JPH02252250A - 半導体チップ端子接続用フィルムおよび半導体チップ端子接続方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体チップの電極端子パッドと基板の電極
端子パッド間を突起状電極（以後、バンブ電極と表記）
を用いて機械的・電気的に接続する、いわゆるフリップ
チップボンディング（ＦｌｉｐＣＩ＋ｉｐ　Ｂｏｎｄｌ
ｎｇ：以後、ＦＣＢと表記）法に適用して有効な技術に
関するものである。

［従来の技術］ 半導体チップの電極端子パッド上にバンブ電極を形成し
、これを用いて半導体チップの電極端子パッドと基板の
電極端子パッド間を機械的・電気的に接続するＦＣＢ法
による半導体チップの端子接続工程例を第１５図を用い
て説明する。まず半導体チップ６の電極パッド８、基板
７の電極パッド９上に金バンブ電極４、もしくは、はん
だバンブ電極５をメツキ、蒸着などの方法で形成する第
１５図（ａ）　、　（ｂ）。つぎに、半導体チップ６を
フェイスダウンで基板７に仮搭載し、電極端子パッド８
と９を金バンブ電極４、もしくは、はんだバンブ電極５
を介して対向させ、熱圧着等による同相溶接、もしくは
、加熱溶融等によるマイクロソルダリングにより半導体
チップ６と基板７の電極端子パッド８と９の間を接続す
る（第１５図（Ｃ））。

ＦＣＢ法はインピーダンスミスマツチの原因となる接続
長さを極小にできる（接続長さは、従来−殻内に用いら
れてきたワイヤボンディング（１／ｉｒｃ　１３ｏｎｄ
ｊｎｇ）法では数ｍ１１にも及ぶのに対し、ＦＣＢ法で
は数十μｍ〜数百μｍで済む）ため、高周波特性に優れ
る反面、上述した様に、金バンブ電極４、もしくは、は
んだバンブ電極５を半導体チップ６上に形成する工程が
必要となるため、半導体チップの歩留まりが低下する点
に問題があった。

特に、半導体チップ６上にはんだバンブ電極５を形成す
る場合、従来−殻内には半導体チップ６の電極端子パッ
ド８は、はんだ付は性が悪いＡΩ。

溶融はんだに溶解してしまうＡｕ等が用いられているた
め、従来の電極端子パッド形成工程に替わり、新たに、
Ｃｕなどのマイクロソルダリング可能な金属を用いた電
極端子パッド形成工程の導入が必要となったり、従来か
ら製造されている半導体チップ６上にはんだバンブ電極
５を形成する場合、従来のＡｌ１．Ａｕ等による電極端
子パッド８上に、Ｃｕなどを用いたＦＣＢ用電極電極端
子パッド成する後工程の追加が必要となるなど、はんだ
バンブ電極形成工程のみならず、電極端子パッド形成工
程の変更、付加等も必要となり、半導体チップの歩留ま
りが更に低下する。

半導体チップの歩留まり低下を防止するために、金バン
ブ電極４を基板７上のみに形成し、半導体チップの形成
工程に手を加えない手法も用いられてきたが、近年は、
抵抗、インダクタンス、容量内蔵基板の様に、基板形成
工程も半導体チップ形成工程同様に複雑化しており、基
板上へのバンブ形成工程の付加も、基板の歩留まりの低
下要因として見逃せなくなってきている。

以上説明した諸問題のため、ＦＣＢ法を用いて半導体チ
ップを端子接続しようとした場合、半導体チップや基板
の形成工程複雑化と、それに起因する歩留まりの低下に
より、コストが大幅にアップしてしまう点が問題であっ
た。

〔発明が解決しようとする課題］ 本発明は、上述した問題を解決し、従来の半導体チップ
や基板の製造工程を大幅に変更することなく、半導体チ
ップの電極端子パッドと基板の電極端子パッド間をＰＣ
Ｂ接続可能とする半導体チップ端子接続用フィルムおよ
び半導体チップ端子接続方法を提供することを目的とす
る。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、電気絶縁性、耐熱性フィルムの一面に、バン
ブ電極を形成し、別の一面に、電極端子パッドを形成し
、上記バンブ電極と電極端子パッドは電気的に接続され
る構造であることを特徴とする接続フィルム、あるいは
、電気絶縁性、耐熱性フィルムの表裏にバンブ電極が形
成され、上記表裏のバンブ電極は電気的に接続される構
造であることを特徴とする接続フィルムを形成する。

これら接続フィルムを単独、もしくは、組み合わせて半
導体チップと基板の間に挿入し、半導体チップの７１Ｓ
！端子パツドをこれら接続フィルムのバンブ電極、７株
極端子パッドを介して、基板のはんだバンブ電極、もし
くは、電極端子パッドに接続する。

