JPH02252291A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH02252291A JPH02252291A JP7198389A JP7198389A JPH02252291A JP H02252291 A JPH02252291 A JP H02252291A JP 7198389 A JP7198389 A JP 7198389A JP 7198389 A JP7198389 A JP 7198389A JP H02252291 A JPH02252291 A JP H02252291A
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- wiring board
- multilayer wiring
- resistor
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Links
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はセラミック多層配線基板上に導体パターンおよ
び抵抗体等からなる回路を設けた多層配線基板の製造方
法に関するものである。
び抵抗体等からなる回路を設けた多層配線基板の製造方
法に関するものである。
(従来の技術)
従来、セラミックスグリーンシート上に導体パターンお
よび絶縁層を複数層形成し、同時焼成することにより得
たセラミック多層配線基板の表面上に、導体パターンと
抵抗体からなる回路を形成した多層配線基板は、高密度
で通信機器等の高周波回路に広く利用できるため、種々
のものが知られている。
よび絶縁層を複数層形成し、同時焼成することにより得
たセラミック多層配線基板の表面上に、導体パターンと
抵抗体からなる回路を形成した多層配線基板は、高密度
で通信機器等の高周波回路に広く利用できるため、種々
のものが知られている。
そのうち、銅を回路の配線材料として使用した多層配線
基板の製造法としては、スクリーン印刷法を用いてセラ
ミック多層配線基板の表面上に銅導体パターンおよび必
要に応じて不活性ガス雰囲気中で焼成可能な抵抗体を設
は窒素などの不活性ガス雰囲気中で焼成する方法が知ら
れている。
基板の製造法としては、スクリーン印刷法を用いてセラ
ミック多層配線基板の表面上に銅導体パターンおよび必
要に応じて不活性ガス雰囲気中で焼成可能な抵抗体を設
は窒素などの不活性ガス雰囲気中で焼成する方法が知ら
れている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、スクリーン印刷により銅厚膜導体パター
ンを形成する方法では、導体パターンの幅を100μm
程度までしか細くできず、ファインパターン化に限界が
ある問題があった。
ンを形成する方法では、導体パターンの幅を100μm
程度までしか細くできず、ファインパターン化に限界が
ある問題があった。
本発明の目的は上述した課題を解消して、微細配線が容
易にでき接着強度が高く信転性の高い回路を表面に設け
た多層配線基板の製造方法を提供しようとするものであ
る。
易にでき接着強度が高く信転性の高い回路を表面に設け
た多層配線基板の製造方法を提供しようとするものであ
る。
(課題を解決するための手段)
本発明の多層配線基板の製造方法は、セラミックグリー
ンシート上に導体パターンおよび絶縁層を複数層形成し
、同時焼成することによりセラミック多層配線基板を作
製する工程と、得られたセラミック多層配線基板の内層
配線露出部に必要に応じて銅、ニッケル、コバルトのう
ち少なくとも一種類を主成分とする導体からなる接続層
を形成した後全表面に銅めっきを施した後、フォトリソ
エツチングにて導体パターンを形成し、さらに不活性ガ
ス雰囲気中で焼成できる抵抗体をスクリーン印刷により
形成し、不活性ガス雰囲気中で焼成する工程とからなる
ことを特徴とするものである。
ンシート上に導体パターンおよび絶縁層を複数層形成し
、同時焼成することによりセラミック多層配線基板を作
製する工程と、得られたセラミック多層配線基板の内層
配線露出部に必要に応じて銅、ニッケル、コバルトのう
ち少なくとも一種類を主成分とする導体からなる接続層
を形成した後全表面に銅めっきを施した後、フォトリソ
エツチングにて導体パターンを形成し、さらに不活性ガ
ス雰囲気中で焼成できる抵抗体をスクリーン印刷により
形成し、不活性ガス雰囲気中で焼成する工程とからなる
ことを特徴とするものである。
(作 用)
上述した構成において、導体パターンを、セラミック多
層配線基板の表面に銅めっき層を設けた後フォトリソエ
ツチングすることにより設けているため、導体パターン
の幅が20〜30μm程度の微細配線を得ることができ
るとともに、基板表面は粗面であるため、基板と銅めっ
き層との間にアンカー効果を生じ、接着強度を高めるこ
とができる。
層配線基板の表面に銅めっき層を設けた後フォトリソエ
ツチングすることにより設けているため、導体パターン
の幅が20〜30μm程度の微細配線を得ることができ
るとともに、基板表面は粗面であるため、基板と銅めっ
