JPH0429311A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
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- JPH0429311A JPH0429311A JP2135060A JP13506090A JPH0429311A JP H0429311 A JPH0429311 A JP H0429311A JP 2135060 A JP2135060 A JP 2135060A JP 13506090 A JP13506090 A JP 13506090A JP H0429311 A JPH0429311 A JP H0429311A
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- resist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（表 半導体素子や集積回路を荷電ビームを用い
てパターン形成して製作する際に使用する微細パターン
形成方法に関するものである。
てパターン形成して製作する際に使用する微細パターン
形成方法に関するものである。
従来の技術
従来 ＩＣ及びＬＳＩ等の製造において（表 紫外線を
用いたホトリソグラフィーによってパターン形成を行な
っている。素子の微細化に伴なし＼ステッパーレンズの
高ＮＡ化 短波長光源の使用等がすすめられている力叉
それによって焦点深度が浅くなるという欠点がある。
用いたホトリソグラフィーによってパターン形成を行な
っている。素子の微細化に伴なし＼ステッパーレンズの
高ＮＡ化 短波長光源の使用等がすすめられている力叉
それによって焦点深度が浅くなるという欠点がある。
ま、？、ＬＳＩ素子のパターン寸法の微細（ＬＡＳＩＣ
の製造等にともなｔ、Ｘ、電子ビームリソグラフィーが
用いられるようになってきていも この電子ビームリソ
グラフィーはＬＳＩ素子に必要なミクロン及びサブミロ
クンの幾何学形状を形成するのに最も有望な方法の一つ
である。しかしなが収 電子ビームリソグラフィーの重
大な問題の一つは放射線感応有機レジスト薄膜中の電子
の後方散乱効果であム これによって、解像力及び線幅
の制御に実際上の制限が生じも 制限は又 近接効果及
び基板の凹凸を反映したレジストの厚さの変動によって
も生じも また 電子ビームリソグラフィーにおいて（
よ電子ビームレジストの耐ドライエツチ性の悪ま前記で
述べた電子の前方散乱 後方散乱のための近接効果によ
るパターン精度への影像 また 入射電子のチャージア
ップによるパターン描画への影響等の欠点があム これ
らの欠点をおぎなうため＆ミ レジストの働きを感光層
と平坦化層とにわけた多層レジスト法は非常に有効な方
法である。
の製造等にともなｔ、Ｘ、電子ビームリソグラフィーが
用いられるようになってきていも この電子ビームリソ
グラフィーはＬＳＩ素子に必要なミクロン及びサブミロ
クンの幾何学形状を形成するのに最も有望な方法の一つ
である。しかしなが収 電子ビームリソグラフィーの重
大な問題の一つは放射線感応有機レジスト薄膜中の電子
の後方散乱効果であム これによって、解像力及び線幅
の制御に実際上の制限が生じも 制限は又 近接効果及
び基板の凹凸を反映したレジストの厚さの変動によって
も生じも また 電子ビームリソグラフィーにおいて（
よ電子ビームレジストの耐ドライエツチ性の悪ま前記で
述べた電子の前方散乱 後方散乱のための近接効果によ
るパターン精度への影像 また 入射電子のチャージア
ップによるパターン描画への影響等の欠点があム これ
らの欠点をおぎなうため＆ミ レジストの働きを感光層
と平坦化層とにわけた多層レジスト法は非常に有効な方
法である。
第３図は電子ビームリソグラフィーにおける多層レジス
トプロセスを説明する図である。近接効果をおさえるた
めに下層膜６１として有機膜を２〜３μｍ厚塗布し 中
間層６２としてＳｉｎｇ等の無機膜あるいはＳＯＧ （
スピンオン グラス）等の無機高分子膜を０．２μｍ厚