［作　用］ 本発明による接続フィルムを半導体チップと基板の間に
挿入して、半導体チップを基板にＰＣＢ接続した場合、
バンブ電極は接続フィルムに既に形成されているから、
半導体チップ上へのバンブ電極形成工程が不要であり、
半導体チップ歩留まりが低下しない。また、接続フィル
ムに形成されたバンブ電極の材料として、半導体チップ
上の従来のＡΩ、Ａｕなどの電極端子パッドと整合性の
よい金属を選択すれば、半導体チップ製造工程の大幅な
変更やはんだ金属と整合性の良い材料による電極端子パ
ッドの形成工程を後工程として追加する必要がない。ま
た、基板上へのバンブ電極工程を不要とすることも可能
であり、この場合、基板の形成工程も簡単にできる。

したがって、半導体チップや基板のコストは従来のまま
で、高周波特性の優れたＦＣＢ法を用いて半導体チップ
を基板に接続することができる。

［実施例コ 以下、図面を参照して本発明の実施例を具体的に説明す
る。なお、実施例１〜４は本発明による接続フィルムを
単独で用いた例、実施例５〜７は本発明による接続フィ
ルムを組み合わせて用いた例である。

（実施例１） 第１図は、本発明の半導体チップ端子接続用フィルム（
以下接続用フィルムという）及びそれを用いた半導体チ
ップ端子接続方法（以下接続方法という）を示す第１の
実施例であり、半導体チップとはんだバンブ電極を設け
た基板、あるいは基板とはんだバンブ電極を設けた半導
体チップとの接続に適用されるものである。

第１図（ａ）に示すＡが本実施例の接続用フィルムであ
り、フィルム１の片面に突起状電極（以下バンブ電極と
いう）４が、他の面に電極端子パッド３が設けられ、こ
れらがフィルム１を貫通して設けられた接続手段により
電気的に接続された構成となっている。ここで、フィル
ム１としてはポリイミドフィルムのように電気絶縁性・
耐熱性の優れた材料を、電極端子パッド３及びバンブ電
極４としては特に材料を規定しないが、電極端子パッド
３にはＣｕのようにマイクロソルダリング可能な金属を
、バンブ電極４にはＡｕのように半導体チップもしくは
基板上に形成された電極端子パッド８あるいは９に固相
溶接可能な金属を用いる。

このような接続用フィルムＡの具体的作成工程を第２図
に示す。ここでは、フィルム１としてポリイミドフィル
ムを、電極端子パッド３としてＣｕを、バンブ電極４と
してＡｕを用いている。

先ず、第２図（ａ）に示すように、フィルム１としての
ポリイミドフィルム１の片面に、第２図（ｂ）に示すよ
うに、レジストＲ１をコートしてパタニングし、電極端
子パッド３となるＣｕ層を１〜２μｍ程度、めっき、蒸
着等の方法により形成する。

次に、第２図（Ｃ）に示すように、フィルム１の他の面
にレジストＲ２をコートしてパタニングし、エツチング
により、電極端子パッド３の中心位置と対向するように
してフィルム１に貫通穴を形成する。更に、第３図（ｄ
）に示すように、フィルム１に設けられた貫通穴にバン
ブ電極４となるＡ、ｕ層を数十μｍ程度、めっき等の方
法で形成する。

その後、第２図（０）に示すように、レジストＲ１及び
Ｒ２を剥離して接続フィルムＡが完成する。

なお、電極端子パッド３の表面酸化によるマイクロソル
ダリング不良を防止するためには、Ｃｕ層の上に薄いＡ
ｕ層を形成し、Ｃｕ　／　Ａ　ｕの２層としておくこと
が有効である。

次に、上記のようにして作成した接続用フィルムＡを用
いた半導体チップと基板との接続方法の実施例を第１図
を用いて説明する。この場合は、半導体チップとはんだ
バンブ電極を設けた基板との接続例を示している。先ず
、第１図（ａ）に示すように、半導体チップ６の電極端
子パッド８と接続用フィルムＡのバンブ電極４とを熱圧
着等による固相溶接により接続し、半導体チップ６と接
続用フィルムＡとを一体化する。一方、第１１図（ｂ）
に示すように、基板７の電極端子パッド９上に、はんだ
バンブ電極５を予め、めっき、蒸着等の方法により形成
しておく。次いで、第１図（Ｃ）に示すように、接続用
フィルムＡと半導体チップ６との一体構造物をフェイス
ダウンにより、基板７上に電極端子パッド３とはんだバ
ンブ電極５とを対向させて搭載し、加熱溶融等によるマ
イクロソルダリングによりはんだバンブ電極５と電極端
子パッド３とを接続する。

（実施例２） 第３図は、本発明の接続用フィルム及びそれを用いた接
続方法を示す第２の実施例であり、第１の実施例と同様
、半導体チップとはんだバンブ電極を設けた基板との接
続に適用されるものである。

第３図（ａ）に示すＡが本実施例の接続用フィルムであ
り、フィルム１の片面にバンブ電極４が、他の面に電極
端子パッド３が形成され、これらがフィルム１を貫通し
て設けられた接続手段により電気的に接続された構成と
なっているが、本実施例では電極端子パッド３を第１と
第２の２つの電極端子パッド３ａおよび３ｂとに分けて
構成し、第２の電極端子パッド３ｂの中心位置とバンブ
電極４の中心位置とをオフセットするようにした点が第
１の実施例とは異なる。このような構成とすることによ
り、半導体チップ６の電極端子パッド８と基板７のはん
だバンブ電極５の相互位置に、半導体チップ６や基板７
の設計変更等に伴う「ずれ」が生じた場合、この「ずれ
」を吸収する作用や、設計ルールの違いによる半導体チ
ップ６の電極端子パッド８のピッチと基板７のはんだバ
１ンプ電極５のピッチの違いを整合する作用を持たせる
ことができる。ここで、接続用フィルムＡを構成するフ
ィルム１、電極端子パッド３、バンブ電極４の材料は第
１の実施例の場合と同様である。

