JPH02251817A - アクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02251817A JPH02251817A JP7299189A JP7299189A JPH02251817A JP H02251817 A JPH02251817 A JP H02251817A JP 7299189 A JP7299189 A JP 7299189A JP 7299189 A JP7299189 A JP 7299189A JP H02251817 A JPH02251817 A JP H02251817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active matrix
- substrates
- electrodes
- optical device
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 10
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 12
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010946 fine silver Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は大型面１象表示、コンピュータ端末、光学シャ
ッターなどに利用される液晶とスイッチング素子を使っ
たアクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法に
関する。
ッターなどに利用される液晶とスイッチング素子を使っ
たアクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法に
関する。
本発明はアクティブマトリックス型電気光学装置の製造
工程において、工程中の静電気によって基板上のスイッ
チング素子が破壊されるのを防止するために、行電極と
列電極を導電性のテープあるいは樹脂で電気的にショー
トさせ特定の電極に静電気が集中しないようにしたもの
である。
工程において、工程中の静電気によって基板上のスイッ
チング素子が破壊されるのを防止するために、行電極と
列電極を導電性のテープあるいは樹脂で電気的にショー
トさせ特定の電極に静電気が集中しないようにしたもの
である。
時計や電卓などの表示用として登場した液晶表示装置は
、画質の向上と大型化に伴いコンピュータ端末や光シヤ
ツターなど表示以外の用途も含めた広い分野で電気光学
装置として使われるようになってきた。特に基板表面上
の各画素にスイッチング素子を作り込んだアクティブマ
トリックス型電気光学装置はその優れた表示特性により
今後の発展が期待されている。アクティブマトリックス
型電気光学装置はＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−１ｎｓｕｌａｔ
ｏｒ−ＭｅｔａりやＭＳＩ（ＭｅｔａｌＳｅｍｉ−Ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ）などの二端子型と三端子型のＴＰＴ
（Ｔｈ ｉ ｎ−Ｆ ｉ １ｍ−Ｔｒａｎｓｌｓｔｏｒ
）に大別される。
、画質の向上と大型化に伴いコンピュータ端末や光シヤ
ツターなど表示以外の用途も含めた広い分野で電気光学
装置として使われるようになってきた。特に基板表面上
の各画素にスイッチング素子を作り込んだアクティブマ
トリックス型電気光学装置はその優れた表示特性により
今後の発展が期待されている。アクティブマトリックス
型電気光学装置はＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−１ｎｓｕｌａｔ
ｏｒ−ＭｅｔａりやＭＳＩ（ＭｅｔａｌＳｅｍｉ−Ｉｎ
ｓｕｌａｔｏｒ）などの二端子型と三端子型のＴＰＴ
（Ｔｈ ｉ ｎ−Ｆ ｉ １ｍ−Ｔｒａｎｓｌｓｔｏｒ
）に大別される。
代表的な二端子型アクティブマトリックス型電気光学装
置であるＭＳＩパネルの構造を第３図（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）と第４図（ａ）、（ｂ）を使って説明する。第３
図（ａ）は従来の製造工程での分離切断前の平面図、第
３図（ｂ）は従来の製造工程における切断分離後のアク
ティブマトリックス型電気光学装置の平面図、第３図（
Ｃ）は第３図（ｂ）のＡ部の拡大図、第４図（ａ）はＭ
ＳＩパネルの画素部の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ
’部の断面図である。製造工程については後で説明する
。
置であるＭＳＩパネルの構造を第３図（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）と第４図（ａ）、（ｂ）を使って説明する。第３
図（ａ）は従来の製造工程での分離切断前の平面図、第
３図（ｂ）は従来の製造工程における切断分離後のアク
ティブマトリックス型電気光学装置の平面図、第３図（
