JPH02252249A - Ｉｃチップのマウント構造及びｉｃチップマウント用のバンプ保持体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体集積回路（以下ＩＣという）を構成す
るＩＣチップのマウント構造並びにこのＩＣチップのマ
ウント構造に用いるバンプ保持体に関するものである。

（従来の技術） 従来から、ＩＣチップの接続端子とＩＣパッケージのリ
ード端子を接続するマイクロボンディングの方式として
テープキャリア法が知られている（電波新聞社発行ｒｆ
ｃ用語辞典」２１２頁参照）。

第１６図〜第１８図はこのテープキャリア法におけるＩ
Ｃチップのマウント方法を示したものである。

第１７図に示すマウント方法では、ＩＣチップをマウン
トする母材となる細長いキャリア用フィルム１に、ＩＣ
チップマウント用のデバイス孔２が開口されている。こ
のデバイス孔２は、略ＴＣチップ３の外周形状に対応し
た大きさに形成されている。デバイス孔２の開口縁部に
は、ＩＣチップ３のボンディング用の接続端子４．４に
接続される配線パターン５．５が形成されている。配線
パターン５．５の先端部はデバイス孔２内に突出してい
る。配線パターン５，５の先端部は、ＩＣチップ３の接
続端子４，４の上方に延在するリード端子５ａ、５ａと
されている。接続端子４，４には金、ハンダなどの低温
溶融金属からなるバンプ６．６が設けられ、このバンプ
６．６に配線パターン５．５のリード端子５ａ、５ａが
導通接続される（第１６図参照）。

第１８図に示すマウント方法の場合、第１７図のマウン
ト方法と略同様に、キャリア用フィルム１に、ＩＣチッ
プ３が配設可能なデバイス孔２が開口されるとともに、
配線パターン５．５のリード端子５ａｌ１１がデバイス
孔２内に突出している。配線パターン５．５のリード端
子５ａ＋＋＋先端部には低温溶融金属からなるバンプ７
．７が形成されている。　　ＩＣチップ３の接続端子４
．４にはパッド８．８が設けられ、バンプ７．７と接続
端子４，４との導通接続時に接続端子４．４がパッド８
．８によって支持されるようになっている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、第１６図〜第１８図に示す従来のＩＣチ
ップのマウント構造は、ＩＣチップ３にバンプ６．６が
形成されてなかったり、リード端子５ａ、５ａにバンプ
７．７がないと、ＩＣチップ３を接続出来ないという問
題があった。又、リード端子５ａ、５ａにバンプ７．７
を形成したり、或はＩＣチップ３の接続端子４，４にバ
ンプ６．６を設ける場合、個別にバンプ６．６若しく＃
よ７．７を形成するために、手間と時間がかかる他、バ
ンプ６．６若しくは７．７の精密な位置決めが難しかっ
たり、ボンディングの際にリード端子５ａ、５ａが曲が
るという課題が残されていたために、ボンディング不良
の発生率が高いという課題が残されていた。

（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するために、本発明の請求項１にかかる
ＩＣチップのマウント構造は、ＩＣチップをマウントす
るキャリア用フィルムに前記ＩＣチップを配設するＩＣ
チップ配設用孔が開口され、このＩＣチップ配設用孔の
開口縁部に、前記ＩＣチップのボンディング用の接続端
子に対応接続する配線パターンが形成され、この配線パ
ターンには、前記ＩＣチップ配設用孔内に突出する導通
先端部が前記接続端子に対応して位置するように設けら
れ、この導通先端部と前記ＩＣチップの接続端子とが導
通接続されるＩＣチップのマウント構造において、前記
ＩＣチップと前記キャリア用フィルムとの間にバンプ用
フィルムが配設されると共に、このバンプ用フィルムに
前記接続端子に対応するスルーホールが開口され、この
スルーホール内に前記導通先端部と前記ＩＣチップの接
続端子とを接続させる導電体が設けられていることを特
徴とする。