次に、本実施例の接続用フィルムＡの具体的作成工程を
第４図に示す。ここでは、フィルム１としてポリイミド
フィルムを、第１の電極端子パッド３ａとしてＴｉを第
２の電極端子パッド３ｂとしてＣｕを、バンブ電極４と
してＡｕを用いている。先ず、第４図（ａ）に示すよう
に、フィルム１としてのポリイミドフィルムの片面に第
４図（ｂ）に示すように、レジストＲ１をコートしてパ
タニングし、第１の電極端子バッド３ａとなるＴｉ層を
０．１〜０．２μｍ程度蒸着等の方法により形成する。

次に第４図（ｅ）に示すようにレジストＲ１と第１の電
極端子バッド３ａを覆うようにしてレジストＲ２をコー
トしてパタニングし、第２の電極端子バッド３ｂとなる
Ｃｕ層を１〜２μｍ程度、めっき等の方法により形成す
る。この後、第４図（ｄ）に示すように、フィルム１の
他の面にレジストＲ３をコートしてパタニングし、エツ
チングによりフィルム１に貫通穴を形成し、更に第４図
（Ｃ）に示すように、該貫通穴にバンブ電極４となるＡ
ｕ層を数十μｍ程度、めっき等の方法で形成する。次い
で、第４図（ｒ）に示すようにレジストＲ１，Ｒ２，Ｒ
３を剥離することにより、接続用フィルムＡが完成する
。なお、第２の電極端子バッド３ｂの表面酸化によるマ
イクロソルダリング不良を防止するためには、Ｃｕ層の
上に薄いＡｕ層を形成し、Ｃｕ／〜Ａｕの２層としてお
くことが有効である。

本実施例の接続用フィルムにおいては、第２の電極端子
バッド３ｂとバンブ電極４との相対位置を、第１の電極
端子バッド３ａを介して自由に設計することが可能とな
る。

上記のようにして作成した接続用フィルムＡを用いた接
続方法は第１の実施例の場合とほぼ同様であるが、この
場合には第３図（ｅ）に示すように、半導体チップ６と
接続用フィルムの一体構造物における第２の電極端子バ
ッド３ｂと基板７のはんだバンブ電極５とを接続するよ
うにする。

（実施例３） 第５図は、本発明の接続用フィルム及びそれを用いた接
続方法を示す第３の実施例であり、はんだバンブ電極５
を形成していない基板と半導体チップとの接続に適用さ
れる。

第５図（ａ）におけるＢが本実施例の接続用フィルムで
あり、第３図（ａ）に示した第２の実施例の接続用フィ
ルムＡにおける第２の電極端子バッド３ｂ面上に更には
んだバンブ電極５を設けた構成としたものである。従っ
て、バンブ電極４と、第２の電極端子バッド３ｂ及びは
んだバンブ電極５とはオフセットされた構成となってい
る。接続用フィルムＢをこのような構成とすることによ
り、第２の実施例と同様の作用、更には固相溶接時のボ
ンディングツールが、はんだバンブ電極５に干渉しない
ようにする実質的な作用を持たせることかできる。ここ
で、接続用フィルムＢを構成するフィルム１、電極端子
バッド３、バンブ電極４の材料は第１及び第２の実施例
の場合と同様である。

次に、本実施例の接続用フィルムＢの具体的作成工程を
第６図に示す。ここでは、フィルム１としてポリイミド
フィルムを、第１の電極端子バッド３ａとしてＴｉを、
第２の電極端子バッド３ｂとしてＣｕを、バンブ電極と
してＡｕを用いている。作成工程は第４図に示した第２
の実施例の場合とほぼ同様であるが、第６図（ｅ）の工
程において示すように、第２の電極端子バッド３ｂ面上
にはんだバンブ電極５となるはんだ層を数十μｍ程度、
めっき等の方法により形成した点が第２の実施例とは異
なる。

上記のようにして作成した接続用フィルムＢを用いた接
続方法を第５図を用いて説明する。先ず、第５図（ａ）
に示すように、半導体チップ６の電極端子バッド８と接
続用フィルムＢのバンブ電極４とを熱圧着等による固相
溶接により接続し、半導体チップ６と接続用フィルムＢ
とを一体化する。

次いで、第５図（ｂ）に示すように、接続用フィルムＢ
と半導体チップ６との一体構造物をフェイスダウンによ
り基板７上に、接続用フィルムＢのはんだバンブ電極５
と基板７の電極端子バッド９とを対向させて搭載し、加
熱溶融等によるマイクロソルダリングにより接続する。

本実施例では接続用フィルムＢのバンブ電極５と基板７
の電極端子バッド９とを接続するようにしたが、はんだ
バンブ電極５と半導体チップ６の電極端子バッド８を接
続するようにしてもよい。

