JPH02250363A - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、リードフレームとその製造方法に関する。

［従来の技術とその課題］ リードフレームにＩＣチップを実装する場合、ワイヤー
ボンディング精度及びインナーリードのボンダビリティ
−の問題から、インナーリードには所定面積を確保する
必要がある。一方、高密度実装及び高密度配線用のピン
数が多い半導体素子への要望が高まり、それに伴ってリ
ードフレームのり一部ピッチの短縮化が要求されている
。

従来のフォトリソグラフィー法によって多ピン用のリー
ドフレームを製造する場合、解像度の高い感光性レジス
ト樹脂を使用してマスクパターンの形成を行っている。

しかしながら、多ピン用のリードフレームとして精度が
高いマスクパターンを用いても、現在のエツチング加工
技術ではパターン通りにエツチング処理をすることがで
きない。

これは、既存のエツチング加工技術では、等方性の化学
反応によって金属の溶解除去を行うために、どうしても
横方向の広がり所謂サイドエッチあるいはアンダーカッ
トが生じてしまうからである。

したがって、マスクパターンの精度を向上させてもエツ
チングの加工限界があるために、リードフレームの微細
化がなされない欠点がある。また、サイドエッチされた
リードフレームは強度が劣る欠点がある。

このエツチング時のサイドエッチを抑える方法として、
特開昭５７−１６１６９号公報では、エツチングを施す
基体に垂直方向の遠心力を加えたり、エツチング最中に
端面に耐食層を形成することを開示している。また、特
開昭５６−２９６７２号公報では、酸化活性化された炭
素粒子の懸濁液を混合させたエツチング液を使用するこ
とを開示している。しかしながら、満足な結果が得られ
たものがないのが現状である。

さらに、リードフレームの多ビン化に伴ってリードフレ
ームのワイヤーボンディング領域確保が難しくなってき
ている。これは、一般にリードフレームのリード幅とリ
ード間隔は、１：１が望ましいとされ、多ピン化によっ
てリード間隔に伴って、リード幅も小さくなってきてい
るためである。

多ビン化に対応しながら、しかもワイヤーボンディング
のために必要なリード幅を確保するためには、リード間
隔を通常よりも狭くしなければならない。一方、エツチ
ングを行うのに最適なり−、ド間隔は、リードフレーム
材の板厚の８０％以上であるとされている。したがって
、リード幅が狭くなるとエツチング処理に悪影響を与え
る欠点を有する。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、微細
加工を施しても、充分な強度を持ち、しかも、充分なワ
イヤーボンディング領域を持つリドフレーム及びその製
造方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、半導体を搭載するためのマウント部と、該マ
ウント部の近傍に位置し、前記マウント部上の半導体素
子がボンディングによって電気的に接続されるインナー
リード部と、該インナーリード部と一体化していて、前
記インナーリード部を支持するアウターリード部とを具
備するリードフレームにおいて、インナーリード部のエ
ツチング端面に金属被着層を設けてインナーリード部の
上面を拡張したことを特徴とするリードフレームを提供
する。

また、本発明は、リードフレーム材にマスクパターンを
形成する工程と、マスクパターンが形成された該リード
フレーム材にエツチングを施してリードフレーム本体を
形成する工程と、該リードフレーム本体のインナーリー
ド部のエツチング端面に金属被着層を施してインナーリ
ード部の上面を拡張する工程とを具備するリードフレー
ムの製造方法を提供する。

ここで、インナーリードに被着させる金属は、インナー
リードのボンダビリティ−を向上させるもので、且つ、
得られた金属被着層が一定の機械的強度を持ち、しかも
耐食性を持つものを選ぶ。

このようなものとして、Ａ　ｕ　ｓ　Ａ　ｇ　ＳＳ　ｎ
　ｓ半田等が挙げられる。また、これらの金属の被着方
法には、電気メツキ、無電解メツキ、蒸着、スパッタリ
ング等の通常の金属被着方法を使用することができる。

また、金属被着層の厚みは、リード幅全体で約１００な
いし１２０μｍになるように設定する。

これはワイヤーボンディング加工時に必要なボンディン
グ領域の幅が、約１００ないし１２０μｍであるためで
ある。実際の金属被着層の厚みは、リード幅を約６０μ
ｍにするのがエツチングの加工限界であるので、約２０
ないし３０μｍである。