塗布し上層に電子線レジスト６３を０．５μｍ厚塗布し
その上に チャージアップを防止するためにアルミニ
ウム薄膜を約１００人蒸着する（第３図（ａ））。荷電
ビームを用いてパターン描画後 アルカリ水溶液でアル
ミ層を除去し その徴 現像しレジストパターンを得る
（第３図（ｂ））。
トプロセスを説明する図である。近接効果をおさえるた
めに下層膜６１として有機膜を２〜３μｍ厚塗布し 中
間層６２としてＳｉｎｇ等の無機膜あるいはＳＯＧ （
スピンオン グラス）等の無機高分子膜を０．２μｍ厚
塗布し上層に電子線レジスト６３を０．５μｍ厚塗布し
その上に チャージアップを防止するためにアルミニ
ウム薄膜を約１００人蒸着する（第３図（ａ））。荷電
ビームを用いてパターン描画後 アルカリ水溶液でアル
ミ層を除去し その徴 現像しレジストパターンを得る
（第３図（ｂ））。
次に このレジストパターンをマスクとして中間層のド
ライエツチングを行い（第３図（Ｃ））。次に中間層を
マスクとして下層のドライエツチングを行う （第３図
（ｄ））。以上のような多層レジストプロセスを用いる
ことによって、微細なパターンを高アスペクト比で形成
することができる。しかＬアルミ層を蒸着する多層レジ
ストで（戴 工程がより複雑となり、また パターン転
写時の寸法シフトが大きくなる等の問題があり、実用的
であるとはいえなｔ、％ 発明が解決しようとする課題 上記のよう番ミ 多層レジストプロセスは有効な方法
である力（複雑な工程 パターン転写時のレジスト寸法
の変動等の問題点がある。電子ビーム露光の場合、入射
電子の散乱による近接効果のパターン精度への影響が大
きいので、厚い下層膜を塗布する必要かあも しかり、
、２〜３μｍの厚さでは 完全に近接効果を抑えること
はできず、またこれ以上の厚さの下層膜を塗布すると、
パターン転写時の寸法シフトが非常に大きくなったり、
プロセス的に困難であも 特＆−重金属膜の形成された
半導体基板上にレジストパターンを形成する場合、入射
電子は重金属膜により、大きく後方散乱をおこし 近接
効果が上り一層影響するたヘパターンの劣化がはげしく
な４ 下層膜を２〜３μｍの厚さ形成してＬ 電子の有
機膜中での飛程は５μｍ以上あるた数 重金属膜に達し
そこで後方散乱をおこし 再び上層レジストに達すも
この下層膜を厚くすることｉｔ パターン転写時の
寸法シフトが大きくなったりするため現実的でな（ｔこ
の重金属膜は一般にタングステン、タングステンシリサ
イド、タンタル、タンタルオキサイド等の原子番号の大
きなものであり、この膜に電子が衝突すると電子の散乱
が非常に大きくなる。本発明者ら（よ これらの問題を
解決することを目的とするもので、重金属膜上での簡便
な微細パターン形成方法を完成した 課題を解決するための手段 本発明の微細パターン形成方法は以下の手段を用いる。
ライエツチングを行い（第３図（Ｃ））。次に中間層を
マスクとして下層のドライエツチングを行う （第３図
（ｄ））。以上のような多層レジストプロセスを用いる
ことによって、微細なパターンを高アスペクト比で形成
することができる。しかＬアルミ層を蒸着する多層レジ
ストで（戴 工程がより複雑となり、また パターン転
写時の寸法シフトが大きくなる等の問題があり、実用的
であるとはいえなｔ、％ 発明が解決しようとする課題 上記のよう番ミ 多層レジストプロセスは有効な方法
である力（複雑な工程 パターン転写時のレジスト寸法
の変動等の問題点がある。電子ビーム露光の場合、入射
電子の散乱による近接効果のパターン精度への影響が大
きいので、厚い下層膜を塗布する必要かあも しかり、
、２〜３μｍの厚さでは 完全に近接効果を抑えること
はできず、またこれ以上の厚さの下層膜を塗布すると、
パターン転写時の寸法シフトが非常に大きくなったり、
プロセス的に困難であも 特＆−重金属膜の形成された
半導体基板上にレジストパターンを形成する場合、入射
電子は重金属膜により、大きく後方散乱をおこし 近接
効果が上り一層影響するたヘパターンの劣化がはげしく
な４ 下層膜を２〜３μｍの厚さ形成してＬ 電子の有