（実施例４） 第７図は、本発明の接続用フィルム及びそれを用いた接
続方法を示す第４の実施例であり、第３の実施例と同様
、はんだバンブ電極５を形成していない基板と半導体チ
ップとの接続に適用される。

第７図（ａ）におけるＢが本実施例の接続用フィルムで
あり、フィルム］の片面に電極端子パッド３および第１
のバンブ電極４ａを、他の面に第２のバンブ電極４ｂが
設けられ、第２のバンブ電極４））がフィルム１を貫通
して設けられた接続手段により電極端子バッド３と電気
的に接続されており、且つ電極端子バッド３及び第１の
バンブ電極４ａの中心位置と第２のバンブ電極４ｂの中
心位置とが重なるような構成となっている。ここで、第
１のバンブ電極４ｂとしては、基板７の電極端子パッド
９に固相溶接可能な、はんだ以外の材料であれば特に規
定しない。

このような接続用フィルムＢの具体的作成工程を第８図
に示す。ここでは、フィルム１としてポリイミドフィル
ムを、電極端子バッド３としてＴｉを、第１及び第２の
バンプ電極４ａ、４ｂとしてＡｕを用いている。先ず、
第８図（ａ）に示すように、フィルム１としてのポリイ
ミドフィルムの片面に、第８図（ｂ）に示すように、レ
ジストＲ１をコートしてパタニングし、電極端子パッド
３をＯ２１〜０．２μｍ程度蒸若等の方法により形成す
る。次いで第８図（ｅ）に示すようにフィルム１の他の
面にレジストＲ２をコートしてパタニングし、エツチン
グによりフィルム１に貫通穴を形成する。更に、第８図
（ｄ）に示すように、電極端子パッド３上及び前記貫通
穴部分に第１のバンブ電極４ａ及び′ＴＳ２のバンブ電
極４ｂであるＡｕ層を数十μｍ程度、めっき等の方法で
形成する。最後に第８図（ｅ）に示すように、レジスト
Ｒ１及びＲ２を剥離することにより接続用フィルムＢが
完成する。なお、第８図（ｒ）に示すように、電極端子
バッド３を省き、フィルム１の表裏面の第］−のバンブ
電極４ａ及び第２のバンブ電極４ｂとを一体化し、バン
ブ電極４とした構造としてもよい。

次に、上記のようにして作成した接続用フィルムＢを用
いた接続方法の実施例を第７図を用いて説明する。先ず
、第７図（ａ）に示すように、基板７の電極端子パッド
９と接続用フィルムＢの第２のバンブ電極４ｂとを熱圧
着等による固相溶接により接続し、基−板７と接続用フ
ィルムＢとを一体化する。次いで、第７図（ｂ）に示す
ように、基板７と接続用フィルムＢとの一体構造物に、
半導体チップ６を電極端子パッド８と前記一体構造物の
第１のバンブ電極４ａとを対向するようにしてフェイス
ダウンで搭載し、熱圧着等による固相溶接により接続す
る。なお、半導体チップ６と接続用フィルムＢとを一体
化した後に、その一体構造物をフェイスダウンで基板７
に搭載し接続してもよい。

更に、本実施例の接続用フィルムＢの構成は、第３図に
示した実施例２の構成の接続用フィルムＡにおける第２
の電極端子バッド３ｂの代りに本実施例の第１のバンブ
電極４ａを形成し、第９図に示すように、第１のバンブ
電極４ａの中心位置と第２のバンブ電極４ｂの中心位置
とが重ならないようにオフセット状態とすることも可能
である。

このような構成の接続用フィルムの作成は、第４図に示
した手法を応用して行えることは言うま、でもない。

（実施例５） 第１０図（Ｃ）は第１の実施例の接続フィルムと第３の
実施例の接続フィルムを用いて、はんだバンブ電極が形
成されていない基板に半導体チップを接続する本発明の
第５の実施例を示す図で、Ａが第１の実施例の接続用フ
ィルム、Ｂが第３の実施例の接続フィル−ム、半導体チ
ップ６の電極端子パッド８は、接続フィルムＡのバンブ
電極４、電極端子バッド３、接続フィルムＢのはんだバ
ンブ電極５ａ１　（第６図の４に対応する）電極端子パ
ッド３ａ、２，３ｂ、はんだバンブ電極５ｂ（第６図の
５に対応する）を介して、基板７の電極端子パッド８に
接続される。

接続工程は、例えば次の様に行う。第１Ｏ図（ａ）に示
すように、半導体チップ６と接続用フィルムＡの一体化
構造物は実施例１と同様に形成する。

次に、第１０図（ｂ）に示すように、接続フィルムＢを
基板７上に搭載し、接続フィルムＢのはんだバンブ電極
５ｂと基板７の端子パッド９を加熱溶融等によるマイク
ロソルダリングにより接続する次に、第１０図（ｅ）に
示すように、半導体チップ６と接続用フィルムＡの一体
化構造物をフェイスダウンで基板８と接続用フィルムＢ
の一体化構造物上に搭載し、接続フィルムＡの電極端子
バッド３と接続フィルムＢのはんだバンブ電極５ａを加
熱溶融等によるマイクロソルダリングにより接続する。

