JPH02263449A - バンプ付ｉｃチップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体集積回路（以下ＩＣという）を構成す
るＩＣチップに関するものである。

【従来の技術〕

従来から、絶縁性のあるキャリア用フィルムにＩＣチッ
プをボンディングする方法としてテープキャリア法があ
る。このテープキャリア法に用いられるＩＣチップとし
ては、第１８図〜第２０図に示すＩＣチップが知られて
いる。

第１９図に示すものは、ＩＣチップをマウントする母材
となる細長いキャリア用フィルム１に、ＩＣチップマウ
ント用のデバイス孔２が開口されている。デバイス孔２
は、略ＩＣチップ３の外周形状に対応した大きさに形成
され、デバイス孔２の開口縁部には、ＩＣチップ３のボ
ンディング用の接続端子４．４に接続される配線パター
ン５，５が形成されている（第１８図参照）、配線パタ
ーン５，５の先端部はデバイス孔２内に突出している。

配線パターン５．５の先端部は、ＩＣチップ３の接続端
子４．４の上方に延在するリード端子５ａ、５ａとされ
ている。接続端子４．４には金、ハンダなどの低温溶融
金属からなるバンプ６．６が設けられ、このバンプ６．
６に配線パターン５，５のリード端子５ａ、５ａが導通
接続されることによって、ＩＣチップ３はキャリア用フ
ィルム１にマウントされる。

第２０図に示すものの場合、第１９図のＩＣチップと略
同様に、キャリア用フィルム１に、ＩＣチップ３が配設
可能なデバイス孔２が間口されるとともに、配線パター
ン５．５のリード端子５ａ、、、がデバイス孔２内に突
出している。配線パターン５，５のリード端子５ａｌ１
１の先端部には低温溶融金属からなるバンプ７．７が形
成されている。　　ＩＣチップ３の接続端子４．４には
パッド８．８が設けられ、バンプ７．７と接続端子４゜
４との導通接続時に接続端子４，４がバッド８，８によ
って支持されることによって、ＩＣチップ３はキャリア
用フィルム１にマウントされる。

〔発明が解決しようとする課ＩＩＩ しかしながら、テープキャリア法に適するＩＣチップは
、キャリア用フィルム１のリード端子５ａ、。

どのボンディングのために、バンプ６．６，７．７を必
要とするが、第１８図〜第２０図に示す従来のＩＣチッ
プは、リード端子５ａ、５ａにバンプ７．７を形成した
り、或はＩＣチップ３の接続端子４，４にバンプ６．６
を設ける場合、一つ一つバンプ６．６をリード端子５ａ
、５ａに形成したり、接続端子４，４の一つ一つをバン
プ８，８にリード端子５ａ、５ａを接続する手間及び時
間がかかるほか、一つ一つボンディングを行なうために
リード端子５ａ、５ａが曲がり易いといった困難性があ
る。

一方、バンプのないＩＣチップはテープキャリア法に採
用できないという不具合がある。

本発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、
バンプ形成時及びＩＣチップのマウント時における困難
性を解消することによって、テープキャリア法に採用可
能なＩＣチップの生産を簡略化することを目的としてい
る。

［課題を解決するための手段Ｊ 上記課題を解決するために、本発明にかかるバンプ付Ｉ
Ｃチップは、複数個のボンディング用の接続端子と、こ
の接続端子の数に相当するスルーホールが開口されたバ
ンプ用フィルムとを備え、−端部が電子部品搭載部材の
配線パターンに導通接続される導電体が前記スルーホー
ル内に保持され、この導電体の他端部は前記接続端子に
導通接続されていることを特徴とする。

［作　用］ 本発明にかかるバンプ付ＩＣチップによれば、バンプ用
フィルムに、電子部品搭載部材の配線パターンに接続さ
れる導電体が設けられ、この導電体にＩＣチップのボン
ディング用の接続端子が接続されているので、電子部品
搭載部材の配線パターンに対してバンプ用フィルムを位
置合わせすることによって、ＩＣチップを簡単にマウン
トできる。

また、導電体は一律にスルーホール内に設けられている
ので、ＩＣチップのボンディング用の接続端子と導電体
との個々的な接続作業が簡略化され、導電体を介して電
子部品搭載部材の配線パターンとＩＣチップの接続端子
とが精密に接続される。

［実施例］ 以下、本発明の実施例にかかるバンプ付ＩＣチップを第
１図〜第１５図を用いて説明する。尚、従来のＩＣチッ
プとの相違点を明確にするために、本実施例にかかるＩ
Ｃチップには従来のＩＣチップ３の符号を用いて説明す
る。

