JPH07231061A - リードフレームの加工方法 - Google Patents
リードフレームの加工方法Info
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- JPH07231061A JPH07231061A JP4337394A JP4337394A JPH07231061A JP H07231061 A JPH07231061 A JP H07231061A JP 4337394 A JP4337394 A JP 4337394A JP 4337394 A JP4337394 A JP 4337394A JP H07231061 A JPH07231061 A JP H07231061A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 部分メッキ用の治具を必要とせず，母材の金
属材料をエッチングする際にも，予め施した部分メッキ
が影響されず，部分メッキを所定の箇所とサイズに的確
に設けることを課題とする。 【構成】 金属材料１の面に第１のメッキ層２を形成
し，第２のメッキパターン４ａを部分的に行うための第
１のレジストパターン３ａを形成し，当該第１のレジス
トパターン３ａが形成されず露出している第１のメッキ
層２の表面に第２のメッキパターン４ａを形成し，第１
のレジストパターン３ａを除去した後，第２のメッキパ
ターン４ａを覆って，金属材料１のサイドエッチング量
を見込んだ大きさの第２のレジストパターン５ａを形成
し，エッチング加工により金属材料１を貫通エッチング
加工し，ついで第２のレジストパターン５ａ及び必要に
応じて不要な第１のメッキ層２を除去する。
属材料をエッチングする際にも，予め施した部分メッキ
が影響されず，部分メッキを所定の箇所とサイズに的確
に設けることを課題とする。 【構成】 金属材料１の面に第１のメッキ層２を形成
し，第２のメッキパターン４ａを部分的に行うための第
１のレジストパターン３ａを形成し，当該第１のレジス
トパターン３ａが形成されず露出している第１のメッキ
層２の表面に第２のメッキパターン４ａを形成し，第１
のレジストパターン３ａを除去した後，第２のメッキパ
ターン４ａを覆って，金属材料１のサイドエッチング量
を見込んだ大きさの第２のレジストパターン５ａを形成
し，エッチング加工により金属材料１を貫通エッチング
加工し，ついで第２のレジストパターン５ａ及び必要に
応じて不要な第１のメッキ層２を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体装置に用いられるリードフレームの加工方法に関し，
詳しくは，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度化，
小型化に伴なうリードフレーム多ピン化やインナーリー
ドピッチの狭ピッチ化に対応できるリードフレームの加
工方法に関する。
体装置に用いられるリードフレームの加工方法に関し，
詳しくは，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度化，
小型化に伴なうリードフレーム多ピン化やインナーリー
ドピッチの狭ピッチ化に対応できるリードフレームの加
工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置
に用いられるリードフレームは，鉄，ニッケル合金であ
る４２合金や銅合金を用い，エッチング加工やプレス加
工によりその外形加工を行った後に，部分メッキ用治具
（装置）を用いて，必要部のみを部分的にメッキしてい
た。しかしながら，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の高集
積度化，小型化に伴い，リードフレーム多ピン化やイン
ナーリードピッチの狭ピッチ化が進み，従来の部分メッ
キ用治具（装置）では，サイズ的，精度的，品質上対応
出来ない場合が出てきた。
に用いられるリードフレームは，鉄，ニッケル合金であ
る４２合金や銅合金を用い，エッチング加工やプレス加
工によりその外形加工を行った後に，部分メッキ用治具
（装置）を用いて，必要部のみを部分的にメッキしてい
た。しかしながら，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の高集
積度化，小型化に伴い，リードフレーム多ピン化やイン
ナーリードピッチの狭ピッチ化が進み，従来の部分メッ
キ用治具（装置）では，サイズ的，精度的，品質上対応
出来ない場合が出てきた。
【０００３】これに対応するものとして，特開平５−２
２６５３６号公報に示すような提案もなされている。こ
の方法では，部分的に銀メッキした後に，レジストパタ
ーンを表裏に形成し，銀部，次いでリードフレーム部材
をエッチング加工するものである。しかし，この方法に
おいては，リードフレーム用素材のエッチングの際に
は，該リードフレーム素材のサイドエッチングが進み，
素材上の銀メッキ部の下側が大きくえぐり取られるのが
一般的である。このえぐり取られる部分を「えぐれ」と
呼ぶ。また，リードフレーム素材の端部にエッチングが
不完全な銀部が一部突き出た状態になるが，これを「張
り出し部」と呼ぶ。例えば，１５０μｍの板厚のリード
フレーム素材を両面からエッチング加工する場合には，
片側で３０〜４０μｍ程度で，インナーリード先端部で
は，両側でほぼ板厚の半分の６０〜８０μｍ強が張り出
