003007328A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Nanofactory Instruments Ab | Device for reducing the impact of distortions in a microscope |
| JP2015088417A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP63175758A patent/JPH0224951A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003007328A1 (en) * | 2001-07-13 | 2003-01-23 | Nanofactory Instruments Ab | Device for reducing the impact of distortions in a microscope |
| US6924489B2 (en) | 2001-07-13 | 2005-08-02 | Nanofactory Instruments Ab | Device for reducing the impact of distortions in a microscope |
| JP2015088417A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
| WO2015064691A1 (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0391040A2 (en) | Absorption microcopy and/or spectroscopy with scanning microscopy control | |
| JPH0954619A (ja) | 温度調整方法 | |
| US7140231B2 (en) | Evolved gas analyzing method and apparatus | |
| JP4178729B2 (ja) | 熱分析装置 | |
| EP0697102B1 (de) | Hochtemperatur-thermoelement-kalibrierung | |
| Raether et al. | Optical dilatometry for the control of microstructure development during sintering | |
| JPH0224951A (ja) | 試料位置のドリフト補正方式 | |
| JP2004325267A (ja) | 薄膜の残留応力測定装置並びに薄膜の残留応力測定方法 | |
| JPH0382943A (ja) | 全反射蛍光ｘ線分析装置 | |
| JP3733586B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| US20020109505A1 (en) | Device for testing a material that changes shape when an electric and/or magnetic field is applied | |
| JP3123860B2 (ja) | 波長分散型分光器とエネルギ分散型分光器を用いた元素分析装置 | |
| JP2004361275A (ja) | 放射線計測装置およびそれを用いた分析装置 | |
| JP2002181745A (ja) | 試料分析装置における定量分析方法 | |
| JPH0525304B2 (ja) | ||
| JPH07103988A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
| JPH11330187A (ja) | インプロセス薄膜分析装置 | |
| JPH05347338A (ja) | 微細回路の動作状態検査装置 | |
| JPH06213841A (ja) | 示差熱分析装置 | |
| SU1456828A1 (ru) | Способ высокотемпературных испытаний образцов на прочность | |
| JP2000180388A (ja) | Ｘ線回折装置及びｘ線回折測定方法 | |
| JP3740530B2 (ja) | 全反射局所蛍光ｘ線分析用アライナー | |
| US20220051867A1 (en) | Reducing a temperature difference between a sample and a chuck of an electron beam tool | |
| JPS597270A (ja) | 電子ビ−ムを用いた試料電位測定装置 | |
| JP2000241334A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡の制御装置及び方法 |