又、本発明の請求項２にかかるバンプ保持体は、請求項
１のＩＣチップのマウント構造に用いられるバンプ保持
体であって、 フィルム状に形成されて、ＩＣチップとこのＩＣチップ
をマウントするキャリア用フィルムとの間に配設される
と共に、前記ＩＣチップのボンディング用の接続端子と
前記キャリア用フィルムの配線パターンの導通先端部と
を接続するバンプが備えられていることを特徴とする。

（作　用） 本発明の請求項１にかかるＩＣチップのマウント構造に
よれば、ＩＣチップのボンディング用の接続端子に対応
してスルーホールが開口され、このスルーホール内に導
電体が設けられているので、ＩＣチップをキャリア用フ
ィルムにマウントするときに、バンプ用フィルムを正確
に位置決めさせることによって、導電体を介して配線パ
ターンの導通先端部とボンディング用接続部分とが精密
に接続される。従って、ＩＣチップの接続端子若しくは
配線パターンの導通先端部にバンプを個別に形成する必
要がなくなる。また、バンプ用フィルムに４電体が保持
されているので、ボンディング時に配線パターンの先端
部が曲がり難く、ＩＣチップのボンディング不良の発生
率が低減される。

次に、本発明の請求項２にかかるバンプ保持体によれば
、ＩＣチップの接続端子とキャリア用フィルムの配線パ
ターンの導通先端部を導通接続させるバンプがバンプ保
持体に保持されているので、配線パターンの導通先端部
の一つとバンプの一つとを正確に位置決めさせることに
より、他の導通先端部と他のバンプも一律に正確に位置
決めされるため、バンプの位置決め作業工程を短縮でき
る。

（実施例） 以下、本発明の実施例にかかるＩＣチップのマウント構
造を第１図〜第１５図を用いて説明する。尚、ＩＣチッ
プの構成は従来と同様であるので、従来のＩＣチップの
符号を用いて説明する。

第１図〜第４図に於て、１０はキャリア用フィルム、１
１はキャリア用フィルム１に開口されたデバイス孔、３
はＩＣチップ、４はＩＣチップ３のボンディング用の接
続端子、１２は接続端子４．４に接続される配線パター
ンである。

（キャリア用フィルム） 第４図は本実施例に用いるキャリア用フィルムを示した
ものである。このキャリア用フィルム１０には、従来技
術で示したようなＩＣチップ３が多数マウント（搭載）
されるもので、キャリア用フィルム１０には、本実施例
では、厚さ２０μｍ、幅３５１１１１１の細長いポリイ
ミドフィルムが用いられている。このポリイミドフィル
ムは、絶縁性、耐酸性、耐アルカリ性の性質を有するが
、ヒドラジンとエチレンジアミンとを１対ｌの割合で混
合した溶液に対して可溶性を有する。キャリア用フィル
ム１０には、デバイス孔１１（本発明の請求項１のＩＣ
チップ配役用孔に相当する）の他に、キャリア用フィル
ム１０自身の給送のためのスプロケット孔１１ａ及びキ
ャラクタ−孔１１ｂ等が開口されている。このパンチン
グは、所定の形状及び寸法に形成されたパンチとダイ（
図示せず）とによって行なわれる。デバイス孔１１は、
ＩＣチップ３の接続端子４．４がデバイス孔１１内に位
置するように開口されている。デバイス孔１１の開口縁
部１０ａには、デバイス孔１１、スプロケット孔１１ａ
のパンチング後に配線パターン１２が形成される。

配線パターン１２はＩＣチップ３の接続端子４，４に対
応して形成され、配線パターン１２の先端部は、リード
端子１２ａ＋＋＋（本発明の請求項１記載の導通先端部
に相当する）として、デバイス孔１１内に突出している
。尚、スプロケット孔１１ａにはバンプ用フィルム１０
を給送するための図示しないスプロケットが係合する。