し部となる。銀メッキ厚さは，５μｍ程度で，特に，レ
ジストを剥離した後は，不安定となる。張り出し部によ
り，エッチング工程を含めた以降の工程で，変形し易
く，剥がれ易くなったり，張り出し部分のみが折れ易く
なる。その結果張り出し部分のみが折れて，銀メッキ部
の幅が変化したり，折れた張り出し部分が他の箇所に付
着する等障害となっていた。
２６５３６号公報に示すような提案もなされている。こ
の方法では，部分的に銀メッキした後に，レジストパタ
ーンを表裏に形成し，銀部，次いでリードフレーム部材
をエッチング加工するものである。しかし，この方法に
おいては，リードフレーム用素材のエッチングの際に
は，該リードフレーム素材のサイドエッチングが進み，
素材上の銀メッキ部の下側が大きくえぐり取られるのが
一般的である。このえぐり取られる部分を「えぐれ」と
呼ぶ。また，リードフレーム素材の端部にエッチングが
不完全な銀部が一部突き出た状態になるが，これを「張
り出し部」と呼ぶ。例えば，１５０μｍの板厚のリード
フレーム素材を両面からエッチング加工する場合には，
片側で３０〜４０μｍ程度で，インナーリード先端部で
は，両側でほぼ板厚の半分の６０〜８０μｍ強が張り出
し部となる。銀メッキ厚さは，５μｍ程度で，特に，レ
ジストを剥離した後は，不安定となる。張り出し部によ
り，エッチング工程を含めた以降の工程で，変形し易
く，剥がれ易くなったり，張り出し部分のみが折れ易く
なる。その結果張り出し部分のみが折れて，銀メッキ部
の幅が変化したり，折れた張り出し部分が他の箇所に付
着する等障害となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，前記のよう
な問題点を排除して，後加工用のメッキ用の治具を必要
としない上に，母材の金属材料をエッチングする際に
も，予め施した部分メッキが影響されず，部分メッキを
所定の箇所とサイズに的確に設けることを課題とする。
な問題点を排除して，後加工用のメッキ用の治具を必要
としない上に，母材の金属材料をエッチングする際に
も，予め施した部分メッキが影響されず，部分メッキを
所定の箇所とサイズに的確に設けることを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
手段は，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置に用いられるリー
ドフレームの加工方法であって，順に，（Ａ）少なくと
も，リードフレーム材料の一方の面に第１のメッキ処理
を行って第１のメッキ層を形成する工程，（Ｂ）第２の
メッキ処理を部分的に行うための第１のレジストパター
ンを形成する工程，（Ｃ）前記第１のレジストパターン
が形成されず露出している前記第１のメッキ層の表面に
第２のメッキ処理を行う工程，（Ｄ）前記第１のレジス
トパターンを除去する工程，（Ｅ）前記第２のメッキ処
理により形成された第２のメッキパターンの上から，前
記第２のメッキパターンの表面のすべてを覆う第２のレ
ジストパターンを形成する工程，（Ｆ）エッチング加工
により前記リードフレーム材料を貫通エッチングさせる
工程，（Ｇ）前記第２のレジストパターンを除去する工
程，を有することを特徴とするリードフレームの加工方
法である。本発明の請求項２記載の手段は，第１のメッ
キ処理を銅ストライクメッキ処理としたことを特徴とす
る請求項１記載のリードフレームの加工方法である。本
発明の請求項３記載の手段は，第２のメッキ処理を銀メ
ッキ処理としたことを特徴とする請求項１ないし２記載
のリードフレームの加工方法である。本発明の請求項４
記載の手段は，第１のメッキ処理をニッケルメッキ処理
とし，第２のメッキ処理をパラジュームメッキ処理とし
たことを特徴とする請求項１記載のリードフレームの加
工方法である。本発明の請求項５記載の手段は，第２の
メッキパターンの表面をすべて覆う第２のレジストパタ
ーンの大きさの量を，リードフレームをエッチングする
際のサイドエッチング量に対応して大きく設けたことを
特徴とする請求項１ないし４記載のリードフレームの加
工方法である。本発明の請求項６記載の手段は，エッチ
ング加工により前記リードフレーム材料を貫通エッチン
グさせる工程に用いるエッチング液を，第２のメッキパ
ターンを実質的にエッチングしないエッチング液とした
ことを特徴とする請求項１ないし５記載のリードフレー
ムの加工方法である。
手段は，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置に用いられるリー
ドフレームの加工方法であって，順に，（Ａ）少なくと
も，リードフレーム材料の一方の面に第１のメッキ処理
を行って第１のメッキ層を形成する工程，（Ｂ）第２の
メッキ処理を部分的に行うための第１のレジストパター
ンを形成する工程，（Ｃ）前記第１のレジストパターン
が形成されず露出している前記第１のメッキ層の表面に
第２のメッキ処理を行う工程，（Ｄ）前記第１のレジス
トパターンを除去する工程，（Ｅ）前記第２のメッキ処
理により形成された第２のメッキパターンの上から，前
記第２のメッキパターンの表面のすべてを覆う第２のレ
ジストパターンを形成する工程，（Ｆ）エッチング加工
により前記リードフレーム材料を貫通エッチングさせる
工程，（Ｇ）前記第２のレジストパターンを除去する工
程，を有することを特徴とするリードフレームの加工方
法である。本発明の請求項２記載の手段は，第１のメッ