き層との間にアンカー効果を生じ、接着強度を高めるこ
とができる。
また、不活性ガス雰囲気中で焼成できる抵抗体をスクリ
ーン印刷法にて形成し、導体パターンを形成するための
銅めっきを抵抗体と同時に不活性ガス雰囲気中で焼成し
ているため、基板と銅めっきの接着強度をさらに上昇で
き、信顛性の高い多層配線基板を得ることができる。
ーン印刷法にて形成し、導体パターンを形成するための
銅めっきを抵抗体と同時に不活性ガス雰囲気中で焼成し
ているため、基板と銅めっきの接着強度をさらに上昇で
き、信顛性の高い多層配線基板を得ることができる。
さらに、焼成を不活性ガス雰囲気中の焼成のみで行なえ
るため、セラミック多層配線基板の内部導体に影響を与
えることがない。
るため、セラミック多層配線基板の内部導体に影響を与
えることがない。
その結果、多層配線基板による高密度化、高信頼化と、
エツチング技術による銅導体パターンのファインパター
ン化および高密度化とを同時に達成することができる。
エツチング技術による銅導体パターンのファインパター
ン化および高密度化とを同時に達成することができる。
(実施例)
第1図は本発明の多層配線基板の製造方法の一例の工程
を示すフローチャートである。まず、アルミナ等のセラ
ミックグリーンシート上に導体パターンおよび絶縁層を
複数層形成した後、例えば還元雰囲気中1600°Cで
焼成することにより、セラミック多層配線基板を得る。
を示すフローチャートである。まず、アルミナ等のセラ
ミックグリーンシート上に導体パターンおよび絶縁層を
複数層形成した後、例えば還元雰囲気中1600°Cで
焼成することにより、セラミック多層配線基板を得る。
多層にする方法としては、従来から公知の積層法、印刷
法等の種々の方法を使用することができる。
法等の種々の方法を使用することができる。
次に、必要に応じてセラミック多層配線基板のヴイアホ
ール上の内層配線露出部に無電解ニッケルめっきを設け
、さらに銅、ニッケル、コバルトのうち少くとも一種類
を主成分とする厚膜導体からなる接続層を設け、基板表
面全体に銅めっきを施す。次に、銅めっき上の所定部分
にレジスト層を設け、フォトリソエツチングを実施する
ことにより、導体パターンを形成する。フォトリソエツ
チングの方法は従来から公知のどのような方法をも使用
できるが、微細配線を形成するためには、レジスト材料
としてポジタイプの液状レジストを用いると好ましい。
ール上の内層配線露出部に無電解ニッケルめっきを設け
、さらに銅、ニッケル、コバルトのうち少くとも一種類
を主成分とする厚膜導体からなる接続層を設け、基板表
面全体に銅めっきを施す。次に、銅めっき上の所定部分
にレジスト層を設け、フォトリソエツチングを実施する
ことにより、導体パターンを形成する。フォトリソエツ
チングの方法は従来から公知のどのような方法をも使用
できるが、微細配線を形成するためには、レジスト材料
としてポジタイプの液状レジストを用いると好ましい。
次に、不活性ガス雰囲気中で焼成できる抵抗体ペースト
をスクリーン印刷により導体パターンの所定位置に設け
る。なお、これに先立って、必要があれば、導体パター
ン上に絶縁ガラスおよび導体ペーストを設は基板表面上
を部分的に多層化することも可能である。次に、不活性
ガス雰囲気中で焼成するとともに、必要があれば焼成後
の抵抗体を保護するためのオーバーコート被膜を形成し
て、本発明の多層配線基板を得ている。
をスクリーン印刷により導体パターンの所定位置に設け
る。なお、これに先立って、必要があれば、導体パター
ン上に絶縁ガラスおよび導体ペーストを設は基板表面上
を部分的に多層化することも可能である。次に、不活性
ガス雰囲気中で焼成するとともに、必要があれば焼成後
の抵抗体を保護するためのオーバーコート被膜を形成し
て、本発明の多層配線基板を得ている。
第2図は本発明の製造法で得た多層配線基板の一例の構
造を示す断面図である。第2図において、1はセラミッ
ク多層配線基板、2はセラミック多層配線基板1の絶縁
層、3はセラミック多層配線基板1の内層配線、4は基
板1のヴイアホール、5はヴイアホール4上に設けた接
続層、6はフォトリソエツチングにより設けた銅めっき
導体、7は不活性ガス雰囲気中で焼成した抵抗体、8は
抵抗体7を保護するためのオーバーコート被膜である。
造を示す断面図である。第2図において、1はセラミッ
ク多層配線基板、2はセラミック多層配線基板1の絶縁
層、3はセラミック多層配線基板1の内層配線、4は基
板1のヴイアホール、5はヴイアホール4上に設けた接
続層、6はフォトリソエツチングにより設けた銅めっき
導体、7は不活性ガス雰囲気中で焼成した抵抗体、8は
抵抗体7を保護するためのオーバーコート被膜である。
本例においては、銅めっき導体6はフォトリソエツチン
グにより形成されるため、30μm程度の微細配線が可
能であるとともに、不活性ガス雰囲気中で焼成可能な抵
抗体を使用して、銅めっき導体形成後に抵抗体7を設け
ているため、焼成に際しても内層配線3が酸化されるこ
とはなく、さらに第3図に示すように抵抗体形成後の銅
めっき導体の接着強度が抵抗体形成をしない場合に比べ
て向上し、温度サイクルテストなどの信転性試験におい