本実施例では、第３の実施例の接続フィルムの代わりに
、半導体チップ端子接続用フィルムと同様な構造で、は
んだバンブ電極５ａ、５ｂが形成されている、第１１図
（ａ）に示す様な半導体チップ端子接続用フィルムを用
い、第１１図（ｂ）に示す様な接続構造としても良く、
接続工程は、例えば第１１図に示す様に第１の実施例と
同様な半導体チップ６と接続フィルムＡの一体化構造物
、および、第８図（ｅ）に示すような接続フィルムＢを
基板７上に搭載し、接続フィルムＡの電極端子バッド３
と接続フィルムＢのはんだバンブ電極５ａ（第８図の４
８に対応する）、および、接続フィルムＢのはんだバン
ブ電極５ｂ（第８図の４ｂに対応する）と基板７の端子
バッド９を加熱溶融等によるマイクロソルダリングによ
り同時に接続しても良い。

（実施例６） 第１２図（ｅ）は第３の実施例の接続用フィルムと第１
の実施例の接続フィルムを用いて、はんだバンブ電極が
形成されていない基板に半導体チップを接続する本発明
の第６の実施例を示す図で、Ｂが第３の実施例の接続フ
ィルム、Ａが第１の実施例の接続フィルム、半導体チッ
プ６の電極端子パッド８は、接続フィルムＢのバンブ電
極４、電極端子パッド２（第６図の３ａに対する）　３
（第６図の３ｂに対応する）、はんだバンブ電極５、接
続フィルムへの電極端子バッド３、バンブ電極４を介し
て、基板７の電極端子パッド９に接続される。

接続工程は、例えば次の様に行う。第１２図（ａ＞に示
すように、半導体チップ６と接続フィルムＢの一体化構
造物は実施例３と同様に形成し、又第１２図（ｂ）に示
すように基板７と接続フィルムＡの一体化構造物は実施
例１の半導体チップ６と接続ダイルムＡの一体化構造物
形成工程と同様の工程で形成する。次に、第１２図（Ｃ
）に示すように、半導体チップ６と接続フィルムＢの一
体化構造物を基板７と接続フィルムＡの一体化構造物上
に搭載し、接続フィルムＢ上のはんだバンブ電極５と接
続フィルムＡ上の電極端子バッド３を加熱溶融等による
マイクロソルダリングにより接続する。

本実施例では、第１３図に示す様に、半導体チップ６と
接続フィルムＡの一体化構造物と基板７と接続フィルム
Ｂの一体化構造物を形成した後に、接続フィルムＡ上の
電極端子バッド３と接続フィルムＢ上のバンブ電極５を
加熱溶融等によるマイクロソルダリングにより接続して
も良い。

（実施例７） 第１４図（ａ）は第１の実施例の接続フィルム２枚と第
３の実施例の接続フィルムを用い、はんだバンブ電極が
形成されていない基板に半導体チップを接続する本発明
の第７の実施例を示す図で、Ａｌ、Ａ２が第１の実施例
の接続フィルム、Ｂが第２の実施例接続フィルム、半導
体チップ６の電極端子パッド８は、接続フィルムＡ１の
バンブ電極４、電極端子バッド３、接続フィルムＢのは
んだバンブ電極５ａ（第６図の４に対応する）、電極端
子バッド３ａ、２．３ｂ％はんだバンブ電極５ｂ（第６
図の５に対応する）　接続フィルムＡ２の電極端子パッ
ド３、バンブ電極４を介して、基板７の電極端子パッド
９に接続される。

接続工程は、例えば次の様に行う。第１４図（ａ）　（
ｂ）に示すように、半導体チップ６と接続フィルム１、
および、基板７と接続フィルムＡ２の一体化構造物は実
施例１と同様に形成する次に、第１４図（ｃ）に示すよ
うに、半導体チップ６と接続フィルムＡ１の一体化構造
物、および、接続フィルムＢを、基板７と接続フィルム
Ａ２の一体化構造物上に搭載し、接続シートＡ１の電極
端子バッド３と接続シートＢのはんだバンプ５ａ１接１
２シートＢのはんだバンブ電極５ｂ１゛および接続フィ
ルムＡ２の電極端子パッド３を加熱溶融等によるマイク
ロソルダリングにより同時に接続する。

本実施例では、第３の実施例の接続フィルムの代わりに
、はんだバンブ電極が形成されている、第１１図（ａ）
に示す様な半導体チップ端子接続用フィルムを用いても
良く、接続工程は、接続フィルムＢのはんだバンブ電極
５ｂと接続フィルムＡ２の端子パッド３の加熱溶融等に
よるマイクロソルダリングと、接続フィルムＡ２の電極
端子パッド３と接続フィルムＢのはんだバンブ電極５ａ
の加熱溶融等によるマイクロソルダリングを、別々に行
っても良い。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明による接続フィルムを、半
導体チップと基板の間に挿入して半導体チップをＰＣＢ
接続した場合、半導体チップ上にバンブ電極を形成する
必要がない。また、半導体チップの端子パッドは従来の
ままでよいため、半導体製造工程の大幅な変更の必要や
、従来から製造されていた半導体チップをＰＣＢ接続す
る場合でも電極パッド形成工程を半導体チップの後工程
として追加する必要がない。また、基板上へのバンブ電
極形成工程を不要とすることも可能であり、この場合、
基板の形成工程も簡単にできる。したがって、半導体チ
ップや基板のコストは従来のままで、ＦＣＢ法を用いて
半導体チップを接続することができる。