キ処理を銅ストライクメッキ処理としたことを特徴とす
る請求項１記載のリードフレームの加工方法である。本
発明の請求項３記載の手段は，第２のメッキ処理を銀メ
ッキ処理としたことを特徴とする請求項１ないし２記載
のリードフレームの加工方法である。本発明の請求項４
記載の手段は，第１のメッキ処理をニッケルメッキ処理
とし，第２のメッキ処理をパラジュームメッキ処理とし
たことを特徴とする請求項１記載のリードフレームの加
工方法である。本発明の請求項５記載の手段は，第２の
メッキパターンの表面をすべて覆う第２のレジストパタ
ーンの大きさの量を，リードフレームをエッチングする
際のサイドエッチング量に対応して大きく設けたことを
特徴とする請求項１ないし４記載のリードフレームの加
工方法である。本発明の請求項６記載の手段は，エッチ
ング加工により前記リードフレーム材料を貫通エッチン
グさせる工程に用いるエッチング液を，第２のメッキパ
ターンを実質的にエッチングしないエッチング液とした
ことを特徴とする請求項１ないし５記載のリードフレー
ムの加工方法である。
【０００６】以下，本発明のリードフレームの加工方法
を図１をもとに，各工程を順を追ってさらに詳述する。
まず，少なくともリードフレーム素材（以下金属材料１
と呼ぶ）の汚れ等をとるため，第１のメッキ処理をする
前処理として，脱脂処理，電解研磨処理，化学研磨処理
等を行うが，これらを組み合わせて行ってもよい。〔図
１（ａ）〕
を図１をもとに，各工程を順を追ってさらに詳述する。
まず，少なくともリードフレーム素材（以下金属材料１
と呼ぶ）の汚れ等をとるため，第１のメッキ処理をする
前処理として，脱脂処理，電解研磨処理，化学研磨処理
等を行うが，これらを組み合わせて行ってもよい。〔図
１（ａ）〕
【０００７】（Ａ）工程 少なくとも金属材料１の片面に第１のメッキ処理をし，
第１のメッキ層２を形成する。〔図１（ｂ）〕 通常，リードフレームの材料としては，４２合金（４２
％ニッケル−鉄合金），５０合金（５０％ニッケル−鉄
合金），銅合金，コバール等が用いられる。第１のメッ
キ処理としては，引き続く第２のメッキ層４の金属材料
１への密着性をあげるためのもので，金属材料１がニッ
ケル−鉄合金や銅合金の場合は，銅ストライクメッキが
一般に用いられ，０．１〜０．５μｍ程度に薄くつけ
る。なお，金属材料１に銅を使用した場合でも母材であ
る銅合金には，銅以外に不純物が含まれており，材種に
よって第２のメッキ層４の密着性のバラツキがでるの
で，均一な銅層を作る必要があり，銅ストライクメッキ
を行うことが効果的である。また，この工程では，裏面
のメッキ付着防止用シートあるいはレジストにより被覆
して，裏面の銅ストライクめっきは必ずしも行わなくて
も良い。
第１のメッキ層２を形成する。〔図１（ｂ）〕 通常，リードフレームの材料としては，４２合金（４２
％ニッケル−鉄合金），５０合金（５０％ニッケル−鉄
合金），銅合金，コバール等が用いられる。第１のメッ
キ処理としては，引き続く第２のメッキ層４の金属材料
１への密着性をあげるためのもので，金属材料１がニッ
ケル−鉄合金や銅合金の場合は，銅ストライクメッキが
一般に用いられ，０．１〜０．５μｍ程度に薄くつけ
る。なお，金属材料１に銅を使用した場合でも母材であ
る銅合金には，銅以外に不純物が含まれており，材種に
よって第２のメッキ層４の密着性のバラツキがでるの
で，均一な銅層を作る必要があり，銅ストライクメッキ
を行うことが効果的である。また，この工程では，裏面
のメッキ付着防止用シートあるいはレジストにより被覆
して，裏面の銅ストライクめっきは必ずしも行わなくて
も良い。
【０００８】（Ｂ）工程 所定部分に第２のメッキ処理を部分的に行うための第１
のレジストパターンを形成する。第１のレジストパター
ン３ａは高い位置精度は要求されない〔図１（ｃ）〕 次に行う第２のメッキ処理は，インナーリード部１２の
先端部，アイランド部１３の所定領域を含む範囲であれ
ば良いが，メッキに用いる金，銀，パラジューム等の金
属は高価なため，できるだけ狭い範囲とすることが好ま
しい。レジスト材料としては，カゼイン，ＰＶＡ等の水
系レジスト，ネガ型，ポジ型の液状レジスト，ドライフ
ィルム等を使用できる。
のレジストパターンを形成する。第１のレジストパター
ン３ａは高い位置精度は要求されない〔図１（ｃ）〕 次に行う第２のメッキ処理は，インナーリード部１２の
先端部，アイランド部１３の所定領域を含む範囲であれ
ば良いが，メッキに用いる金，銀，パラジューム等の金
属は高価なため，できるだけ狭い範囲とすることが好ま
しい。レジスト材料としては，カゼイン，ＰＶＡ等の水
系レジスト，ネガ型，ポジ型の液状レジスト，ドライフ
ィルム等を使用できる。
【０００９】（Ｃ）工程 前記第１のレジストパターン３ａが形成されず露出して
いる前記第１のメッキ層の表面に第２のメッキ処理を行
い，第２のメッキパターン４ａを形成する。〔図１
（ｄ）〕 第２のメッキ層４としては，金などのワイヤボンディン
グに対する接続性，半導体素子のアイランド部１３への
半田密着性から，金，銀，パラジューム等が好ましい。
第２のメッキ層４の厚みは，ワイヤボンディングに対す
る接続性等から，また，ポーラスでない膜を得るために
は，３μｍ程度は必要である。
いる前記第１のメッキ層の表面に第２のメッキ処理を行
い，第２のメッキパターン４ａを形成する。〔図１
（ｄ）〕 第２のメッキ層４としては，金などのワイヤボンディン
