JPH02252231A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
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- JPH02252231A JPH02252231A JP1075316A JP7531689A JPH02252231A JP H02252231 A JPH02252231 A JP H02252231A JP 1075316 A JP1075316 A JP 1075316A JP 7531689 A JP7531689 A JP 7531689A JP H02252231 A JPH02252231 A JP H02252231A
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- Japan
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- film
- resist
- electron beam
- pattern
- treating
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、荷電ビーム直接描画により、半導体基板上に
高精度微細加工用の任意レジストパターンを形成する微
細パターン形成方法に関するものである。
高精度微細加工用の任意レジストパターンを形成する微
細パターン形成方法に関するものである。
従来の技術
従来、ＩＣ及びＬＳＩ等の製造においては、紫外線を用
いたホトリソグラフィーによってパターン形成を行って
いる。近年、ＬＳＩ素子のパターン寸法の微細化、また
ＡＳＩＣの製造に伜い、電子ビーム直接描画技術を用い
るようになってきている。パターン形成に使用される電
子ビームレジストは一般に、耐ドライエツチ性が悪いた
め、また、電子ビームの基板からの反射による近接効果
によりパターンの解像性が悪くなるため、電子ビームリ
ソグラフィーにおいては多層レジスト法が使用されてい
る。第５図は、電子ビームリソグラフィーにおける多層
レジストプロセスを説明する図である。近接効果をおさ
えるために下層膜５１として高分子有機膜を２〜３μｍ
厚塗布し、中間層５２として５ｉ０２等の無機膜、ある
いはＳＯＧを０．２μｍ厚塗布し、上層に電子線レジス
ト５３を０．５μｍ厚塗布する（第５図（ａ））。
いたホトリソグラフィーによってパターン形成を行って
いる。近年、ＬＳＩ素子のパターン寸法の微細化、また
ＡＳＩＣの製造に伜い、電子ビーム直接描画技術を用い
るようになってきている。パターン形成に使用される電
子ビームレジストは一般に、耐ドライエツチ性が悪いた
め、また、電子ビームの基板からの反射による近接効果
によりパターンの解像性が悪くなるため、電子ビームリ
ソグラフィーにおいては多層レジスト法が使用されてい
る。第５図は、電子ビームリソグラフィーにおける多層
レジストプロセスを説明する図である。近接効果をおさ
えるために下層膜５１として高分子有機膜を２〜３μｍ
厚塗布し、中間層５２として５ｉ０２等の無機膜、ある
いはＳＯＧを０．２μｍ厚塗布し、上層に電子線レジス
ト５３を０．５μｍ厚塗布する（第５図（ａ））。
パターン描画後、現像し、レジストパターンを形成する
（第５図（ｂ））。次に、このレジストパターンをマス
クとして、中間層５２のドライエツチングを行い（第５
図（ｅ））、次に中間層をマスクとして下層膜５１のド
ライエツチングを行う（第５図（ｄ））。以上のような
多層レジストプロセスを用いることにより、微細なパタ
ーンを高アスペクト比で形成することができる。多層レ
ジスト法のうち、二層レジストは高分子有機膜上に、そ
れとミキシングをおこさない無機レジストまたはシリコ
ン含有レジストを塗布した構造をしており、また、三層
レジストは二層レジストの高分子有機膜とレジストとの
間に無機膜、主に５ｉ０２ 、または有機ポリシロキサ
ンＩＩＪＩ（ＳＯＧ）を形成した構造をしており、どち
らも基板からの電子の反射による近接効果を抑える働き
をしている。しかし、これらの多層レジストでは有機膜
が非常に厚いため、新たな問題点が生じて（る。それは