機膜中での飛程は５μｍ以上あるた数 重金属膜に達し
そこで後方散乱をおこし 再び上層レジストに達すも
この下層膜を厚くすることｉｔ パターン転写時の
寸法シフトが大きくなったりするため現実的でな（ｔこ
の重金属膜は一般にタングステン、タングステンシリサ
イド、タンタル、タンタルオキサイド等の原子番号の大
きなものであり、この膜に電子が衝突すると電子の散乱
が非常に大きくなる。本発明者ら（よ これらの問題を
解決することを目的とするもので、重金属膜上での簡便
な微細パターン形成方法を完成した 課題を解決するための手段 本発明の微細パターン形成方法は以下の手段を用いる。
すなわ板 半導体基板上に形成された重金属膜上に 高
分子有機膜を塗布し熱処理する工程と、上記有機膜上に
無機膜を形成する工程と、上記無機膜上に電子線レジス
トを塗布し熱処理する工程と、上記電子線レジストに荷
電ビームを用いてパターン描画を行１．ｋ 現像する
ことによってレジストパターンを形成する工程と、上記
レジストパターンをマスクとして、上記無機膜および高
分子有機膜をエツチングする工程において、半導体基板
上に形成された重金属膜と、高分子有機膜との間に酸化
膜を形成し 上層電子線レジストにパターンを描画し
レジストパターンを形成するものであａ 半導体基板上
に形成された重金属膜として（よ バリアメタルとして
用いられるタングステン、タングステンシリサイド、ま
たは高誘電体膜として用いられるタンタノｋ タンタル
オキサイド等の膜である。そして、望ましくζよ 半導
体基板上に形成された重金属膜と、高分子有機膜との間
に形成された酸化膜として、５ｉｎｓを用し＼ その膜
厚０．３μｍ以上とすることであることであム作用 本発明は前記したレジストプロセスにより、重金属膜上
で、容易に近接効果によるパターン劣化の少なし＼ 正
確な微細パターンを形成することができる。半導体基板
上に形成された重金属膜上に酸化膜を０．３μｍ以上形
成して三層レジストによりパターン形成を行うことによ
って、酸化膜が電子の散乱防止膜として作用し 重金属
膜に電子が達しないようにすることができる。酸化膜中
での電子の飛程は有機膜中での１７５以下であり、電子
の飛程は比較的小さＬｙ すなわ敷 重金属膜上に酸
化膜をもうけることにより、重金属膜に達する電子を少
なくし 酸化膜を電子の散乱防止膜として使用でき、近
接効果を抑えて、高プロセスマージンで、正確で微細な
レジストパターンを形成することができも 従って、本
発明を用いることによって、正確で高解像度な微細パタ
ーン形成に有効に作用すも 実施例 ます 本発明の概要を述べａ 本発明ζよ 半導体基板
上に形成された重金属膜上く 荷電ビームを用いて、パ
ターンを形成する際において、重金属膜上に酸化膜を望
ましくは０．３μｍ以上形成することによって、電子ビ
ーム描画における近接効果によるパターン劣（ｔ、
上記のような問題点を解消しようというものである。電
子ビーム描画における入射電子はレジスト中を散乱し
基板に達し基板からの後方散乱が再びレジスト中に達す
ム従って、集積されたパターンにおいてζよ 近接した
パターンからの電子の散乱によって、所望のパターンが
得られな１．Ｘ、近接効果の問題が発生する。
分子有機膜を塗布し熱処理する工程と、上記有機膜上に
無機膜を形成する工程と、上記無機膜上に電子線レジス
トを塗布し熱処理する工程と、上記電子線レジストに荷
電ビームを用いてパターン描画を行１．ｋ 現像する
ことによってレジストパターンを形成する工程と、上記
レジストパターンをマスクとして、上記無機膜および高
分子有機膜をエツチングする工程において、半導体基板
上に形成された重金属膜と、高分子有機膜との間に酸化
膜を形成し 上層電子線レジストにパターンを描画し
レジストパターンを形成するものであａ 半導体基板上
に形成された重金属膜として（よ バリアメタルとして
用いられるタングステン、タングステンシリサイド、ま
たは高誘電体膜として用いられるタンタノｋ タンタル
オキサイド等の膜である。そして、望ましくζよ 半導