Ｃ）は第３図（ｂ）のＡ部の拡大図、第４図（ａ）はＭ
ＳＩパネルの画素部の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ
’部の断面図である。製造工程については後で説明する
。
第３図（ｂ） （ｃ）及び第４図（ａ） （ｂ）に
おいて、１は上基板、２は列電極、３は下基板、４は行
電極、５は画素電極、６は上基板１と下基板３を接着す
る接着剤層、７はＳｉＮｘ層である。
おいて、１は上基板、２は列電極、３は下基板、４は行
電極、５は画素電極、６は上基板１と下基板３を接着す
る接着剤層、７はＳｉＮｘ層である。
但し第４図は画素部分を説明するために上基板１と列電
極２は省略しである。行電極４と画素電極５の間に非線
形特性を持つＳｉＮｘ層７が挟まれた構造となっており
全体としてスイッチング素子を形成している。上基板１
と下基板３は接着剤層６により５〜１０μの間隔で対向
して接着されておりその間には液晶が封入されている。
極２は省略しである。行電極４と画素電極５の間に非線
形特性を持つＳｉＮｘ層７が挟まれた構造となっており
全体としてスイッチング素子を形成している。上基板１
と下基板３は接着剤層６により５〜１０μの間隔で対向
して接着されておりその間には液晶が封入されている。
ＳｉＮｘ層７の両端に低い電圧が印加された状態ではス
イッチング素子はＯＦＦ状態となるが、印加電圧がある
一定値以上になるとスイッチング素子はＯＮ状態となり
液晶に電圧が印加され動作する。
イッチング素子はＯＦＦ状態となるが、印加電圧がある
一定値以上になるとスイッチング素子はＯＮ状態となり
液晶に電圧が印加され動作する。
次に第３図及び第４図のアクティブマトリックス型電気
光学装置の製造方法の概要を以下に述べる。
光学装置の製造方法の概要を以下に述べる。
（１）下基板３となるガラス基板上にＩＴＯ層をスパッ
タリングあるいは蒸着などによって成膜し、バターニン
グして画素電極５を形成する。
タリングあるいは蒸着などによって成膜し、バターニン
グして画素電極５を形成する。
（２）更にその上に５ｆＮｘ層と行電極４となるＣｒな
どのメタルの層を成膜し、バターニングして第４図に示
すようなスイッチング素子を形成する。
どのメタルの層を成膜し、バターニングして第４図に示
すようなスイッチング素子を形成する。
（３）上基板１となるもう一方のガラス基板上にＩＴＯ
膜を成膜し、ストライプ状にバターニングして列電極２
を形成する。
膜を成膜し、ストライプ状にバターニングして列電極２
を形成する。
（４）両方のガラス基板の電極が形成された面に液晶の
配向処理を行う。
配向処理を行う。
（５）両方のガラスを配向処理面を内側にして行電極４
と列電極２が直交し、かつ画素電極５と列電極２が対向
するように貼り合わせる。（第３図（ａ）） （６）ガラスを切断分離し、−個一個のパネルの形状に
加工する。（第３図（ｂ）） （７）上基板１と下基板３の間に液晶を封入する。
と列電極２が直交し、かつ画素電極５と列電極２が対向
するように貼り合わせる。（第３図（ａ）） （６）ガラスを切断分離し、−個一個のパネルの形状に
加工する。（第３図（ｂ）） （７）上基板１と下基板３の間に液晶を封入する。
（８）パネルを駆動用の回路と接続する。
第３図（ａ）は切断分離前のアクティブマトリックス型
電気光学装置の平面図、（ｂ）は切断分離後の平面図で
ある。（ａ）の破線は切断ラインを表現している。上記
の工程の（４）から（８）までは通常の液晶を使った電
気光学装置の製造工程と基本的には同じである。
電気光学装置の平面図、（ｂ）は切断分離後の平面図で
ある。（ａ）の破線は切断ラインを表現している。上記
の工程の（４）から（８）までは通常の液晶を使った電
気光学装置の製造工程と基本的には同じである。
アクティブマトリックス型電気光学装置の製造工程にお
いて他の通常の電気光学装置と比べて特に注意しなけれ
ばならない点は、静電気によるスイッチング素子の破壊
である。この対策として工程中で発生する静電気を抑え
ることも重要であるが、静電気がある特定の’ＦＩＥｔ
Ｍに集中しないようにすることも極めて有効である。同
じ強度の静電気であってもある特定の電極に電荷が集中
する場合に比べて多数の電極に電荷を１分散させた方が
スイッチング素子の破壊する可能性が少なくなるからで
ある。
いて他の通常の電気光学装置と比べて特に注意しなけれ
ばならない点は、静電気によるスイッチング素子の破壊
である。この対策として工程中で発生する静電気を抑え
ることも重要であるが、静電気がある特定の’ＦＩＥｔ
Ｍに集中しないようにすることも極めて有効である。同
じ強度の静電気であってもある特定の電極に電荷が集中
する場合に比べて多数の電極に電荷を１分散させた方が
スイッチング素子の破壊する可能性が少なくなるからで
ある。
前述の製造工程において、（１）から（５）までの工程
で上記の対策を実施することは比較的易しい。例えば工
程（６）で切断分離され切り捨てられる部分に各電極を
電気的に接続するようなダミーパターンを設け、分離前
までは行電極同志あるいは列電極同志が同電位になるよ
うにしておけば良い。
