JPH02250524A - 高周波スイッチ回路 - Google Patents

高周波スイッチ回路

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JPH02250524A
JPH02250524A JP7238289A JP7238289A JPH02250524A JP H02250524 A JPH02250524 A JP H02250524A JP 7238289 A JP7238289 A JP 7238289A JP 7238289 A JP7238289 A JP 7238289A JP H02250524 A JPH02250524 A JP H02250524A
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transistor
high frequency
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switch circuit
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Susumu Ushida
牛田 進
Sadao Igarashi
貞男 五十嵐
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Alps Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明はテレビ受信機のチューナ等において2つの高
周波信号を入力してどちらか1つの信号を出力する高周
波スイッチ回路に関する。
「従来の技術」 第5図はテレビ受信機のチューナの構成例を示すブロッ
ク図であり、この図において、1はアンテナ、21およ
び22はそれぞれV HF帯およびUHF帯のテレビジ
ョン信号(以下、TV信号という)を通過させるバンド
パスフィルタ(以下、BPF’という)、31および3
.はそれぞれI3 P l” 21および2.の出力信
号を増幅する高周波増幅器、41および4.はそれぞれ
高周波増幅器31および3、の出力11号を通過させる
BPFである。
また、5はV HF帯およびUHF’帯のTV信号をそ
れぞれ中間周波信号に変換して出力する周波数変換用I
Cであり、IC5において、61および6.はそれぞれ
V HF’帯およびU )[F帯の局部発振信号を出力
する局部発振器、71および7.はそれぞれBPF4+
および4.の出力信号をV I−I F帯およびIJ 
HF帯の局部発振信号とそれぞれ混合して中間周波信号
に変換する混合器、8は中間周波信号を増幅する中間周
波増幅器である。
さらに、9はV HF帯およびUHF帯の局部発振信号
をそれぞれ入力してどちらか1つの信号を出力する高周
波スイッチ回路であって、101および10.は入力端
子、■■は出力端子である。
加えて、I2はPLL回路用のICであり、高周波スイ
ッチ回路9から出力される局部発振信号を入力して選局
されたヂャンネルに応じた選坊制御電圧を局部発振器6
.または6.の制御電圧入力端子に印加して局部発振信
号の周波数を制御する。
次に、第6図に高周波スイッチ回路9の具体的な回路の
一例を示す。この図において、第5図の各部に対応する
部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。第6
図において、131および+3.はエミッタフォロワ回
路を構成するトランジスタ、141および14.は定電
圧源、151および15tはベース抵抗、16.および
16.はコレクタ抵抗である。
また、17.および17tは定電流源を構成するトラン
ジスタ、+8.および+8.は電流制御(即用抵抗、1
9.および19.は定電圧源、20.および20、は共
通端子Tcがトランジスタ17□および17、のベース
にそれぞれ接続され、端子Taが定電圧源+9.および
19tにそれぞれ接続され、端子Tbかそれぞれ接地さ
れたスイッチ、2+、および21.は直流阻止用コンデ
ンサである。
このような構成において、V HF帯の′rv信号を受
信するには、スイッチ20.の共通端子’II’ 、を
端子T、に接続し、スイッチ20.の共通端子Tcを端