（バンプ用フィルム） キャリア用フィルム１０とＩＣチップ３との間には、バ
ンプ用フィルム１３（本発明の請求項２にかかるバンプ
保持体に相当する）が配設される。このバンプ用フィル
ム１３は、ＩＣチップ３の接続端子４．４と配線パター
ン１２のリード端子１２ａ＋＋＋とを接続する導電体と
してのバンプ１４．、、を保持するものである。

バンプ用フィルム１３は、本実施例では、第２図に示す
ように、配線パターン１２の形成前の段階にあるキャリ
ア用フィルム１０を用いたものであり、材質は１．キャ
リア用フィルム１０と同じものが用いられている。バン
プ用フィルム１３には、キャリア用フィルム１０のデバ
イス孔１１より小さい相似形状の位置決め孔１５と、ス
ブ臼ケット孔１１ａと同一形状のスプロケット孔１５ａ
と、キャラクタ−孔１１ｂと同一形状のキャラクタ−孔
１５ｂとが形成されている（第２図、第５図参照）。

（バンプの形成） このバンプ用フィルム１３にバンプ１４．、、を設ける
場合には、先ず、シブレイＰ−Ｔ−Ｈプロセス（商標）
を用いて無電解メツキ法により、第６図に示すように、
バンプ用フィルム１３の両面１３ａ、１３ｂに膜厚路１
μｍの銅膜１６を形成する。

１μｍの銅膜１６の形成後、第８図に示すように、位置
決め孔１５の銅膜１６に、ＩＣチップ３の接続端子４．
４に対応する微小孔ｉ７ａ＋、＋（スルーホール１７の
一部）を形成するために、バンプ用フィルム１３の両面
１３ａ、１３ｂにフォトレジスト１８を設けて露光、現
像する（第７図参照）。

フォトレジスト１８の現像を行なった後、液温４０度Ｃ
，濃度６６５ｇ／　１１の塩化第２鉄のエツチング液に
よって銅膜１６をスプレーエツチングし、スルーホール
１３に対応した形状の銅膜１６を除去する（第８図参照
）。

銅膜１６に微小孔１７ａ、　、　、が開口されたら、第
９図に示すように、フォトレジスト１８を除去し、銅膜
１２をマスクとしてバンプ用フィルム１３の両面側から
スプレーエツチングを行ない、バンプ用フィルム１３に
スルーホール１７．、、を開口する。このスプレーエツ
チング液としては、ヒドラジンとエチレンジアミンとが
１対ｌの割合の混合液を常温で用いる。

スルーホール１７．、、が開口したら、再び、シブレイ
Ｐ−Ｔ−Ｈプロセス（商標）を用いて無電解メツキ法に
より膜厚路０．２μｍの銅膜１９をスルーホール１７内
及び銅膜１６上に形成する（第１０図参照）。

本実施例では、膜厚路０．２μｍの銅膜１９をスルーホ
ール１７内及び銅膜１６上に形成したら、スルーホール
１７の開口部を開けるためにフォトレジスト２０を銅膜
１６上に設ける（第１１図参照）、この場合、スルーホ
ール１７の開口部位にはフォトレジスト２０を設けない
、フォトレジスト２０を形成したら、露光、現像を行な
う。フォトレジスト２０の現像後、スプレーエツチング
を行なってスルーホール１７内の銅膜１６を露出させる
。

スルーホール１７内の銅膜１６を露出させた後に、第１
２図に示すように、バンプ１４．、、をスルーホール１
７、、、内に形成する。このバンプ１４．　　、、を形
成する場合には、シアン化金カリウム系のテンペレック
ス７０２（商標、ＥＥＪＡ製品）を用い、浴温７５度Ｃ
（プラス、マイナス５度Ｃ）、Ｐ）１８（プラス、マイ
ナス１．０）電流密度０．５〜ＩＯＡ／ｄｒＲ２の条件
で、電気メツキ法を行なう、これにより、スルーホール
１７．、、内に純度９９．９９％、膜厚１０μｍ〜３０
μｍのバンプ１４．、、が形成される。尚、この場合、
電気銅メツキの後に金メツキを行なうと、製造原価を低
廉化できる。