で上記の対策を実施することは比較的易しい。例えば工
程（６）で切断分離され切り捨てられる部分に各電極を
電気的に接続するようなダミーパターンを設け、分離前
までは行電極同志あるいは列電極同志が同電位になるよ
うにしておけば良い。
ここで問題となるのは工程（６）で基板が一個のパネル
の形状に分離切断された後である。ここでは当然すべて
の行電極と列電極は各々電気的に独立している。従って
工程内で発生した静電気はある特定の電極に集中し、そ
の電極に接続されているスイッチング素子を破壊する確
率が極めて高くなる。
の形状に分離切断された後である。ここでは当然すべて
の行電極と列電極は各々電気的に独立している。従って
工程内で発生した静電気はある特定の電極に集中し、そ
の電極に接続されているスイッチング素子を破壊する確
率が極めて高くなる。
本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
あり、アクティブマトリックス型電気光学装置の製造工
程において基板の分離加工が終わった直後から駆動回路
と接続するまでの間、導電性テープあるいは樹脂を使っ
て各電極を電気的に接続することにより、スイッチング
素子の静電破壊を防止する。
あり、アクティブマトリックス型電気光学装置の製造工
程において基板の分離加工が終わった直後から駆動回路
と接続するまでの間、導電性テープあるいは樹脂を使っ
て各電極を電気的に接続することにより、スイッチング
素子の静電破壊を防止する。
導電性の材料で各電極を電気的に接続しておくことによ
り特定の電極に静電気が集中することがない。さらにま
た導電性材料で行電極、列電極を接続すれば行電極と列
電極が常に一定の電位に保たれるので、分離工程以降で
スイッチング素子が破壊することはほぼ完全に防止でき
る。以下実施例により本発明を詳述する。
り特定の電極に静電気が集中することがない。さらにま
た導電性材料で行電極、列電極を接続すれば行電極と列
電極が常に一定の電位に保たれるので、分離工程以降で
スイッチング素子が破壊することはほぼ完全に防止でき
る。以下実施例により本発明を詳述する。
本発明の製造方法の例を以下に述べる。
〔第１実施例〕
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１実施例を説明する
図である。製造方法を順を追って説明すると、 （１）下基板となるガラス基板上に１７０層をスパッタ
リングあるいは蒸着などによって成膜し、バターニング
して画素電極を形成する。
図である。製造方法を順を追って説明すると、 （１）下基板となるガラス基板上に１７０層をスパッタ
リングあるいは蒸着などによって成膜し、バターニング
して画素電極を形成する。
（２）更にその上にＳｉＮｘ層と行電極となるＣｒなど
のメタルの層を成膜し、バターニングして第３図に示し
たようなスイッチング素子を形成する。
のメタルの層を成膜し、バターニングして第３図に示し
たようなスイッチング素子を形成する。
（３）上基板となるもう一方のガラス基板にＩＴＯ膜を
成膜し、ストライブ状にバターニングして列電極を形成
する。
成膜し、ストライブ状にバターニングして列電極を形成
する。
（４）両方のガラス基板の電極が形成された面上に液晶
の配向処理を行う。
の配向処理を行う。
（５）両方のガラスを配向処理面を内側にして行電極と
列電極が直交し、かつ画素電極と列電極が対向するよう
に貼り合わせる。
列電極が直交し、かつ画素電極と列電極が対向するよう
に貼り合わせる。
（６）ガラスを切断分離し、−個一個のパネルの形状に
加工する。
加工する。
（７）パネルの行電極と列電極を導電性テープで接続す
る。（第１図ａ１およびｂ） （８）上基板と下基板の間に液晶を封入する。
る。（第１図ａ１およびｂ） （８）上基板と下基板の間に液晶を封入する。
（９）パネルを駆動用の回路と接続する。
（１０）導電性テープをはがす。
但しテープを貼るスペースと駆動用回路を実装するスペ
ースが基板上で同時に取れない場合は工程（９）と（１
０）が入れ替わることもある。
ースが基板上で同時に取れない場合は工程（９）と（１
０）が入れ替わることもある。
第１図（ａ）に本発明の製造方法における導電性テープ
貼り付け（上記の工程（７））後のアクティブマトリッ
クス型電気光学装置の平面図を、（ｂ）に６部の拡大図
を示す。第１図（ａ）（ｂ）において、１は上基板、２
は列電極、３は下基板、４は行電極、６は接着剤層、８
は導電性テープである。導電性テープ８の例としては■
ソニーケミカル製の銅テープＣＵ−７６３５Ｒがある。
貼り付け（上記の工程（７））後のアクティブマトリッ
クス型電気光学装置の平面図を、（ｂ）に６部の拡大図
を示す。第１図（ａ）（ｂ）において、１は上基板、２
は列電極、３は下基板、４は行電極、６は接着剤層、８
は導電性テープである。導電性テープ８の例としては■
ソニーケミカル製の銅テープＣＵ−７６３５Ｒがある。
これは銅製のテープに導電性の粘着剤を塗布したもので
ある。分離切断を終わったアクティブマトリックス型電
気光学装置に図のように導電性テープ８を貼ることによ
り極めて簡単に各行電極４と列電極２の電気的接続を取