グに対する接続性，半導体素子のアイランド部１３への
半田密着性から，金，銀，パラジューム等が好ましい。
第２のメッキ層４の厚みは，ワイヤボンディングに対す
る接続性等から，また，ポーラスでない膜を得るために
は，３μｍ程度は必要である。
【００１０】（Ｄ）工程 前記第１のレジストパターンを，それぞれのレジストに
対応するレジスト除去剤により除去する。〔図１
（ｅ）〕
対応するレジスト除去剤により除去する。〔図１
（ｅ）〕
【００１１】（Ｅ）工程 前記第２のメッキ処理により形成された第２のメッキ層
の上に，エッチング加工用の第２のレジストパターンを
形成する。〔図１（ｆ）〕 第２のレジストとしては，後のエッチング工程に耐える
もので，後の剥離工程で剥離性の良いものが好ましく，
一般には，重クロム酸塩を感光剤とした水系のカゼイン
やＰＶＡが用いられるがこれに限定されない。各種ネガ
型，ポジ型の液状レジスト，場合によっては，感光性の
ドライフィルムでもよい。第２のレジストパターン５ａ
の形成は，後工程において金属材料１を表裏両面からエ
ッチング加工する場合は，金属材料１の両面のレジスト
に対して行うが，片面エッチングのみで金属材料１をエ
ッチング加工する場合には，第２のメッキ層４と反対側
は行わずに，レジストが全面を覆うようにしておく。
の上に，エッチング加工用の第２のレジストパターンを
形成する。〔図１（ｆ）〕 第２のレジストとしては，後のエッチング工程に耐える
もので，後の剥離工程で剥離性の良いものが好ましく，
一般には，重クロム酸塩を感光剤とした水系のカゼイン
やＰＶＡが用いられるがこれに限定されない。各種ネガ
型，ポジ型の液状レジスト，場合によっては，感光性の
ドライフィルムでもよい。第２のレジストパターン５ａ
の形成は，後工程において金属材料１を表裏両面からエ
ッチング加工する場合は，金属材料１の両面のレジスト
に対して行うが，片面エッチングのみで金属材料１をエ
ッチング加工する場合には，第２のメッキ層４と反対側
は行わずに，レジストが全面を覆うようにしておく。
【００１２】（Ｆ）工程 少なくとも，前記第２のメッキパターン側から，リード
フレーム材料を貫通エッチングするエッチング加工工程
である。〔図１（ｇ）〕 エッチング加工は，通常は，金属材料１の両面からエッ
チングして加工するが，金属材料１自体が板厚１００μ
ｍ程度以下と薄くなった場合には，両面からのエッチン
グに代え，片面からのみのエッチングを行うこともでき
る。前述のように，片面からのみのエッチングの際に
は，金属材料１のエッチングされない側の面は，レジス
トを全面塗布しておく等の処置をしておく。エッチング
加工におけるエッチング液は，第１のメッキ層２と金属
材料１をエッチングできるものであり，好ましくは，第
２のメッキパターン４ａを実質的にエッチングしないエ
ッチング液を使用する。実質的にエッチングしないエッ
チング液とは，相手をエッチングしない，または，しに
くいエッチング液をいう（以下同様）。ニッケル−鉄合
金や銅を金属材料１とした場合には，エッチング液とし
ては，塩化第二鉄，塩化第二銅が用いられる。ここで
は，第２のメッキパターン４ａ部分をその側面を含めて
第２のレジストパターン５ａですべて覆ってある上に，
さらに，請求項６記載のように，第２のメッキパターン
４ａ部分を実質的にエッチングしないエッチング液を使
用することにより，第２のメッキパターン４ａ部分のエ
ッジまでエッチング加工がされ，仮に，エッチングがさ
らに進んでも第２のメッキパターン４ａ部分は残存す
る。
フレーム材料を貫通エッチングするエッチング加工工程
である。〔図１（ｇ）〕 エッチング加工は，通常は，金属材料１の両面からエッ
チングして加工するが，金属材料１自体が板厚１００μ
ｍ程度以下と薄くなった場合には，両面からのエッチン
グに代え，片面からのみのエッチングを行うこともでき
る。前述のように，片面からのみのエッチングの際に
は，金属材料１のエッチングされない側の面は，レジス
トを全面塗布しておく等の処置をしておく。エッチング
加工におけるエッチング液は，第１のメッキ層２と金属
材料１をエッチングできるものであり，好ましくは，第
２のメッキパターン４ａを実質的にエッチングしないエ
ッチング液を使用する。実質的にエッチングしないエッ
チング液とは，相手をエッチングしない，または，しに
くいエッチング液をいう（以下同様）。ニッケル−鉄合
金や銅を金属材料１とした場合には，エッチング液とし
ては，塩化第二鉄，塩化第二銅が用いられる。ここで
は，第２のメッキパターン４ａ部分をその側面を含めて
第２のレジストパターン５ａですべて覆ってある上に，
さらに，請求項６記載のように，第２のメッキパターン
４ａ部分を実質的にエッチングしないエッチング液を使
用することにより，第２のメッキパターン４ａ部分のエ
ッジまでエッチング加工がされ，仮に，エッチングがさ
らに進んでも第２のメッキパターン４ａ部分は残存す
る。
【００１３】（Ｇ）工程 次いで，前記第２のレジストパターンを，それぞれのレ
ジストに対応するレジスト除去剤により除去する。〔図
１（ｈ）〕 第２のレジストパターン５ａの除去剤としては，第２の
レジストパターン５ａを除去でき，かつ，金属材料１，
第２のメッキパターン４ａをいためないものが好まし
く，カゼインレジストの場合には，除去剤としては，カ
セイソーダを主成分とする除去溶液を用いる。
ジストに対応するレジスト除去剤により除去する。〔図
１（ｈ）〕 第２のレジストパターン５ａの除去剤としては，第２の