バンプ１４．、、の形成後、第１３図に示すように、フ
ォトレジスト２０の剥離を行ない、次に、第１４図、第
１５図に示すスプレーエツチングによりポリイミドフィ
ルムに付着している余分な銅Ｉｔ！４１６．１９を除去
する。このスプレーエツチングの溶液としては、液温４
０度Ｃ１６６５ｇ／　Ｈの塩化第２鉄溶・液を用いる。

尚、このとき、銅膜１６，１９の露出している箇所があ
る場合には、無電解金メツキ法により０．２〜０．５μ
ｍ程度の金を形成させても良い。

（バンプ付キャリアフィルムの形成） バンプ１４．、、の形成後、第３図に示すように、バン
プ用フィルム１３とキャリア用フィルム１０とを重合す
る。この場合、キャリア用フィルム１０に開口されたス
プロケット孔１１＆とキャラクタ−孔１１ｂとのそれぞ
れに対して、バンプ用フィルム１３のスプロケット孔１
５ａとキャラクタ−孔１５ｂを一致させると、キャリア
用フィルム１０に対してバンプ用フィルム１３が位置決
めされ、バンプ１４．　、　、　、がキャリア用フィル
ム１０の配線パターン１２のリード端子１２ａ、　、　
、　、に一致する。

バンプ用フィルム１３がキャリア用フィルム１０に位置
決めされたら、鋸メツキされた配線パターン１２のリー
ド端子１２ａに対して、加熱温度３５０度Ｃ〜４５０度
Ｃ１１リード端子当り圧カフ０ｇの条件で、パルスヒー
トボンディングを行い、バンプ付キャリアフィルムを形
成する。尚、バンプ用フィルム１３は、例えばＩＣチッ
プ３のマウント時に、隣合うキャラクタ−孔１５ｂ、１
５ｂ同士の境界部を切り落とす（第３図参照）。

本実施例のＩＣチップのマウント構造によれば、ＩＣチ
ップ３にバンプ４，４が形成されてなかったり、リード
端子５ａ、５ａにバンプ７．７がない場合であっても、
ＩＣチップ３を接続出来る。又、従来の如くリード端子
５ａ　、　５ａにバンプ７．７を形成したり、或はＩＣ
チップ３の接続端子４，４にバンプ１４．、、を設ける
手間と時間がかからない他、バンプ１４．、、の精密な
位置決めが容易なものとなる。更に、バンプ用フィルム
１３のスルーホール１７内にバンプ１４，１４が保持さ
れるため、ボンディングの際にリード端子５ａ、５ａが
曲がり難い、従って、ＩＣチップ３のボンディング用の
接続端子４．４と配線パターン１２のバンプ１４．、、
とを接続する時の位置ずれや曲がり、あるいはバラツキ
が防止され、ＩＣチップ３のボンディング不良の発生率
が低減される。

（発明の効果） 本発明の請求項１にかかるＩＣチップのマウント構造の
製造方法は、以上説明したように、ＩＣチップとキャリ
ア用フィルムとの間にバンプ用フィルムが配設されると
共に、このバンプ用フィルムにキャリア用フィルムの接
続端子に対応するスルーホールが開口され、このスルー
ホール内にキャリア用フィルムの配線パターンの導通先
端部とＩＣチップの接続端子とを接続させる導電体が設
けられる構成とされているので、ＩＣチップをキャリア
用フィルムにマウントするときに、バンプ用フィルムを
正確に位置決めさせることにより、導電体を介して配線
パターンの導通先端部とボンディング用接続部分とが精
密に接続される。従って、ＩＣチップの接続端子若しく
は配線パターンの導通先端部にバンプを個別に形成する
必要がなくなる。更に、バンプ用フィルムに導電体が保
持されているので、ボンディング時に配線パターンの先
端部が曲がり雌いだけでなく、　　キャリア用フィルム
の配線パターンにバンプを位置ずれなく精密に接続でき
、ボンディングミスの発生率がきわめて少なくなる。