第１図〜第４図に於て、１０はテープキャリア法に用い
る電子部品搭載部材としてのキャリア用フィルム、１１
はキャリア用フィルム１に開口されたデバイス孔、４は
ＩＣチップ３のボンディング用の接続端子、１２は接続
端子４，４に接続される配線パターンである。尚ミ　本
実施例では、バンプ付ＩＣチップ３はキャリア用フィル
ムに搭載される場合につき説明するが、直接電子部品搭
載部材としての配線基板に搭載される場合もある。

（キャリア用フィルム） 先ず、本実施例にかかるバンプ付ＩＣチップ３をマウン
ト可能なキャリア用フィルムについて説明する。

第４図）！キャリア用フィルムを示したもので、このキ
ャリア用フィルム１０には、本実施例のバンプ付ＩＣチ
ップ３をマウントするために、厚さ２０μｍ、幅３５ｍ
ｍの細長いポリイミドフィルムが用いられている。この
ポリイミドフィルムは、絶縁性、耐酸性、耐アルカリ性
の性質を有するが、ヒドラジンとエチレンジアミンとを
１対１の割合で混合した溶液に対して可溶性を有する。

キャリア用フィルム１０には、デバイス孔１１の他に、
キャリア用フィルム１０自身の給送のためのスブ°ロケ
ット孔１１ａ及びキャラクタ−孔１１ｂ等が開口されて
いる。このパンチングは、所定の形状及び寸法に形成さ
れたパンチとダイ（図示せず）とによって行なわれる。

デバイス孔１１は、ＩＣチップ３の接続端子４．４がデ
バイス孔１１内に位置するように開口されている。デバ
イス孔１１の開口縁部１０ａには、デバイス孔１１、ス
プロケット孔１１ａのパンチング後に配線パターン１２
が形成される。配線パターン１２はＩＣチップ３の接続
端子４．４に対応して形成され、配線パターン１２の先
端部は、リード端子１２ａ、、、としてデバイス孔１１
内に突出している。尚、スプロケット孔１１ａにはバン
プ用フィルム１０を給送するための図示しないスプロケ
ットが係合する。

（バンプ付ＩＣチップ） 本実施例にかかるＩＣチップ３はバンプ用フィルム１３
を備えている。このバンプ用フィルム１３は、ＩＣチッ
プ３の接続端子４．４と配線パターン１２のリード端子
１２ａ、、、とを接続する導電体としてのバンプ１４１
２．を保持している。バンプ用フィルム１３は、本実施
例では、第２図に示すように、配線パターン１２の形成
前の段階にあるキャリア用フィルム１０を用いたもので
あり、材質は、キャリア用フィルム１０と同じものが用
いられている。バンプ用フィルム１３には、キャリア用
フィルム１０のデバイス孔１はり小さい相似形状の位置
決め孔１５と、スプロケット孔１１ａと同一形状のスプ
ロケット孔１５ａと、キャラクタ−孔１１ｂと同一形状
のキャラクタ−孔１５ｂとが形成されている（第２図、
第５図参照）、スプロケット孔１５ａはＩＣチップ３と
バンプ付フィルム１３との位置決めのために用いる。

（バンプの形成） このバンプ用フィルム１３にバンプ１４．　、　、を設
ける場合には、先ず、シブレイＰ−Ｔ−Ｈプロセス（商
標）を用いて無電解メツキ法により、第６図に示すよう
に、バンプ用フィルム１３の両面１３ａ、１３ｂに膜厚
路１μｍの銅膜１６を形成する。

１μｍの銅膜１６の形成後、第８図に示すように、位置
決め孔１５の銅膜１６に、ＩＣチップ３の接続端子４．
４に対応する微小孔１７ａ、、、　（スルーホール１７
の一部）を形成するために、　バンプ用フィルム１３の
両面１３ａ、１３ｂにフォトレジスト１８を設けて露光
、現像する（第７図参照）。

フォトレジスト１８の現像を行なった後、液温４０度Ｃ
，濃度６８５ｇ／　１１の塩化第２鉄のエツチング液に
よって銅膜１６をスプレーエツチングし、スルーホール
１３に対応した形状の銅膜１６を除去する（第８図参照
）。

銅膜１６に微小孔１７ａ、　、　、が開口されたら、第
９図に示すように、フォトレジスト１８を除去し、銅膜
１２をマスクとしてバンプ用フィルム１３の両面側から
スプレーエツチングを行ない、バンプ用フィルム１３に
スルーホール１７．、、を開口する。このスプレーエツ
チング液としては、ヒドラジンとエチレンジアミンとが
１対１の割合の混合液を常温で用いる。