体基板上に形成された重金属膜と、高分子有機膜との間
に形成された酸化膜として、５ｉｎｓを用し＼ その膜
厚０．３μｍ以上とすることであることであム作用 本発明は前記したレジストプロセスにより、重金属膜上
で、容易に近接効果によるパターン劣化の少なし＼ 正
確な微細パターンを形成することができる。半導体基板
上に形成された重金属膜上に酸化膜を０．３μｍ以上形
成して三層レジストによりパターン形成を行うことによ
って、酸化膜が電子の散乱防止膜として作用し 重金属
膜に電子が達しないようにすることができる。酸化膜中
での電子の飛程は有機膜中での１７５以下であり、電子
の飛程は比較的小さＬｙ すなわ敷 重金属膜上に酸
化膜をもうけることにより、重金属膜に達する電子を少
なくし 酸化膜を電子の散乱防止膜として使用でき、近
接効果を抑えて、高プロセスマージンで、正確で微細な
レジストパターンを形成することができも 従って、本
発明を用いることによって、正確で高解像度な微細パタ
ーン形成に有効に作用すも 実施例 ます 本発明の概要を述べａ 本発明ζよ 半導体基板
上に形成された重金属膜上く 荷電ビームを用いて、パ
ターンを形成する際において、重金属膜上に酸化膜を望
ましくは０．３μｍ以上形成することによって、電子ビ
ーム描画における近接効果によるパターン劣（ｔ、
上記のような問題点を解消しようというものである。電
子ビーム描画における入射電子はレジスト中を散乱し
基板に達し基板からの後方散乱が再びレジスト中に達す
ム従って、集積されたパターンにおいてζよ 近接した
パターンからの電子の散乱によって、所望のパターンが
得られな１．Ｘ、近接効果の問題が発生する。
特に この近接効果（よ 基板上に重金属膜がある時ζ
戴 著しい影響を受けも 原子番号の大きい重金属膜に
達した電子は 大きく後方散乱をおこすた数 通常の原
子番号の小さい膜より近接効果がはげしく生じてくム
この近接効果を防止するため番−基板上に形成された重
金属膜の上く 散乱防止膜として酸化膜を形成すも そ
の酸化膜の膜厚Ｌ 電子が重金属膜にできるだけ達しな
いよう番二 ０．３μｍ以上が望ましｔ℃ この酸化膜
をもうけることによって、重金属膜によって後方散乱さ
れる電子の量を抑制することができ、近接効果によるパ
ターンの劣化を抑えることができも この重金属膜とし
て１よ バリアメタノｋ 配線材料としてのタングステ
ン、タングステンシリサイド、また高誘電材料としての
タンク／ｌｚ、 タンタルオキサイド等がある。タン
グステンの場合、原子番号が７４で質量が１８４である
のて 通常の原子番号の小さい膜に比べて約５倍以上
電子の後方散乱をおこしやすｌ、％ これらの重金属
膜上層へ 原子番号の小さい酸化膜を形成することに
よって、重金属膜に達する電子の数を減らし 後方散乱
を抑制することができも これらのレジストプロセスを
用いることによって、近接効果を抑えて、重金属膜上に
正確で微細なレジストパターンを形成することができも （実施例１） 本発明の第１の実施例を第１図に示す。半導体基板１上
に重金属膜２としてバリアメタルであるタングステンシ
リサイド０．３μｍを形成すも この上に酸化膜３とし
て５１０２膜を０．５μｍ厚形成すもさらに この上層
−下層膜４として高分子有機膜を１．５μｍ厚塗布Ｌ
２２０℃、２０分間のベーキングを行いこの上に、
中間層５としてスピンオングラスを０．２μｍ厚塗布
ｌ、、２００℃、２０分間のベーキングを行っ九 さら
番ミ 上層レジスト６として電子線レジストを０．５
．ｕｍ厚塗布Ｌ １００℃、 ９０ｓｅｃのベーキン
グを行った（第１図（ａ））。次番二 加速電圧２０ｋ
Ｖ。
戴 著しい影響を受けも 原子番号の大きい重金属膜に
達した電子は 大きく後方散乱をおこすた数 通常の原
子番号の小さい膜より近接効果がはげしく生じてくム
この近接効果を防止するため番−基板上に形成された重
金属膜の上く 散乱防止膜として酸化膜を形成すも そ
の酸化膜の膜厚Ｌ 電子が重金属膜にできるだけ達しな
いよう番二 ０．３μｍ以上が望ましｔ℃ この酸化膜
をもうけることによって、重金属膜によって後方散乱さ