一面のバンブ電極の中心位置と、別の一面の電極端子パ
ッド、もしくは、バンブ電極の中心位置間をオフセット
した接続フィルムを、半導体チップと基板の間に挿入し
て半導体チップＰＣＢ接続した場合には、上述した様に
、半導体チップ上の電極端子パッドと基板上のはんだバ
ンブ電極、もしくは、電極端子パッドの相互位置のずれ
を吸収する作用や、半導体チップ上の電極端子パッドの
ピッチを基板上のはんだバンブ電極のピッチに整合する
作用を持つから、半導体チップや基板の設計変更による
パッド間の相互位置の変化を、接続フィルムの設計変更
のみで吸収できたり、半導体チップや基板をそれぞれ独
自の設計ルールに基づき製作できる利点がある。さらに
、半導体チップの電極端子パッドのピッチを、接続フィ
ルムを用いて広げることができるから、半導体チップの
電気的テスト時に、多数のプローブを一度に立てること
が容易きなり、テスタビリティに優れる。

また、熱膨張係数が、半導体チップの熱膨張係数と基板
の熱膨張係数の中間の値となるフィルム材料を用いて接
続フィルムを形成すれば、半導体チップと基板の熱膨張
係数ミスマツチを吸収し、接続信頼性を向上することも
可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例による半導体チップと基
板の接続構造とその接続工程を示す図、第２図は本発明
の第１の実施例の接続フィルムの具体的な実施例とその
形成工程を示す図、第３図は本発明の第２の実施例によ
る半導体チップと基板の接続構造とその接続工程を示す
図、第４図は本発明の第２の実施例の接続フィルムの別
の具体的な実現例とその形成工程を示す図、第５図は本
発明の第３の実施例による半導体チップと基板の接続構
造とその接続工程を示す図、第６図は本発明の第３の実
施例の接続フィルムの具体的な実現例とその形成工程を
示す図、第７図は本発明の第４の実施例による半導体チ
ップと基板の接続構造とその接続工程を示す図、第８図
及び第９図は本発明の第４の実施例の接続フィルムの具
体的な実現例とその形成工程を示す図、第１０図は本発
明の第５の実施例による半導体チップと基板の接続構造
とその接続工程を示す図、第１１図は本発明の第５の実
施例による半導体チップと基板の別の接続構造と別の接
続工程を示す図、第１２図は本発明の第６の実施例によ
る半導体チップと基板の接続構造とその接続工程を示す
図、第１３図は本発明の第６の実施例による半導体チッ
プと基板の別の接続構造とその接続工程を示す図、第１
４図は本発明の第７の実施例による半導体チップと基板
の接続構造とその接続工程を示す図、第コ、５図は従来
のＦＣＢ法を用いた半導体チップと基板の接続構造とそ
の接続工程を示す図である。 図中、Ａ、ＡＩ、Ａ２．Ｂは接続フィルム、１は電気絶
縁性、耐熱性等の良好なフィルム、２．３．３ａ、３ｂ
は電極端子パッド、４．４ａ。 ４Ｊ）はバンブ電極、５．．５ａ、５ｂははんだバンブ
電極、６は半導体チップ、７は基板、８は半導体チップ
６上に形成された電極端子パッド、９は基板７上に形成
された電極端子パッド。 （ａ）