ても経時劣化が小さい。なお、第3図に示す温度サイク
ルテストは、窒素雰囲気中900°C10分保持の焼成
条件で得た抵抗体を、−55°C(30分)→25°C
(15分)→155°C(30分)→25°C(15分
)の条件を1サイクルとして測定した。
グにより形成されるため、30μm程度の微細配線が可
能であるとともに、不活性ガス雰囲気中で焼成可能な抵
抗体を使用して、銅めっき導体形成後に抵抗体7を設け
ているため、焼成に際しても内層配線3が酸化されるこ
とはなく、さらに第3図に示すように抵抗体形成後の銅
めっき導体の接着強度が抵抗体形成をしない場合に比べ
て向上し、温度サイクルテストなどの信転性試験におい
ても経時劣化が小さい。なお、第3図に示す温度サイク
ルテストは、窒素雰囲気中900°C10分保持の焼成
条件で得た抵抗体を、−55°C(30分)→25°C
(15分)→155°C(30分)→25°C(15分
)の条件を1サイクルとして測定した。
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明の多層配線基板
の製造方法によれば、フォトリソエツチングにより導体
パターンを形成するとともに、不活性ガス雰囲気中で焼
成できる抵抗体を導体パターン形成後に設けるようにし
たため、導体パターンの微細配線を得ることができると
ともに、導体パターンの接着強度に優れ、信顛性の高い
高密度多層配線基板を得ることができる。
の製造方法によれば、フォトリソエツチングにより導体
パターンを形成するとともに、不活性ガス雰囲気中で焼
成できる抵抗体を導体パターン形成後に設けるようにし
たため、導体パターンの微細配線を得ることができると
ともに、導体パターンの接着強度に優れ、信顛性の高い
高密度多層配線基板を得ることができる。
第1図は本発明の多層配線基板の製造方法の一例の工程
を示すフローチャート、 第2図は本発明の製造方法で得た多層配線基板の一例の
構造を示す図、 第3図は本発明における温度サイクルテストの結果を示
すグラフである。 1・・・セラミック多層配線基板 2・・・絶縁層 3・・・内層配線4・・・
ヴイアホール 5・・・接続層6・・・銅めっき導
体 7・・・抵抗体8・・・オーバーコート被膜 手 続 争甫 正 書
を示すフローチャート、 第2図は本発明の製造方法で得た多層配線基板の一例の
構造を示す図、 第3図は本発明における温度サイクルテストの結果を示
すグラフである。 1・・・セラミック多層配線基板 2・・・絶縁層 3・・・内層配線4・・・
ヴイアホール 5・・・接続層6・・・銅めっき導
体 7・・・抵抗体8・・・オーバーコート被膜 手 続 争甫 正 書
Claims (1)
- 1.セラミックグリーンシート上に導体パターンおよび
絶縁層を複数層形成し、同時焼成することによりセラミ
ック多層配線基板を作製する工程と、得られたセラミッ
ク多層配線基板の内層配線露出部に必要に応じて銅、ニ
ッケル、コバルトのうち少なくとも一種類を主成分とす
る導体からなる接続層を形成した後全表面に銅めっきを
施した後、フォトリソエッチングにて導体パターンを形
成し、さらに不活性ガス雰囲気中で焼成できる抵抗体を
スクリーン印刷により形成し、不活性ガス雰囲気中で焼
成する工程とからなることを特徴とする多層配線基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198389A JPH02252291A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198389A JPH02252291A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252291A true JPH02252291A (ja) | 1990-10-11 |
Family
ID=13476207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7198389A Pending JPH02252291A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02252291A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144554A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Tdk Corp | 厚膜混成集積回路基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7198389A patent/JPH02252291A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144554A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Tdk Corp | 厚膜混成集積回路基板の製造方法 |
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