レジストパターン５ａを除去でき，かつ，金属材料１，
第２のメッキパターン４ａをいためないものが好まし
く，カゼインレジストの場合には，除去剤としては，カ
セイソーダを主成分とする除去溶液を用いる。
【００１４】さらに，第２のレジストパターン５ａを剥
離した後，露出している第１のメッキ層２の部分は必要
に応じて除去する。〔図１（ｉ）〕 この際の除去液としては，第１のメッキ層２のみを実質
的にエッチングできるものが好ましい。金属材料１がニ
ッケル−鉄系の合金であり，第１のメッキ層２を銅スト
ライクとした場合には，第２のレジストパターン５ａを
剥離した後に露出している第１のメッキ層２である銅部
は不安定であるため，除去するが，金属材料１が銅であ
り，第１のメッキ層２を銅ストライクとした場合には，
メッキによる純銅の方が酸化銅層がうすいため変色しに
くいというメリットがあり，この工程は必要ではない。
離した後，露出している第１のメッキ層２の部分は必要
に応じて除去する。〔図１（ｉ）〕 この際の除去液としては，第１のメッキ層２のみを実質
的にエッチングできるものが好ましい。金属材料１がニ
ッケル−鉄系の合金であり，第１のメッキ層２を銅スト
ライクとした場合には，第２のレジストパターン５ａを
剥離した後に露出している第１のメッキ層２である銅部
は不安定であるため，除去するが，金属材料１が銅であ
り，第１のメッキ層２を銅ストライクとした場合には，
メッキによる純銅の方が酸化銅層がうすいため変色しに
くいというメリットがあり，この工程は必要ではない。
【００１５】なお，本発明のリードフレームの加工方法
は，金属材料１を素材の両面からエッチングを行った方
が，片面のみからエッチングした場合に比べ，エッチン
グ工程における安定性は優れる。また，第１のメッキ層
２及び金属材料１を貫通させるエッチング加工として
は，通常はスプレーエッチング方法が用いられるが，浸
漬エッチング方法を用いる場合もある。また，エッチン
グ加工の貫通後に残った不要な第１のメッキ層２を除去
する方法におけるエッチング方法としては，スプレーエ
ッチング方法，浸漬エッチング方法，浸漬電解エッチン
グ方法のいずれも使用できる。
は，金属材料１を素材の両面からエッチングを行った方
が，片面のみからエッチングした場合に比べ，エッチン
グ工程における安定性は優れる。また，第１のメッキ層
２及び金属材料１を貫通させるエッチング加工として
は，通常はスプレーエッチング方法が用いられるが，浸
漬エッチング方法を用いる場合もある。また，エッチン
グ加工の貫通後に残った不要な第１のメッキ層２を除去
する方法におけるエッチング方法としては，スプレーエ
ッチング方法，浸漬エッチング方法，浸漬電解エッチン
グ方法のいずれも使用できる。
【００１６】
【作用】本発明のリードフレームの加工方法は，前記の
ような構成，特に，（Ｅ）第２のメッキ処理により形成
された第２のメッキパターンの上から，第２のメッキパ
ターンの表面のすべてを覆う第２のレジストパターンを
形成する工程を有することにより，部分メッキの原形の
変化しない第２のメッキパターンを所定の位置に設ける
ことができる。より具体的には，前記の（Ｅ）工程にに
おいて，第２のメッキパターンの上から当該第２のメッ
キパターンの表面をすべて覆う第２のレジストパターン
の大きさの量を，リードフレームをエッチングする際の
サイドエッチング量に対応して大きく設けたことことに
より，通常，当該リードフレームのサイドエッチングが
進み，リードフレーム上の第２のメッキパターンの下側
が大きく「えぐり」取られて，第２のメッキパターンが
剥がれたり，張り出し部分が折れて第２のメッキパター
ンの幅が変化してしまったり，折れた張り出し部分が，
エッチング工程以降，他の箇所に付着する等の障害とな
ることの問題点を解決することができる。さらに，リー
ドフレーム材料を貫通エッチングさせる工程に用いるエ
ッチング液を，第２のメッキを実質的にエッチングしな
いエッチング液としたことにより上記の効果を確実にす
ることができる。
ような構成，特に，（Ｅ）第２のメッキ処理により形成
された第２のメッキパターンの上から，第２のメッキパ
ターンの表面のすべてを覆う第２のレジストパターンを
形成する工程を有することにより，部分メッキの原形の
変化しない第２のメッキパターンを所定の位置に設ける
ことができる。より具体的には，前記の（Ｅ）工程にに
おいて，第２のメッキパターンの上から当該第２のメッ
キパターンの表面をすべて覆う第２のレジストパターン
の大きさの量を，リードフレームをエッチングする際の
サイドエッチング量に対応して大きく設けたことことに
より，通常，当該リードフレームのサイドエッチングが
進み，リードフレーム上の第２のメッキパターンの下側
が大きく「えぐり」取られて，第２のメッキパターンが
剥がれたり，張り出し部分が折れて第２のメッキパター
ンの幅が変化してしまったり，折れた張り出し部分が，
エッチング工程以降，他の箇所に付着する等の障害とな
ることの問題点を解決することができる。さらに，リー
ドフレーム材料を貫通エッチングさせる工程に用いるエ
ッチング液を，第２のメッキを実質的にエッチングしな
いエッチング液としたことにより上記の効果を確実にす
ることができる。
【００１７】
【実施例】以下，図を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は，本発明の実施例の加工方法の工程を説明す
る模式断面図である。図２は，本発明の実施例の加工方