れる電子の量を抑制することができ、近接効果によるパ
ターンの劣化を抑えることができも この重金属膜とし
て１よ バリアメタノｋ 配線材料としてのタングステ
ン、タングステンシリサイド、また高誘電材料としての
タンク／ｌｚ、 タンタルオキサイド等がある。タン
グステンの場合、原子番号が７４で質量が１８４である
のて 通常の原子番号の小さい膜に比べて約５倍以上
電子の後方散乱をおこしやすｌ、％ これらの重金属
膜上層へ 原子番号の小さい酸化膜を形成することに
よって、重金属膜に達する電子の数を減らし 後方散乱
を抑制することができも これらのレジストプロセスを
用いることによって、近接効果を抑えて、重金属膜上に
正確で微細なレジストパターンを形成することができも （実施例１） 本発明の第１の実施例を第１図に示す。半導体基板１上
に重金属膜２としてバリアメタルであるタングステンシ
リサイド０．３μｍを形成すも この上に酸化膜３とし
て５１０２膜を０．５μｍ厚形成すもさらに この上層
−下層膜４として高分子有機膜を１．５μｍ厚塗布Ｌ
２２０℃、２０分間のベーキングを行いこの上に、
中間層５としてスピンオングラスを０．２μｍ厚塗布
ｌ、、２００℃、２０分間のベーキングを行っ九 さら
番ミ 上層レジスト６として電子線レジストを０．５
．ｕｍ厚塗布Ｌ １００℃、 ９０ｓｅｃのベーキン
グを行った（第１図（ａ））。次番二 加速電圧２０ｋ
Ｖ。
ドース量１００μＣ／ ｃｍ”で電子線露光を行１．％
有機アルカリ水溶液で現像を行った所、近接効果の
少な匹 正確な微細レジストパターンを形成することが
できた（第１図（ｂ））。このレジストパターンをマス
クとして、中間層５、さらに下層膜４のエツチングを行
（＼ 正確で垂直な微細レジストパターンを得ることが
できた（第１図（Ｃ））。このレジストパターンをマス
クとして、酸化膜３のエツチングを行１．％ さらに
重金属膜２のエツチングを行（Ｘ、 レジストパタ
ーンを除去することによって、正確で微細な配線パター
ンを形成することができた（第１図（ｄ））。重金属膜
２の上に形成された酸化膜３は入射電子の散乱防止膜と
して使用し 重金属膜に達する電子の数を抑制すること
ができもまた 重金属膜としては タングステンシリサ
イド以外に タングステン、タンタル、タンタルオキサ
イド、ビスマ入 アンチモン等の重金属であってＬ こ
の重金属膜上に酸化膜を形成することによって、近接効
果の抑制された 正確で微細なレジストパターンを形成
することができる。
有機アルカリ水溶液で現像を行った所、近接効果の
少な匹 正確な微細レジストパターンを形成することが
できた（第１図（ｂ））。このレジストパターンをマス
クとして、中間層５、さらに下層膜４のエツチングを行
（＼ 正確で垂直な微細レジストパターンを得ることが
できた（第１図（Ｃ））。このレジストパターンをマス
クとして、酸化膜３のエツチングを行１．％ さらに
重金属膜２のエツチングを行（Ｘ、 レジストパタ
ーンを除去することによって、正確で微細な配線パター
ンを形成することができた（第１図（ｄ））。重金属膜
２の上に形成された酸化膜３は入射電子の散乱防止膜と
して使用し 重金属膜に達する電子の数を抑制すること
ができもまた 重金属膜としては タングステンシリサ
イド以外に タングステン、タンタル、タンタルオキサ
イド、ビスマ入 アンチモン等の重金属であってＬ こ
の重金属膜上に酸化膜を形成することによって、近接効
果の抑制された 正確で微細なレジストパターンを形成
することができる。
（実施例２）
本発明の第２の実施例を第２図に示す。半導体基板１上
に重金属膜１１として誘電率の高いタンクルオキサイド
０．３μｍを形成し この上を−酸化膜１２として５ｉ
０２膜を０．５μｍ厚形成すも さらζへ この上に下
層膜１３として高分子有機膜を１．５μｍ厚塗布Ｌ２２
０℃、２０分間のベーキングを行（＼ この上に上層レ
ジスト１４としてシリコン含有電子線レジストを０．５
μｍ厚塗布り、 １１０℃、９０秒のベーキングを行
った（第２図（ａ））。この電子線レジストに対して加