スルーホール１７．、、が開口したら、再び、シブレイ
Ｐ−Ｔ−Ｈプロセス（商標）を用いて無電解メツキ法に
より膜厚路０．２μｍの銅膜１９をスルーホール１７内
及び銅膜１６上に形成する（第１０図参照）。

本実施例では、膜厚路０．２μｍの銅膜１９をスルーホ
ール１７内及び銅膜１Ｂ上に形成したら、スルーホール
１７の開口部を開けるためにフォトレジスト２０を銅膜
１６上に設ける（第１１図参照）、この場合、スルーホ
ール１７の開口部位にはフォトレジスト２０を設けない
、フォトレジスト２０を形成したら、露光、現像を行な
う、フォトレジスト２０の現像（釈スプレーエツチング
を行なってスルーホール１７内の銅膜１６を露出させる
。

スルーホール１７内の銅膜１６を露出させた後に、第１
２図に示すように、バンプ１４．、、をスルーホール１
７、、、内に形成する。このバンプ１４．　　＋＋を形
成する場合には、シアン化金カリウム系のテンペレック
ス７０２（商標、ＥＥＪＡ製品）を用い、浴温７５度Ｃ
（プラス、マイナス５度Ｃ）、ＰＨ８（プラス、マイナ
ス１．０）電流密度０．５〜ＩＯＡ／ｄｍ”の条件で、
電気メツキ法を行なう、これにより、スルーホール１７
．、、内に純度９９゜９９％、膜厚１０μａＩ〜３０μ
ｍのバンプ１４□、が形成される。尚、この場合、電気
銅メツキの後に金メツキを行なうと、製造原価を低廉化
できる。

バンプ１４．　、　、の形成（克　第１３図に示すよう
に、フォトレジスト２０の剥離を行ない、次に、第１４
図、第１５図に示すスプレーエツチングによりポリイミ
ドフィルムに付着している余分な銅膜１６，１９を除去
する。このスプレーエツチングの溶液としては、液温４
０度Ｃ１６６５ｇ／　１１の塩化第２鉄溶液を用いる。

尚、このとき、銅膜１６，１９の露出している箇所があ
る場合には、無電解金メツキ法により０．２〜０．５μ
ｍ程度の金を形成させても良い。

（バンプ付ＩＣチップの形成） バンプ１４．、、の形成後、第１図に示すように、バン
プ用フィルム１３をＩＣチップ３にマウントする。

この場合、スプロケット孔１５ａを参考にしてＩＣチッ
プ３を位置させ、バンプ１４．　、　、　、をキャリア
用フィルム１０の配線パターン１２のリード端子１２ａ
、　、　、　、に−致させる。

バンプ１４．、、、をキャリア用フィルム１０の配線パ
ターン１２のリード端子１２ａ、　、　、　、に一致さ
せたら、錫メツキされた配線パターン１２のリード端子
１２ａに対して、加熱温度３５０度Ｃ〜４５０度Ｃ１１
リード端子当り圧カフ０ｇの条件で、パルスヒートボン
ディングを一度に一律に行い、バンプ付ＩＣチップ３を
形成する。

尚、バンプ用フィルム１３は、例えばＩＣチップ３のマ
ウント時に、隣合うキャラクタ−孔１５ｂ、１５ｂ同士
の境界部を切り藩とす（第３図参照）。

本実施例にかかるＩＣチップのマウント構造によれば、
従来の如くリード端子５ａ、５ａにバンプ７．７を一つ
一つ形成したり、或はＩＣチップ３の接続端子４．４に
バンプ１４．、、を一つ一つ設ける作業工程が簡略化さ
れる他、バンプ付ＩＣチップ３をマウントするキャリア
用フィルム１０のリード端子１２ａ１．＋に対してバン
プ１４．、、全体の精密な接続が容易なものとなる。

（配線基板へのＩＣチップのマウント）次に、第１６図
、第１７図に基づいて、本実施例にかかるバンプ付ＩＣ
チップを直接電子部品搭載部材としての配線基板に搭載
する場合について説明する。

この場合、バンプ付ＩＣチップ３は、バンプ用フィルム
１３に搭載された状態で電子機器の配線基板２１上に搬
送される。従って、バンプ用フィルム１３がテープキャ
リア法における搬送用フィルムとして機能する。この搬
送方法は、第１６図に示すように、巻回されたバンプ用
フィルム１３を配線基板２１上に展開する。配線基板２
１は水平方向に位置調整可能に配設されており、配線基
板２１上には、バンプ付ＩＣチップ３のマウント位置２
１ａに向かって上下動可能なプレス装ｊｉ１２２が配設
されている。バンプ用フィルム１３の展開、　巻き取り
時のスプロケット孔１５ａの送り量に基づいてバンプ用
フィルム１３のバンプ付ＩＣチップ３がマウント位置２
１ａに位置すると、バンプ用フィルム１３は一旦停止し
てプレス装置２２がバンプ用フィルム１３に向かって下
降し、バンプ付ＩＣチップ３がバンプ用フィルム１３か
ら切り放されると共に、配線基板２１の配線パターン２
３に接続される。このときの接続条件は、第１実施例の
キャリア用フィルム１０にバンプ付ＩＣチップ３を搭載
するときと同様でも良い、配線基板２１にＩＣチップ３
がマウントされたら、プレス装置２２が上昇してバンプ
用フィルム１３は再び巻回され、新たなバンプ付ＩＣチ
ップ３が所定位置に位置したら、同様なＩＣチップのマ
ウント作業が行なわれる。