絶縁膜による電子のチャージアップ効果である。電子が
絶縁膜であるレジスト、有機膜、５ｉ０２中に蓄積して
くると、パターンのずれ、バッティングエラー、フィー
ルドのずれ等、パターンを正確に描画することができな
（なってしまう。
（第５図（ｂ））。次に、このレジストパターンをマス
クとして、中間層５２のドライエツチングを行い（第５
図（ｅ））、次に中間層をマスクとして下層膜５１のド
ライエツチングを行う（第５図（ｄ））。以上のような
多層レジストプロセスを用いることにより、微細なパタ
ーンを高アスペクト比で形成することができる。多層レ
ジスト法のうち、二層レジストは高分子有機膜上に、そ
れとミキシングをおこさない無機レジストまたはシリコ
ン含有レジストを塗布した構造をしており、また、三層
レジストは二層レジストの高分子有機膜とレジストとの
間に無機膜、主に５ｉ０２ 、または有機ポリシロキサ
ンＩＩＪＩ（ＳＯＧ）を形成した構造をしており、どち
らも基板からの電子の反射による近接効果を抑える働き
をしている。しかし、これらの多層レジストでは有機膜
が非常に厚いため、新たな問題点が生じて（る。それは
絶縁膜による電子のチャージアップ効果である。電子が
絶縁膜であるレジスト、有機膜、５ｉ０２中に蓄積して
くると、パターンのずれ、バッティングエラー、フィー
ルドのずれ等、パターンを正確に描画することができな
（なってしまう。
発明が解決しようとする課題
上記の様に、電子線リソグラフィーにおいては、電子線
レジストの耐ドライエツチ性の低さ、電子による近接効
果等の問題点があり、多層レジストにより解決を図ろう
としている。しかし、多層レジスト法を用いると、レジ
スト等の絶縁膜が厚いため、電子チャージアップ効果が
顕著にあられれてきてパターンの正確な描画が困難にな
ってくる。この多層レジストにおける問題点を解決する
ため、中間層に金属、特に導電率の高い金属薄膜を用い
ている。例えば、ＳＯＧ、５ｉ０２のかわりに、Ｓｉ、
Ｗ、Ａｅ等の金属薄膜を中間層として用いることにより
、チャージアップを防ぎ、正確なパターン描画を行うこ
とができる。しかし、レジストプロセスに金属を用いる
ため、コンタミネーションの問題がある。また、金属を
スパッタ蒸着しなければならないため、プロセスが複雑
、困難となり、パターン形成後の金属のエツチング、金
属の剥離等のプロセス上の問題点、描画においては、金
属薄膜があるため基板からの反射二次電子の減少により
位置合わせが困難になる等の問題点が生じる。
レジストの耐ドライエツチ性の低さ、電子による近接効
果等の問題点があり、多層レジストにより解決を図ろう
としている。しかし、多層レジスト法を用いると、レジ
スト等の絶縁膜が厚いため、電子チャージアップ効果が
顕著にあられれてきてパターンの正確な描画が困難にな
ってくる。この多層レジストにおける問題点を解決する
ため、中間層に金属、特に導電率の高い金属薄膜を用い
ている。例えば、ＳＯＧ、５ｉ０２のかわりに、Ｓｉ、
Ｗ、Ａｅ等の金属薄膜を中間層として用いることにより
、チャージアップを防ぎ、正確なパターン描画を行うこ
とができる。しかし、レジストプロセスに金属を用いる
ため、コンタミネーションの問題がある。また、金属を
スパッタ蒸着しなければならないため、プロセスが複雑
、困難となり、パターン形成後の金属のエツチング、金
属の剥離等のプロセス上の問題点、描画においては、金
属薄膜があるため基板からの反射二次電子の減少により
位置合わせが困難になる等の問題点が生じる。
また耐ドライエツチ性の高い単層レジストを用いて、電
子ビーム描画を行う場合でも、厚いレジスト中、または
、基板の絶縁膜中に電子が蓄禎されて、チャージアップ
がおこり、パターンのずれ、つなぎ合わせずれ、アライ
メントずれ等、パターンを正確に描画することができな
くなってしまう。そのため、レジスト膜上にＡｅ等の金
属薄膜を形成して、チャージアップを防いでいる。第６
図は、電子ビームリソグラフィーにおける単層レジスト
プロセスを説明する図である。半導体基板１上に耐ドラ
イエツチ性の高い電子ビームレジストロ１を１．５μｍ
厚塗布し熱処理した後、チャージアップを防止するため
にアルミ薄膜６２を１００Ａ蒸着する（第６図（ａ））