速電圧３０ｋＶ、ドーズ量５０μＣ／ｃｍ”で電子線露
光を行し＼ アルコールで現像を行った所、近接効果ノ
少なｔ＼ 正確で微細レジストパターンを形成すること
ができた（第２図（ｂ））。このレジストパターンをマ
スクとして、下層膜１３のエツチングを行（（正確で垂
直な微細レジストパターンを形成することができた（第
２図（Ｃ））。このレジストパターンをマスクとして、
酸化膜１２のエツチングを行（Ｘ、さらζへ 重金属
膜１１のエツチングを行し＼レジストパターンを除去す
ることによって、正確で微細なパターンを形成すること
ができた（第２図（ｄ））。重金属膜１１の上に形成さ
れた酸化膜１２（よ入射電子の散乱防止膜として作用し
重金属膜に達する電子の数を抑制することができ、膜
厚は０゜３μｍ以上を必要とすム また 重金属膜とし
て６表タンタルオキサイド以外に 原子番号の大きな膜
であれば この重金属膜上に酸化膜を形成することによ
って、近接効果の抑制された 正確で微細なレジストパ
ターンを形成することができる。
に重金属膜１１として誘電率の高いタンクルオキサイド
０．３μｍを形成し この上を−酸化膜１２として５ｉ
０２膜を０．５μｍ厚形成すも さらζへ この上に下
層膜１３として高分子有機膜を１．５μｍ厚塗布Ｌ２２
０℃、２０分間のベーキングを行（＼ この上に上層レ
ジスト１４としてシリコン含有電子線レジストを０．５
μｍ厚塗布り、 １１０℃、９０秒のベーキングを行
った（第２図（ａ））。この電子線レジストに対して加
速電圧３０ｋＶ、ドーズ量５０μＣ／ｃｍ”で電子線露
光を行し＼ アルコールで現像を行った所、近接効果ノ
少なｔ＼ 正確で微細レジストパターンを形成すること
ができた（第２図（ｂ））。このレジストパターンをマ
スクとして、下層膜１３のエツチングを行（（正確で垂
直な微細レジストパターンを形成することができた（第
２図（Ｃ））。このレジストパターンをマスクとして、
酸化膜１２のエツチングを行（Ｘ、さらζへ 重金属
膜１１のエツチングを行し＼レジストパターンを除去す
ることによって、正確で微細なパターンを形成すること
ができた（第２図（ｄ））。重金属膜１１の上に形成さ
れた酸化膜１２（よ入射電子の散乱防止膜として作用し
重金属膜に達する電子の数を抑制することができ、膜
厚は０゜３μｍ以上を必要とすム また 重金属膜とし
て６表タンタルオキサイド以外に 原子番号の大きな膜
であれば この重金属膜上に酸化膜を形成することによ
って、近接効果の抑制された 正確で微細なレジストパ
ターンを形成することができる。
発明の詳細
な説明したようへ 本発明によれば 重金属膜上にパタ
ーンを形成する際に 重金属膜土間酸化膜を形成し 重
金属膜に達する電子の数を抑制す４ すなわ板 酸化膜
を散乱防止膜として使用し 入射電子の後方散乱を制御
することができ、隣接したパターンによる近接効果の少
な１．Ｘ、正確で微細なレジストパターンを形成するこ
とができも 酸化膜の膜厚ζヨ０．３μｍ厚以上が望ま
しく、また 重金属膜としては タンタルｋ タングス
テン、ビスマ入 アンチモン等の原子番号の大きな物質
に対して効果があり、これらの重金属膜上で、近接効果
の少なし＼ 正確で微細なレジストパターンを形成する
ことができ、超高密度集積回路の製造に大きく寄与する
ことができる。
ーンを形成する際に 重金属膜土間酸化膜を形成し 重
金属膜に達する電子の数を抑制す４ すなわ板 酸化膜
を散乱防止膜として使用し 入射電子の後方散乱を制御
することができ、隣接したパターンによる近接効果の少
な１．Ｘ、正確で微細なレジストパターンを形成するこ
とができも 酸化膜の膜厚ζヨ０．３μｍ厚以上が望ま
しく、また 重金属膜としては タンタルｋ タングス
テン、ビスマ入 アンチモン等の原子番号の大きな物質
に対して効果があり、これらの重金属膜上で、近接効果
の少なし＼ 正確で微細なレジストパターンを形成する
ことができ、超高密度集積回路の製造に大きく寄与する
ことができる。
第１図は 本発明における第一の実施例の工程断面は
第２図は同第二の実施例の工程断面図第３図は従来の多