法により形成されたリードフレームの平面図を示す。 （実施例１）図１（ａ）は，前処理の工程である。リー
ドフレームの金属材料１として板厚０．１５ｍｍの４２
合金を用い，汚れ等をとるための脱脂処理を行った。
る。図１は，本発明の実施例の加工方法の工程を説明す
る模式断面図である。図２は，本発明の実施例の加工方
法により形成されたリードフレームの平面図を示す。 （実施例１）図１（ａ）は，前処理の工程である。リー
ドフレームの金属材料１として板厚０．１５ｍｍの４２
合金を用い，汚れ等をとるための脱脂処理を行った。
【００１８】（Ａ）工程 前記金属材料１の表裏面に約０．３μｍ厚みの銅ストラ
イクメッキを行い，第１のメッキ層２を形成した。ここ
ではメッキ液としてシアン化銅を主成分としたメッキ液
を使用した。〔図１（ｂ）〕 （Ｂ）工程 図１（ｄ）で行う第２のメッキパターン４ａ形成の前処
理として第２のメッキパターン４ａの不要な箇所に第１
のレジストパターン３ａを形成した。第１のレジストパ
ターン３ａとしては，カゼイン系のレジストを使用し
た。〔図１（ｃ）〕 （Ｃ）工程 前記第１のレジストパターン３ａが形成されず露出して
いる第１のメッキ層２の表面に第２のメッキであるＫＡ
ｇ（ＣＮ）2 シアン化銀カリウム（日本高純度化学
（株）テンペレジストＡＧＲ−Ｈタイプ）により，約５
μｍ厚みの銀メッキ処理を行った。〔図１（ｄ）〕
イクメッキを行い，第１のメッキ層２を形成した。ここ
ではメッキ液としてシアン化銅を主成分としたメッキ液
を使用した。〔図１（ｂ）〕 （Ｂ）工程 図１（ｄ）で行う第２のメッキパターン４ａ形成の前処
理として第２のメッキパターン４ａの不要な箇所に第１
のレジストパターン３ａを形成した。第１のレジストパ
ターン３ａとしては，カゼイン系のレジストを使用し
た。〔図１（ｃ）〕 （Ｃ）工程 前記第１のレジストパターン３ａが形成されず露出して
いる第１のメッキ層２の表面に第２のメッキであるＫＡ
ｇ（ＣＮ）2 シアン化銀カリウム（日本高純度化学
（株）テンペレジストＡＧＲ−Ｈタイプ）により，約５
μｍ厚みの銀メッキ処理を行った。〔図１（ｄ）〕
【００１９】（Ｄ）工程 前記塗布された第１のレジストパターン３ａを，第２の
メッキパターン４ａの部分メッキ終了後に，カセイソー
ダを主成分とした剥離液を使用することにより除去し
た。〔図１（ｅ）〕 （Ｅ）工程 第１のメッキ層２（銅ストライクメッキ層）の表面上に
は，第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）を形成して
あるが，この第２のメッキパターン４ａを覆うようにリ
ードフレームエッチング用の第２のレジストパターン５
ａを形成した。ここで用いるレジスト製版用ネガは，従
来，第２のメッキパターン４ａと同一寸法のレジストパ
ターン寸法の場合に，リードフレームのサイドエッチン
グが進み，リードフレーム上の銀メッキのパターンの下
側が，大きく「えぐり」取られる領域を考慮して，第２
のレジストパターン５ａが第２のメッキパターン４ａの
表面と両側面を覆うように大きなものを用いる。つま
り，第２のメッキパターン４ａの表面をすべて覆う第２
のレジストパターン５ａの大きさの量を，リードフレー
ムをエッチングする際のサイドエッチング量に対応して
大きく設けたものである。その量は７０μｍである。第
２のレジスト層５としては，カゼイン系のレジストを使
用した。〔図１（ｆ）〕
メッキパターン４ａの部分メッキ終了後に，カセイソー
ダを主成分とした剥離液を使用することにより除去し
た。〔図１（ｅ）〕 （Ｅ）工程 第１のメッキ層２（銅ストライクメッキ層）の表面上に
は，第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）を形成して
あるが，この第２のメッキパターン４ａを覆うようにリ
ードフレームエッチング用の第２のレジストパターン５
ａを形成した。ここで用いるレジスト製版用ネガは，従
来，第２のメッキパターン４ａと同一寸法のレジストパ
ターン寸法の場合に，リードフレームのサイドエッチン
グが進み，リードフレーム上の銀メッキのパターンの下
側が，大きく「えぐり」取られる領域を考慮して，第２
のレジストパターン５ａが第２のメッキパターン４ａの
表面と両側面を覆うように大きなものを用いる。つま
り，第２のメッキパターン４ａの表面をすべて覆う第２
のレジストパターン５ａの大きさの量を，リードフレー
ムをエッチングする際のサイドエッチング量に対応して
大きく設けたものである。その量は７０μｍである。第
２のレジスト層５としては，カゼイン系のレジストを使
用した。〔図１（ｆ）〕
【００２０】（Ｆ）工程 第１のメッキ層２（銅ストライクメッキ）を有する金属
材料１をエッチング処理により，金属材料１の表裏面よ
り加工して，金属材料１を貫通させた。ここでは，すく
なくとも第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）部分を
その側面を含めて第２のレジストパターン５ａで覆って
ある上に，第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）部分
を実質的にエッチングしない塩化第二鉄エッチング液を
使用するため，第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）
部分のエッジまでエッチング加工がされ，仮に，エッチ