子T、に接続する。これにより、トランジスタ17.は
、定電圧11tl 9.によってバイアスが供給され、
定電流源になり、トランジスタ13.がエミッタ7オロ
ワとして動作する。一方、トランジスタ17.は、ベー
スが接地され、オフ状態になり、トランジスタ13tも
オフ状態になる。従って、入力端子101から入力され
たV I−I F帯の局部発振信号はトランジスタ13
.および直流阻止用コンデンサ211を経て出力端子1
1から出力される。一方、入力端子10.から入力され
たU11F帯の局部発振信号はトランジスタ13.にお
いて阻止され、出力端子Ifからはほとんど出力されな
い。
また、U HI”帯の’I” V信号を受信するには、
スイッチ20.の共通端子Tcを端子T居こ接続し、ス
イッチ20.の共通端子′rcを端子Tbに接続する。
後の動作は上述の場合と同様であるので説明を省略する
尚、第5図のヂューナにおいては、Vl−IF帯の’I
’ V信号受信時には局部発振器6.の発振を、Ut[
F帯のTV信号受信時には局部発振器6.の発振をそれ
ぞれ停止させている。
[発明が解決しようとする課MJ ところで、上述した従来のヂューナにおいて、周波数変
換用IC5の高周波スイッチ回路9で(ま、ICのデツ
プ上にコンデンサ21.および21.を形成する必要が
ある。ところが、スイッチ20゜および20.を切り換
える度にトランジスタ13およびI3.のエミッタ電位
が変化するので、これらのコンデンサ21+および21
.には、トランジスタの接合容量を利用したものを使用
することが困難であり、MO8構造によって形成された
ものを使用しなければならないという問題があった。
従って、ICのチップ面積が広くなるという欠点かあっ
た。
ところで、トランジスタには接合容量があるため、トラ
ンジスタをオフ状態にして乙、V HF帯やU HF−
帯の信号に対しては完全にオフ状態にならない。従って
、トランジスタ13.および13゜の内、一方がエミッ
タフォロワとして動作している場合に、他方のトランジ
スタが、コンデンサ211および21.を介して、動作
しているトランジスタに悪影響を与えるという問題があ
った。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、コン
デンサを使用することなく構成することができ、しかも
、アイソレーションの高い高周波スイッチ回路を提供す
ることを目的としている。
「課題を解決するための手段」 この発明は、第1および第2の高周波信号がそれぞれ入
力され、切り換え操作によって第1および第2の高周波
信号のどちらか1つの信号か出力端子から出力される高
周波スイッチ回路において、エミッタに第1の高周波信
号が入力され、コレクタが出力端子に接続された第1の
トランジスタと、エミッタに第2の高周波信号が入力さ
れ、コレクタが出力端子に接続された第2のトランジス
タと、切り換え操作に応じて、第1および第2のトラン
ジスタの内、いずれか一方のトランジスタを導通状態に
し、いずれか他方のトランジスタのコレクタとエミッタ
との間に逆バイアス電圧を加えて非導通状態にするバイ
アス回路とを具備することを特徴としている。
「作用」 この発明によれば、バイアス回路によって第1のトラン
ジスタを導通状態にし、かつ、第2のトランジスタのコ
レクタとエミッタとの間に逆バイアス電圧を加えると、
第1の高周波信号は、第1のトランジスタのエミッタお
よびコレクタを経て出力端子から出力される。一方、第
2の高周波信号は、第2のトランジスタが高インピーダ
ンスであるので、出力端子から出力されない。
「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の一実施例について説明
する。第1図はこの発明の第1の実施例による高周波ス
イッチ回路の構成を示す回路図であり、この図において
、第6図の各部に対応する部分には同一の符号を付け、
その説明を省略する。
第1図において、221および22.はそれぞれエミッ
タが入力端子10.および10.に接続され、コレクタ
が出力端子11に接続されたトランジスタ、23は定電
圧源、241および24.はそれぞれ一端が定電圧源2
3に接続され、他端がトランジスタ221および22.