。描画後、アルカリ水溶液でアルミ層６２を除去しく第
６図（ｂ））、その後現像する（第６図（Ｃ））。以上
のようなプロセスを用いることにより、チャージアップ
によるパターンずれの生じない、正確なレジストパター
ンを形成することができる。しかし、金属をスパッタ蒸
着しなければならないため、プロセスが困難、複雑とな
り、また、金属によるコンタミネーション等の問題が生
じ、実用的でない。
子ビーム描画を行う場合でも、厚いレジスト中、または
、基板の絶縁膜中に電子が蓄禎されて、チャージアップ
がおこり、パターンのずれ、つなぎ合わせずれ、アライ
メントずれ等、パターンを正確に描画することができな
くなってしまう。そのため、レジスト膜上にＡｅ等の金
属薄膜を形成して、チャージアップを防いでいる。第６
図は、電子ビームリソグラフィーにおける単層レジスト
プロセスを説明する図である。半導体基板１上に耐ドラ
イエツチ性の高い電子ビームレジストロ１を１．５μｍ
厚塗布し熱処理した後、チャージアップを防止するため
にアルミ薄膜６２を１００Ａ蒸着する（第６図（ａ））
。描画後、アルカリ水溶液でアルミ層６２を除去しく第
６図（ｂ））、その後現像する（第６図（Ｃ））。以上
のようなプロセスを用いることにより、チャージアップ
によるパターンずれの生じない、正確なレジストパター
ンを形成することができる。しかし、金属をスパッタ蒸
着しなければならないため、プロセスが困難、複雑とな
り、また、金属によるコンタミネーション等の問題が生
じ、実用的でない。
本発明者らは、これらの課題を解決するために、金属薄
膜を用いずに、膜表面全面に電子ビーム照射を行い、描
画時のチャージアップを防止する微細パターン形成方法
を完成した。
膜を用いずに、膜表面全面に電子ビーム照射を行い、描
画時のチャージアップを防止する微細パターン形成方法
を完成した。
課題を解決するための手段
すなわち、本発明は、多層レジスト法を用いて電子ビー
ム直接描画を行う前に、下層である高分子有機膜に低加
速度電子ビーム照射を行う、または、中間層である無機
高分子膜に低加速度電子ビーム照射を行うことによって
、導電率を上げて電子ビーム露光を行い、電子によるチ
ャージアップをな（し、正確な微細パターンを形成する
ことができる方法である。
ム直接描画を行う前に、下層である高分子有機膜に低加
速度電子ビーム照射を行う、または、中間層である無機
高分子膜に低加速度電子ビーム照射を行うことによって
、導電率を上げて電子ビーム露光を行い、電子によるチ
ャージアップをな（し、正確な微細パターンを形成する
ことができる方法である。
また、単層レジストを用いて、電子ビーム描画を行う前
に、レジスト膜全面に低加速度電子ビームを照射するこ
とによって、レジスト表面の導電率を上げることができ
、描画時のチャージアップを防止し、正確な微細パター
ンを形成することができる。
に、レジスト膜全面に低加速度電子ビームを照射するこ
とによって、レジスト表面の導電率を上げることができ
、描画時のチャージアップを防止し、正確な微細パター
ンを形成することができる。
高分子膜に低加速度で高ドーズ量の電子ビームを照射す
ることによって、高分子膜表面の導電率を上げることが
できる。加速電圧２ＫＶ、２０００μｃ ／ ｃｄの照
射を行うことによって、高分子膜表面のシート抵抗をＩ
Ｘ １０８Ω／口以下にすることができる。この高分
子膜を用いることによって、電子ビーム描画時の入射電
子は、導電率の高い膜を伝わっていくので、電子のチャ
ージアップはなくなり、正確な微細パターンを形成する
ことができる。
ることによって、高分子膜表面の導電率を上げることが
できる。加速電圧２ＫＶ、２０００μｃ ／ ｃｄの照
射を行うことによって、高分子膜表面のシート抵抗をＩ
Ｘ １０８Ω／口以下にすることができる。この高分
子膜を用いることによって、電子ビーム描画時の入射電
子は、導電率の高い膜を伝わっていくので、電子のチャ
ージアップはなくなり、正確な微細パターンを形成する
ことができる。
作用
本発明は前述したプロセスにより、膜表面の導電率を上
げ、容易にチャージアップのおこらない正確な微細パタ
ーンを形成することができる。特に、電子ビーム照射は
大気中で行うことができるので、インライン化を可能と