ングがさらに進んでも第２のメッキパターン４ａ（銀メ
ッキ）部分は残存した。〔図１（ｇ）〕 （Ｇ）工程 カセイソーダを主成分とした剥離液を使用することによ
り塗布形成した第２のレジストパターン５ａを剥離，除
去した。〔図１（ｈ）〕
材料１をエッチング処理により，金属材料１の表裏面よ
り加工して，金属材料１を貫通させた。ここでは，すく
なくとも第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）部分を
その側面を含めて第２のレジストパターン５ａで覆って
ある上に，第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）部分
を実質的にエッチングしない塩化第二鉄エッチング液を
使用するため，第２のメッキパターン４ａ（銀メッキ）
部分のエッジまでエッチング加工がされ，仮に，エッチ
ングがさらに進んでも第２のメッキパターン４ａ（銀メ
ッキ）部分は残存した。〔図１（ｇ）〕 （Ｇ）工程 カセイソーダを主成分とした剥離液を使用することによ
り塗布形成した第２のレジストパターン５ａを剥離，除
去した。〔図１（ｈ）〕
【００２１】次に，図１（ｉ）は，不要な第１のメッキ
層２（銅メッキ）除去する工程である。第２のメッキパ
ターン４ａ（銀メッキ）の下地でない第１のメッキ層２
（銅メッキ）部分のみ及び裏面の第１のメッキ層２をシ
アン化カリウムと水酸化カリウムと錯化剤（日本高純度
化学（株）ハクレックスＣＳ）との混合物を主成分とし
た錯化剤を使用することにより除去して，図２に平面図
を示す所望のリードフレーム１１を得ることができた。
このようにして得られた，リードフレームは，従来の加
工後にメッキを施した場合にみられたインナーリード側
面の銀の付着や裏面の銀の付着はなく，かつ，張り出し
部が発生しないため，銀部剥離や銀部の折れは無く，パ
ッケージング後も，これに起因するインナーリード間の
ショート等の問題は皆無であった。
層２（銅メッキ）除去する工程である。第２のメッキパ
ターン４ａ（銀メッキ）の下地でない第１のメッキ層２
（銅メッキ）部分のみ及び裏面の第１のメッキ層２をシ
アン化カリウムと水酸化カリウムと錯化剤（日本高純度
化学（株）ハクレックスＣＳ）との混合物を主成分とし
た錯化剤を使用することにより除去して，図２に平面図
を示す所望のリードフレーム１１を得ることができた。
このようにして得られた，リードフレームは，従来の加
工後にメッキを施した場合にみられたインナーリード側
面の銀の付着や裏面の銀の付着はなく，かつ，張り出し
部が発生しないため，銀部剥離や銀部の折れは無く，パ
ッケージング後も，これに起因するインナーリード間の
ショート等の問題は皆無であった。
【００２２】（実施例２）前記実施例１において，リー
ドフレーム１１の金属材料１を銅板とし，（Ａ）工程の
第１のメッキ層２をスルファミン酸ニッケル浴を用いて
ニッケル層を形成し，（Ｃ）工程の第２のメッキパター
ン４ａを日本高純度化学（株）パラプライトＳＳＴ浴を
用いてパラジュームで形成し，図１（ｉ）の不要の第１
のメッキ層２（ニッケル）の除去工程は実施しなかった
ほか，ほぼ同一の条件で実施し，同様の結果を得た。
ドフレーム１１の金属材料１を銅板とし，（Ａ）工程の
第１のメッキ層２をスルファミン酸ニッケル浴を用いて
ニッケル層を形成し，（Ｃ）工程の第２のメッキパター
ン４ａを日本高純度化学（株）パラプライトＳＳＴ浴を
用いてパラジュームで形成し，図１（ｉ）の不要の第１
のメッキ層２（ニッケル）の除去工程は実施しなかった
ほか，ほぼ同一の条件で実施し，同様の結果を得た。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば，後加工用のメッキ用の
治具を必要としない上に，母材の金属材料をエッチング
する際にも，予め施した部分メッキが影響されず，部分
メッキを所定の箇所とサイズに的確に設けることがで
き，エッチング工程以降に問題点となる部分メッキの張
り出し部を発生させることなく，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体装置の高集積度化，小型化に伴なうリードフレーム多
ピン化やインナーリードピッチの狭ピッチ化に対応でき
る。
治具を必要としない上に，母材の金属材料をエッチング
する際にも，予め施した部分メッキが影響されず，部分
メッキを所定の箇所とサイズに的確に設けることがで
き，エッチング工程以降に問題点となる部分メッキの張
り出し部を発生させることなく，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体装置の高集積度化，小型化に伴なうリードフレーム多
ピン化やインナーリードピッチの狭ピッチ化に対応でき
る。
【図１】本発明の実施例の加工方法の工程を説明する模
式断面図である。
式断面図である。
【図２】本発明の実施例の加工方法により形成されたリ
ードフレームの平面図を示す。
ードフレームの平面図を示す。
１ 金属材料 ２ 第１のメッキ層 ２ａ 第１のメッキパターン ３ 第１のレジスト層 ３ａ 第１のレジストパターン ４ 第２のメッキ層 ４ａ 第２のメッキパターン ５ 第２のレジスト層 ５ａ 第２のレジストパターン １１ リードフレーム １２ インナーリード部 １３ アイランド部
Claims (6)
- 【請求項１】 ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置に用いられ