のエミッタに接続された抵抗、25.および25.はそ
れぞれ一端が定電圧源23に接続され、他端かトランジ
スタ22.および22.のベースに接続された抵抗、2
6は端子1paかトランジスタ22.のエミッタに接続
され、端子T、がトランジスタ22.のエミッタに接続
され、共通端子′rcが抵抗27を介して接地されたス
イッチである。
尚、定電圧源23aびに抵抗24い242.25い25
.および27(以下、これらをまとめてバイアス回路と
呼ぶ)の値は、スイッチ26の共通端子T eを端子T
居こ接続した場合に、トランジスタ221をオンさせ、
トランジスタ22.のエミッタからコレクタへ?1XI
Aを流し、スイッチ26の共通端子′【゛ゆを端子II
Iゎに接続した場合に、トランジスタ22.をオンさせ
、トランジスタ221のエミッタからコレクタへ電流を
流すような値に予め設定する。
このような構成において、V HF帯のTV信号を受信
するには、スイッチ26の共通端子Tcを端子′l′6
に接続する。この時、第1図の端子T1および′I゛、
における電位をそれぞれ電位v1およびV、とすると、
上述のバイアス回路の設定により、電位■1とV、との
関係は、次式に示すようになる。
V + < V 2・ ・・■ これにより、定電圧源23から抵抗24.を介して流れ
ろ電流は、トランジスタ22.のエミッタから流れ込ん
でトランジスタ22.のエミッタから流れ出ることにな
り、トランジスタ22.および22!の動作点はそれぞ
れ第2図の点ユおよびbになる。従って、トランジスタ
22.がオフになって高周波信号に対して高インピーダ
ンスになる。一方、トランジスタ22.がオンになって
高周波信号に対して低インピーダンスになる。これによ
り、入力端子10.から入力されたV HF帯の局部発
振信号は、トランジスタ221を経て出力端子11から
出力される。一方、入力端子10、から入力されたU 
IIF帯の局部発振信号はトランジスタ22.が高周波
信号に対して高インピーダンスであるので、出力端子1
1からはほとんど出力されない。
また、UHF帯のTV信号を受信するには、スイッチ2
6の共通端子Tcを端子Tbに接続する。
後の動作は上述の場合と同様であるので説明を省略する
次に、この発明の第2の実施例について説明する。第3
図はこの発明の第2の実施例による高周波スイッチ回路
の構成を示す回路図であり、この図において、第6図の
各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を
省略する。この図に示す高周波スイッチ回路においては
、コンデンサ21、および21.に代えて、第1図にお
いて説明したトランジスタ22.および22.、抵抗2
5゜および25.並びに定電圧源28が新たに設けられ
ている。
尚、定電圧源143.14!および28の電圧EBl、
EalおよびEaaは、以下に示す関係式を満足するよ
うに予め設定する。
Ea+=E□・・・◆・・■ E aa> E a+、 E am・・・■また、スイ
ッチ201の共通端子Tcを端子T。
に接続し、スイッチ20.の共通端子Tcを端子Tbに
接続した場合に、トランジスタ13+および13、のコ
レクタ電流1c+およびlctが以下に示す関係式を満
足するように、定電圧源19+および192並びに抵抗
16,116..18tおよび18、の値を予め設定す
る。
fct>ICs・・−■ このような構成において、VHF帯のT V +=号を
受信するには、スイッチ20.の共通端子Tcを端子T
6に接続し、スイッチ20.の共通端子Tcを端子T、
に接続する。この時、第3図の端子rr1およびT、に
おける電位をそれぞれ電位v1およびV、とすると、ト
ランジスタ13.および17.は共にオフ状態であるが
、トランジスタ!3.には定電圧源1/Lによって微少
電流がなかれるので、電位V、と電圧E8.との関係は
、次式のようになる。
■、舛EB!・ ・ ・■ 一方、トランジスタ131および17.は共にオン状態
であるので、抵抗15.における電圧降下およびトラン
ジスタ13.のベース・エミッタ間電圧Veg+より、
電位v1と電圧E alとの関係は、次式のようになる
V I< E a+−・ ・■ 従って、弐〇、■および■より、以下の関係になる。
EBe>Eat、Eaz勺V t> V r ’  ”
  ”■以上のことにより、トランジスタ13.のエミ
ッタ電流は、トランジスタ22□のエミッタから流れ込
んでトランジスタ22.のエミッタから流れ出ることに
なり、トランジスタ22.および22゜の動作点は、第
1の実施例と同様、それぞれ第2図の点aおよびbにな
る。従って、トランジスタ22、かオフになって高周波