し、また、金属層を蒸着する必要がなく、コンタミネー
ションの問題もなく、工程を簡略化することができ、電
子によるチャージアップを防止して、正確な微細パター
ンを形成することができる。従って、本発明を用いるこ
とによって、電子ビーム直接描画を行う時、正確な高解
像度な微細パターン形成に有効に作用する。
げ、容易にチャージアップのおこらない正確な微細パタ
ーンを形成することができる。特に、電子ビーム照射は
大気中で行うことができるので、インライン化を可能と
し、また、金属層を蒸着する必要がなく、コンタミネー
ションの問題もなく、工程を簡略化することができ、電
子によるチャージアップを防止して、正確な微細パター
ンを形成することができる。従って、本発明を用いるこ
とによって、電子ビーム直接描画を行う時、正確な高解
像度な微細パターン形成に有効に作用する。
実施例
本発明の一実施例を第１図に示す。半導体基板１（表面
に絶縁膜、導体膜等が形成されているこきが多い）上に
下層膜１１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し、２５
０℃、３０分間オーブンベーキングを行う。この上から
加速電圧２ＫＶ、照射量１０００μｃ ／ ｃｒｄで電
子ビーム１２を全面−括照射した（第１図（ａ））。次
に中間層１３としてＳＧＯを、さらに電子線レジスト１
４としてＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）を、
それぞれ０．２μｍ厚、０．５μｍ厚スピンコードし、
加速電圧２０ Ｋ Ｖ 、 ドーズ量１００μｃ／ｃ−
で電子線露光を行った（第１図（ｂ））。電子ビーム照
射された高分子有機膜は表面から約０．４μｍ程度変質
し、導電率が高（なっている。従って、Ｍ Ｉ Ｂ Ｋ
（メチルイソブヂルケトン）とＩＰＡ（イソプロピル
アルコール）の混合液で２分間現像を行ったところ、正
確な微細パターンがあられれた（第１図（Ｃ））。この
レジストパターン１４Ｐをマスクとして、中間層ＳＯＧ
と、下層膜の高分子有機膜をエツチングして、垂直形状
の高アスペクト比の０．２５μｍラインアンドスペース
の超微細パターンを形成することができた（第１図ω）
）。なお、中間層１３は下層膜１１のエツチングマスク
となるものであれば、他の絶縁膜でもよいが、エツチン
グ選択比をとる意味でシリコンを含む有機膜が望ましい
。
に絶縁膜、導体膜等が形成されているこきが多い）上に
下層膜１１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し、２５
０℃、３０分間オーブンベーキングを行う。この上から
加速電圧２ＫＶ、照射量１０００μｃ ／ ｃｒｄで電
子ビーム１２を全面−括照射した（第１図（ａ））。次
に中間層１３としてＳＧＯを、さらに電子線レジスト１
４としてＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）を、
それぞれ０．２μｍ厚、０．５μｍ厚スピンコードし、
加速電圧２０ Ｋ Ｖ 、 ドーズ量１００μｃ／ｃ−
で電子線露光を行った（第１図（ｂ））。電子ビーム照
射された高分子有機膜は表面から約０．４μｍ程度変質
し、導電率が高（なっている。従って、Ｍ Ｉ Ｂ Ｋ
（メチルイソブヂルケトン）とＩＰＡ（イソプロピル
アルコール）の混合液で２分間現像を行ったところ、正
確な微細パターンがあられれた（第１図（Ｃ））。この
レジストパターン１４Ｐをマスクとして、中間層ＳＯＧ
と、下層膜の高分子有機膜をエツチングして、垂直形状
の高アスペクト比の０．２５μｍラインアンドスペース
の超微細パターンを形成することができた（第１図ω）
）。なお、中間層１３は下層膜１１のエツチングマスク
となるものであれば、他の絶縁膜でもよいが、エツチン
グ選択比をとる意味でシリコンを含む有機膜が望ましい
。
以上のように、本実施例によれば、下層高分子有機膜に
低加速度電子ビーム照射した三層レジストを用いて電子
線直接描画を行うと、チャージアップを防止することが
でき、正確な微細パターンを形成することができる。
低加速度電子ビーム照射した三層レジストを用いて電子
線直接描画を行うと、チャージアップを防止することが
でき、正確な微細パターンを形成することができる。
次に本発明の第２の実施例を第２図に示す。半導体基板
１上に下層膜２１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し
、２５０℃で３０分間熱処理し、この上に中間層２２と
してＳＯＧを０．２μｍμｍビスピンコード２２０℃で
２０分間熱処理する。この上から、加速電圧ＩＫＶ照射
量１０００μｃ ／ ｃ−で電子ビーム２３を全面−括
照射したく第２図（ａ））。次に、上層電子線レジスト
２４としてＰＭＭＡレジストを０．５μｍμｍビスピン
コード２００℃、２０分間ベーキングした後、加速電圧
２０ＫＶ、 ドーズ量１００ ｔｔ ｃ ／ ｃｏｒ
で電子線露光を行った（第２図（ｂ））。電子ビーム照
射された中間層ＳＧＯは、表面から約０．１５μｍ程度
変質し、導電率が高くなっている。従って、ＭＩＢＫと
ＩＰＡの混合液で２分間現像を行ったところ、チャージ
アップによるパターンずれのおこっていない正確な微細
パターンがあられれた（第２図（Ｃ））。このレジスト
パターン２４Ｐをマスクとして中間層ＳＯＧと、下層膜
の高分子有機膜をエツチングして、垂直形状の高アスペ
クト比の０．２５μｍラインアンドスペースの超微細パ
ターンを形成することができたく第２図（ｄ））。なお
、中間層２２は下層膜２１のエツチングマスクとなるも
のであれば、他の絶縁膜でもよいが、エツチング選択比
をとる意味で、シリコンを含む有機膜が望ましい。
１上に下層膜２１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し
、２５０℃で３０分間熱処理し、この上に中間層２２と
してＳＯＧを０．２μｍμｍビスピンコード２２０℃で
２０分間熱処理する。この上から、加速電圧ＩＫＶ照射
量１０００μｃ ／ ｃ−で電子ビーム２３を全面−括
照射したく第２図（ａ））。次に、上層電子線レジスト
２４としてＰＭＭＡレジストを０．５μｍμｍビスピン
コード２００℃、２０分間ベーキングした後、加速電圧
２０ＫＶ、 ドーズ量１００ ｔｔ ｃ ／ ｃｏｒ
で電子線露光を行った（第２図（ｂ））。電子ビーム照
射された中間層ＳＧＯは、表面から約０．１５μｍ程度
変質し、導電率が高くなっている。従って、ＭＩＢＫと
ＩＰＡの混合液で２分間現像を行ったところ、チャージ
アップによるパターンずれのおこっていない正確な微細
パターンがあられれた（第２図（Ｃ））。このレジスト
パターン２４Ｐをマスクとして中間層ＳＯＧと、下層膜
の高分子有機膜をエツチングして、垂直形状の高アスペ
クト比の０．２５μｍラインアンドスペースの超微細パ
ターンを形成することができたく第２図（ｄ））。なお
、中間層２２は下層膜２１のエツチングマスクとなるも
のであれば、他の絶縁膜でもよいが、エツチング選択比
をとる意味で、シリコンを含む有機膜が望ましい。
以上のように、本実施例によれば、中間層膜に低加速度
電子ビーム照射をした三層レジストを用いて電子線直接
描画を行うと、従来発生していたチャージアップを防止
することができ、正確な１ａ細パターンを形成すること
ができる。
電子ビーム照射をした三層レジストを用いて電子線直接
描画を行うと、従来発生していたチャージアップを防止
することができ、正確な１ａ細パターンを形成すること
ができる。
次に本発明の第３の実施例を第３図に示す。半導体基板
１上に下層膜３１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し
、２５０℃で３０分間ベーキングを行う。この上から加
速電圧３ Ｋ Ｖ 、照射量１０００μｃ ／ ｃｄで
電子ビーム３２を全面−括照射した（第３図（ａ））。
１上に下層膜３１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し
、２５０℃で３０分間ベーキングを行う。この上から加
速電圧３ Ｋ Ｖ 、照射量１０００μｃ ／ ｃｄで
電子ビーム３２を全面−括照射した（第３図（ａ））。
次に、上層電子線レジスト３３としてシリコン含有レジ
ストを０．３μｍ厚塗布し、１００℃で２分間ホットプ
レートベーキングした後、加速電圧２０ＫＶ、 ドーズ
量１０μｃ ／ ｃｏｒで電子線露光を行った（第３図
（ｂ））。電子ビーム照射された高分子有機膜は、表面
から約０．５μｍ程度、変質し導電率が高くなっている
。従って専用現像液で６０秒間現像を行ったところ、正
確な微細パターンがあられれたく第３図（Ｃ））。この
レジストパターン３３Ｐをマス１りとして、下層高分子
有機膜をエツチングして、垂直形状の高アスペクト比の
０，２５μｍラインアンドスペースの超微細パターンを
形成することができた（第３図（ｄ））。
ストを０．３μｍ厚塗布し、１００℃で２分間ホットプ
レートベーキングした後、加速電圧２０ＫＶ、 ドーズ
量１０μｃ ／ ｃｏｒで電子線露光を行った（第３図
（ｂ））。電子ビーム照射された高分子有機膜は、表面
から約０．５μｍ程度、変質し導電率が高くなっている
。従って専用現像液で６０秒間現像を行ったところ、正
確な微細パターンがあられれたく第３図（Ｃ））。この
レジストパターン３３Ｐをマス１りとして、下層高分子
有機膜をエツチングして、垂直形状の高アスペクト比の
０，２５μｍラインアンドスペースの超微細パターンを
形成することができた（第３図（ｄ））。
以上のように、本実施例によれば、二層レジストの下層
膜に電子ビーム照射を行うことによって、電子線直接描
画時のチャージアップを防止することができ、正確な微
細パターンを形成することができる。
膜に電子ビーム照射を行うことによって、電子線直接描
画時のチャージアップを防止することができ、正確な微
細パターンを形成することができる。
次に本発明の第４の実施例を第４図に示す。半導体基板
１上に電子線レジスト４１としてＡＺ１４００を１ ；
５ ｕ ｍ厚塗布し、１００℃、２分間ホットプレー
トベーキングを行った。この上から加速電圧２ Ｋ Ｖ
、照射量１０００μｃ／ｃＩ＋１で電子ビーム４２を
全面−括照射した（第４図（ａ））。
１上に電子線レジスト４１としてＡＺ１４００を１ ；
５ ｕ ｍ厚塗布し、１００℃、２分間ホットプレー
トベーキングを行った。この上から加速電圧２ Ｋ Ｖ
、照射量１０００μｃ／ｃＩ＋１で電子ビーム４２を
全面−括照射した（第４図（ａ））。
次に、加速電圧２０ Ｋ Ｖ 、 ドーズ量２０ ｔ
ｔ ｃ ／ ｃａで電子線露光を行った（第４図（ｂ）
）、電子ビーム照射されたレジストは、表面から約０．
２μｍ程度変質し、導電率が高くなっている。次に、レ
ジストの表面の変質層０．２μｍをドライエツチングで
除去した後、有機アルカリ水溶液で現像を行ったところ
、チャージアップによるパターンずれのない、正確な微
細レジストパターンを形成することができた（第４図（
Ｃ））。
ｔ ｃ ／ ｃａで電子線露光を行った（第４図（ｂ）
）、電子ビーム照射されたレジストは、表面から約０．
２μｍ程度変質し、導電率が高くなっている。次に、レ
ジストの表面の変質層０．２μｍをドライエツチングで
除去した後、有機アルカリ水溶液で現像を行ったところ
、チャージアップによるパターンずれのない、正確な微
細レジストパターンを形成することができた（第４図（
Ｃ））。
以上のように、本実施例によれば、単層レジストで電子
線直接描画を行う時、レジストの表面に低加速度電子ビ
ーム照射を行うことによってレジスト表面の導電率を上
げ、描画時のチャージアップを防止することができ、正
確な微細レジストパターンを形成することができる。
線直接描画を行う時、レジストの表面に低加速度電子ビ
ーム照射を行うことによってレジスト表面の導電率を上
げ、描画時のチャージアップを防止することができ、正
確な微細レジストパターンを形成することができる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、多層レジストの下
層膜として用いられる高分子有機膜、または、多層レジ
ストの中間層として用いられる無機高分子膜、またはレ
ジストに低加速度電子ビーム照射を行うことによって、
電子線直接描画時におこるチャージアップによる、パタ
ーンのずれ、つなぎ合わせずれ、アライメントずれ等を
防止することができ、正確な微細パターンを形成するこ
とができ、超高密度築債回路の製造に大きく寄与するこ
七ができる。
層膜として用いられる高分子有機膜、または、多層レジ
ストの中間層として用いられる無機高分子膜、またはレ
ジストに低加速度電子ビーム照射を行うことによって、
電子線直接描画時におこるチャージアップによる、パタ
ーンのずれ、つなぎ合わせずれ、アライメントずれ等を
防止することができ、正確な微細パターンを形成するこ
とができ、超高密度築債回路の製造に大きく寄与するこ
七ができる。
第１図は本発明における第１の実施例の工程断面図、第
２図は同第２の実施例の工程断面図、第３図は同第３の
実施例の工程断面図、第４図は同第４の実施例の工程断
面図、第５図は従来の多層レジスト法の工程断面図、第
６図は従来の単層レジスト法の工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、１１．２１・・・・・・下
層膜、１３．２２・・・・・・中間層、１２．２３・・
・・・・電子ビーム、１４．２４・・・・・・電子線レ
ジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 １−−一γ１１：イ】ト、コシ；３；る〔、−ｖｌ暉 ＋２−ｔ＋ビーム １Ｊ−仲間Ｉ り＋−一−ｆ與気艷乙・ン゛スに ＋４Ｐ−ルじスＹハ′ダーツ ２４Ｐ・−レジスにハ１９−ソ 第 図 １’ｐ３４ ３ｆ−・−下４月莫 ３３−’ｌｌ）轢しジｌト 阿−・ｔｌ−、！ ３３ｐ−−レリストノでターン ！１ 下層モ奏 ５３Ｐ−−−レジ又Ｙハ′タ−ノ 第 図 ４ｆｌｌｌ−−−１，じスジ、へ″ターン６３− 室）
鳥覧 ｔｐ しじスＬバ夕 ン
２図は同第２の実施例の工程断面図、第３図は同第３の
実施例の工程断面図、第４図は同第４の実施例の工程断
面図、第５図は従来の多層レジスト法の工程断面図、第
６図は従来の単層レジスト法の工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、１１．２１・・・・・・下
層膜、１３．２２・・・・・・中間層、１２．２３・・
・・・・電子ビーム、１４．２４・・・・・・電子線レ
ジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 １−−一γ１１：イ】ト、コシ；３；る〔、−ｖｌ暉 ＋２−ｔ＋ビーム １Ｊ−仲間Ｉ り＋−一−ｆ與気艷乙・ン゛スに ＋４Ｐ−ルじスＹハ′ダーツ ２４Ｐ・−レジスにハ１９−ソ 第 図 １’ｐ３４ ３ｆ−・−下４月莫 ３３−’ｌｌ）轢しジｌト 阿−・ｔｌ−、！ ３３ｐ−−レリストノでターン ！１ 下層モ奏 ５３Ｐ−−−レジ又Ｙハ′タ−ノ 第 図 ４ｆｌｌｌ−−−１，じスジ、へ″ターン６３− 室）
鳥覧 ｔｐ しじスＬバ夕 ン
Claims (4)
- （１）半導体基板上に高分子有機膜を塗布し熱処理した
後、電子ビームを一括照射する工程と、上記高分子有機
膜上に無機絶縁膜を形成し熱処理する工程と、上記無機
絶縁膜上に荷電ビーム用レジスト膜を塗布し熱処理する
工程と、上記レジスト膜にパターンを描画し現像する工
程と、上記レジストパターンをマスクとして上記無機絶
縁膜をエッチングする工程と、上記無機絶縁膜パターン
をマスクとして上記高分子有機膜をエッチングする工程
とを備えて成ることを特徴とする微細パターン形成方法
。 - （２）半導体基板上に高分子有機膜を塗布し熱処理する
工程と、上記高分子有機膜上に無機絶縁膜を塗布し熱処
理した後、電子ビームを一括照射する工程と、上記無機
絶縁膜上に荷電ビーム用レジスト膜を塗布し熱処理する
工程と、上記レジスト膜にパターンを描画し現像する工
程と、上記レジストパターンをマスクとして上記無機絶
縁膜をエッチングする工程と、上記無機絶縁膜パターン
をマスクとして上記高分子有機膜をエッチングする工程
とを備えて成ることを特徴とする微細パターン形成方法
。 - （３）半導体基板上に高分子有機膜を塗布し熱処理した
後、電子ビームを一括照射する工程と、上記高分子有機
膜上に無機レジスト膜を塗布し熱処理する工程と、上記
レジスト膜にパターンを描画し現像する工程と、上記レ
ジストパターンをマスクとして上記高分子有機膜をエッ
チングする工程とを備えて成ることを特徴とする微細パ
ターン形成方法。 - （４）半導体基板上に荷電ビーム用レジスト膜を塗布し
熱処理する工程と、上記レジスト膜全面に低加速度電子