るリードフレームの加工方法であって，順に，（Ａ）少
なくとも，リードフレーム材料の一方の面に第１のメッ
キ処理を行って第１のメッキ層を形成する工程，（Ｂ）
第２のメッキ処理を部分的に行うための第１のレジスト
パターンを形成する工程，（Ｃ）前記第１のレジストパ
ターンが形成されず露出している前記第１のメッキ層の
表面に第２のメッキ処理を行う工程，（Ｄ）前記第１の
レジストパターンを除去する工程，（Ｅ）前記第２のメ
ッキ処理により形成された第２のメッキパターンの上か
ら，前記第２のメッキパターンの表面のすべてを覆う第
２のレジストパターンを形成する工程，（Ｆ）エッチン
グ加工により前記リードフレーム材料を貫通エッチング
させる工程，（Ｇ）前記第２のレジストパターンを除去
する工程，を有することを特徴とするリードフレームの
加工方法。 - 【請求項２】 第１のメッキ処理を銅ストライクメッキ
処理としたことを特徴とする請求項１記載のリードフレ
ームの加工方法。 - 【請求項３】 第２のメッキ処理を銀メッキ処理とした
ことを特徴とする請求項１ないし２記載のリードフレー
ムの加工方法。 - 【請求項４】 第１のメッキ処理をニッケルメッキ処理
とし，第２のメッキ処理をパラジュームメッキ処理とし
たことを特徴とする請求項１記載のリードフレームの加
工方法。 - 【請求項５】 第２のメッキパターンの表面をすべて覆
う第２のレジストパターンの大きさの量を，リードフレ
ームをエッチングする際のサイドエッチング量に対応し
て大きく設けたことを特徴とする請求項１ないし４記載
のリードフレームの加工方法。 - 【請求項６】 エッチング加工により前記リードフレー
ム材料を貫通エッチングさせる工程に用いるエッチング
液を，第２のメッキパターンを実質的にエッチングしな
いエッチング液としたことを特徴とする請求項１ないし
５記載のリードフレームの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337394A JPH07231061A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | リードフレームの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337394A JPH07231061A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | リードフレームの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07231061A true JPH07231061A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12662045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4337394A Withdrawn JPH07231061A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | リードフレームの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07231061A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010080418A (ja) * | 2007-11-08 | 2010-04-08 | Panasonic Corp | 回路保護素子およびその製造方法 |
| JP2014130925A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
| JP2017092186A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-25 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレームの製造方法 |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP4337394A patent/JPH07231061A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010080418A (ja) * | 2007-11-08 | 2010-04-08 | Panasonic Corp | 回路保護素子およびその製造方法 |
| US9035740B2 (en) | 2007-11-08 | 2015-05-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Circuit protective device and method for manufacturing the same |
| JP2014130925A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
| JP2017092186A (ja) * | 2015-11-06 | 2017-05-25 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレームの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |