JPS63254728A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS63254728A JPS63254728A JP62089539A JP8953987A JPS63254728A JP S63254728 A JPS63254728 A JP S63254728A JP 62089539 A JP62089539 A JP 62089539A JP 8953987 A JP8953987 A JP 8953987A JP S63254728 A JPS63254728 A JP S63254728A
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- JP
- Japan
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- pattern
- film
- conductive polymer
- electron beam
- resist pattern
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子ビーム露光を用いたレジストパターンの
形成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。
従来の技術
半導体装置のパターンが微細化される（つれて。
電子ビーム露光がパターン形成に採用されるようになっ
た。また、解像度の向上および基板の凹凸の影響の軽減
を意図し、レジストを多層構造とする配慮も払われてい
る。さらに、多層構造レジスト膜を使用した電子ビーム
露光においては下層レジストの膜厚が大であると入射電
子によシ下層レジストが帯電し、電子ビームが曲げられ
て描画パターンの位置ずれが発生するため、レジスト間
に導電性を持つシリコン（Ｓｉ ）薄膜を配置し、下層
レジストの帯電を防止する対策が講じられている。
た。また、解像度の向上および基板の凹凸の影響の軽減
を意図し、レジストを多層構造とする配慮も払われてい
る。さらに、多層構造レジスト膜を使用した電子ビーム
露光においては下層レジストの膜厚が大であると入射電
子によシ下層レジストが帯電し、電子ビームが曲げられ
て描画パターンの位置ずれが発生するため、レジスト間
に導電性を持つシリコン（Ｓｉ ）薄膜を配置し、下層
レジストの帯電を防止する対策が講じられている。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の方法では、多層構造のレジスト間に本
来は不必要である導電性のＳｉ薄膜を形成しなければな
らず、また、Ｓｉ薄膜の形成のためにプラズマＣＶＤあ
るいは蒸着などの処理を施す必要があり、これらの工程
が、塗布、熱処理工程などからなるホトレジスト工程と
は異質なものであるため工程が複雑化する問題があった
。
来は不必要である導電性のＳｉ薄膜を形成しなければな
らず、また、Ｓｉ薄膜の形成のためにプラズマＣＶＤあ
るいは蒸着などの処理を施す必要があり、これらの工程
が、塗布、熱処理工程などからなるホトレジスト工程と
は異質なものであるため工程が複雑化する問題があった
。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、このような問題点の排除を意図してなされた
ものであり、基板上に導電性高分子薄膜を塗布したのち
、同導電性高分子薄膜に熱処理を施し、次いで、電子ビ
ーム露光処理、現像処理を施して導電性高分子薄膜パタ
ーンを形成する方法である。
ものであり、基板上に導電性高分子薄膜を塗布したのち
、同導電性高分子薄膜に熱処理を施し、次いで、電子ビ
ーム露光処理、現像処理を施して導電性高分子薄膜パタ
ーンを形成する方法である。
作用
本発明のレジストパターンの形成方法によれば、Ｓｉ薄
膜を用いることなく帯電現象を防止することが可能とな
り、パターンの歪み１位置ずれのない高精度のレジスト
パターンが実現される。
膜を用いることなく帯電現象を防止することが可能とな
り、パターンの歪み１位置ずれのない高精度のレジスト
パターンが実現される。
実施例
以下に第１図〜第６図を参照して本発明のレジストパタ
ーンの形成方法について詳しく説明する。
ーンの形成方法について詳しく説明する。
第１図は、本発明のレジストパターンの形成方法の第１
の実施例を説明するだめの図であり、この方法において
は、先ず、半絶縁性ＧａＡｓ基板１の表面上に導電性高
分子薄膜２としてポリスチレンスルホン酸アンモニウム
膜を形成する。この薄膜の形成は、ポリスチレンスルホ
ン酸アンモニウム水溶液を４００ Ｏｒｐｍの条件で回
転塗布し、こののち、窒素（Ｎ２）雰囲気中で２００″
０．３０分間の熱処理を施すことによって行った。次に
、加速電圧が２５ＫＶの電子ビーム３を用いて電子ビー
ム露光を行う〔第１図（ａ）〕。このようにして所定の
パターン露光がなされた薄膜をメチルアルコール中で１
０秒間の現像することによってパターン４が形成される
〔第１図（ｂ）〕。
の実施例を説明するだめの図であり、この方法において
は、先ず、半絶縁性ＧａＡｓ基板１の表面上に導電性高
分子薄膜２としてポリスチレンスルホン酸アンモニウム
膜を形成する。この薄膜の形成は、ポリスチレンスルホ
ン酸アンモニウム水溶液を４００ Ｏｒｐｍの条件で回
転塗布し、こののち、窒素（Ｎ２）雰囲気中で２００″
０．３０分間の熱処理を施すことによって行った。次に
、加速電圧が２５ＫＶの電子ビーム３を用いて電子ビー
ム露光を行う〔第１図（ａ）〕。このようにして所定の
パターン露光がなされた薄膜をメチルアルコール中で１
０秒間の現像することによってパターン４が形成される
〔第１図（ｂ）〕。
以上の処理を経て形成したパターンには、歪みあるいは
位置ずれはまったく見られなかった。
位置ずれはまったく見られなかった。
なお、上記と同様に半絶縁性ＧａＡ３基板を用い、レジ
ストとしてＰＭＭ人（ポリメチルメタクリレート）を用
いた場合、電子ビーム露光、現像後のパターンには、大
きなパターン歪み１位置ずれの生じることが確認された
。
ストとしてＰＭＭ人（ポリメチルメタクリレート）を用
いた場合、電子ビーム露光、現像後のパターンには、大
きなパターン歪み１位置ずれの生じることが確認された
。
ところで、ポリスチレンスルホン酸アンモニウムの構造
は第２図で示すようにポリスチレンスルホン酸のアニオ
ン基と正電荷を帯びたアンモニウム基の塩とからなるも
のであって、イオン伝導性を有している。また、アンモ
ニウム基は、窒素と水素とから構成され、金属を含まな
いため、半導体基板を汚染するおそれがなく、半導体装
置の製造工程におけるレジストパターンの形成に特に好
適である。勿論、アンモニウム基以外の他の正電荷を帯
びた基を用いることもできる。
は第２図で示すようにポリスチレンスルホン酸のアニオ
ン基と正電荷を帯びたアンモニウム基の塩とからなるも
のであって、イオン伝導性を有している。また、アンモ
ニウム基は、窒素と水素とから構成され、金属を含まな
いため、半導体基板を汚染するおそれがなく、半導体装
置の製造工程におけるレジストパターンの形成に特に好
適である。勿論、アンモニウム基以外の他の正電荷を帯
びた基を用いることもできる。
第３図は、熱処理温度を変化させた場合のポリスチレン
スルホン酸アンモニウム膜ノシート抵抗の変化とスパッ
タ蒸着で形成したＳｉ膜のシート抵抗とを示した図であ
る。この図から明らかなよウニ、ポリスチレンスルホン
酸アンモニウム膜のシート抵抗は、熱処理温度の上昇に
つれて高くなる。しかしながら、２ｏｏ℃の熱処理温度
では。
スルホン酸アンモニウム膜ノシート抵抗の変化とスパッ
タ蒸着で形成したＳｉ膜のシート抵抗とを示した図であ
る。この図から明らかなよウニ、ポリスチレンスルホン
酸アンモニウム膜のシート抵抗は、熱処理温度の上昇に
つれて高くなる。しかしながら、２ｏｏ℃の熱処理温度
では。
θ×１０７．Ｑ／口のシート抵抗が得られており、スパ
ッタ蒸着で形成したＳ１膜のシート抵抗よりもわずかに
大きい程度である。したがって、電子ビーム露光時に入
射する電子を放電させるのに十分な低い抵抗値が得られ
ておシ、入射電子が帯電することはない。
ッタ蒸着で形成したＳ１膜のシート抵抗よりもわずかに
大きい程度である。したがって、電子ビーム露光時に入
射する電子を放電させるのに十分な低い抵抗値が得られ
ておシ、入射電子が帯電することはない。
第４図は、ポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜をメ
チルアルコールで１０秒間現像した場合の感度曲線を示
す図であり、感度１００μＯ／ｃｔｌ、γ値１．６が得
られた。また、解像度としては、０．４μｍのラインア
ンドスペースが得られた。
チルアルコールで１０秒間現像した場合の感度曲線を示
す図であり、感度１００μＯ／ｃｔｌ、γ値１．６が得
られた。また、解像度としては、０．４μｍのラインア
ンドスペースが得られた。
第６図は、基板としてシリコン基板を用いるとともに、
この基板上に最上層がポリスチレンスルホン酸アンモニ
ウム膜である３層レジストを形成し、これをパターニン
する他の実施例を示す図である。
この基板上に最上層がポリスチレンスルホン酸アンモニ
ウム膜である３層レジストを形成し、これをパターニン
する他の実施例を示す図である。
この方法では、シリコン基板６を準備し、先ず、この上
に有機薄膜６としてノボラック系ポジ形レジスト膜を２
μｍの厚さに塗布し、２７０°Ｃ９３０分の熱処理を施
す。次いで、塗布シリコン酸化膜（ＳＯＧ）７を１μｍ
の厚さに塗布し、２６０°Ｃ９３０分の熱処理を施す。
に有機薄膜６としてノボラック系ポジ形レジスト膜を２
μｍの厚さに塗布し、２７０°Ｃ９３０分の熱処理を施
す。次いで、塗布シリコン酸化膜（ＳＯＧ）７を１μｍ
の厚さに塗布し、２６０°Ｃ９３０分の熱処理を施す。
さらに、導電性高分子膜２としてポリスチレンスルホン
酸アンモニウム膜をｏ、ｓμｍの厚さに塗布し、２００
°Ｃ９３０分の熱処理を施す〔第５図（２Ｌ） 〕。
酸アンモニウム膜をｏ、ｓμｍの厚さに塗布し、２００
°Ｃ９３０分の熱処理を施す〔第５図（２Ｌ） 〕。
次に、露光量１２０μＣ；／ｄで電子ビーム露光を行い
、メチルアルコールを用いて現像を行い、パターン４を
形成する〔第６図（ｂ）〕。最後に、導電性高分子膜２
をマスクとして、 ＣＨＦ３１０□プラズマエツチング
により塗布シリコン酸化膜７を選択的に除去し、さらに
、塗布シリコン酸化膜７をマスクとして、０２プラズマ
を用いて有機薄膜ｅをエツチングすることによって、パ
ターン８を形成する〔第６図（Ｃ）〕。このような過程
を経て形成されたパターンでは、±０．１μｍ（３σ）
という高い重ね合せ精度かえられた。なお、３層レジス
トの最上層を通常の電子ビームレジストとした場合、形
成されたパターンには帯電による位置ずれが生じ、±０
．７μｍ（３σ）という低い重ね合せ精度しかえられな
かった。
、メチルアルコールを用いて現像を行い、パターン４を
形成する〔第６図（ｂ）〕。最後に、導電性高分子膜２
をマスクとして、 ＣＨＦ３１０□プラズマエツチング
により塗布シリコン酸化膜７を選択的に除去し、さらに
、塗布シリコン酸化膜７をマスクとして、０２プラズマ
を用いて有機薄膜ｅをエツチングすることによって、パ
ターン８を形成する〔第６図（Ｃ）〕。このような過程
を経て形成されたパターンでは、±０．１μｍ（３σ）
という高い重ね合せ精度かえられた。なお、３層レジス
トの最上層を通常の電子ビームレジストとした場合、形
成されたパターンには帯電による位置ずれが生じ、±０
．７μｍ（３σ）という低い重ね合せ精度しかえられな
かった。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明のレジストパタ
ーンの形成方法によれば、入射電子によるレジスト膜の
帯電を排除した電子ビーム露光が可能となり、このため
、電子ビームが曲げられることがなく、パターン歪みお
よびパターンの位置ずれのないレジストパターンを形成
することができる。
ーンの形成方法によれば、入射電子によるレジスト膜の
帯電を排除した電子ビーム露光が可能となり、このため
、電子ビームが曲げられることがなく、パターン歪みお
よびパターンの位置ずれのないレジストパターンを形成
することができる。
まだ、Ｓｉ膜等の導電性被膜を使用する必要がないこと
などにより、工程を簡略化する効果も奏される。
などにより、工程を簡略化する効果も奏される。
第」図（ａ）および（ｂ）は本発明のレジストパターン
の形成方法によりレジストパターンが形成される過程を
示す断面図、第２図はポリスチレンスルホン酸アンモニ
ウムの構造を示す分子構造図、第３図は熱処理温度を変
化させた場合のポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜
のシート抵抗の変化とスパッタ蒸着で形成したＳｉ膜の
シート抵抗とを示した特性図、第４図はポリスチレンス
ルホン酸アンモニウム膜をメチルアルコールで１０秒間
現像した場合の感度曲線図、第５図（ＩＬ）〜（Ｃ）は
本発明のレジストパターンの形成方法の他の実施例によ
りレジストパターンが形成される過程を示す断面図であ
る。 １・・・・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・・・・
導電性高分子薄膜、３・・・・・・電子ビーム、４・・
・・・・パターン、５・・・・・・シリコン基板、６・
・・・・・有機薄膜、了・・・・・・塗布シリコン酸化
膜、８・・・・・・パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（ｂ
） 第２図 第３図 ａＸ理慧（°Ｃ） 第４図 露光量（μ（：、７ｃｍ２ン
の形成方法によりレジストパターンが形成される過程を
示す断面図、第２図はポリスチレンスルホン酸アンモニ
ウムの構造を示す分子構造図、第３図は熱処理温度を変
化させた場合のポリスチレンスルホン酸アンモニウム膜
のシート抵抗の変化とスパッタ蒸着で形成したＳｉ膜の
シート抵抗とを示した特性図、第４図はポリスチレンス
ルホン酸アンモニウム膜をメチルアルコールで１０秒間
現像した場合の感度曲線図、第５図（ＩＬ）〜（Ｃ）は
本発明のレジストパターンの形成方法の他の実施例によ
りレジストパターンが形成される過程を示す断面図であ
る。 １・・・・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、２・・・・・・
導電性高分子薄膜、３・・・・・・電子ビーム、４・・
・・・・パターン、５・・・・・・シリコン基板、６・
・・・・・有機薄膜、了・・・・・・塗布シリコン酸化
膜、８・・・・・・パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（ｂ
） 第２図 第３図 ａＸ理慧（°Ｃ） 第４図 露光量（μ（：、７ｃｍ２ン
Claims (1)
- 基板上に導電性高分子薄膜を塗布したのち、同導電性高
分子薄膜に熱処理を施し、次いで、電子ビーム露光処理
、現像処理を施して導電性高分子薄膜パターンを形成す
ることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089539A JPH081884B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | レジストパタ−ンの形成方法 |
| US07/602,930 US5139922A (en) | 1987-04-10 | 1990-10-25 | Method of making resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62089539A JPH081884B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254728A true JPS63254728A (ja) | 1988-10-21 |
| JPH081884B2 JPH081884B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=13973619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62089539A Expired - Lifetime JPH081884B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081884B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019485A (en) * | 1988-10-13 | 1991-05-28 | Fujitsu Limited | Process of using an electrically conductive layer-providing composition for formation of resist patterns |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102006890A (zh) | 2007-12-04 | 2011-04-06 | 阿尔尼拉姆医药品有限公司 | 靶向脂质 |
| EP3604533A1 (en) | 2008-04-11 | 2020-02-05 | Arbutus Biopharma Corporation | Site-specific delivery of nucleic acids by combining targeting ligands with endosomolytic components |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56125833A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposing method for electron beam |
| JPS62272528A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63181428A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP62089539A patent/JPH081884B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56125833A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposing method for electron beam |
| JPS62272528A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS63181428A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5019485A (en) * | 1988-10-13 | 1991-05-28 | Fujitsu Limited | Process of using an electrically conductive layer-providing composition for formation of resist patterns |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH081884B2 (ja) | 1996-01-10 |
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