又、本発明の請求項２にかかるバンプ保持体によれば、
ＩＣチップの接続端子とキャリア用フィルムの配線パタ
ーンの導通先端部を導通接続させるバンプがバンプ保持
体に保持されているので、配線パターンの導通先端部の
一つに対して所定のバンプの一つを正確に位置決めさせ
ることにより、他の導通先端部と他のバンプも一律に正
確に位置決めされるため、バンプの位置決め作業工程を
短縮できる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第１５図は本発明の実施例にかかるキャリア
フィルムの製造工程を示す説明図であり、第１図は本実
施例のキャリア用フィルムの主要断面の構成図、 第２図はパンチング後のバンプ用フィルムの部分平面図
、 第３図は切取られたバンプ用フィルムの平面図、第４図
は第２図のキャリア用フィルムのデバイス孔近傍の断面
図、 第５図はパンチング後銅膜形成前のバンプ用フィルムの
断面図、 第６図は第５図のバンプ用フィルムに膜厚の薄い銅膜を
形成した状態の説明図、 第７図は第６図のバンプ用フィルムに微小孔形成用のフ
ォトレジストを設けた状態の説明図、第８図は第７図の
バンプ用フィルムをエツチングして銅膜に微小孔を開口
した状態の説明図、第９図は第８図のフォトレジストを
除去してエツチングによりスルーホールを開口した状態
の説明図、第１０図はスルーホール内に膜厚の薄い銅膜
を形成した状態の説明図、 第１１図はバンプ用フィルムの銅膜にバンプ形成用のフ
ォトレジストを設けた状態の説明図、第１２図はスルー
ホール内にバンプを形成した状態の説明図、 第１３図はバンプが形成されたバンプ用フィルムからフ
ォトレジストを除去した状態の説明図、第１４図はエツ
チングにより膜厚の薄い銅膜を除去した状態の説明図、 第１５図はエツチングによりバンプ用フィルム上の網膜
を除去した状態の説明図、 第１６図〜第１８図は従来のＩＣチップのマウント構造
の説明図である。 ３・・・ＩＣチップ ４・・・接続端子 １０・・・キャリア用フィルム　１０ａ・・・開口縁部
１１・・・デバイス孔（ＩＣチップ配役用孔）１２・・
・配線パターン １２ａ・・・リード端子（導通先端部）１３・・・バン
プ用フィルム １４・・・バンプ 第３図 第４図 第２図 第１Ｏ図 第１１図 第１４図 第１２図 第１３図 第１５図 第１６図 第１７図 第１８図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＩＣチップをマウントするキャリア用フィルムに
   前記ＩＣチップを配設するＩＣチップ配設用孔が開口さ
   れ、このＩＣチップ配設用孔の開口縁部に、前記ＩＣチ
   ップのボンディング用の接続端子に対応接続する配線パ
   ターンが形成され、この配線パターンには、前記ＩＣチ
   ップ配設用孔内に突出する導通先端部が前記接続端子に
   対応して位置するように設けられ、この導通先端部と前
   記ＩＣチップの接続端子とが導通接続されるＩＣチップ
   のマウント構造において、 前記ＩＣチップと前記キャリア用フィルムとの間にバン
   プ用フィルムが配設されると共に、このバンプ用フィル
   ムに前記接続端子に対応するスルーホールが開口され、
   このスルーホール内に前記導通先端部と前記ＩＣチップ
   の接続端子とを接続させる導電体が設けられていること
   を特徴とするＩＣチップのマウント構造。
2. （２）請求項１のＩＣチップのマウント構造に用いられ
   るバンプ保持体であって、 フィルム状に形成されて、ＩＣチップとこのＩＣチ　ッ
   プをマウントするキャリア用フィルムとの間に配設され
   ると共に、前記ＩＣチップのボンディング用の接続端子
   と前記キャリア用フィルムの配線パターンの導通先端部
   とを接続するバンプが備えられていることを特徴とする
   バンプ保持体。