層レジスト法の工程断面図である。 １・・・・半導体基板、 ２・・・・重金属ＷＬ ３・
・・・酸化ＷＸ、４・・・・下層Ａ ５・・・・中間層
６・・・・上層レジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 】 図 第 図
第２図は同第二の実施例の工程断面図第３図は従来の多
層レジスト法の工程断面図である。 １・・・・半導体基板、 ２・・・・重金属ＷＬ ３・
・・・酸化ＷＸ、４・・・・下層Ａ ５・・・・中間層
６・・・・上層レジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 】 図 第 図
Claims (3)
- （１）半導体基板上に、重金属膜を形成し、上記重金属
膜上に高分子有機膜を塗布し熱処理する工程と、上記高
分子有機膜上に無機膜を形成する工程と、上記無機膜上
に電子線レジストを塗布し熱処理する工程と、上記電子
線レジストに荷電ビームを用いてパターンを描画し、現
像することによってレジストパターンを形成する工程と
、上記レジストパターンをマスクとして、上記無機膜お
よび高分子有機膜をエッチングする工程において、上記
半導体基板上に形成された重金属膜と、高分子有機膜と
の間に、酸化膜を形成し、上層電子線レジストにパター
ンを描画し、レジストパターンを形成することを特徴と
する微細パターン形成方法。 - （２）半導体基板上に形成される重金属膜としてタング
ステン、タングステンシリサイド、タンタル、タンタル
オキサイド等の膜から成ることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の微細パターン形成方法。 - （３）半導体基板上に形成される重金属膜と高分子有機
膜との間に形成される酸化膜として、膜厚０．３μｍ以
上のＳｉＯ＿２を用いることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2135060A JPH0429311A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2135060A JPH0429311A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 微細パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0429311A true JPH0429311A (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=15142953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2135060A Pending JPH0429311A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429311A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011024315A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | 株式会社東芝 | 電子線描画用基板 |
-
1990
- 1990-05-24 JP JP2135060A patent/JPH0429311A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011024315A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | 株式会社東芝 | 電子線描画用基板 |
| JPWO2011024315A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-24 | 株式会社東芝 | 電子線描画用基板 |
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