ビームを一括照射する工程と、上記レジスト膜にパター
ンを描画し現像する工程とを備えて成ることを特徴とす
る微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075316A JPH02252231A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075316A JPH02252231A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 微細パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252231A true JPH02252231A (ja) | 1990-10-11 |
Family
ID=13572732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075316A Pending JPH02252231A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02252231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020018280A (ko) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | 윤종용 | 이중노광을 이용한 포토마스크의 전자빔 노광방법 및 이를이용한 포토마스크 제조방법 |
| JP2007335450A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2017086196A1 (ja) * | 2015-11-18 | 2017-05-26 | Hoya株式会社 | レジスト層付きマスクブランク、レジスト層付きマスクブランクの製造方法、及び、転写用マスクの製造方法 |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP1075316A patent/JPH02252231A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020018280A (ko) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | 윤종용 | 이중노광을 이용한 포토마스크의 전자빔 노광방법 및 이를이용한 포토마스크 제조방법 |
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| JP2017097021A (ja) * | 2015-11-18 | 2017-06-01 | Hoya株式会社 | レジスト層付きマスクブランク、レジスト層付きマスクブランクの製造方法、及び、転写用マスクの製造方法 |
| KR20180083893A (ko) * | 2015-11-18 | 2018-07-23 | 호야 가부시키가이샤 | 레지스트층을 구비한 마스크 블랭크, 레지스트층을 구비한 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사용 마스크의 제조 방법 |
| US10712652B2 (en) | 2015-11-18 | 2020-07-14 | Hoya Corporation | Mask blank having a resist layer, method for manufacturing mask blank having resist layer, and method for manufacturing transfer mask |
| TWI710849B (zh) * | 2015-11-18 | 2020-11-21 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 附抗蝕層之遮罩基底、附抗蝕層之遮罩基底之製造方法及轉印用遮罩之製造方法 |
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