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの一面に突
   起状電極が形成され、上記フィルムの別の一面に電極端
   子パッドが形成され、上記突起状電極と上記電極端子パ
   ッド間は上記フィルムを貫通して設けられた接続手段に
   より電気的は接続され、上記突起状電極の中心位置と上
   記電極端子パッドの中心位置がオフセットされもしくは
   オフセットされていないことを特徴とする半導体チップ
   端子接続用フィルム。
2. （２）電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの一面に半
   導体チップ上もしくは基板上の電極端子パッドに固相溶
   接可能な金属から成る突起状電極が形成され、上記フィ
   ルムの別の一面にマイクロソルダリング可能な金属から
   なる電極端子パッドが形成され、上記突起状電極と上記
   電極端子パッド間は上記フィルムを貫通して設けられた
   接続手段により電気的は接続され、上記突起状電極の中
   心位置と上記電極端子パッドの中心位置がオフセットさ
   れもしくはオフセットされていないことを特徴とする半
   導体チップ端子接続用フィルム。
3. （３）電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏面に
   突起状電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間は上
   記フィルムを貫通して設けられた接続手段により電気的
   に接続され、上記表裏面の突起状電極の中心位置間がオ
   フセットされていることを特徴とする半導体チップ端子
   接続用フィルム。
4. （４）電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏面に
   突起状電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間は上
   記フィルムを貫通して設けられた接続手段により電気的
   に接続され、上記表裏面の突起状電極の中心位置間がオ
   フセットされている構造であり、少なくとも一面の突起
   状電極には、半導体チップ上もしくは基板上の電極端子
   パッドに固相溶接可能な金属が用いられていることを特
   徴とする半導体チップ端子接続用フィルム。
5. （５）電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏面に
   突起状電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間は上
   記フィルムを貫通して設けられた接続手段により電気的
   に接続されている構造であり、少なくとも一面の突起状
   電極には、半導体チップ上もしくは基板上の電極端子パ
   ッドに固相溶接可能な金属が用いられていることを特徴
   とする半導体チップ端子接続用フィルム。
6. （６）電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの一面に半
   導体チップ上の電極端子パッドに固相溶接可能な金属か
   ら成る突起状電極が形成され、上記フィルムの別の一面
   にマイクロソルダリング可能な金属からなる電極端子パ
   ッドが形成され、上記突起状電極と上記電極端子パッド
   間は上記フィルムを貫通して設けられた接続手段により
   電気的は接続され、上記突起状電極の中心位置と上記電
   極端子パッドの中心位置がオフセットされもしくはオフ
   セットされていないことを特徴とする半導体チップ端子
   接続用フィルムを、半導体チップと基板の間に挿入し、
   上記半導体チップの電極端子パッドと上記半導体チップ
   端子接続用フィルムの突起状電極を固相溶接により機械
   的・電気的に接続し、上記半導体チップ端子接続用フィ
   ルムの他の面の電極端子パッドと上記基板の突起状はん
   だ電極をマイクロソルダリングにより機械的・電気的に
   接続することを特徴とする半導体チップ端子接続方法。
7. （７）電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏面に
   突起状電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間は上
   記フィルムを貫通して設けられた接続手段により電気的
   に接続され、上記表裏面の突起状電極の中心位置間がオ
   フセットされている構造であり、一面の突起状電極には
   、半導体チップ上の電極端子パッドに固相溶接可能な金
   属が用いられ、別の一面の突起状電極にははんだ金属が
   用いられていることを特徴とする半導体チップ端子接続
   用フィルム、 もしくは、電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏
   面に突起状電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間
   は上記フィルムを貫通して設けられた接続手段により電
   気的に接続されている構造であり、一面の突起状電極に
   は、半導体チップ上の電極端子パッドに固相溶接可能な
   金属が用いられ、別の一面の突起状電極には、基板上の
   電極端子パッドに固相溶接可能な金属が用いられている
   ことを特徴とする半導体チップ端子接続用フィルムを、
   半導体チップと基板の間に挿入し、上記半導体チップの
   電極端子パッドと上記半導体チップ端子接続用フィルム
   の片面の突起状電極を固相溶接により機械的・電気的に
   接続し、上記半導体チップ端子接続用フィルムの他の面
   の突起状電極と上記基板の電極端子パッドをマイクロソ
   ルダリング、もしくは、固相溶接により機械的・電気的
   に接続することを特徴とする半導体チップ端子接続方法
   。
8. （８）電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの一面に半
   導体チップ上の電極端子パッドに固相溶接可能な金属か
   ら成る突起状電極が形成され、上記フィルムの別の一面
   にマイクロソルダリング可能な金属からなる電極端子パ
   ッドが形成され、上記突起状電極と上記電極端子パッド
   間は上記フィルムを貫通して設けられた接続手段により
   電気的は接続され、上記突起状電極の中心位置と上記電
   極端子パッドの中心位置がオフセットされもしくはオフ
   セットされていないことを特徴とする第１の半導体チッ
   プ端子接続用フィルムと、 電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏面に突起状
   電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間は上記フィ
   ルムを貫通して設けられた接続手段により電気的に接続
   され、上記表裏面の突起状電極の中心位置間がオフセッ
   トされている構造であり、突起状電極には、はんだ金属
   が用いられていることを特徴とする第２の半導体チップ
   端子接続用フィルム、 もしくは、電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏
   面に突起状電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間