バンプ付ＩＣチップ３は、このように配線基板２１等の
電子部品搭載部材にマウントでき、キャリア用フィルム
エＯを要しないので、テープキャリア法におけるＩＣチ
ップの搭載が容易なものとなる。

［発明の効果Ｊ 本発明の請求項１にかかるバンプ付ＩＣチップは、以上
説明したように、複数個のボンディング用の接続端子と
、この接続端子の数に相当するスルーホールが開口され
たバンプ用フィルムとを備え、一端部が電子部品搭載部
材の配線パターンに導通接続される導電体が前記スルー
ホール内に保持され、この導電体の他端部は前記接続端
子に導通接続されていることを特徴とするので、ＩＣチ
ップの接続端子若しくは配線パターンにバンプを個別に
形成する困難性が解消され、テープキャリア法に採用す
るＩＣチップの生産が簡略、容易になる。

又、バンプ用フィルムに導電体が保持されているので、
電子部品搭載部材の配線パターンの一つに対して所定の
バンプの一つを正確に位置決めさせることにより、他の
配線パターンと他のバンプも一律に正確に位置決めされ
るため、電子部品搭載部材に対するＩＣチップのマウン
ト作業を簡略化できる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第１５図は本発明の実施例にかかるキャリア
フィルムの製造工程を示す説明図であり、第１図は本実
施例のバンプ付ＩＣチップの主要断面構成図、 第２図はパンチング後のバンプ用フィルムの部分平面図
、 第３図は切取られたバンプ用フィルムの平面図、第４図
はキャリア用フィルムのデバイス孔近傍の断面図、 第５図はパンチング後銅膜形成前のバンプ用フィルムの
断面図、 第６図は第５図のバンプ用フィルムに膜厚の薄い網膜を
形成した状態の説明図、 第７図は第６ｍのバンプ用フィルムに微小孔形成用のフ
ォトレジストを設けた状態の説明図、第８図は第７図の
バンプ用フィルムをエツチングして銅膜に微小孔を開口
した状態の説明図、第９図は第８図のフォトレジストを
除去してエツチングによりスルーホールを開口した状態
の説明図、第１０図はスルーホール内に膜厚の薄い銅膜
を形成した状態の説明図、 第１１図はバンプ用フィルムの銅膜ｔこバンプ形成用の
フォトレジストを設けた状態の説明図、第１２＠はスル
ーホール内にバンプを形成した状態の説明図、 第１３図はバンプが形成されたバンプ用フィルムからフ
ォトレジストを除去した状態の説明図、第１４図はエツ
チングにより膜厚の薄い網膜を除去した状態の説明図、 第１５図はエツチングによりバンプ用フィルム上の銅膜
を除去した状態の説明図、 第１８図はバンプ付ＩＣチップを直接配線基板にマウン
トするときの説明図、 第エフ図は第１６図の部分拡大斜視図、第１８図〜第２
０図は従来のＩＣチップのマウント構造の説明図である
。 ３・・・ＩＣチップ　　　　　　４・・・接続端子ｌＯ
・・・キャリア用フィルム（電子部品搭載部材）１０ａ
・・・開口縁部 １１・・・デバイス孔（ＩＣチップ配役用孔）１２・・
・配線パターン １２ａ・・・リード端子（導通先端部）１３・・・バン
プ用フィルム １４・・・バンプ（４電体） ２１・・・配線基板 ２３・・・配線パターン 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第２図 第８図 第１Ｏ図 第１１１！１ 第Ｉ４図 第１２図 第１３図 第１５図 第１８図 第１９図 第２０図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数個のボンディング用の接続端子と、この接続端子の
   数に相当するスルーホールが開口されたバンプ用フィル
   ムとを備え、一端部が電子部品搭載部材の配線パターン
   に導通接続される導電体が前記スルーホール内に保持さ
   れ、この導電体の他端部は前記接続端子に導通接続され
   ていることを特徴とするバンプ付ＩＣチップ。