ることができる。またテープをはがすことも簡単にでき
る。
ある。分離切断を終わったアクティブマトリックス型電
気光学装置に図のように導電性テープ８を貼ることによ
り極めて簡単に各行電極４と列電極２の電気的接続を取
ることができる。またテープをはがすことも簡単にでき
る。
第１図のように各行電極と列電極を導電性テ−プで接続
しておけば以降の工程中で静電気が発生しても電荷が特
定の電極に集中することはない。
しておけば以降の工程中で静電気が発生しても電荷が特
定の電極に集中することはない。
また列電極と行電極がショートされているのでスイッチ
ング素子の両端に静電気の電圧がかかり素子が破壊され
る心配もない。本発明の製造方法でアクティブマトリッ
クス型電気光学装置を作製したところ、切断分離工程以
降の静電破壊は全く発生せず実施前に比べて歩留りが飛
躍的に向上した。
ング素子の両端に静電気の電圧がかかり素子が破壊され
る心配もない。本発明の製造方法でアクティブマトリッ
クス型電気光学装置を作製したところ、切断分離工程以
降の静電破壊は全く発生せず実施前に比べて歩留りが飛
躍的に向上した。
〔第２実施例〕
第２図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施例を説明す
る図である。
る図である。
この例では、第１実施例で説明した製造工程（７）で、
導電性テープで接続する代わりに導電性樹脂８１で行、
列電極それぞれを電気的に接続したものである。
導電性テープで接続する代わりに導電性樹脂８１で行、
列電極それぞれを電気的に接続したものである。
ここで使用している導電性樹脂８の具体的な例としては
ロジン系の樹脂に銀の微粒子を分散させたものやウレタ
ン系の樹脂に銀の微粒子と可塑剤を入れたものなどがあ
る。これらの樹脂はペースト状でありデイスペンサーな
どで手軽に塗布でき、室温放置あるいは加温で硬化して
良好な導電体となる。また硬化後はピンセットなどの物
理的な力で簡単に剥離することができるので非常に作業
性がよい。
ロジン系の樹脂に銀の微粒子を分散させたものやウレタ
ン系の樹脂に銀の微粒子と可塑剤を入れたものなどがあ
る。これらの樹脂はペースト状でありデイスペンサーな
どで手軽に塗布でき、室温放置あるいは加温で硬化して
良好な導電体となる。また硬化後はピンセットなどの物
理的な力で簡単に剥離することができるので非常に作業
性がよい。
第２図のように各行電極および列電極を導電性樹脂で接
続しておけば以降の工程中で静電気が発生しても電荷が
特定の電極に集中することがないのでスイッチング素子
が静電破壊される可能性は非常に少なくなる。本発明の
製造方法でアクティブマトリックス型電気光学装置を作
製したところ、切断分離工程以降の静電破壊は全く発生
せず実施前に比べて歩留りが飛躍的に向上した。
続しておけば以降の工程中で静電気が発生しても電荷が
特定の電極に集中することがないのでスイッチング素子
が静電破壊される可能性は非常に少なくなる。本発明の
製造方法でアクティブマトリックス型電気光学装置を作
製したところ、切断分離工程以降の静電破壊は全く発生
せず実施前に比べて歩留りが飛躍的に向上した。
なおこの例においても第１実施例と同様に、行列電極の
それぞれの導電性樹脂８１間を、導電性テープや樹脂あ
るいは金属薄板、銅線等で電気的に接続すれば、さらに
行列電極が同電位となり静電破壊に対し前記実施例と同
様より効果的となる。
それぞれの導電性樹脂８１間を、導電性テープや樹脂あ
るいは金属薄板、銅線等で電気的に接続すれば、さらに
行列電極が同電位となり静電破壊に対し前記実施例と同
様より効果的となる。
本実施例では二端子型のアクティブマトリックス型電気
光学装置であるＭＳＩパネルの製造方法について説明し
たが、他の二端子型あるいは三端子型のアクティブマト
リックス型電気光学装置（Ｔ Ｐ Ｔ）の場合にも本発
明がそのまま適用できることは言うまでもない。
光学装置であるＭＳＩパネルの製造方法について説明し
たが、他の二端子型あるいは三端子型のアクティブマト
リックス型電気光学装置（Ｔ Ｐ Ｔ）の場合にも本発
明がそのまま適用できることは言うまでもない。
以上詳述したように、本発明によれば極めて簡単な手段
でアクティブマトリックス型電気光学装置の切断分離工
程以降での静電破壊を防止でき、製造歩留りを大幅に向
上させることができる。
でアクティブマトリックス型電気光学装置の切断分離工
程以降での静電破壊を防止でき、製造歩留りを大幅に向
上させることができる。
第１図（ａ）は本発明における導電性テープ貼り付は後
のアクティブマトリックス型電気光学装置の平面図、第
１図（ｂ）は（ａ）の０部の拡大図、第２図（ａ）は本
発明における導電性樹脂塗布後のアクティブマトリック
ス型電気光学装置の平面図、第２図（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ線の拡大断面図、第２図（ｃ）は（ａ）のＤ部の拡
大図、第３図（ａ）は従来の製造工程における切断分離
前のアクティブマトリックス型電気光学装置の平面図、
第３図（ｂ）は従来の製造工程における切断分離後のア