   は上記フィルムを貫通して設けられた接続手段により電
   気的に接続されている構造であり、突起状電極には、は
   んだ金属が用いられていることを特徴とする第２の半導
   体チップ端子接続用フィルムを、 半導体チップと基板の間に挿入し、上記半導体チップの
   電極端子パッドと上記第１の半導体チップ端子接続用フ
   ィルムの突起状電極を固相溶接により機械的・電気的に
   接続し、上記第１の半導体チップ端子接続用フィルムの
   電極端子パッドと上記第２の半導体チップ端子接続用フ
   ィルムの片面の突起状電極、および上記第２の半導体チ
   ップ端子接続用フィルムの他の面の突起状電極と上記基
   板の電極端子パッドをマイクロソルダリングにて機械的
   ・電気的に接続することを特徴とする半導体チップ端子
   接続方法。
9. （９）電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏面に
   突起状電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間は上
   記フィルムを貫通して設けられた接続手段により電気的
   に接続され、上記表裏面の突起状電極の中心位置間がオ
   フセットされている構造であり、一面の突起状電極には
   、半導体チップ上の電極端子パッドに固相溶接可能な金
   属が用いられ、別の一面の突起状電極にははんだ電極が
   用いられていることを特徴とする第１の半導体チップ端
   子接続用フィルムと、 電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの一面に基板上の
   電極端子パッドに固相溶接可能な金属から成る突起状電
   極が形成され、上記フィルムの別の一面にマイクロソル
   ダリング可能な金属からなる電極端子パッドが形成され
   、上記突起状電極と上記電極端子パッド間は上記フィル
   ムを貫通して設けられた接続手段により電気的は接続さ
   れ、上記突起状電極の中心位置と上記電極端子パッドの
   中心位置がオフセットされもしくはオフセットされてい
   ないことを特徴とする第２の半導体チップ端子接続用フ
   ィルム、 もしくは、電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの一面
   に半導体チップ上の電極端子パッドに固相溶接可能な金
   属から成る突起状電極が形成され、上記フィルムの別の
   一面にマイクロソルダリング可能な金属からなる電極端
   子パッドが形成され、上記突起状電極と上記電極端子パ
   ッド間は上記フィルムを貫通して設けられた接続手段に
   より電気的は接続され、上記突起状電極の中心位置と上
   記電極端子パッドの中心位置がオフセットされもしくは
   オフセットされていないことを特徴とする第１の半導体
   チップ端子接続用フィルムと、 電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏面に突起状
   電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間は上記フィ
   ルムを貫通して設けられた接続手段により電気的に接続
   され、上記表裏面の突起状電極の中心位置間がオフセッ
   トされている構造であり、一面の突起状電極には、基板
   上の電極端子パッドに固相溶接可能な金属が用いられ、
   別の一面の突起状電極には、はんだ金属が用いられてい
   ることを特徴とする第２の半導体チップ端子接続用フィ
   ルムを、 半導体チップと基板の間に挿入し、上記半導体チップの
   電極端子パッドと上記第１の半導体チップ端子接続用フ
   ィルムの片面の突起状電極、および、上記基板の電極端
   子パッドと上記第２の半導体チップ端子接続用フィルム
   の突起状電極を固相溶接により機械的・電気的に接続し
   、第１の半導体チップ端子接続用フィルムの他の面の突
   起状電極と上記第２の半導体チップ端子接続用フィルム
   の他の面の電極端子パッド、もしくは、第１の半導体チ
   ップ端子接続用フィルムの他の面の電極端子、パッドと
   上記第２の半導体チップ端子接続用フィルムの他の面の
   突起状電極をマイクロソルダリングにて機械的・電気的
   に接続することを特徴とする半導体チップ端子接続方法
   。
10. （１０）電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの一面に
    半導体チップ上の電極端子パッドに固相溶接可能な金属
    から成る突起状電極が形成され、上記フィルムの別の一
    面にマイクロソルダリング可能な金属からなる電極端子
    パッドが形成され、上記突起状電極と上記電極端子パッ
    ド間は上記フィルムを貫通して設けられた接続手段によ
    り電気的は接続され、上記突起状電極の中心位置と上記
    電極端子パッドの中心位置がオフセットされもしくはオ
    フセットされていないことを特徴とする第１の半導体チ
    ップ端子接続用フィルム、 電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏面に突起状
    電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間は上記フィ
    ルムを貫通して設けられた接続手段により電気的に接続
    され、上記表裏面の突起状電極の中心位置間がオフセッ
    トされている構造であり、突起状電極には、はんだ金属
    が用いられていることを特徴とする第２の半導体チップ
    端子接続用フィルム、 もしくは、電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの表裏
    面に突起状電極が形成され、上記表裏面の突起状電極間
    は上記フィルムを貫通して設けられた接続手段により電
    気的に接続されている構造であり、突起状電極には、は
    んだ金属が用いられていることを特徴とする第２の半導
    体チップ端子接続用フィルム、 および、電気絶縁性、耐熱性を有するフィルムの一面に
    基板上の電極端子パッドに固相溶接可能な金属から成る
    突起状電極が形成され、上記フィルムの別の一面にマイ
    クロソルダリング可能な金属からなる電極端子パッドが
    形成され、上記突起状電極と上記電極端子パッド間は上
    記フィルムを貫通して設けられた接続手段により電気的
    は接続され、上記突起状電極の中心位置と上記電極端子
    パッドの中心位置がオフセットされもしくはオフセット
    されていないことを特徴とする第３の半導体チップ端子
    接続用フィルムを、 半導体チップと基板の間に挿入し、上記半導体チップの
    電極端子パッドと上記第１の半導体チップ端子接続用フ
    ィルムの突起状電極、および、上記第３の半導体チップ
    端子接続用フィルムの突起状電極と上記基板の電極端子
    パッドを固相溶接により機械的・電気的に接続し、上記
    第１の半導体チップ端子接続用フィルムの電極端子パッ
    ドと上記第２の半導体チップ端子接続用フィルムの片面
    の突起状電極、および、上記第２の半導体チップ端子接
    続用フィルムの他の面の突起状電極と上記第３の半導体
    チップ端子接続用フィルムの電極端子パッドをマイクロ
    ソルダリングにて機械的・電気的に接続することを特徴
    とする半導体チップ端子接続方法。