信号に対して高インピーダンスになる。一方、トランジ
スタ221がオンになって高周波信号に対して低インピ
ーダンスとなる。これにより、入力端子10.から入力
されたV HF帯の局部発振信号は、トランジスタ13
、および22.を経て出力端子IIから出力される。一
方、入力端子10.から入力されたU HF帯の局部発
振信号はトランジスタ13.において十分に減衰され、
出力端子11からはほとんど出力されない。
また、U HF帯の′r■信号を受信するには、スイッ
チ20.の共通端子Tcを端子T、に接続し、スイッチ
20+の共通端子Tcを端子T、に接続する。後の動作
は上述の場合と同様であるので説明を省略する。
次に、この発明の第3の実施例について説明する。第4
図はこの発明の第3の実施例による高周波スイッチ回路
の構成を示す回路図であり、この図において、第3図の
各部に対応する部分には同一の符号を付け、その説明を
省略する。この図に示す高周波スイッチ回路においては
、トランジスタ13.および!39、定電圧源14.お
よび14゜並びにベース抵抗15.および15.が取り
除かれ、入力端子10Iおよび10t、抵抗161およ
び16、の一端並びにトランジスタ221および22゜
のエミッタがそれぞれ一点で接続されている。
尚、動作については第2の実施例とほぼ同様であるので
説明を省略する。
以上説明したように、VHF帯およびU I(P帯のT
V信号の内、一方の信号を受信する場合にスイッチ26
(第2および第3の実施例ではスイッチ20.および2
0t)を切り換えると、トランジスタ22.および22
.の内、受信されない側が高インピーダンスになり、ア
イソレーションが高くなるので、受信された信号がもう
一方の信号によって悪影響を受けることはない。
「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば、高周波スイッ
チ回路をコンデンサを使用することなく構成することか
できるという効果がある。従って、Icのチップ面積を
小さくすることができ、ICの歩留まりを向上させるこ
とかできるという効果がある。また、アイソレーション
が高いという効果がある。従って、一方の信号が出力さ
れている時に他方の信号が悪影響を与えないという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1の実施例による高周波スイッチ
回路の構成を示す回路図、第2図はトランジスタ22.
および22.の特性の一例を示す図、第3図および第4
図はそれぞれこの発明の第2および第3の実施例による
高周波スイッチ回路の構成を示す回路図、第5図はテレ
ビ受信機のチューナの構成例を示すブロック図、第6図
は従来の高周波スイッチ回路の構成例を示す回路図であ
る。 4!、 19+119g、 23、28・・・・・6 
い  16 、、  皇 8 い  182、 242
53.27・・・・・・抵抗、17..122、・・・
・・・トランジスタ、20い 2・・・スイッチ。 14、、 l 定電圧源、1 24、.2511 72.22.. 02.26・

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1および第2の高周波信号がそれぞれ入力され、切り
    換え操作によって前記第1および第2の高周波信号のど
    ちらか1つの信号が出力端子から出力される高周波スイ
    ッチ回路において、エミッタに前記第1の高周波信号が
    入力され、コレクタが前記出力端子に接続された第1の
    トランジスタと、エミッタに前記第2の高周波信号が入
    力され、コレクタが前記出力端子に接続された第2のト
    ランジスタと、前記切り換え操作に応じて、前記第1お
    よび第2のトランジスタの内、いずれか一方のトランジ
    スタを導通状態にし、いずれか他方のトランジスタのコ
    レクタとエミッタとの間に逆バイアス電圧を加えて非導
    通状態にするバイアス回路とを具備することを特徴とす
    る高周波スイッチ回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1053539C (zh) * 1994-05-03 2000-06-14 台扬科技股份有限公司 具有增益功能的高频讯号单刀多掷开关

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5115852U (ja) * 1974-07-22 1976-02-05

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