［作用］ 本発明のリードフレーム及びその製造方法によれば、リ
ードフレームのインナーリード部のエツチング端面に金
属被着層を設けているので、インナーリード部の上面が
拡張され、それによって充分なボンディング領域を確保
してワイヤボンディングの信頼性を向上することができ
る。

［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面の簡単な説明する。

第１図（ａ）は、リードフレーム材の平面図である。ま
た、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）における１−１′で
切断した時の断面図である。

図中１０は、板厚１５０μｍの４２合金製のリードフレ
ーム材である。このリードフレーム材１０上に感光性レ
ジスト樹脂１２をスクリーン印刷によって所定のパター
ン印刷してマスクパターンの形成を行なった。第２図（
ａ）は、感光性レジスト樹脂パターン１２の印刷後のリ
ードフレーム材の平面図である。また、第２図（ｂ）は
、第２図（ａ）における２−２′で切断した時の断面図
である。

その後、感光性レジスト樹脂パターン印刷後のリードフ
レーム材をエツチングして、リードフレーム本体１４を
作成した。この時のリードフレーム本体の平面図、及び
その断面図をそれぞれ第３図（ａ、）、第３図（ｂ）に
示す。

次に、得られたリードフレーム本体１４の上面にワイヤ
ーボンディング領域確保のために厚さおよそ２０μｍの
銀メツキを施して金属被着層１６を設け、リードフレー
ム本体１４の上面を拡大した。なお、この銀メツキ工程
は、前処理、下地メツキ、置換防止処理、銀メツキ、下
地の剥離、及び水洗・乾燥をこの順序で行った。ここで
、下地メツキとは、リードフレーム材とメツキ金属との
濡れ性を向上させるために行う処理であり、具体的に、
（：ｕＳＮｉ、５ｎ−Ｎｉ、Ｐｂ−８ｎ等の金属又は合
金が用いられる。この時被着させる厚みは、通常０．１
μｍ程度のところ数μｍにする。

また、銀メツキ工程においては、厚付けの被着を行うた
めに電流密度を高くして、且つ処理時間を長くして処理
を行う。この時のリードフレーム本体の平面図、及びそ
の断面図をそれぞれ第４図（ａ）、第４図（ｂ）に示す
。

このようにして得られたリードフレームは、充分なワイ
ヤーボンディング領域を持ち、且つ、充分な強度を持つ
ものであった。

［発明の効果］ 本発明によれば、充分なボンディング領域を持ち、しか
も、充分な強度を有するリードフレームを得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、本発明の一実施例に使用されるリード
フレーム材の平面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）に
おける１−１′で切断した時の断面図、第２図Ｃａ）は
、リードフレーム材上に感光性レジネト樹脂パターンを
印刷した後のリードフレーム材の平面図、第２図（ｂ）
は、第２図（ａ）における２−２′で切断した時の断面
図、第３図（ａ）は、エツチング後のリードフレーム本
体の平面図、第３図（ｂ）は、第３図（ａ）における３
−３′で切断した時の断面図、第４図は、金属被着処理
後のリードフレーム本体の平面図、第４図（ｂ）は、第
４図（ａ）における４−４′で切断した時の断面図であ
る。 １０・・・リードフレーム材、１２・・・感光性レジス
ト樹脂パターン、１４・・・リードフレーム本体、１６
・・・金属被着層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図（ａ） 第１図（ｂ） 第２図（ａ） 第２図（ｂ） 第３図（ａ） 第３図（ｂ） 第４図（ａ） 第４図（ｂ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体を搭載するためのマウント部と、該マウン
   ト部の近傍に位置し、前記マウント部上の半導体素子が
   ボンディングによって電気的に接続されるインナーリー
   ド部と、該インナーリード部と一体化していて、前記イ
   ンナーリード部を支持するアウターリード部とを具備す
   るリードフレームにおいて、インナーリード部のエッチ
   ング端面に金属被着層を設けてインナーリード部の上面
   を拡張したことを特徴とするリードフレーム。
2. （２）リードフレーム材にマスクパターンを形成する工
   程と、マスクパターンが形成された該リードフレーム材
   にエッチングを施してリードフレーム本体を形成する工
   程と、該リードフレーム本体のインナーリード部のエッ
   チング端面に金属被着層を施してインナーリード部の上
   面を拡張する工程とを具備するリードフレームの製造方
   法。