クティブマトリックス型電気光学装置の平面図、第３図
（ｃ）は（ｂ）のＡ部の拡大図、第４図（ａ）はＭＳ！
パネルの画素部分の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’
部の拡大図である。 １ ・ ２争 ３・ ４・ ５・ ６・ ７・ 訃 ８１・ ・上基板 ・列電極 ・下基板 ・行電極 ・画素電極 ・接着剤層 １１ＳｉＮｘ膜 ・導電性テープ ・導電性樹脂 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助第 ０（α） ８１図（（１）のＣ郭の広大図 躬 １ 図（ｂ） １上基板 ３導電・じ虹−１１°月旨 ６２図（θ）のＤ部の広大図 第 １（Ｃ） 第 図（σ） ３で蚤板 第２凹（α）のＡ−Ａｒ面抵八へ 築 ２ 図（ｂ） アフティブマトリックス型１！久尤ｆ艮Ｉの乎面ワ第
３ 図 （０） 第 図 （ｂ） １上基板 第３面（ｂ）のΔ部の広大面 第 図（Ｃ） Ｍ５Ｉ／＼°ネルの１東部分の不面面 躬 図 第４図（（２）の８−８′部の一面ｇ 第 図（ｂ）
のアクティブマトリックス型電気光学装置の平面図、第
１図（ｂ）は（ａ）の０部の拡大図、第２図（ａ）は本
発明における導電性樹脂塗布後のアクティブマトリック
ス型電気光学装置の平面図、第２図（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ線の拡大断面図、第２図（ｃ）は（ａ）のＤ部の拡
大図、第３図（ａ）は従来の製造工程における切断分離
前のアクティブマトリックス型電気光学装置の平面図、
第３図（ｂ）は従来の製造工程における切断分離後のア
クティブマトリックス型電気光学装置の平面図、第３図
（ｃ）は（ｂ）のＡ部の拡大図、第４図（ａ）はＭＳ！
パネルの画素部分の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’
部の拡大図である。 １ ・ ２争 ３・ ４・ ５・ ６・ ７・ 訃 ８１・ ・上基板 ・列電極 ・下基板 ・行電極 ・画素電極 ・接着剤層 １１ＳｉＮｘ膜 ・導電性テープ ・導電性樹脂 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助第 ０（α） ８１図（（１）のＣ郭の広大図 躬 １ 図（ｂ） １上基板 ３導電・じ虹−１１°月旨 ６２図（θ）のＤ部の広大図 第 １（Ｃ） 第 図（σ） ３で蚤板 第２凹（α）のＡ−Ａｒ面抵八へ 築 ２ 図（ｂ） アフティブマトリックス型１！久尤ｆ艮Ｉの乎面ワ第
３ 図 （０） 第 図 （ｂ） １上基板 第３面（ｂ）のΔ部の広大面 第 図（Ｃ） Ｍ５Ｉ／＼°ネルの１東部分の不面面 躬 図 第４図（（２）の８−８′部の一面ｇ 第 図（ｂ）
Claims (4)
- （１）２枚の基板間に液晶が封入され少なくとも一方の
基板の内面には複数のスイッチング素子が形成されてい
るアクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法に
おいて、２枚の基板を貼り合わせ所定の形状に切断分離
する工程の直後から駆動用回路との接続を行うまでの間
の全部あるいは一部の工程中を、前記基板の行電極と列
電極の一部あるいは全部を電気的にショートさせた状態
で流動させることを特徴とするアクティブマトリックス
型電気光学装置の製造方法。 - （２）導電性テープを貼り付けることにより前記行電極
と前記列電極の一部あるいは全部を電気的にショートさ
せる請求項（１）記載のアクティブマトリックス型電気
光学装置の製造方法。 - （３）導電性樹脂を塗布することにより前記行電極およ
び前記列電極を各々電気的にショートさせる請求項（１
）記載のアクティブマトリックス型電気光学装置の製造
方法。 - （４）前記スイッチング素子はＳｉＮ＿ｘ、ＳｉＯ＿ｘ
、ＳｉＣ＿ｘ等の電気的に非線形な特性を持つ膜を使っ
て構成された非線形素子である請求項（１）記載のアク
ティブマトリックス型電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299189A JPH02251817A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | アクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299189A JPH02251817A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | アクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02251817A true JPH02251817A (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=13505381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7299189A Pending JPH02251817A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | アクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02251817A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5671029A (en) * | 1994-05-13 | 1997-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for manufacturing a display device and a method of manufacturing the display device |
| US8879040B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP7299189A patent/JPH02251817A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5671029A (en) * | 1994-05-13 | 1997-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus for manufacturing a display device and a method of manufacturing the display device |
| US8879040B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-11-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4386862B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| KR101182521B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US5235741A (en) | Electrical connection and method for making the same | |
| JPH03192333A (ja) | 液晶ディスプレイ装置 | |
| US5212573A (en) | Input protection circuit of electro-optical device | |
| JPS61230186A (ja) | 平坦な電気光学デイスプレイスクリーン用の非線形制御素子の組立て法及び同方法による平坦なスクリーン | |
| JPS61259229A (ja) | 平面型光電表示装置用の非線形制御エレメント及びその製造法 | |
| US5515191A (en) | Liquid crystal display having enhanced conductors and adhesive spacers | |
| JPH02251817A (ja) | アクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法 | |
| JPH1062735A (ja) | 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置 | |
| JPH03210589A (ja) | アクティブマトリクス型電気光学装置の端子接続方法 | |
| JPH028817A (ja) | 電気装置の製造方法 | |
| JPH03210531A (ja) | アクティブマトリックス型電気光学装置の製造方法 | |
| JP3323018B2 (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
| KR100187424B1 (ko) | 액정표시장치의 패널 절단방법 | |
| JP2001117112A (ja) | 液晶パネル及びその製造方法 | |
| JPH02259728A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH04194910A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JPH04324822A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| JPH08271914A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS635756B2 (ja) | ||
| JPH11337979A (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
| JP2539360B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0367246B2 (ja) | ||
| JPH1124091A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 |